JPH10189880A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH10189880A JPH10189880A JP8358324A JP35832496A JPH10189880A JP H10189880 A JPH10189880 A JP H10189880A JP 8358324 A JP8358324 A JP 8358324A JP 35832496 A JP35832496 A JP 35832496A JP H10189880 A JPH10189880 A JP H10189880A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- contact
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- diffused resistor
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高信頼性化
【解決手段】 金属配線配線切断部分とこの金属配線と
接続される半導体集積回路構成要素との間に拡散抵抗を
配置する。
接続される半導体集積回路構成要素との間に拡散抵抗を
配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体集積回路装置は、完成品の
歩留まりをあげたりあるいは種々の機能をオプションと
して持たせるために種々の調整が用いられ、ザッピング
は、この調整に用いられる手段の一つである。
歩留まりをあげたりあるいは種々の機能をオプションと
して持たせるために種々の調整が用いられ、ザッピング
は、この調整に用いられる手段の一つである。
【０００３】図４は、ザッピング調整の一例を示す回路
構成図である。同図において、Ａは、ザッピング調整用
の回路であり、例えば図４で示すＲ３のように抵抗で構
成される。また、Ｒ１，Ｒ２も同様にザッピング調整用
の回路を構成し、コンタクトＴ１とＴ２との間に直列接
続された抵抗である。コンタクトＴ１とＴ２間は配線層
により電気的に接続されている。レーザーにより配線層
のカット箇所を切断したときには、コンタクトＴ１とＴ
２との間の抵抗値は、Ｒ１とＲ２及びＲ３を加えた抵抗
値となる。
構成図である。同図において、Ａは、ザッピング調整用
の回路であり、例えば図４で示すＲ３のように抵抗で構
成される。また、Ｒ１，Ｒ２も同様にザッピング調整用
の回路を構成し、コンタクトＴ１とＴ２との間に直列接
続された抵抗である。コンタクトＴ１とＴ２間は配線層
により電気的に接続されている。レーザーにより配線層
のカット箇所を切断したときには、コンタクトＴ１とＴ
２との間の抵抗値は、Ｒ１とＲ２及びＲ３を加えた抵抗
値となる。
【０００４】図５、図６は調整の具体的な半導体装置の
一例を示しており、特に、これらの図において、合金層
からなるコンタクトＴ１とＴ１’との間には図４の抵抗
Ｒ１に対応する拡散抵抗が形成されており、コンタクト
Ｔ２とＴ２’との間には図４の抵抗Ｒ２に対応する拡散
抵抗が形成されている。また、配線Ｗ１は一端が半導体
集積回路装置の内部回路（図示せず）Ｂに接続され、他
端が半導体集積回路装置の内部回路（図示せず）Ｃに接
続され、且つ、途中でコンタクトＴ１とＴ２とを接続す
るものであり、この配線の途中にレーザーによる配線カ
ットされる個所（丸で囲った部分）Ｐがある。また、配
線Ｗ２はコンタクトＴ１’とザッピング調整用の抵抗Ｒ
３のコンタクトｒ１とを接続するものであり、配線Ｗ３
はコンタクトＴ２’とザッピング調整用の抵抗Ｒ３のコ
ンタクトｒ２とを接続するものである。
一例を示しており、特に、これらの図において、合金層
からなるコンタクトＴ１とＴ１’との間には図４の抵抗
Ｒ１に対応する拡散抵抗が形成されており、コンタクト
Ｔ２とＴ２’との間には図４の抵抗Ｒ２に対応する拡散
抵抗が形成されている。また、配線Ｗ１は一端が半導体
集積回路装置の内部回路（図示せず）Ｂに接続され、他
端が半導体集積回路装置の内部回路（図示せず）Ｃに接
続され、且つ、途中でコンタクトＴ１とＴ２とを接続す
るものであり、この配線の途中にレーザーによる配線カ
ットされる個所（丸で囲った部分）Ｐがある。また、配
線Ｗ２はコンタクトＴ１’とザッピング調整用の抵抗Ｒ
３のコンタクトｒ１とを接続するものであり、配線Ｗ３
はコンタクトＴ２’とザッピング調整用の抵抗Ｒ３のコ
ンタクトｒ２とを接続するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような構成におい
て、配線Ｗ１の個所Ｐをレーザー光によって切断した場
合、配線切断部分Ｐの上に配置されていた窒化膜のよう
な表面保護膜Ｆが破壊されて除去されてしまい、長年の
使用により、表面に水が浸入すると、この配線切断部分
Ｐから金属の腐食が進み、半導体集積回路の機能に支障
をきたすことがある。
て、配線Ｗ１の個所Ｐをレーザー光によって切断した場
合、配線切断部分Ｐの上に配置されていた窒化膜のよう
な表面保護膜Ｆが破壊されて除去されてしまい、長年の
使用により、表面に水が浸入すると、この配線切断部分
Ｐから金属の腐食が進み、半導体集積回路の機能に支障
をきたすことがある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような問題を解決す
るために、本発明においては、金属配線配線切断部分
と、この金属配線と接続される半導体集積回路構成要素
との間に拡散抵抗を配置することを特徴とする半導体集
積回路装置が提供される。
るために、本発明においては、金属配線配線切断部分
と、この金属配線と接続される半導体集積回路構成要素
との間に拡散抵抗を配置することを特徴とする半導体集
積回路装置が提供される。
【０００７】このようにすれば、金属配線と半導体集積
回路構成要素との間に拡散抵抗を配置してあるため、配
線切断部分から腐食が進んでもこの拡散抵抗の部分で金
属の腐食が止まり、半導体集積回路構成要素の動作に影
響を与えることがなくなる。
回路構成要素との間に拡散抵抗を配置してあるため、配
線切断部分から腐食が進んでもこの拡散抵抗の部分で金
属の腐食が止まり、半導体集積回路構成要素の動作に影
響を与えることがなくなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明による
半導体集積回路装置の一実施の形態を示しており、同図
において、図４，５，６と同じものは同符号を用いてい
る。これらの図において、コンタクトＴ１とコンタクト
Ｔ２との間には、従来の配線Ｗ１に代えて、一端が半導
体集積回路装置の内部回路（図示せず）Ｂに接続され、
コンタクトＴ１と拡散抵抗Ｒ４のコンタクトｒ３とを接
続する配線Ｗ１ａ，拡散抵抗Ｒ４，拡散抵抗Ｒ４のコン
タクトｒ４と拡散抵抗Ｒ５のコンタクトｒ５とを接続す
る配線Ｗ１ｂ，拡散抵抗Ｒ５，拡散抵抗Ｒ５のコンタク
トｒ６とコンタクトＴ２とを接続し、一端が半導体集積
回路装置の内部回路（図示せず）Ｃに接続されている配
線Ｗ１ｃの各要素が配置されている。ここで、抵抗Ｒ
４，Ｒ５は抵抗値が低く設定されている。そして、配線
Ｗ１ｂの中間にレーザーによる配線切断個所Ｐが設けら
れている。
半導体集積回路装置の一実施の形態を示しており、同図
において、図４，５，６と同じものは同符号を用いてい
る。これらの図において、コンタクトＴ１とコンタクト
Ｔ２との間には、従来の配線Ｗ１に代えて、一端が半導
体集積回路装置の内部回路（図示せず）Ｂに接続され、
コンタクトＴ１と拡散抵抗Ｒ４のコンタクトｒ３とを接
続する配線Ｗ１ａ，拡散抵抗Ｒ４，拡散抵抗Ｒ４のコン
タクトｒ４と拡散抵抗Ｒ５のコンタクトｒ５とを接続す
る配線Ｗ１ｂ，拡散抵抗Ｒ５，拡散抵抗Ｒ５のコンタク
トｒ６とコンタクトＴ２とを接続し、一端が半導体集積
回路装置の内部回路（図示せず）Ｃに接続されている配
線Ｗ１ｃの各要素が配置されている。ここで、抵抗Ｒ
４，Ｒ５は抵抗値が低く設定されている。そして、配線
Ｗ１ｂの中間にレーザーによる配線切断個所Ｐが設けら
れている。
【０００９】このような構成において、配線切断個所Ｐ
をレーザーで切断した場合、表面保護膜Ｆが剥離された
この配線切断個所Ｐから水分等が侵入してこの部分の配
線Ｗ１ｂが腐食されてもＷ１ａとＷ１ｂとが分離してい
るため、この腐食は抵抗Ｒ４あるいはＲ５の拡散抵抗部
分で停止し、半導体集積回路装置の内部回路（図示せ
ず）Ｂ，Ｃまで腐食して回路動作に影響を与えることが
なくなる。
をレーザーで切断した場合、表面保護膜Ｆが剥離された
この配線切断個所Ｐから水分等が侵入してこの部分の配
線Ｗ１ｂが腐食されてもＷ１ａとＷ１ｂとが分離してい
るため、この腐食は抵抗Ｒ４あるいはＲ５の拡散抵抗部
分で停止し、半導体集積回路装置の内部回路（図示せ
ず）Ｂ，Ｃまで腐食して回路動作に影響を与えることが
なくなる。
【００１０】図３は、本発明の他の実施の形態を示して
おり、図１及び図２においては配線の腐食を遮る抵抗を
ザッピング調整用の回路を構成する抵抗Ｒ１，Ｒ２と別
個に形成したけれども、図３のように抵抗Ｒ１のコンタ
クトＴ１’からコンタクトｒ４まで延長して形成された
拡散抵抗Ｒ１１を使用し、同様に、抵抗Ｒ２のコンタク
トＴ２’からコンタクトｒ５まで延長して形成された拡
散抵抗Ｒ１２を使用するようにしてもよい。このように
すれば、拡散抵抗の形成工程を単純化することができ
る。
おり、図１及び図２においては配線の腐食を遮る抵抗を
ザッピング調整用の回路を構成する抵抗Ｒ１，Ｒ２と別
個に形成したけれども、図３のように抵抗Ｒ１のコンタ
クトＴ１’からコンタクトｒ４まで延長して形成された
拡散抵抗Ｒ１１を使用し、同様に、抵抗Ｒ２のコンタク
トＴ２’からコンタクトｒ５まで延長して形成された拡
散抵抗Ｒ１２を使用するようにしてもよい。このように
すれば、拡散抵抗の形成工程を単純化することができ
る。
【００１１】上記発明中、抵抗Ｒ１，Ｒ２はかならずし
も設ける必要はなく、また、抵抗Ｒ３はこれに限ること
なく他の素子、回路でもよい。
も設ける必要はなく、また、抵抗Ｒ３はこれに限ること
なく他の素子、回路でもよい。
【００１２】
【発明の効果】このような構成の本発明によれば、金属
配線と半導体集積回路構成要素との間に拡散抵抗を配置
してあるため、ザッピング調整時に配線切断部分から腐
食が進んでもこの拡散抵抗の部分で腐食が止まり、半導
体集積回路構成要素の動作に影響を与えることがなくな
る。
配線と半導体集積回路構成要素との間に拡散抵抗を配置
してあるため、ザッピング調整時に配線切断部分から腐
食が進んでもこの拡散抵抗の部分で腐食が止まり、半導
体集積回路構成要素の動作に影響を与えることがなくな
る。
【図１】本発明による半導体集積回路装置の一実施の形
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図２】図１のＥ−Ｅ線方向の断面図である。
【図３】本発明による半導体集積回路装置の他の実施の
形態を示す平面図である。
形態を示す平面図である。
【図４】従来の半導体集積回路装置の一例を示す回路図
である。
である。
【図５】図４の回路図を具体化した半導体集積回路装置
の一例を示す平面図である。
の一例を示す平面図である。
【図６】図５のＤ−Ｄ線方向の断面図である。
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５ 抵抗 Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ１ｃ，Ｗ２，Ｗ３ 配線 Ｔ１，Ｔ２，Ｔ１’，Ｔ２’ コン
タクト ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４，ｒ５，ｒ６ コン
タクト Ａ ザッ
ピング調整用の回路 Ｂ，Ｃ 半導
体集積回路構成要素 Ｐ 配線
切断個所
タクト ｒ１，ｒ２，ｒ３，ｒ４，ｒ５，ｒ６ コン
タクト Ａ ザッ
ピング調整用の回路 Ｂ，Ｃ 半導
体集積回路構成要素 Ｐ 配線
切断個所
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積回路構成要素と金属配線との
間に半導体拡散抵抗を配置したことを特徴とする半導体
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8358324A JPH10189880A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8358324A JPH10189880A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189880A true JPH10189880A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18458717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8358324A Pending JPH10189880A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189880A (ja) |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP8358324A patent/JPH10189880A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040831 |