JPH0374660U - - Google Patents

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JPH0374660U
JPH0374660U JP13316689U JP13316689U JPH0374660U JP H0374660 U JPH0374660 U JP H0374660U JP 13316689 U JP13316689 U JP 13316689U JP 13316689 U JP13316689 U JP 13316689U JP H0374660 U JPH0374660 U JP H0374660U
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JP
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plasma
plasma generation
generation chambers
chambers
sample
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、本考案の実施例に係るプラズマ処理
装置の全体平面図、第２図は、第１図−線に
沿う断面図、第３図は、従来のプラズマ処理装置
の構成を示す断面図である。 １……半導体ウエハ等の試料、３……導波管、
４……マイクロ波発振器（マグネトロン）、５…
…プラズマ発生室、６……ガス供給管、７……マ
イクロ波導入窓。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 少なくとも１つのマイクロ波源及びこのマイク
    ロ波源によつて発生されたマイクロ波を放射方向
    に複数分岐するための導波管と、 分岐された各導波管の先端部に設けられ、電子
    サイクロトロン共鳴によつてプラズマを発生させ
    る複数のプラズマ発生室と、 該それぞれのプラズマ発生室に付設され、前記
    プラズマ発生室で発生されたプラズマ流を試料の
    表面に照射するようにした複数の試料室と、 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
JP13316689U 1989-11-16 1989-11-16 Pending JPH0374660U (ja)

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JPH0374660U true JPH0374660U (ja) 1991-07-26

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