JPS61134053A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS61134053A JPS61134053A JP25607084A JP25607084A JPS61134053A JP S61134053 A JPS61134053 A JP S61134053A JP 25607084 A JP25607084 A JP 25607084A JP 25607084 A JP25607084 A JP 25607084A JP S61134053 A JPS61134053 A JP S61134053A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wirings
- wiring
- layer
- trimming
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、轡に二層構造トリ
ミング配線を有する半導体集積回路装置に関する。
ミング配線を有する半導体集積回路装置に関する。
従来、アナログ集積回路、例えば抵抗盤のアナログ・デ
ィジタル変換器等は多くの抵抗が用いられ、しかも精度
を要求されるのでトリミングが行なわれるのが普通であ
る。トリミングは複数個の拡散抵抗をトリミング配線で
音列に接続し、また抵抗と並列に接続したトリミング配
線をレーザ光等を使用して切断し、希望の抵抗値を得る
方法がとられている。しかも通常の配線とトリミング用
配線は拡散抵抗の形成された半導体基板上の第一層の絶
縁膜上の同一層に形成されるのが一般的である。
ィジタル変換器等は多くの抵抗が用いられ、しかも精度
を要求されるのでトリミングが行なわれるのが普通であ
る。トリミングは複数個の拡散抵抗をトリミング配線で
音列に接続し、また抵抗と並列に接続したトリミング配
線をレーザ光等を使用して切断し、希望の抵抗値を得る
方法がとられている。しかも通常の配線とトリミング用
配線は拡散抵抗の形成された半導体基板上の第一層の絶
縁膜上の同一層に形成されるのが一般的である。
上述したように、従来のトリミング配線を有する半導体
集積回路は通常配線とトリミング配線は同一層に形成さ
れている。従って、トリミング配線は通常半導体基板と
は単一層の絶縁膜を介して隣接して形成されている。従
ってレーザーによりトリミング配線を切断すると単一層
である絶縁膜に損傷を与え、絶縁不良や基板と配線の短
絡を生ずるという問題点があった。
集積回路は通常配線とトリミング配線は同一層に形成さ
れている。従って、トリミング配線は通常半導体基板と
は単一層の絶縁膜を介して隣接して形成されている。従
ってレーザーによりトリミング配線を切断すると単一層
である絶縁膜に損傷を与え、絶縁不良や基板と配線の短
絡を生ずるという問題点があった。
また、多くの配線とトリミング配線は同一層に近接して
形成するのでレーザーにより通常の配線に損傷を与える
危険を生ずる。
形成するのでレーザーにより通常の配線に損傷を与える
危険を生ずる。
これらの問題をさけるためにトリミング配線に余裕を持
たせると面積が大きくなったり膜厚が増加して小型化に
不利となる。
たせると面積が大きくなったり膜厚が増加して小型化に
不利となる。
本発明は、抵抗のトリミングにあたり、レーザーによる
損傷が半導体基板に達せず、従って配線と基板の短絡や
絶縁不良が発生することなく、それＥこ加えて同一層に
形成された配線に損傷を与えることも少なく、信頼性、
歩留り、小型化の進んだ二層構造トリミング配線を有す
る半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
損傷が半導体基板に達せず、従って配線と基板の短絡や
絶縁不良が発生することなく、それＥこ加えて同一層に
形成された配線に損傷を与えることも少なく、信頼性、
歩留り、小型化の進んだ二層構造トリミング配線を有す
る半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体集積回路装置は、ＰＮ接合素子の形成さ
れた半導体基板と、該半導体基板上に形成された第一の
絶縁膜と、該第一の絶縁膜上に在って前記ＰＮ接合素子
を接続すべく形成された第一の金属配線と、該第一の金
属配線を覆い前記第一の絶縁膜上に形成された少なくと
も一層より成る第二の絶縁膜と、該第二の絶縁膜上に在
って前記第一の金属配線を接続すべく形成された第二の
金属配線と、該第二の金属配線を覆い前記第二の絶縁膜
上に形成された第三の絶縁膜とから成り、前記第二の金
属配線の一部分がトリミング用配線として形成され、か
つ該トリミング配線直下に前記第一の金属配線が存在し
ない構造を有している。
れた半導体基板と、該半導体基板上に形成された第一の
絶縁膜と、該第一の絶縁膜上に在って前記ＰＮ接合素子
を接続すべく形成された第一の金属配線と、該第一の金
属配線を覆い前記第一の絶縁膜上に形成された少なくと
も一層より成る第二の絶縁膜と、該第二の絶縁膜上に在
って前記第一の金属配線を接続すべく形成された第二の
金属配線と、該第二の金属配線を覆い前記第二の絶縁膜
上に形成された第三の絶縁膜とから成り、前記第二の金
属配線の一部分がトリミング用配線として形成され、か
つ該トリミング配線直下に前記第一の金属配線が存在し
ない構造を有している。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例の平面図
及びＸ−Ｙ断面図である。
及びＸ−Ｙ断面図である。
第１図（ａ） 、 （ｂ）にぷいて、１０１は半導体基
板、１０２は拡散抵抗、１０３は約５ｏｏｏｕの熱酸化
膜、１０４はコンタクト窓、１０５は一部目アルミニウ
ム配線、１０６は約１μ麓の層間プラズマ窒化膜、１０
７は一部目アルミニウムと二層目アルミニウムを接続す
るスルーホール、１０８はトリミングに用いられる二層
目のアルミニウム配線、１０９はトリミングに関係のな
い二層目の配線１１０はレーザーで切断する部分、１１
１は保護膜として形成した約５ｏｏｏＡの気相成長酸化
膜である。
板、１０２は拡散抵抗、１０３は約５ｏｏｏｕの熱酸化
膜、１０４はコンタクト窓、１０５は一部目アルミニウ
ム配線、１０６は約１μ麓の層間プラズマ窒化膜、１０
７は一部目アルミニウムと二層目アルミニウムを接続す
るスルーホール、１０８はトリミングに用いられる二層
目のアルミニウム配線、１０９はトリミングに関係のな
い二層目の配線１１０はレーザーで切断する部分、１１
１は保護膜として形成した約５ｏｏｏＡの気相成長酸化
膜である。
すなわち、本発明によれば、ＰＮ接合素子１０２の形成
された半導体基板１０１と、半導体基板１上に形成され
た第一の絶縁膜である熱酸化膜１０３と、第一の絶縁膜
上にあってＰＮ接合素子１０２と接続すべく形成された
第一の金属配線である一部目のアルミニウム配線１０５
と、第一の金属配線１０５を覆い第一の絶縁膜１０３上
に形成された少なくとも一層よりなる第二の絶縁膜であ
る層間プラズマ窒化膜１０６と、第二の絶縁膜１０６上
にあって第一の金属配線１０５を接続すべく形成された
第二の金属配線である二層目アルミニウム配置ｌｌ Ｏ
９と、第二の金属配線１０９を覆い第二の絶縁膜上に形
成された第三の絶縁膜である気相成長酸化膜１１１とか
ら成り、第二の金属配線１０９の一部分がトリミング用
アルミニウム配線１０８として形成され、かつトリミン
グ配線１０８の直下には第一の金属配線１０５が存在し
ない二層構造のトリミング配線を有する半導体集積回路
装置が得られる。
された半導体基板１０１と、半導体基板１上に形成され
た第一の絶縁膜である熱酸化膜１０３と、第一の絶縁膜
上にあってＰＮ接合素子１０２と接続すべく形成された
第一の金属配線である一部目のアルミニウム配線１０５
と、第一の金属配線１０５を覆い第一の絶縁膜１０３上
に形成された少なくとも一層よりなる第二の絶縁膜であ
る層間プラズマ窒化膜１０６と、第二の絶縁膜１０６上
にあって第一の金属配線１０５を接続すべく形成された
第二の金属配線である二層目アルミニウム配置ｌｌ Ｏ
９と、第二の金属配線１０９を覆い第二の絶縁膜上に形
成された第三の絶縁膜である気相成長酸化膜１１１とか
ら成り、第二の金属配線１０９の一部分がトリミング用
アルミニウム配線１０８として形成され、かつトリミン
グ配線１０８の直下には第一の金属配線１０５が存在し
ない二層構造のトリミング配線を有する半導体集積回路
装置が得られる。
二層構造に以上のような構造を用いることにより、二層
目のトリミングに用いるアルミニウム配線１０９の１１
０の部分をレーザーで切断するとこのトリミングアルミ
ニウム配線１０８の直下には一部目のアルミニウム配線
が走っておらず、しかも半導体基板１０１とレーザー切
断部１１０との間には熱酸化膜１０３が５ｏｏｏ！、層
間プラズマ窒化膜１０６が１μｍ存在するためレーザー
による損傷が半導体基板１０１まで達し、二層目のトリ
ミング用アルミニウム配線と半導体基板が短絡すること
はない。それに加え二層構造のため配線設計の自由度が
大きくなりトリミング配線と同一層の配線の損傷も少な
くなり小型化上も効果がある。
目のトリミングに用いるアルミニウム配線１０９の１１
０の部分をレーザーで切断するとこのトリミングアルミ
ニウム配線１０８の直下には一部目のアルミニウム配線
が走っておらず、しかも半導体基板１０１とレーザー切
断部１１０との間には熱酸化膜１０３が５ｏｏｏ！、層
間プラズマ窒化膜１０６が１μｍ存在するためレーザー
による損傷が半導体基板１０１まで達し、二層目のトリ
ミング用アルミニウム配線と半導体基板が短絡すること
はない。それに加え二層構造のため配線設計の自由度が
大きくなりトリミング配線と同一層の配線の損傷も少な
くなり小型化上も効果がある。
以上説明したように、本発明は二層配線構造を有する集
積回路装置において、トリミング用配線を二層目の配線
で形成しているためレーザーでトリミング用配線を断線
させる場合、半導体基板上の絶縁膜の膜厚が厚くレーザ
ーによる損傷が半導体基板ｌこ迄達する可能性を無くす
ることができ、半導体基板とトリミング用配線の短絡を
防止することができる。
積回路装置において、トリミング用配線を二層目の配線
で形成しているためレーザーでトリミング用配線を断線
させる場合、半導体基板上の絶縁膜の膜厚が厚くレーザ
ーによる損傷が半導体基板ｌこ迄達する可能性を無くす
ることができ、半導体基板とトリミング用配線の短絡を
防止することができる。
従って信頼性は向上し、かつ小形化の面でも効果がある
。
。
第１図（ａ） 、 （ｂｌは本発明の一実施例の平ｉｆ
ｉ図３よびその切！Ｆｒ線Ｘ−Ｙｉとおける断面図であ
る。 １０１・・・・−・半導体基板、１０２・・・・・・拡
散抵抗、１０３・・・・・・熱酸化膜、１０４・・・・
・・コンタクト窓、１０５・・・・・・一層目アルミニ
ウム配線、１０６・・・・・・一層目プラズマ窒化膜、
１０７・・・・・・スルーホール、１０８・・・・・・
トリミングアルミニウム配線、１０９・・・・・・二層
目アルミニウム配線、１１０・・・・・・レーザー切断
部分、１１１・・・・・・気相成長散化膜。
ｉ図３よびその切！Ｆｒ線Ｘ−Ｙｉとおける断面図であ
る。 １０１・・・・−・半導体基板、１０２・・・・・・拡
散抵抗、１０３・・・・・・熱酸化膜、１０４・・・・
・・コンタクト窓、１０５・・・・・・一層目アルミニ
ウム配線、１０６・・・・・・一層目プラズマ窒化膜、
１０７・・・・・・スルーホール、１０８・・・・・・
トリミングアルミニウム配線、１０９・・・・・・二層
目アルミニウム配線、１１０・・・・・・レーザー切断
部分、１１１・・・・・・気相成長散化膜。
Claims (1)
- ＰＮ接合素子の形成された半導体基板と、該半導体基
板上に形成された第一の絶縁膜と、該第一の絶縁膜上に
在って前記ＰＮ接合素子を接続すべく形成された第一の
金属配線と、該第一の金属配線を覆い前記第一の絶縁膜
上に形成された少なくとも一層より成る第二の絶縁膜と
、該第二の絶縁膜上に在って前記第一の金属配線を接続
すべく形成された第二の金属配線と、該第二の金属配線
を覆い前記第二の絶縁膜上に形成された第三の絶縁膜と
から成り、前記第二の金属配線の一部分がトリミング用
配線として形成され、かつ該トリミング配線直下に前記
第一の金属配線が存在しないことを特徴とする半導体集
積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25607084A JPS61134053A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25607084A JPS61134053A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134053A true JPS61134053A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17287477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25607084A Pending JPS61134053A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134053A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344063A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JPH0423590U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-26 | ||
| US5215637A (en) * | 1991-06-17 | 1993-06-01 | Lectro Engineering Co. | Method for electronic treatment of interior surfaces of hollow plastic objects |
| JPH06156142A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-03 | Misawa Homes Co Ltd | ユニット運搬車 |
-
1984
- 1984-12-04 JP JP25607084A patent/JPS61134053A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344063A (ja) * | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Sharp Corp | 半導体装置 |
| JPH0423590U (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-26 | ||
| US5215637A (en) * | 1991-06-17 | 1993-06-01 | Lectro Engineering Co. | Method for electronic treatment of interior surfaces of hollow plastic objects |
| JPH06156142A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-03 | Misawa Homes Co Ltd | ユニット運搬車 |
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