JPS6357906B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6357906B2 JPS6357906B2 JP410781A JP410781A JPS6357906B2 JP S6357906 B2 JPS6357906 B2 JP S6357906B2 JP 410781 A JP410781 A JP 410781A JP 410781 A JP410781 A JP 410781A JP S6357906 B2 JPS6357906 B2 JP S6357906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- magnetic pole
- sample
- working distance
- lower magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
- H01J37/141—Electromagnetic lenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はワーキングデイスタンスを大幅に可変
する走査電子顕微鏡における対物レンズに関す
る。
する走査電子顕微鏡における対物レンズに関す
る。
走査電子顕微鏡においては、試料の観察目的に
応じてワーキングデイスタンス（Ｗ・Ｄ）が可変
される。即ち、例えば試料のＸ線分析を行う場合
や、焦点深度の深い観察を行う場合にはワーキン
グデイスタンスを大きくし、又高分解能２次電子
像を観察したいときには対物レンズの焦点距離を
短かく、つまりワーキングデイスタンスを小さく
する必要がある。
応じてワーキングデイスタンス（Ｗ・Ｄ）が可変
される。即ち、例えば試料のＸ線分析を行う場合
や、焦点深度の深い観察を行う場合にはワーキン
グデイスタンスを大きくし、又高分解能２次電子
像を観察したいときには対物レンズの焦点距離を
短かく、つまりワーキングデイスタンスを小さく
する必要がある。
第１図は従来の対物レンズの構造を示す断面図
で、レンズヨーク１、励磁コイル２及び上磁極
３，下磁極４からなり、上，下磁極間隙内にレン
ズ磁場を形成し、それにより電子線を集束する。
５はワーキングデイスタンスが大きい場合の試
料、６はワーキングデイスタンスが小さい場合の
試料を示してある。この様なレンズにおいて、試
料を５から６の位置（その逆でも良い。）に変え
てワーキングデイスタンスを大きく可変した場
合、励磁コイル２に供給する電流を調整すれば試
料６上にフオーカスの合つた電子線を照射でき
る。
で、レンズヨーク１、励磁コイル２及び上磁極
３，下磁極４からなり、上，下磁極間隙内にレン
ズ磁場を形成し、それにより電子線を集束する。
５はワーキングデイスタンスが大きい場合の試
料、６はワーキングデイスタンスが小さい場合の
試料を示してある。この様なレンズにおいて、試
料を５から６の位置（その逆でも良い。）に変え
てワーキングデイスタンスを大きく可変した場
合、励磁コイル２に供給する電流を調整すれば試
料６上にフオーカスの合つた電子線を照射でき
る。
しかし乍ら、上記レンズは球面収差係数Csを
それ程小さくできず、ワーキングデイスタンス
WDを零にしても10mm以下の球面収差係数を得る
ことはできなかつた。従つて、充分に高い分解能
の走査像を得ることはできない。そこで、Csを
小さくするために試料を対物レンズ磁極間隙内に
置き、該レンズを強励磁にして使用する装置もあ
るが、狭隘な空間に挿入する関係上、試料の大き
さに制限があり、且つ試料の位置制御（移動、回
転及び傾斜）に困難性を伴なうという欠点があ
る。
それ程小さくできず、ワーキングデイスタンス
WDを零にしても10mm以下の球面収差係数を得る
ことはできなかつた。従つて、充分に高い分解能
の走査像を得ることはできない。そこで、Csを
小さくするために試料を対物レンズ磁極間隙内に
置き、該レンズを強励磁にして使用する装置もあ
るが、狭隘な空間に挿入する関係上、試料の大き
さに制限があり、且つ試料の位置制御（移動、回
転及び傾斜）に困難性を伴なうという欠点があ
る。
本発明は上記の欠点を解決することを目的とす
るもので、以下図面に示した実施例に従つてその
詳細を説明する。
るもので、以下図面に示した実施例に従つてその
詳細を説明する。
第２図及び第３図は本発明の一実施例を示す断
面図であり、第１図と同符号は同一物を示してあ
る。第２図において、下磁極（片）４はヨーク１
から面Ｐにおいて分離し、取り外し可能となして
ある。第２図の状態、即ち下磁極４を装着した状
態は第１図に示す従来のレンズと同じであり、
上，下磁極３，４間に磁場が発生する。光軸上の
磁場分布はB1で示す如く、磁極間隙内にピーク
を有し、下磁極４の下側には殆んど存在しない。
試料５は下磁極４の下方に置かれ、大きなワーキ
ングデイスタンスWDが得られている。第２図の
レンズにおいて、下磁極片４をヨーク１から取り
外すと第３図に示す如きレンズが得られる。この
様な構造のレンズにおいては、上磁極３とヨーク
１の外筒下端部１ａとの間に磁界が生ずるので、
軸上磁場分布はB2で示す如く、上磁極３の下方
に長く分布することになる。試料６は磁場内に収
められているが、上磁極３の下方には邪魔になる
物が存在しないので、該試料は上磁極端面に極め
て接近させることができる。而して、励磁コイル
２へ供給する電流を増加して強励磁状態にする
と、ワーキングデイスタンスWDが３mm程度でCs
＜10mmが達成され、更にWD＝０においてCs５
mmを得ることができた。これにより極めて高い分
解能の走査像を観察することが可能である。尚、
試料が上磁極３に接近しすぎて両者の間から２次
電子を取り出すことができない場合には、ヨーク
の穴内を上方に加速しながら取り出し、対物レン
ズの上部に設けた検出器で検出するようにすると
良い。
面図であり、第１図と同符号は同一物を示してあ
る。第２図において、下磁極（片）４はヨーク１
から面Ｐにおいて分離し、取り外し可能となして
ある。第２図の状態、即ち下磁極４を装着した状
態は第１図に示す従来のレンズと同じであり、
上，下磁極３，４間に磁場が発生する。光軸上の
磁場分布はB1で示す如く、磁極間隙内にピーク
を有し、下磁極４の下側には殆んど存在しない。
試料５は下磁極４の下方に置かれ、大きなワーキ
ングデイスタンスWDが得られている。第２図の
レンズにおいて、下磁極片４をヨーク１から取り
外すと第３図に示す如きレンズが得られる。この
様な構造のレンズにおいては、上磁極３とヨーク
１の外筒下端部１ａとの間に磁界が生ずるので、
軸上磁場分布はB2で示す如く、上磁極３の下方
に長く分布することになる。試料６は磁場内に収
められているが、上磁極３の下方には邪魔になる
物が存在しないので、該試料は上磁極端面に極め
て接近させることができる。而して、励磁コイル
２へ供給する電流を増加して強励磁状態にする
と、ワーキングデイスタンスWDが３mm程度でCs
＜10mmが達成され、更にWD＝０においてCs５
mmを得ることができた。これにより極めて高い分
解能の走査像を観察することが可能である。尚、
試料が上磁極３に接近しすぎて両者の間から２次
電子を取り出すことができない場合には、ヨーク
の穴内を上方に加速しながら取り出し、対物レン
ズの上部に設けた検出器で検出するようにすると
良い。
上記実施例においては、下磁極４をヨーク１よ
り取り外した状態で使用したが、該下磁極を取り
外した後、別の下磁極を取り付け、所望の磁界分
布を得るようにしても良い。更に、第４図及び第
５図に示す如く下磁極のみならず上磁極も一体的
に交換するようになしても良い。図中７は非磁性
のスペーサであり、上磁極３と下磁極４とを一定
の間隙を保つて一体化するものである。斯くして
一体化された上、下磁極を例えば複数本の棒８に
より支え、ヨーク１の下面に結合せしめる。第４
図は第２図の状態に対応しており、長いワーキン
グデイスタンスWDを得る場合である。又、第５
図は第３図に対応し、短かいワーキングデイスタ
ンスを得る場合である。
り取り外した状態で使用したが、該下磁極を取り
外した後、別の下磁極を取り付け、所望の磁界分
布を得るようにしても良い。更に、第４図及び第
５図に示す如く下磁極のみならず上磁極も一体的
に交換するようになしても良い。図中７は非磁性
のスペーサであり、上磁極３と下磁極４とを一定
の間隙を保つて一体化するものである。斯くして
一体化された上、下磁極を例えば複数本の棒８に
より支え、ヨーク１の下面に結合せしめる。第４
図は第２図の状態に対応しており、長いワーキン
グデイスタンスWDを得る場合である。又、第５
図は第３図に対応し、短かいワーキングデイスタ
ンスを得る場合である。
以上詳述した如く、本発明においては少くとも
下磁極の端部を着脱又は交換することにより簡単
に長いワーキングデイスタンスと短かいワーキン
グデイスタンスとを切換えることができ、且つ短
かいワーキングデイスタンスの状態において極め
て小さい球面収差係数（Cs５mm）を得ること
ができ、従つて分解能の高い走査画像を得ること
が可能となる。更に、ワーキングデイスタンスを
短かくした場合でも上磁極の下面より下方は大き
く開放されているので、試料の挿脱、位置調整に
は全く支障がない。
下磁極の端部を着脱又は交換することにより簡単
に長いワーキングデイスタンスと短かいワーキン
グデイスタンスとを切換えることができ、且つ短
かいワーキングデイスタンスの状態において極め
て小さい球面収差係数（Cs５mm）を得ること
ができ、従つて分解能の高い走査画像を得ること
が可能となる。更に、ワーキングデイスタンスを
短かくした場合でも上磁極の下面より下方は大き
く開放されているので、試料の挿脱、位置調整に
は全く支障がない。
第１図は従来の走査電子顕微鏡用対物レンズの
断面図、第２図と第３図及び第４図と第５図は
夫々本発明の一実施例を示す対物レンズの断面図
である。 １……レンズヨーク、２……励磁コイル、３…
…上磁極、４……下磁極、５，６……試料、７…
…スペーサ、８……棒。
断面図、第２図と第３図及び第４図と第５図は
夫々本発明の一実施例を示す対物レンズの断面図
である。 １……レンズヨーク、２……励磁コイル、３…
…上磁極、４……下磁極、５，６……試料、７…
…スペーサ、８……棒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レンズヨークと、励磁コイルと、前記レンズ
ヨークから下側に突出した上下磁極部とを有する
レンズにおいて、少くとも下側磁極の端部を試料
にレンズ磁場が殆んど印加されない状態から試料
がレンズ磁場中へ置かれるように取外し、又は交
換可能に構成したことを特徴とする走査電子顕微
鏡用対物レンズ。 ２ 上記上下磁極の端部を一体的に交換可能に構
成した特許請求の範囲第１項記載の走査電子顕微
鏡用対物レンズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410781A JPS57118356A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Objective lens for scan type electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP410781A JPS57118356A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Objective lens for scan type electron microscope |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57118356A JPS57118356A (en) | 1982-07-23 |
| JPS6357906B2 true JPS6357906B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=11575563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP410781A Granted JPS57118356A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Objective lens for scan type electron microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57118356A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58198837A (ja) * | 1982-05-15 | 1983-11-18 | Akashi Seisakusho Co Ltd | 電子顕微鏡およびその類似装置 |
| JPS5960954A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS5994350A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Akashi Seisakusho Co Ltd | 電磁式対物レンズ |
| JPS6074250A (ja) * | 1983-09-29 | 1985-04-26 | Jeol Ltd | 磁界型レンズ |
| JP2772821B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1998-07-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電子線装置 |
| US6366014B1 (en) | 1997-08-01 | 2002-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Charge-up suppressing member, charge-up suppressing film, electron beam apparatus, and image forming apparatus |
| GB9807592D0 (en) * | 1998-04-08 | 1998-06-10 | Shimadzu Res Lab Europe Ltd | Magnetic immersion lenses |
| JP5492032B2 (ja) * | 2010-09-03 | 2014-05-14 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡の対物レンズの用途切替方法 |
| JP2014041734A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 複合荷電粒子線装置 |
-
1981
- 1981-01-14 JP JP410781A patent/JPS57118356A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57118356A (en) | 1982-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6257062B2 (ja) | ||
| US6329659B1 (en) | Correction device for correcting the lens defects in particle-optical apparatus | |
| JPH071681B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPS6357906B2 (ja) | ||
| JPH0337260B2 (ja) | ||
| JPS5842935B2 (ja) | 走査電子顕微鏡等の対物レンズ | |
| US5225676A (en) | Electrooptical viewing apparatus capable of switching depth of focus | |
| US5023457A (en) | Electron beam device | |
| EP0085323B1 (en) | Electromagnetic lens polepiece structure | |
| GB2118361A (en) | Scanning electron beam apparatus | |
| JP3351647B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2000149842A (ja) | 荷電粒子ビ―ムフォ―カシング用磁気レンズ | |
| JPS5944743B2 (ja) | 走査電子顕微鏡等用照射電子レンズ系 | |
| JPH0234418B2 (ja) | ||
| JP2529286B2 (ja) | 電子ビ−ム加工装置 | |
| JP2886168B2 (ja) | 電子線装置 | |
| JPS6313646Y2 (ja) | ||
| JPH05225936A (ja) | 走査電子顕微鏡の対物レンズ | |
| TW548664B (en) | Split magnetic lens for controlling a charged particle beam | |
| JPS6328518Y2 (ja) | ||
| JPH0532926Y2 (ja) | ||
| JPH09147774A (ja) | 走査電子顕微鏡用対物レンズ | |
| JPS5841642Y2 (ja) | 電子線照射分析装置の試料ホルダ− | |
| JPH0689683A (ja) | 電磁型レンズ | |
| JPS6129058A (ja) | 走査形電子顕微鏡の対物レンズ |