JPS6352470B2 - - Google Patents
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- JPS6352470B2 JPS6352470B2 JP54148902A JP14890279A JPS6352470B2 JP S6352470 B2 JPS6352470 B2 JP S6352470B2 JP 54148902 A JP54148902 A JP 54148902A JP 14890279 A JP14890279 A JP 14890279A JP S6352470 B2 JPS6352470 B2 JP S6352470B2
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- JP
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- wiring
- resistance
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- small
- layer
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路の一部に小抵抗を有する半導体装
置に関する。
置に関する。
パワーICにおける出力トランジスタのASO（安
全動作領域）を向上させるために、従来よりトラ
ンジスタのチツプの大きさ、特に能動領域の形成
されるエピタキシヤル半導体層の厚さや比抵抗を
変えることを行なつていたが、その場合ICチツ
プサイズが大きくなるため、集積度が小さくな
り、コスト低減が困難である。そこでICのチツ
プ寸法は従来の通りで、エピタキシヤル仕様も変
えないでASO改善を行なうため出力トランジス
タに保護回路を使用することが本願出願人により
提案されている。第１図はパワーIC用出力トラ
ンジスタ保護回路を示し、出力トランジスタQp
が保護されるパワーICである。この保護回路に
おいて、トランジスタのコレクタに接続する抵抗
Ｒが大きいとパワーICの出力（P0）に悪影響を
及ぼすためできるだけ小さい抵抗値であることが
望ましいが、実際は15ｍΩ程度である。ところで
ICにおいては一般に拡散抵抗が使われているが、
拡散抵抗はシート抵抗P1が５〜200Ω／口で５Ω
程度を実現することが限度であり、本抵抗を拡散
抵抗で形成しようとすれば、抵抗の専有面積を大
きく必要とし又出力に対する損失も大きくなる。
全動作領域）を向上させるために、従来よりトラ
ンジスタのチツプの大きさ、特に能動領域の形成
されるエピタキシヤル半導体層の厚さや比抵抗を
変えることを行なつていたが、その場合ICチツ
プサイズが大きくなるため、集積度が小さくな
り、コスト低減が困難である。そこでICのチツ
プ寸法は従来の通りで、エピタキシヤル仕様も変
えないでASO改善を行なうため出力トランジス
タに保護回路を使用することが本願出願人により
提案されている。第１図はパワーIC用出力トラ
ンジスタ保護回路を示し、出力トランジスタQp
が保護されるパワーICである。この保護回路に
おいて、トランジスタのコレクタに接続する抵抗
Ｒが大きいとパワーICの出力（P0）に悪影響を
及ぼすためできるだけ小さい抵抗値であることが
望ましいが、実際は15ｍΩ程度である。ところで
ICにおいては一般に拡散抵抗が使われているが、
拡散抵抗はシート抵抗P1が５〜200Ω／口で５Ω
程度を実現することが限度であり、本抵抗を拡散
抵抗で形成しようとすれば、抵抗の専有面積を大
きく必要とし又出力に対する損失も大きくなる。
本発明は上記した従来技術の問題点を解決する
ためになされたものであり、その目的はチツプサ
イズを大きくすることなく、保護回路の実現がで
きパワーICのASOを拡大できる小抵抗の提供に
ある。
ためになされたものであり、その目的はチツプサ
イズを大きくすることなく、保護回路の実現がで
きパワーICのASOを拡大できる小抵抗の提供に
ある。
上記目的を達成するための本発明は、チツプパ
ターン上の導体膜の一部を小抵抗として形成する
ことを特徴とする。
ターン上の導体膜の一部を小抵抗として形成する
ことを特徴とする。
第２図、第３図において本発明による小抵抗が
示され、１はSi（シリコン）基板、２は基板表面
に形成した例えば厚さが1.75μｍの第１層のAl（ア
ルミニウム）配線、３はCVD（気相化学反応析
出）によるSiO2等からなり、例えば厚さ3.5μｍの
層間絶縁膜、４は例えば厚さ3.5μｍの第２層のAl
配線であり、図から明らかなように第１層のAl
配線よりも幅広く形成されている。そして、第１
層Al配線２と第２層Al配線４とはスルーホール
５，５を通じて互いに接続されている。このスル
ーホール５，５の間の第２層Al配線部分６が小
抵抗として利用され、その抵抗値Ｒ＝Ｐ・Ｌ／Ｗで ある。
示され、１はSi（シリコン）基板、２は基板表面
に形成した例えば厚さが1.75μｍの第１層のAl（ア
ルミニウム）配線、３はCVD（気相化学反応析
出）によるSiO2等からなり、例えば厚さ3.5μｍの
層間絶縁膜、４は例えば厚さ3.5μｍの第２層のAl
配線であり、図から明らかなように第１層のAl
配線よりも幅広く形成されている。そして、第１
層Al配線２と第２層Al配線４とはスルーホール
５，５を通じて互いに接続されている。このスル
ーホール５，５の間の第２層Al配線部分６が小
抵抗として利用され、その抵抗値Ｒ＝Ｐ・Ｌ／Ｗで ある。
Al配線を使つた抵抗についてはシート抵抗P2
＝10〜20ｍΩ／□であり、シート抵抗としては拡
散抵抗の場合（P1＝20Ω／□）の1000分の１程
度であるため、そのために占有される面積も1000
分の１程度と極めて小さくてすむ。
＝10〜20ｍΩ／□であり、シート抵抗としては拡
散抵抗の場合（P1＝20Ω／□）の1000分の１程
度であるため、そのために占有される面積も1000
分の１程度と極めて小さくてすむ。
モノリシツクICでは金属抵抗は使用されるこ
とがなかつたが、本発明のように多層配線構造で
その金属配線の一部を小抵抗として使うことによ
り、チツプサイズを大きくすることなく、保護回
路の実現が可能となり、パワーICのASO拡大が
可能となり、特に大電流を小抵抗で検出する回路
に本発明はきわめて有効である。
とがなかつたが、本発明のように多層配線構造で
その金属配線の一部を小抵抗として使うことによ
り、チツプサイズを大きくすることなく、保護回
路の実現が可能となり、パワーICのASO拡大が
可能となり、特に大電流を小抵抗で検出する回路
に本発明はきわめて有効である。
本発明は前記実施例に限定されず、下記のよう
に種々の変形実施例を有する。
に種々の変形実施例を有する。
(1) 第４図に示すように第１層のAl配線２に対
して第２層のAl配線４をスルーホール５を通
して接続し、第１層のAl配線を小抵抗として
使用する。
して第２層のAl配線４をスルーホール５を通
して接続し、第１層のAl配線を小抵抗として
使用する。
(2) 第５図に示すように小抵抗となる第２層Al
膜７を円形状に形成する。
膜７を円形状に形成する。
(3) 第６図に示すように同じ面において第１の
Al配線８の側面より第２のAl配線９，９を２
個所で接続させ、接続点の間の第１のAl配線
を小抵抗１０として使用する。
Al配線８の側面より第２のAl配線９，９を２
個所で接続させ、接続点の間の第１のAl配線
を小抵抗１０として使用する。
(4) 小抵抗に使用する導体配線はAl以外にCu
（銅）、Cr（クロム）Au（金）、これらの合金等が
利用できる。
（銅）、Cr（クロム）Au（金）、これらの合金等が
利用できる。
第１図はIC用パワートランジスタ保護回路、
第２図は本発明による小抵抗の一実施例の平面
図、第３図は第２図におけるＡ−A′視断面図、
第４図乃至第６図は本発明による小抵抗の他の実
施例をそれぞれに示し、このうち第４図は断面
図、第５図、第６図は平面図である。 １……Si基板、２……第１層Al配線、３……
層間絶縁膜、４……第２層Al配線、５……スル
ーホール、６……小抵抗、７……小抵抗、８……
第１の配線、９……第２の配線、１０……小抵
抗。
第２図は本発明による小抵抗の一実施例の平面
図、第３図は第２図におけるＡ−A′視断面図、
第４図乃至第６図は本発明による小抵抗の他の実
施例をそれぞれに示し、このうち第４図は断面
図、第５図、第６図は平面図である。 １……Si基板、２……第１層Al配線、３……
層間絶縁膜、４……第２層Al配線、５……スル
ーホール、６……小抵抗、７……小抵抗、８……
第１の配線、９……第２の配線、１０……小抵
抗。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体チツプ主面に形成された大電流を流す
ための所定の幅をもつ金属導体配線層と、その金
属導体配線層に対して互いに所定間隔を保つて電
気的に接続された上記金属導体配線層よりも幅の
狭い第１、第２配線層とを有し、その第１、第２
配線層は半導体チツプに設けられた検出回路に電
気的に接続されてなることを特徴とするモノリシ
ツクIC。 ２ 前記金属導体配線層および前記第１、第２配
線層は層間絶縁膜を介して多層配線構造を構成し
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のモノリシツクIC。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890279A JPS5671963A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890279A JPS5671963A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5671963A JPS5671963A (en) | 1981-06-15 |
| JPS6352470B2 true JPS6352470B2 (ja) | 1988-10-19 |
Family
ID=15463219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14890279A Granted JPS5671963A (en) | 1979-11-19 | 1979-11-19 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5671963A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074572A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | 集積回路装置 |
| US20080236635A1 (en) | 2006-07-31 | 2008-10-02 | Maximilian Rosenzweig | Steam mop |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110699U (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-26 | ||
| JPS5132378U (ja) * | 1974-09-02 | 1976-03-09 | ||
| JPS53116788A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Toshiba Corp | Circuit element structuring body |
-
1979
- 1979-11-19 JP JP14890279A patent/JPS5671963A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110699U (ja) * | 1974-07-10 | 1976-01-26 | ||
| JPS5132378U (ja) * | 1974-09-02 | 1976-03-09 | ||
| JPS53116788A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-12 | Toshiba Corp | Circuit element structuring body |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5671963A (en) | 1981-06-15 |
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