JPS6348839A

JPS6348839A - レ−ザ加工装置

Info

Publication number: JPS6348839A
Application number: JP61194196A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Hosoi; 啓一細井
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1986-08-19
Filing date: 1986-08-19
Publication date: 1988-03-01
Anticipated expiration: 2011-08-07
Also published as: JP2522256B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はレーザ加工装置に関し、特に半導体ウェハを加
工する場合に適用して好適なものである。

〔従来の技術〕

従来半導体ウェハ上に形成された半導体集積回路パター
ンにレーザビームを照射することによって、回路パター
ンを切断したり、抵抗値を変化させるような加工をした
りする際に、レーザ加工装置が用いられている。

例えば、半導体メモリ　（ＲＡＭ、ＲＯＭなど）におい
ては、半導体ウェハ上の数ミリ角の範囲内に、２５６（
Ｋビット）、１（Ｍビット〕、等の記憶容量をもつメモ
リチップを形成するようになされた半導体が量産され、
さらには４　（Ｍビットツメモリチップの量産が進めら
れつつある。

このように高集積化されたメモリチップにおいて、製造
時の歩留まりを向上させる目的で、リダンダンシ（ｒｅ
ｄｕｎｄａｎｃｙ）処理の手法が適用されている。この
リダンダンシ処理は予め必要とされるメモリ容量のセル
に加えて、冗長な予備のセルでなるメモリ回路（これを
リダンダンシ回路とよぶ）をメモリチップ上に用意して
おき、例えばウエハプローバによってメモリチップの各
セルを検査した結果、不良なセルが発見されたとき、当
該不良なセルが接続されているメモリ回路をリダンダン
シ回路に接ぎ変えることによって、このメモリチップを
合格品に修理する。

この手法を実現するためメモリチップは、例えば第４図
に示すように構成されている。すなわちメモリチップ１
は、コラム方向（第４図において上下すなわちＹ方向）
に５１２個のメモリセルを有し、かつロ一方向（第４図
において左右すなわちＸ方向）に２５６個のメモリセル
を配列してなる８つのメモリエリアＭＡＲＬ〜ＭＡＲ８
を左及び右半分にそれぞれ４つづつ配列してなる。

かくしてメモリチップ１の左半分に形成されたＭＡＲＩ
、ＭＡＲ２、Ｍ　Ａ　Ｒ３及びＭＡＲ４と、メモリチッ
プ１の右半分に形成されたＭＡＲ５、ＭＡＲ６、ＭＡＲ
７、及びＭＡＲ８との間に、ＭＡＲＩ及びＭＡＲ５のメ
モリセルをアドレスするローデコーダＲＯＷＩ、ＭＡＲ
２及びＭ　Ａ　Ｒ６のメモリセルをアドレスするローデ
コーダＲＯＷ２、ＭＡＲ３及びＭＡＲ７のメモリセルを
アドレスするローデコーダＲＯＷ３、ＭＡＲ４及びＭＡ
Ｒ８のメモリセルをアドレスするローデコーダＲＯＷ４
が配列されている。

またメモリエリア１の上半分に形成されたＭＡＲｌ、Ｍ
ＡＲ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ６と、メモリチップ１の下
半分に形成されたＭＡＲ３、ＭＡＲ４、ＭＡＲ７及びＭ
ＡＲ８との間に、ＭＡＲＬ及びＭＡＲ２のメモリセルを
アドレスするコラムデコーダＣ０ＬＩ、ＭＡＲ３及びＭ
ＡＲ４のメモリセルをアドレスするコラムデコーダＣ０
Ｌ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ６のメモリセルをアドレスす
るコラムデコーダＣ０Ｌ３、ＭＡＲ７及びＭＡＲ８のメ
モリセルをアドレスするコラムデコーダＣ０Ｌ４が配列
されている。

かかる構成で、リダンダンシ処理に関して、コラムデコ
ーダＣ０ＬＩ、Ｃ０Ｌ２、Ｃ０Ｌ３及びＣ０Ｌ４に各コ
ラムラインに対応する５１２本のヒユーズ群ＦＶＩ　　
（第５図（Ａ））が横方向（すなわちＸ方向）に所定の
間隔（例えば９〔μｍ））を保って配列されており、　
これに対して、ＲＯＷ１〜ＲＯＷ４には、各ローライン
に対応する２５６個のヒユーズ群ＦＶ２　　（第５図（
Ｂ））が縦方向（すなわちＹ方向）に順次所定の間隔（
例えば３．５〔μｍ））だけ保って順次配列されている
。

カ（シて８つのメモリエリアＭＡＲＬ〜ＭΔＲ８のメモ
リセル中にある不良のメモリセルを対応するヒユーズ群
ＦＶ１及びＦＶ２をそれぞれレーザビームによって切り
離すことができるようになされている。

さらにローデコーダＲＯＷＩ及びＲＯＷ２間位置定位置
アコラムデコーダ５ＤＣＩ及び５ＤＣ３とスペアローデ
コーダ５ＤＲＩ及び５ＤＲ２が設けられ、ローデコーダ
ＲＯＷ３及びＲＯＷ４間位置にスペアコラムデコーダ５
ＤＣ２及び５ＤＣ４とスペアローデコーダ５ＤＲ３及び
５ＤＲ４が設けられている。

これらのスペアコラムデコーダ５ＤＣＩ〜５ＤＣ４は、
第６図（Ａ）に示すように、スペアコラムラインアドレ
ス指定用ヒユーズＦＶ３をＹ方向に１列１０本づつ２列
分だけ所定間隔（例えば５〔μｍ））を保つように順次
配列されている。さらにスペアローデコーダＳＤＲ１〜
５ＤＲ４は、第６図（Ｂ）に示すように、スペアローラ
インアドレス指定用ヒユーズＦＶ４をＸ方向に１列１０
本づつ２列分だけ所定間隔（例えば５〔μｍ））を保つ
ように順次配列されている。

これらのスペアコラムラインアドレス指定用ヒユーズＦ
Ｖ３及びスペアローラインアドレス指定用ヒユーズＦＶ
４は、各列の１０本のヒユーズをＸ方向またはＹ方向に
並ぶ２本づつ１０対の組に組み合わせて各組のヒユーズ
のうちの一方を切断することによって、１０ビツトの論
理「１」又はｒＯＪデータを設定できるようになされ、
かくして５Ｄ０１〜５ＤＣ４に対応するコラムライン用
リダンダンシ回路ＲＤＣ１〜ＲＤＣ４のメモリセルを１
０ビツトのコードデータによって指定し得るようになさ
れており、同様に５ＤＲＩ〜５ＤＲ４に対応するローラ
イン用リダンダンシ回路ＲＤＲ１〜ＲＤＲ４のメモリセ
ルを１０ビツトのコードデータによって指定し得るよう
になされている。

このようにしてメモリチップ１によれば、メモリエリア
ＭＡＲ１、ＭＡＲ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ６をメモリブ
ロックＭＢＩ、ＭＡＲ３、ＭＡＲ４、ＭＡＲ？及びＭＡ
Ｒ８をメモリブロックＭＢ２としたとき、それぞれにつ
いて不良セルが２箇所以内であれば当該不良セルのアド
レスに対応するヒユーズＦＶＩ及びＦＶ２をレーザビー
ムによって切断することにより不良セルを切り離すこと
ができ、これに代えて１０ビツトのスペアコラムライン
アドレス指定用ヒユーズＦＶ３及びスペアローラインア
ドレス指定用ヒユーズＦＶ４を不良セルのアドレスに対
応するヒユーズをレーザビームを用いて切断することに
より、コラムライン用リダンダンシ回路ＲＤＣＩ−ＲＤ
Ｃ４及びローライン用リダンダンシ回路ＲＤＲ１〜ＲＤ
Ｒ４を不良セルのアドレス位置に接続することができる
。

かくしてメモリブロックＭＢＩ及びＭＢ２にそれぞれ２
つ以下の不良メモリセルがあったとき、これを修理して
合格品のメモリチップとすることができることによりメ
モリチップｌの製造上の歩留まりを向上し得る。

このような構成のヒユーズをレーザ加工する際には、レ
ーザビームを照射する位置精度としては、かなり高い精
度（例えば０．３（μｍ〕程度）が要求される。従来こ
の要求を満足するような加工を実現するために第７図に
示す構成のレーザ加工装置が用いられていた。

第７図において、レーザ加工装置１はＹ方向に移動する
Ｘステージ２上に、Ｘ方向に移動するＸステージ３を装
着してなるＸＹＸステージ４有し、Ｘステージ３上に載
置された半導体ウェハ５上にレーザビーム発注源６から
発生されたレーザビームＬＢがミラー７を介して照射さ
れる。

Ｘステージ３及びＸステージ２は、以下に述べる構成の
位置決め装置１０によって位置決め制御されることによ
り、切断すべきヒユーズをレーザビームＬＢの照射位置
に順次位置決めして行く。

位置決め装置１０は、製造された半導体ウェハのチップ
の良、不良をＩＣテスタを用いて検査するウエハプロー
バから予め得られた不良データＢＡＤを、コンピュータ
構成のデータ処理装置１１に受ける。データ処理装置１
１は、修理すべき半導体ウェハ５の構成を表す種々のデ
ータでなる参照テーブルを記憶し、その参照テーブルを
参照しながら不良データを解析して半導体ウェハ５の切
断すべきヒユーズの座標データを発生する。

この切断ヒユーズ座標データＤＡＴＡは、Ｘ位置設定レ
ジスタ１２及びＹ位置設定レジスタ１３に設定されるの
に対して、Ｘステージ３及びＸステージ２の現在位置が
位置検出器１４及び１５によって検出されてＸ位置レジ
スタ１６及びＹ位置レジスタ１７に取り込まれると共に
、比較８１８及び１９においてＸ位置設定レジスタ１２
及びＹ位置設定レジスタ１３の設定データと比較される
。

その結果比較器１８及び１９にそれぞれ一敗検出信号Ｃ
ＯＭＸ及びＣＯＭＹが得られたとき、Ｘステージ３及び
Ｘステージ２が切断ヒユーズ座標データＤＡＴＡの座標
位置に位置決めされたことが分かり、このときアンド回
路２０を介してレーザビーム発生源６に対してトリガ信
号ＴＲＩを送出することによってレーザビームＬＢを発
生させ、かくして半導体ウェハ５上のヒユーズにレーザ
ビームＬＢを照射することによってこれを切断する。

これと同時にトリガ信号ＴＲＩはデータ処理装置１１に
入力されて、次のヒユーズについての切断ヒユーズ座標
データＤＡＴＡを送出するステップに移る。

以上の構成に加えて、データ処理装置１１は、切断ヒユ
ーズ座標データＤ　Ａ　Ｔ　Ａに基づく座標位置と、現
在のレーザビームＬＢの照射位置との差に基づいて、デ
ータ処理装置１１において第８回に示す速度指令パター
ン５ＰＴＮに対応する速度指令データをディジタル／ア
ナログ変換器２１及び２２に送出する。このときディジ
タル／アナログ変換器２１及び２２は速度指令パターン
に対応する速度指令電圧Ｖｓχ及び■、ヶをサーボ増幅
器２３及び２４を介してＸステージ駆動モータ２５及び
Ｙステージ駆動モータ２６に供給する。かくしてＸステ
ージ３及びＹステージ２は、目標座標データと現在位置
との距離が、微動範囲（例えば０゜０２　［ｍｍ）　）
より大きいとき、移動開始後先ず第８図のｒｖ１間Ｔ１
で示すように、台形の速度パターンに基づく高速移動モ
ードでＸステージ３及びＹステージ２を駆動した後、微
動範囲に入ったとき、期間Ｔ２で示すように、三角形の
速度パターンに基づく微動移動モードでＸステージ３及
びＹステージ２を駆動する。

第８図の場合高速移動モードは、速度Ｏの停止状態から
１０００　（ｍｍ／ｓｅｃ”）の加速度で最高定速度１
００　（ｅ１ｍ／ｓｅｃ　）まで立上がり、この最高定
速度で移動した後、　１０００　（ｍｍ／ｓｅｃ”）の
加速度で速度Ｏの停止状態にまで立下がる。かくして符
号Ｓ１で示す面積で表すように、定速移動時間がないよ
うな三角形の速度パターンにおいてほぼ１０　（ｍｍ〕
だけ移動できる速度パターンで、微動範囲にまで追い込
むようになされている。

これに続く微動移動モードにおいて、　データ処理装置
１１は速度Ｏの状態から直ちに最高速度０．４　（ｎ＋
ｓ＋／ｓｅｃ　）に立ち上げた後、当該最高速度から−
４（ｍｍ／ｓｅｃ”）の加速度で速度Ｏの停止状態まで
立下がるような速度パターンデータを送出する。かくし
てＸステージ３及びＹステージ２は、符号Ｓ２で示す面
積に相当する移動距離０．０２１ｎ＋ｎ〕分だけ微動移
動モードの間に移動できることになる。

このようにすればＸステージ３及びＹステージ２は、現
在位置と比較して目標位置が微動範囲すなわち０．０２
　（ｍｍ）より遠い場合には、先ず高速移動モードで高
速度で移動することによって現在位置を微動範囲に追い
込んだ後、微動移動モードで目標位置に高い精度で停止
するようになされている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このような構成の従来のレーザ加工装置１を用いると、
切断すべきヒユーズ群ＦＶＩ−ＦＶ４の間隔が微動範囲
０．０２　（ｍｍ）　　（＝２０　Ｃμｍ）　）より小
さいとき（例えば１０　（μｍ〕の場合）には、順次続
くヒユーズを切断して行く際には、連続して第８図の微
動移動モードでＸ及びＹステージ３及び２を移動、停止
させた後、ヒユーズを切断する作業を繰り返すことにな
るので、全てのヒユーズＦＶＩ〜ＦＶ４を切断するのに
要する時間が長大になり、その結果レーザ加工装置１の
スループットを十分に向上し得ない問題がある。

例えばローデコーダ部ＲＯＷＩのヒユーズＦＶ２及びス
ペアローデコーダ部ＳＤＲ１のヒユーズＦＶ４　（ＦＶ
４Ａ、ＦＶ４Ｂ）が、例えば第９図に示すような関係に
設定されている場合を考えたとき、データ処理装置１１
が切断ヒユーズ座標データＤＡＴＡによって離散的に散
在する１３個の切断点Ｐ＋、Ｐｔ・・・・・・ｐＨを指
定して順次間欠的に切断するにつき、切断点Ｐ＋　”’
Ｐｚ　、Ｐｔ−Ｐ３．２３〜２４間は微動範囲０．０２
　（ｍｍ）より大きい距離であるので、　データ処理装
置１１はＸステージ３及び又はＹステージ２を、第８図
の高速移動モード及び微動移動モードの両方を使って切
断点Ｐ１、Ｐ２、Ｐｌ、Ｐ、に停止させ、当該停止状態
においてレーザビームＬＢによる加工をする。

またヒユーズＦＶ４に対する切断位７ｆ　Ｐ　４〜Ｐｓ
、Ｐｂ〜Ｐ？、Ｐ？〜Ｐｓ、Ｐｇ〜Ｐ３、ｐＨ〜ｐ＋ｚ
は、微動範囲０．０２　（ｍ＋ｎ）より大きいので、こ
の場合も第８図の高速移動モード及び微動移動モー（′
の両方を使ってＸステージ３及びＹステージ２を移動停
止させる。

これに対して切断点Ｐ、〜Ｐ、　、Ｐ、〜Ｐ１゜、Ｐ＋
ｏ〜Ｐｚ、Ｐ＋ｚ−Ｐ＋３の距離は微動路、？ｆｌＩＯ
，０２（ｍｍ）より小さい距離０．０１　（ｍｍ）　シ
か離れていないので、データ処理装置１１はＸステージ
３及びＹステージ２を第８図の微動移動モードで移動さ
せることになる。

このように従来の構成によれば、常に微動移動モードを
伴うようなモードでＸステージ３及びＹステージ２を移
動制御することになるので、全ての切断点Ｐ１〜Ｐ１．
を切断処理するのに要する時間が長大になり、その結果
レーザ加工装置１のスルーブツトを実用上向上させるこ
とができない問題があった。

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、Ｘステー
ジ及びＹステージが高い精度で移動できる点を利用して
、Ｘステージ及び又はＹステージを停止させずに隣合う
切断点を切断して行くことができるようにすることによ
り、全ての切断点を切断するのに要する時間を短縮し得
るようにしたレーザ加工装置を提案しようとするもので
ある。

〔問題点を解決するための手段〕

かかる問題点を解決するため本発明においては、Ｘステ
ージ３及びＹステージ２でなるＸＹステージ４上に！！
置された加工対象５上に設けられ、がつＸ座標及びＸ座
標によって表される複数の加工点Ｐ４〜ｐＨに対してレ
ーザビームＬＢを照射することにより、当該加工点２４
〜ＰＩ３をｎＪＩ欠的に加工するようになされたレーザ
加工装置１において、加工点Ｐ４〜ＰＩ３のＸ座標又は
Ｙ座標の一方を固定すると共に、他方の座標方向に微速
一定速度でＸＹステージ４を送りながら、当該固定され
た一方の座標上にある加工点Ｐ４〜ＰＩ）の他方の座標
を順次指定して行くことにより、加工点２４〜Ｐ１３を
順次加工して行くようにする。

〔作用〕

加工点Ｐ４〜ＰｌｊのＸ座標又はＹ座標の一方を固定し
た状態において、ＸＹステージ４を他方の座標方向に停
止させることなく微速一定速度で送りながら、当該固定
された一方の座標上にある固定点を順次指定して加工し
て行くことにより、高いスルーブツトで、かつ複数の加
工点Ｐ４〜Ｐ１３に対する加工を高い位置精度で実現し
得る。

〔実施例〕

以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。

第７図との対応部分に同一符号を付して示す第１図にお
いて、本発明によるレーザ加工装置１は、入力される不
良データＢＡＤをコンピュータで構成された切断順序制
御装置３１に受けて、順次綺（切断点間の距離が所定の
切換限界値（例えば５６〔μｍ））より小さいときには
、第６図について上述した切断点の処理順序を変更する
と共に、微速一定速度でＸステージ３又はＹステージ２
を送る第１の送り制御モードとなるような切断点データ
ＣＵＴをデータ処理装置１１に送り込む。

これに対して不良データＢＡＤによって順次指定されて
いる切断点間の距離が上述の所定の切換限界値（すなわ
ち５６〔μｍ））より長い場合には、不良データＢＡＤ
をそのまま切断点データＣＵＴとしてデータ処理装置１
１へ入力することによって第８図について上述した速度
指令パターン５ＰＴＮでＸステージ３及びＹステージ２
を移動制御できる第２の送り制御モードを１旨定するよ
うになされている。

ここで切断順序制御装置３１が第１の送り制御モードを
選定したときには、切断順序制御袋′ｌ１３１はデータ
処理装置１１に対する切断点データＣＵＴの目標座標デ
ータとして、Ｘ軸及びＹ軸の指定データのうちの一方す
なわちＹ軸（又はＸ軸）のデータを固定した状態で他方
すなわちＸ軸（又はＹ軸）の座標データを順次変更する
ことによってＸステージ３　（又はＹステージ２）を微
速一定速度（例えば０．５　（ｍｍ／５ｅｃ）　）で微
速移動させる。

このようにした場合、第１の送り制御モードによってＸ
ステージ３又はＹステージ２を微速一定速度で送った場
合には、Ｘステージ３　（又はＹステージ２）の送りＩ
Ｌ　（すなわち切断すべきヒユーズの間隔）が変化した
ときに要する時間【は、次式＝　２　Ｌ　　（ｓｅｃ）　　　　　　　　　　　　−
＝　　（１）で表されるように、第２図において破線で
示すような直線によって表すことができるように設定さ
れる。

これに対して切断順序制御装置３１が第２の送り制御モ
ードを選定したときには、第２図において実線で示すよ
うに、所要時間ｔが切断すべきヒユーズの間隔りに応じ
て変化するように、Ｘステージ３及び又はＹステージ２
の送りを制御する。

第２の送り制御モードの場合、切断すべきヒユーズの間
隔りに対する所要時間ｔの関係は、第８図について上述
した速度指令パターン５ＰＴＮに基づいて次のように決
めることができる。

すなわち切断すべきヒユーズの間隔りが０≦Ｌ≦０．０
２　（ｍｓ＋）　　　　　　　−−（２）の間において
は、Ｘステージ３及び又はＹステージ２は、次式のように間隔りの平方根で表される曲線に沿うような時
間ｔ＝Ｑからｔ＝０．１まで加速度的に立ち上がるよう
に送られて行く。

その結果切断すべきヒユーズの間隔りが次式０式％（４
）の範囲にあるときには、当該切断ヒユーズ間隔りに対す
る所要時間ｔの関係は次式％式％（５）のように、変化率が小さい平方根曲線に沿うような変化
を呈するような状態になる。

さらに切断ヒユーズ間隔りが次式％式％（６）のような大きい間隔にあるときには、所要時間ｔはで表されるように、切断ヒユーズ間隔りに比例するよう
に直線的に変化する。

このように切断ヒユーズ間隔りの変化に対して所要時間
ｔを求めた場合、第８図について上述した速度指令パタ
ーン５ＰＴＮをもつ第２の送り制、御モードでＸステー
ジ３又はＹステージ２を送った場合の所要時間ｔと、第
１の送り制御モードでＸステージ３又はＹステージ２を
送った場合の所要時間ｔとの差を比較すれば、第２図に
示すように、間隔りがＬ＝０．０５６　　（朋〕のとき
、第１の送り制御モードで送った時の所要時間と、第２
の送り制御モードで送った時の所要時間とが互いに等し
くなるのに対して、間隔りがこの値Ｌ　＝０．０５６（
＝１１＝＝１）より小さい範囲では、第１の送り制御モ
ードで送った場合の所要時間ｔの方が、第２の送り制御
モードで送った場合の所要時間ｔより小さくなるから、
その範囲すなわち０＜Ｌ≦０．０５６　（ｍａ＋）　　　　　　　−−（
８）の間隔りの場合には、第１の送り制御モードでＸス
テージ２又はＹステージ３を送る方が、短時間の間に目
標位置にまで送ることができることが分かる。

これに対して間隔りの値が０．０５６　＜　Ｌ　（ｍｍ）　　　　　　　　・・・
・・・（９）のように間隔Ｌ　＝０．０５６　　（ａｍ
）より大きい範囲では、第２の送り制御モードでＸステ
ージ３又はＹステージ２を送った方が、第１の送り制御
モードで送った場合より短い所要時間で目標座標にまで
到達することができることが分かる。

本発明においてはかかる検討の下に、切断ヒユーズ間隔
りが所定の切換限界値すなわちＬ＝０．０５６　　Ｃｍ
ｍ）より小さい範囲では、第１の送り制御モードでＸス
テージ３又はＹステージ２を送り、かつ切断ヒユーズ間
隔りが当該所定値Ｌ＝０．０５６　　（Ｉ〕より大きい
範囲では、第２の送り制御モードでＸステージ３及び又
はＹステージ２を送るようにする。

これに加えて、第１の送り制御モードでステージを送る
際には、第９図に対応させて第３図に示すように、切断
点Ｐ４〜ＰＩ３のＸ及びＹ座標のうちの一方（この実施
例の場合Ｙ軸）を移動すべき目標座標に固定してＸ軸方
向についてだけＸステージ３を第１の送り制御モード（
すなわち微速−定速度）で送るようにする。

しかもこのとき半導体ウェハ５に対するレーザビームＬ
Ｂの照射は、Ｘステージ３の送りを停止させずに微速一
定速度で送りながらレーザビーム発生源６をトリガする
ことによって、順次ヒユーズを切断して行くようになさ
れている。

以上の構成において、第３図に示すように、切断点Ｐｌ
−Ｐｔ　、Ｐｚ〜Ｐ３、Ｐ、〜Ｐ４間をＸＹステージ４
を送る場合には、切断ヒユーズ間隔りが切換限界値Ｌ＝
０．０５６　　（ｍａ＋）より大きいので、これを切断
順序制御装置３１が判断して第８図について上述した速
度指令パターン５ＰＴＮでＸステージ３及び又はＹステ
ージ２を送るような切断点データＣＵＴをデータ処理装
置ｌｌへ送出する。

その結果ＸＹステージ４は次の目標座標にまで移動する
までの間に、第８図の速度指令パターン５ＰＴＮに従っ
て（加速）−（高速一定速度走行）−（減速）−（停止
）−（微動移動）の順序で移動する。この移動動作が終
ると、比較器１８及び１９から一致検出信号ＣＯＭＸ及
びＣＯＭ　Ｙが送出されたタイミングでレーザビーム発
生源６にトリガ信号ＴＲＩが送出されることにより、デ
ータ処理装置１１によってＸＹステージ４が検出される
と同時に、レーザビーム発生源６において発生されたレ
ーザビームＬＢが半導体ウェハ５上を照射して当該切断
点のヒユーズを切断する。

これに対してヒユーズＦＶ４のうち、第１列のヒユーズ
ＦＶ４Ａの切断点Ｐ４をレーザビームＬＢが照射する位
置にＸＹステージ４が位置決めされたときには、不良デ
ータＢＡＤとして順次送り込まれてくる切断点Ｐ４〜Ｐ
ｓ　、Ｐｓ〜Ｐ６、Ｐ６〜Ｐｔ、Ｐ７〜Ｐａ　、Ｐａ〜
Ｐ９、Ｐ９〜Ｐ、いＰ、。〜ｐＨ％ｐＨ〜Ｐ　、ｔｓ　
Ｐ　ｌ！〜Ｐｌ＋間の距離が切換限界値Ｌ＝０．０５６
　　（ｍＩｌｌ）より小さくなることにより、切断順序
制御装置３１は、先ず第１列のヒユーズＦＶｄＡ上の切
断点Ｐ４、Ｐ７、Ｐｑ、Ｐｒ。、ｐＨのＹ軸方向の座標
位置にＹステージ２を位置決めした後、　このＹ軸方向
の位置決めを変更せずに以後切断点Ｐ４、Ｐ７、Ｐ９、
ｐｔｏ、Ｐ、についてＸ軸方向の座標を順次Ｉ旨定する
ような切断点データＣＵＴを送出して行き、この間Ｘス
テージ３の送りを微速一定速度（すなわち０．５　　（
ｍｍ／ｓｅｃ　）　）に設定する。

このようにすると、切断点Ｐ４における切断を終了した
後、Ｙ軸方向の比較器１９からは常時−致検出信号ＣＯ
ＭＹが送り出される状態になるのに対して、Ｘステージ
３が切断点Ｐ、をレーザビームＬＢの照射点に送った時
、Ｘ軸方向の比較器１８から一致検出信号ＣＯＭＸが発
生されることによってトリガ信号ＴＲＩがアンド回路２
０から送出される。従ってこのときレーザビーム発生源
６がトリガされることによってレーザビームＬＢが切断
点Ｐ７を切断する。このときＸステージ３は停止されず
、引続き移動を続行するが、データ処理装置１１はＸ位
置設定レジスタ１２の内容を次の切断点Ｐ、の座標に入
れ換えて、切断点Ｐ。

におけるトリガ信号ＴＲ＋の発生に備える。

以下同様にして、接続点Ｐｑ、Ｐ＋。、Ｐ　Ｉ　＋の切
断動作が実行される。

かくして第１列のヒユーズＦＶ４Ａについての切断動作
が終了すると、切断順序制御装置３１はデータ処理装置
１１に送り制御モードを切り換えさせることを内容とす
る切断点データＣＵＴを送出する。これに応じてデータ
処理装置１１はレーザビームＬＢが切断点ｐＨを切断し
た状態でＸステージ３の送り動作を停止させる。

切断点ｐＨから切断点ｐ＋：＋までの移動は、Ｘ軸及び
Ｙ軸の両方についてＸステージ３及びＹステージ２を移
動させなければならないので、切断順序制御装′ｆ１．
３１はデータ処理装置１１への切断点データＣＵＴとし
て、切断点ＰＩ３のＸ及びＸ座標のデータをＸ位置設定
レジスタ１２及びＹ位置設定レジスタ１３に設定させる
と共に、Ｘステージ３及びＸステージ２に対して、第２
の送り制御モードで送り動作をさせるような速度指令電
圧ＶＳＸ及びＶＳＹを発生させる。　これによりＸステ
ージ３及びＸステージ２は、ビーム照射位置を切断点ｐ
ＨからＰＩ３まで移動させて行き、一致検出信号ＣＯＭ
Ｘ及びＣＯＭＹが得られたとき、トリガ信号ＴＲＩを送
出することによってＸ及びＸステージ３及び２を停止さ
せると同時にレーザビームＬＢを発生させて切断点ＰＩ
３を切断させる。

次に切断順序制御装置３１は、Ｙ軸方向の座標を第２列
の切断点ＰＩ３に固定した状態で、順次切断点ＰＩｚ、
Ｐｓ　、Ｐｂ　、ＰｓのＸ座標でなる切断点データＣＵ
Ｔをデータ制御装置１１に供給することにより、Ｘステ
ージ３を微速一定速度でＸ軸方向に移動させるような速
度指令電圧ＶＳＸを発生させると共に、Ｘ位置設定レジ
スタ１２に次の切断点Ｐ１□のＸ座標のデータを設定す
る。

かくしてＸステージ３はレーザビームＬＢを切断点ｐＨ
からｐ＋ｚへ微速一定速度で移動させて行き、やがてＸ
座標側の比較器１８から一致信号ＣＯＭＸが得られてト
リガ信号ＴＲＩが発生することによって切断点ＰＩ！を
切断する。これと共にトリガ信号ＴＲＩによってデータ
処理装置１１がＸ位置設定レジスタ１２の設定データを
切断点Ｐ。

のＸ座標に入れ換える。

以下同様にして切断順序制御装置３１が切断点Ｐｓ　、
Ｐａ　、Ｐｓについての切断点データＣＵＴをデータ処
理装置１１に与えることにより、切断点Ｐａ　、Ｐｂ　
、Ｐｓが順次切断されて行く。

ここでデータ処理装置１１は最後の切断点Ｐ。

の切断をする際に、その後の切断データがないことに基
づいて、Ｘステージ３を切断点Ｐ５に停止させ、この状
態においてトリガ信号ＴＲＩが発生して切断点Ｐ、の切
断が終了したとき全ての切断処理を終了する。

以上の構成によれば、切断点間の間隔りが所定の切換限
界値より短い場合には、複数の切断点のうち、共通のＸ
座標又はＸ座標をもっている切断点について当該共通の
Ｘ座標（又はＸ座標）を固定して、他方のＸ座標（又は
Ｘ座標）について順次切断点のデータを送出して行くと
共に、当該変更して行くＸ座標方向へのステージの間を
停止させずに微速一定速度で移動を続行させながら、レ
ーザビームが切断点上に来たタイミングでレーザビーム
ＬＢを発生させることによって、当該接続点をＸステー
ジ３　（又はＸステージ２）を移動させながら切断点を
確実に切断させることができる。

かくして従来の場合のように、切断点に来たときその都
度移動しているＸＹテーブル４を停止させる必要がない
ことにより、全ての切断点に対する加工時間を従来の場
合と比較して格段的に短縮することができる。

因に半導体ウェハ５上に形成されたヒユーズ群ＦＶＩ〜
ＦＶ４はＸ方向及びＹ方向に正確に整列するよう設計さ
れるのが通例であり、十分に高い精度として半導体製造
装置において製造されており、半導体ウェハ５をＸステ
ージ３上にアライメントする際のアライメント精度は実
用上十分高い値（例えば角度の精度として０．５〔秒〕
）として実現し得る。またＸ及びＸステージ３及び２の
一方のステージ例えばＸステージ２を固定した状態で、
他方のステージすなわちＸステージ３を移動させた場合
の当該Ｙ方向の変位量の精度は、例えばｏ、ｏｓ　ｃμ
ｍ〕程度に高精度にし得る。かくしてヒユーズの切断を
、全体として高いスループット、かつ高い精度で達成し
得るレーザ加工装置を容易に実現し得る。

因に第３図について上述したような構成のヒユーズを有
する半導体チップについて、第９図について上述したよ
うに第２の送り制御モード（第８図）だけを用い、かつ
与えられた不良データＢ　ＡＤによって指定された切断
点の順序に従って切断処理を実行して行く場合には、処
理時間が全体として１．１６４　（ｓｅｃ）必要となる
のに対して、第２図及び第３図について上述したように
、第１及び第２の送り制御モードを用いて切断処理をし
た場合には、０．７６２　（ｓｅｃ）になることを確認
し得た。かくして上述の実施例によれば、約３５〔％〕
のスループットの向上を期待し得る。

なお上述の実施例においては、切断点のＹ軸の座標を固
定し、かフＸ軸の座標を順次指定して行くことによって
複数の切断点を連続的にＸ軸方向に順次切断して行くよ
うにした場合について述べたが、これに代え、切断点の
Ｘ軸座標を固定し、かつＸ軸座標を順次指定して行くこ
とによって複数の切断点を順次切断して行くようにした
場合にも、上述の場合と同様の効果を得ることができる
。

また上述においては、本発明を半導体チップの修理をす
る場合に適用した実施例について述べたが、本発明はこ
れに限らず、Ｘ及びＹ方向に配列されている加工点につ
いてレーザビームによって加工を施す場合に広（適用し
得る。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、Ｙ軸及びＸ軸座標を有し
、かつ離散的に散在する加工点に対してレーザビームを
間欠的に照射する際に、当該加工点のＸ座標又はＹ座標
の一方を固定すると共に、当該固定した座標上に存在す
る加工点を通るようにレーザビームを微速一定速度で移
動させながら、当該加工点の他方の座標データを順次指
定することによりレーザビームを照射して行くようにす
ることにより、高いスルーブツトかつ高い位置精度で複
数の加工点の加工をし得るレーザ加工装置を容易に実現
し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明によるレーザ加工装置の一実施例を示す
ブロック図、第２図はその送り制御モードの説明に供す
る曲線図、第３図は第１図の半導体チップ上に形成され
たヒユーズの構成を示す路線図、第４図はメモリチップ
１の構成を示す平面図、第５図及び第６図はそのヒユー
ズの構成を示す路線図、第７図は従来のレーザ加工装置
を示すブロック図、第８図はその加速度指令パターンを
示す曲線図、第９図は第７図の従来の構成において用い
られているヒユーズの構成を示す路線図である。１・・・・・・レーザ加工装置、２・・・・・・Ｙステ
ージ、３・・・・・・Ｘステージ、４・・・・・・ＸＹ
ステージ、５・・・・・・半導体ウェハ、６・・・・・
・レーザビーム発生源、１工・・・・・・データ処理装
置、１２．１３・・・・・・Ｘ、Ｙ位置設定レジスタ、
１０・・・・・・位置決め装置、１４．１５・・・・・
・位置検出器、Ｉ６．１７・・・・・・Ｘ、Ｙ位置レジ
スタ、１８．１９・・・・・・比較器、２１．２２・・
・・・・デジタル／アナログ変換器、２３．２４・・・
・・・サーボ増幅器、２５．２６・・・・・・Ｘ、Ｙス
テージ駆動モータ、３Ｉ・・・・・・切断順序制御装置
。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｘステージ及びＹステージでなるＸＹステージ上
に載置された加工対象上に設けられ、かつＸ座標及びＹ
座標によつて表される複数の加工点に対してレーザビー
ムを照射することにより、当該加工点を間欠的に加工す
るようになされたレーザ加工装置において、上記加工点のＸ座標又はＹ座標の一方を固定すると共に
、他方の座標方向に微速一定速度で上記ＸＹステージを
送りながら、当該固定された一方の座標上にある上記加
工点の他方の座標を順次指定して行くことにより、上記
加工点を順次加工して行くことを特徴とするレーザ加工装置。
（２）上記複数の加工点のうち、順次続く加工点間の距
離が所定値より小さいとき、上記微速一定速度で上記Ｘ
Ｙステージを送りながら順次隣の加工点を加工し、これ
に対して上記加工点間の距離が所定値より大きいとき、
上記微速一定速度より大きい速度で上記ＸＹステージを
送りながら順次隣の加工点を加工するようにしてなる特
許請求の範囲第１項に記載のレーザ加工装置。