JPH11245061A - レーザ加工装置のレーザビーム制御方法 - Google Patents
レーザ加工装置のレーザビーム制御方法Info
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- JPH11245061A JPH11245061A JP10355634A JP35563498A JPH11245061A JP H11245061 A JPH11245061 A JP H11245061A JP 10355634 A JP10355634 A JP 10355634A JP 35563498 A JP35563498 A JP 35563498A JP H11245061 A JPH11245061 A JP H11245061A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】順次続くヒューズを切断して行く際、連続して
微動移動モードでＸ及びＹステージを移動、停止させた
後、ヒューズを切断する作業を繰り返すことになるの
で、全てのヒューズを切断するのに要する時間が長大に
なる。 【解決手段】上記問題点の解決の為に本発明では１直線
に並んだ加工点のグループを検出し、或いは順番を入れ
換える事によってつくり、隣接する２点間の距離を求め
る。２点間の距離が所定量よりも小さい時には、各加工
点でビームと加工対象の相対移動を停止して位置決めす
るのでなく、各軸（もしくは１軸のみ）を微速度で連続
的に駆動しながら加工点を順次加工（オンザフライ加
工）して行く様に制御する。
微動移動モードでＸ及びＹステージを移動、停止させた
後、ヒューズを切断する作業を繰り返すことになるの
で、全てのヒューズを切断するのに要する時間が長大に
なる。 【解決手段】上記問題点の解決の為に本発明では１直線
に並んだ加工点のグループを検出し、或いは順番を入れ
換える事によってつくり、隣接する２点間の距離を求め
る。２点間の距離が所定量よりも小さい時には、各加工
点でビームと加工対象の相対移動を停止して位置決めす
るのでなく、各軸（もしくは１軸のみ）を微速度で連続
的に駆動しながら加工点を順次加工（オンザフライ加
工）して行く様に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザ加工装置のレ
ーザビーム制御方法に関し、特に半導体ウエハを加工す
る場合に適用して良好な制御方法である。
ーザビーム制御方法に関し、特に半導体ウエハを加工す
る場合に適用して良好な制御方法である。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体ウエハ上に形成された半導体
集積回路パターンにレーザビームを照射することによっ
て、回路パターンを切断したり、抵抗値を変化させるよ
うな加工をしたりする際に、レーザ加工装置が用いられ
ている。例えば、半導体メモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭなど）
においては、半導体ウエハ上の数ミリ角の範囲内に、２
５６〔Ｋビット〕、１〔Ｍビット〕、等の記憶容量をも
つメモリチップを形成するようになされた半導体が量産
され、さらには４〔Ｍビット〕メモリチップの量産が進
められつつある。
集積回路パターンにレーザビームを照射することによっ
て、回路パターンを切断したり、抵抗値を変化させるよ
うな加工をしたりする際に、レーザ加工装置が用いられ
ている。例えば、半導体メモリ（ＲＡＭ、ＲＯＭなど）
においては、半導体ウエハ上の数ミリ角の範囲内に、２
５６〔Ｋビット〕、１〔Ｍビット〕、等の記憶容量をも
つメモリチップを形成するようになされた半導体が量産
され、さらには４〔Ｍビット〕メモリチップの量産が進
められつつある。
【０００３】このように高集積化されたメモリチップに
おいて、製造時の歩留まりを向上させる目的で、リダン
ダンシ（redundancy）処理の手法が適用されている。こ
のリダンダンシ処理は予め必要とされるメモリ容量のセ
ルに加えて、冗長な予備のセルでなるメモリ回路（これ
をリダンダンシ回路或いは冗長回路とよぶ）をメモリチ
ップ上に用意しておき、例えばウエハプローバによって
メモリチップの各セルを検査した結果、不良なセルが発
見されたとき、当該不良なセルが接続されているメモリ
回路をリダンダンシ回路に接ぎ変えることによって、こ
のメモリチップを合格品に修理する。
おいて、製造時の歩留まりを向上させる目的で、リダン
ダンシ（redundancy）処理の手法が適用されている。こ
のリダンダンシ処理は予め必要とされるメモリ容量のセ
ルに加えて、冗長な予備のセルでなるメモリ回路（これ
をリダンダンシ回路或いは冗長回路とよぶ）をメモリチ
ップ上に用意しておき、例えばウエハプローバによって
メモリチップの各セルを検査した結果、不良なセルが発
見されたとき、当該不良なセルが接続されているメモリ
回路をリダンダンシ回路に接ぎ変えることによって、こ
のメモリチップを合格品に修理する。
【０００４】図３は近年半導体メモリＩＣに使われるよ
うになった冗長回路のヒューズ部の概略を示す模式図で
ある。図３ではＰ1〜Ｐ13の加工点を順に加工する。こ
の手法を実現するためメモリチップは、例えば図４に示
すように構成されている。すなわちメモリチップ１は、
コラム方向（図４において上下すなわちＹ方向）に５１
２個のメモリセルを有し、かつロー方向（図４において
左右すなわちＸ方向）に２５６個のメモリセルを配列し
てなる８つのメモリエリアＭＡＲ１〜ＭＡＲ８を左及び
右半分にそれぞれ４つづつ配列してなる。
うになった冗長回路のヒューズ部の概略を示す模式図で
ある。図３ではＰ1〜Ｐ13の加工点を順に加工する。こ
の手法を実現するためメモリチップは、例えば図４に示
すように構成されている。すなわちメモリチップ１は、
コラム方向（図４において上下すなわちＹ方向）に５１
２個のメモリセルを有し、かつロー方向（図４において
左右すなわちＸ方向）に２５６個のメモリセルを配列し
てなる８つのメモリエリアＭＡＲ１〜ＭＡＲ８を左及び
右半分にそれぞれ４つづつ配列してなる。
【０００５】かくしてメモリチップ１の左半分に形成さ
れたＭＡＲ１、ＭＡＲ２、ＭＡＲ３及びＭＡＲ４と、メ
モリチップ１の右半分に形成されたＭＡＲ５、ＭＡＲ
６、ＭＡＲ７、及びＭＡＲ８との間に、ＭＡＲ１及びＭ
ＡＲ５のメモリセルをアドレスするローデコーダＲＯＷ
１、ＭＡＲ２及びＭＡＲ６のメモリセルをアドレスする
ローデコーダＲＯＷ２、ＭＡＲ３及びＭＡＲ７のメモリ
セルをアドレスするローデコーダＲＯＷ３、ＭＡＲ４及
びＭＡＲ８のメモリセルをアドレスするローデコーダＲ
ＯＷ４が配列されている。
れたＭＡＲ１、ＭＡＲ２、ＭＡＲ３及びＭＡＲ４と、メ
モリチップ１の右半分に形成されたＭＡＲ５、ＭＡＲ
６、ＭＡＲ７、及びＭＡＲ８との間に、ＭＡＲ１及びＭ
ＡＲ５のメモリセルをアドレスするローデコーダＲＯＷ
１、ＭＡＲ２及びＭＡＲ６のメモリセルをアドレスする
ローデコーダＲＯＷ２、ＭＡＲ３及びＭＡＲ７のメモリ
セルをアドレスするローデコーダＲＯＷ３、ＭＡＲ４及
びＭＡＲ８のメモリセルをアドレスするローデコーダＲ
ＯＷ４が配列されている。
【０００６】またメモリチップ１の上半分に形成された
ＭＡＲ１、ＭＡＲ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ６と、メモリ
チップ１の下半分に形成されたＭＡＲ３、ＭＡＲ４、Ｍ
ＡＲ７及びＭＡＲ８との間に、ＭＡＲ１及びＭＡＲ２の
メモリセルをアドレスするコラムデコーダＣＯＬ１、Ｍ
ＡＲ３及びＭＡＲ４のメモリセルをアドレスするコラム
デコーダＣＯＬ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ６のメモリセル
をアドレスするコラムデコーダＣＯＬ３、ＭＡＲ７及び
ＭＡＲ８のメモリセルをアドレスするコラムデコーダＣ
ＯＬ４が配列されている。
ＭＡＲ１、ＭＡＲ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ６と、メモリ
チップ１の下半分に形成されたＭＡＲ３、ＭＡＲ４、Ｍ
ＡＲ７及びＭＡＲ８との間に、ＭＡＲ１及びＭＡＲ２の
メモリセルをアドレスするコラムデコーダＣＯＬ１、Ｍ
ＡＲ３及びＭＡＲ４のメモリセルをアドレスするコラム
デコーダＣＯＬ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ６のメモリセル
をアドレスするコラムデコーダＣＯＬ３、ＭＡＲ７及び
ＭＡＲ８のメモリセルをアドレスするコラムデコーダＣ
ＯＬ４が配列されている。
【０００７】かかる構成で、リダンダンシ処理に関し
て、コラムデコーダＣＯＬ１、ＣＯＬ２、ＣＯＬ３及び
ＣＯＬ４に各コラムラインに対応する５１２本のヒュー
ズ群ＦＶ１（図５（Ａ））が横方向（すなわちＸ方向）
に所定の間隔（例えば９〔μm〕）を保って配列されて
おり、これに対してＲＯＷ１〜ＲＯＷ４には、各ローラ
インに対応する２５６個のヒューズ群ＦＶ２（図６
（Ｂ））が縦方向（すなわちＹ方向）に順次所定の間隔
（例えば3.5〔μm〕）だけ保って順次配列されている。
て、コラムデコーダＣＯＬ１、ＣＯＬ２、ＣＯＬ３及び
ＣＯＬ４に各コラムラインに対応する５１２本のヒュー
ズ群ＦＶ１（図５（Ａ））が横方向（すなわちＸ方向）
に所定の間隔（例えば９〔μm〕）を保って配列されて
おり、これに対してＲＯＷ１〜ＲＯＷ４には、各ローラ
インに対応する２５６個のヒューズ群ＦＶ２（図６
（Ｂ））が縦方向（すなわちＹ方向）に順次所定の間隔
（例えば3.5〔μm〕）だけ保って順次配列されている。
【０００８】かくして８つのメモリエリアＭＡＲ１〜Ｍ
ＡＲ８のメモリセル中にある不良のメモリセルを対応す
るヒューズ群ＦＶ１及びＦＶ２をそれぞれレーザビーム
によって切り離すことができるようになされている。さ
らにローデコーダＲＯＷ１及びＲＯＷ２間位置にスペア
コラムデコーダＳＤＣ１及びＳＤＣ３とスペアローデコ
ーダＳＤＲ１及びＳＤＲ２が設けられ、ローデコーダＲ
ＯＷ３及びＲＯＷ４間位置にスペアコラムデコーダＳＤ
Ｃ２及びＳＤＣ４とスペアローデコーダＳＤＲ３及びＳ
ＤＲ４が設けられている。
ＡＲ８のメモリセル中にある不良のメモリセルを対応す
るヒューズ群ＦＶ１及びＦＶ２をそれぞれレーザビーム
によって切り離すことができるようになされている。さ
らにローデコーダＲＯＷ１及びＲＯＷ２間位置にスペア
コラムデコーダＳＤＣ１及びＳＤＣ３とスペアローデコ
ーダＳＤＲ１及びＳＤＲ２が設けられ、ローデコーダＲ
ＯＷ３及びＲＯＷ４間位置にスペアコラムデコーダＳＤ
Ｃ２及びＳＤＣ４とスペアローデコーダＳＤＲ３及びＳ
ＤＲ４が設けられている。
【０００９】これらのスペアコラムデコーダＳＤＣ１〜
ＳＤＣ４は、図６（Ａ）に示すように、スペアコラムラ
インアドレス指定用ヒューズＦＶ３をＹ方向に１列１０
本ずつ２列分だけ所定間隔（例えば５〔μm〕）を保つ
ように順次配列されている。さらにスペアローデコーダ
ＳＤＲ１〜ＳＤＲ４は、図６（Ｂ）に示すように、スペ
アローラインアドレス指定用ヒューズＦＶ４をＸ方向に
１列１０本づつ２列分だけ所定間隔（例えば５〔μ
m〕）を保つように順次配列されている。
ＳＤＣ４は、図６（Ａ）に示すように、スペアコラムラ
インアドレス指定用ヒューズＦＶ３をＹ方向に１列１０
本ずつ２列分だけ所定間隔（例えば５〔μm〕）を保つ
ように順次配列されている。さらにスペアローデコーダ
ＳＤＲ１〜ＳＤＲ４は、図６（Ｂ）に示すように、スペ
アローラインアドレス指定用ヒューズＦＶ４をＸ方向に
１列１０本づつ２列分だけ所定間隔（例えば５〔μ
m〕）を保つように順次配列されている。
【００１０】これらのスペアコラムラインアドレス指定
用ヒューズＦＶ３及びスペアローラインアドレス指定用
ヒューズＦＶ４は、各列の１０本のヒューズをＸ方向ま
たはＹ方向に並ぶ２本づつ１０対の組に組み合わせて各
組のヒューズのうちのー方を切断することによって、１
０ビットの論理「１」又は「０」データを設定できるよ
うになされ、かくしてＳＤＣ１〜ＳＤＣ４に対応するコ
ラムライン用リダンダンシ回路ＲＤＣ１〜ＲＤＣ４のメ
モリセルを１０ビットのコードデータによって指定し得
るようになされており、同様にＳＤＲ１〜ＳＤＲ４に対
応するローライン用リダンダンシ回路ＲＤＲ１〜ＲＤＲ
４のメモリセルを１０ビットのコードデータによって指
定し得るようになされている。
用ヒューズＦＶ３及びスペアローラインアドレス指定用
ヒューズＦＶ４は、各列の１０本のヒューズをＸ方向ま
たはＹ方向に並ぶ２本づつ１０対の組に組み合わせて各
組のヒューズのうちのー方を切断することによって、１
０ビットの論理「１」又は「０」データを設定できるよ
うになされ、かくしてＳＤＣ１〜ＳＤＣ４に対応するコ
ラムライン用リダンダンシ回路ＲＤＣ１〜ＲＤＣ４のメ
モリセルを１０ビットのコードデータによって指定し得
るようになされており、同様にＳＤＲ１〜ＳＤＲ４に対
応するローライン用リダンダンシ回路ＲＤＲ１〜ＲＤＲ
４のメモリセルを１０ビットのコードデータによって指
定し得るようになされている。
【００１１】このようにしてメモリチップ１によれば、
メモリヱリアＭＡＲ１、ＭＡＲ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ
６をメモリブロックＭＢ１、ＭＡＲ３、ＭＡＲ４、ＭＡ
Ｒ７及びＭＡＲ８をメモリブロックＭＢ２としたとき、
それぞれについて不良セルが２箇所以内であれば当該不
良セルのアドレスに対応するヒューズＦＶ１及びＦＶ２
をレーザビームによって切断することにより不良セルを
切り離すことができ、これに代えて１０ビットのスペア
コラムラインアドレス指定用ヒューズＦＶ３及びスペア
ローラインアドレス指定用ヒューズＦＶ４を不良セルの
アドレスに対応するヒューズをレーザビームを用いて切
断することにより、コラムライン用リダンダンシ回路Ｒ
ＤＣ１〜ＲＤＣ４及びローライン用リダンダンシ回路Ｒ
ＤＲ１〜ＲＤＲ４を不良セルのアドレス位置に接続する
ことができる。
メモリヱリアＭＡＲ１、ＭＡＲ２、ＭＡＲ５及びＭＡＲ
６をメモリブロックＭＢ１、ＭＡＲ３、ＭＡＲ４、ＭＡ
Ｒ７及びＭＡＲ８をメモリブロックＭＢ２としたとき、
それぞれについて不良セルが２箇所以内であれば当該不
良セルのアドレスに対応するヒューズＦＶ１及びＦＶ２
をレーザビームによって切断することにより不良セルを
切り離すことができ、これに代えて１０ビットのスペア
コラムラインアドレス指定用ヒューズＦＶ３及びスペア
ローラインアドレス指定用ヒューズＦＶ４を不良セルの
アドレスに対応するヒューズをレーザビームを用いて切
断することにより、コラムライン用リダンダンシ回路Ｒ
ＤＣ１〜ＲＤＣ４及びローライン用リダンダンシ回路Ｒ
ＤＲ１〜ＲＤＲ４を不良セルのアドレス位置に接続する
ことができる。
【００１２】かくしてメモリブロックＭＢ１及びＭＢ２
にそれぞれ２つ以下の不良メモリセルがあったとき、こ
れを修理して合格品のメモリチップとすることができる
ことによりメモリチップ１の製造上の歩留まりを向上し
得る。このような構成のヒューズをレーザ加工する際に
は、レーザビームを照射する位置精度としては、かなり
高い精度（例えば0.3〔μm〕程度）が要求される。従来
この要求を満足するような加工を実現するために図７に
示す構成のレーザ加工装置が用いられていた。
にそれぞれ２つ以下の不良メモリセルがあったとき、こ
れを修理して合格品のメモリチップとすることができる
ことによりメモリチップ１の製造上の歩留まりを向上し
得る。このような構成のヒューズをレーザ加工する際に
は、レーザビームを照射する位置精度としては、かなり
高い精度（例えば0.3〔μm〕程度）が要求される。従来
この要求を満足するような加工を実現するために図７に
示す構成のレーザ加工装置が用いられていた。
【００１３】図７において、レーザ加工装置１はＹ方向
に移動するＹステージ２上に、Ｘ方向に移動するＸステ
ージ３を装着してなるＸＹステージ４を有し、Ｘステー
ジ３上に載置された半導体ウエハ５上にレーザビーム発
生源６から発生されたレーザビームＬＢがミラー７を介
して照射される。Ｘステージ３及びＹステージ２は、以
下に述べる構成の位置決め装置１０によって位置決め制
御されることにより、切断すべきヒューズをレーザビー
ムＬＢの照射位置に順次位置決めして行く。
に移動するＹステージ２上に、Ｘ方向に移動するＸステ
ージ３を装着してなるＸＹステージ４を有し、Ｘステー
ジ３上に載置された半導体ウエハ５上にレーザビーム発
生源６から発生されたレーザビームＬＢがミラー７を介
して照射される。Ｘステージ３及びＹステージ２は、以
下に述べる構成の位置決め装置１０によって位置決め制
御されることにより、切断すべきヒューズをレーザビー
ムＬＢの照射位置に順次位置決めして行く。
【００１４】位置決め装置１０は、製造された半導体ウ
エハのチップの良、不良をＩＣテスタを用いて検査する
ウエハプローバから予め得られた不良データＢＡＤを、
コンピュータ構成のデータ処理装置１１に受ける。デー
タ処理装置１１は、修理すべき半導体ウエハ５の構成を
表す種々のデータでなる参照テーブルを記憶し、その参
照テーブルを参照しながら不良データを解析して半導体
ウエハ５の切断すべきヒューズの座標データを発生す
る。
エハのチップの良、不良をＩＣテスタを用いて検査する
ウエハプローバから予め得られた不良データＢＡＤを、
コンピュータ構成のデータ処理装置１１に受ける。デー
タ処理装置１１は、修理すべき半導体ウエハ５の構成を
表す種々のデータでなる参照テーブルを記憶し、その参
照テーブルを参照しながら不良データを解析して半導体
ウエハ５の切断すべきヒューズの座標データを発生す
る。
【００１５】この切断ヒューズ座標データＤＡＴＡは、
Ｘ位置設定レジスタ１２及びＹ位置設定レジスタ１３に
設定されるのに対して、Ｘステージ３及びＹステージ２
の現在位置が位置検出器１４及び１５によって検出され
てＸ位置レジスタ１６及びＹ位置レジスタ１７に取り込
まれると共に、比較器１８及び１９においてＸ位置設定
レジスタ１２及びＹ位置設定レジスタ１３の設定データ
と比較される。
Ｘ位置設定レジスタ１２及びＹ位置設定レジスタ１３に
設定されるのに対して、Ｘステージ３及びＹステージ２
の現在位置が位置検出器１４及び１５によって検出され
てＸ位置レジスタ１６及びＹ位置レジスタ１７に取り込
まれると共に、比較器１８及び１９においてＸ位置設定
レジスタ１２及びＹ位置設定レジスタ１３の設定データ
と比較される。
【００１６】その結果比較器１８及び１９にそれぞれー
致検出信号ＣＯＭＸ及びＣＯＭＹが得られたとき、Ｘス
テージ３及びＹステージ２が切断ヒューズ座標データＤ
ＡＴＡの座標位置に位置決めされたことが分かり、この
ときアンド回路２０を介してレーザビーム発生源６に対
してトリガ信号ＴＲＩを送出することによってレーザビ
ームＬＢを発生させ、かくして半導体ウエハ５上のヒュ
ーズにレーザビームＬＢを照射することによってこれを
切断する。
致検出信号ＣＯＭＸ及びＣＯＭＹが得られたとき、Ｘス
テージ３及びＹステージ２が切断ヒューズ座標データＤ
ＡＴＡの座標位置に位置決めされたことが分かり、この
ときアンド回路２０を介してレーザビーム発生源６に対
してトリガ信号ＴＲＩを送出することによってレーザビ
ームＬＢを発生させ、かくして半導体ウエハ５上のヒュ
ーズにレーザビームＬＢを照射することによってこれを
切断する。
【００１７】これと同時にトリガ信号ＴＲＩはデータ処
理装置１１に入力されて、次のヒューズについての切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡを迭出するステップに移
る。以上の構成に加えて、データ処理装置１１は、切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡに基つく座標位置と、現在
のレーザビームＬＢの照射位置との差に基ついて、デー
タ処理装置１１において図８に示す速度指令パターンＳ
ＰＴＮに対応する速度指令データをデイジタル／アナロ
グ変換器２１及び２２に送出する。このときデイジタル
／アナログ変換器２１及び２２は速度指令パターンに対
応する速度指令電圧VSX及びVSYをサーボ増幅器２３及び
２４を介してＸステージ駆動モータ２５及びＹステージ
駆動モータ２６に供絶する。かくしてＸステージ３及び
Ｙステージ２は、目標座標ブータと現在位置との距離
が、微動範囲（例えば0.02〔■〕）より大きいとき、移
動開始後先ず図８の期間Ｔ１で示すように、台形の速度
パターンに基つく高速モードでＸステージ３及びＹステ
ージ２を駆動した後、微動範囲に入ったとき、期間Ｔ２
で示すように、三角形の速度パターンに基づく微動移動
モードでＸステージ３及びＹステージ２を駆動する。
理装置１１に入力されて、次のヒューズについての切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡを迭出するステップに移
る。以上の構成に加えて、データ処理装置１１は、切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡに基つく座標位置と、現在
のレーザビームＬＢの照射位置との差に基ついて、デー
タ処理装置１１において図８に示す速度指令パターンＳ
ＰＴＮに対応する速度指令データをデイジタル／アナロ
グ変換器２１及び２２に送出する。このときデイジタル
／アナログ変換器２１及び２２は速度指令パターンに対
応する速度指令電圧VSX及びVSYをサーボ増幅器２３及び
２４を介してＸステージ駆動モータ２５及びＹステージ
駆動モータ２６に供絶する。かくしてＸステージ３及び
Ｙステージ２は、目標座標ブータと現在位置との距離
が、微動範囲（例えば0.02〔■〕）より大きいとき、移
動開始後先ず図８の期間Ｔ１で示すように、台形の速度
パターンに基つく高速モードでＸステージ３及びＹステ
ージ２を駆動した後、微動範囲に入ったとき、期間Ｔ２
で示すように、三角形の速度パターンに基づく微動移動
モードでＸステージ３及びＹステージ２を駆動する。
【００１８】図８の場合高速移動モードは、速度０の停
止状態から１０００〔■/sec2〕の加速度で最高定速度
１００〔■/sec〕まで立上がり、この最高定速度で移動
した後、−１０００〔■/sec2〕の加速度で速度０の停
止状態にまで立下がる。かくして符号Ｓ１で示す面積で
表すように、定速移動時間がないような三角形の速度パ
ターンにおいてほぼ１０〔■〕だけ移動できる速度パタ
ーンで、微動範囲にまで追い込むようになされている。
止状態から１０００〔■/sec2〕の加速度で最高定速度
１００〔■/sec〕まで立上がり、この最高定速度で移動
した後、−１０００〔■/sec2〕の加速度で速度０の停
止状態にまで立下がる。かくして符号Ｓ１で示す面積で
表すように、定速移動時間がないような三角形の速度パ
ターンにおいてほぼ１０〔■〕だけ移動できる速度パタ
ーンで、微動範囲にまで追い込むようになされている。
【００１９】これに続く微動移動モードにおいて、デー
タ処理装置１１は速度０の状態から直ちに最高速度０.
４〔■/sec〕に立ち上げた後、当該最高速度から−４
〔■/sec2〕の加速度で速度０の停止状態まで立下がる
ような速度バターンデータを送出する。かくしてＸステ
ージ３及びＹステージ２は、符号Ｓ２で示す面積に相当
する移動距離0.02〔■〕分だけ微動移動モードの間に移
動できることになる。
タ処理装置１１は速度０の状態から直ちに最高速度０.
４〔■/sec〕に立ち上げた後、当該最高速度から−４
〔■/sec2〕の加速度で速度０の停止状態まで立下がる
ような速度バターンデータを送出する。かくしてＸステ
ージ３及びＹステージ２は、符号Ｓ２で示す面積に相当
する移動距離0.02〔■〕分だけ微動移動モードの間に移
動できることになる。
【００２０】このようにすればＸステージ３及びＹステ
ージ２は、現在位置と比較して目標位置が微動範囲すな
わち0.02〔■〕より遠い場合には、先ず高速移動モード
で高速度で移動することによって現在位置を微動範囲に
追い込んだ後、微動移動モードで目標位置に高い精度で
停止するようになされている。
ージ２は、現在位置と比較して目標位置が微動範囲すな
わち0.02〔■〕より遠い場合には、先ず高速移動モード
で高速度で移動することによって現在位置を微動範囲に
追い込んだ後、微動移動モードで目標位置に高い精度で
停止するようになされている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】このような構成の従来
のレーザ加工装置１を用いると、切断すべきヒューズ群
ＦＶ１〜ＦＶ４の各々のヒューズ間隔が微動範囲0.02
〔■〕（=２０〔μm〕）より小さいとき（例えば１０
〔μm〕の場合）には、順次続くヒューズを切断して行
く際には、連続して図８の微動移動モードでＸ及びＹス
テージ３及び２を移動、停止させた後、ヒューズを切断
する作業を繰り返すことになるので、全てのヒューズＦ
Ｖ１〜ＦＶ４を切断するのに要する時間が長大になり、
その結果レーザ加工装置１のスルーブットを十分に向上
し得ない問題がある。
のレーザ加工装置１を用いると、切断すべきヒューズ群
ＦＶ１〜ＦＶ４の各々のヒューズ間隔が微動範囲0.02
〔■〕（=２０〔μm〕）より小さいとき（例えば１０
〔μm〕の場合）には、順次続くヒューズを切断して行
く際には、連続して図８の微動移動モードでＸ及びＹス
テージ３及び２を移動、停止させた後、ヒューズを切断
する作業を繰り返すことになるので、全てのヒューズＦ
Ｖ１〜ＦＶ４を切断するのに要する時間が長大になり、
その結果レーザ加工装置１のスルーブットを十分に向上
し得ない問題がある。
【００２２】例えばローデコーダ部ＲＯＷ１のヒューズ
ＦＶ２及びスペアローデコーダ部ＳＤＲ１のヒューズＦ
Ｖ４（ＦＶ４Ａ、ＦＶ４Ｂ）が、例えば図３に示すよう
な関係に設定されている場合を考えたとき、データ処理
装置１１が切断ヒューズ座標データＤＡＴＡによって離
散的に散在する１３個の切断点Ｐ1、Ｐ2……Ｐ13を指定
して順次間欠的に切断するにつき、切断点Ｐ1〜Ｐ2、Ｐ
2〜Ｐ3、Ｐ3〜Ｐ4間は微動範囲0.02〔■〕より大きい距
離であるので、データ処理装置１１はＸステージ３及び
又はＹステージ２を、図８の高速移動モード及び微動移
動モードの両方を使って切断点Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4に停
止させ、当該停止状態においてレーザビームＬＢによる
加工をする。
ＦＶ２及びスペアローデコーダ部ＳＤＲ１のヒューズＦ
Ｖ４（ＦＶ４Ａ、ＦＶ４Ｂ）が、例えば図３に示すよう
な関係に設定されている場合を考えたとき、データ処理
装置１１が切断ヒューズ座標データＤＡＴＡによって離
散的に散在する１３個の切断点Ｐ1、Ｐ2……Ｐ13を指定
して順次間欠的に切断するにつき、切断点Ｐ1〜Ｐ2、Ｐ
2〜Ｐ3、Ｐ3〜Ｐ4間は微動範囲0.02〔■〕より大きい距
離であるので、データ処理装置１１はＸステージ３及び
又はＹステージ２を、図８の高速移動モード及び微動移
動モードの両方を使って切断点Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4に停
止させ、当該停止状態においてレーザビームＬＢによる
加工をする。
【００２３】またヒューズＦＶ４に対する切断位置Ｐ4
〜Ｐ5、Ｐ6〜Ｐ7、Ｐ7〜Ｐ8、Ｐ8〜Ｐ9、Ｐ11〜Ｐ
12は、微動範囲0.02〔■〕より大きいので、この場合も
図８の高速移動モード及び微動移動モードの両方を使っ
てＸステージ３及びＹステージ２を移動停止させる。こ
れに対して切断点Ｐ5〜Ｐ6、Ｐ9〜Ｐ10、Ｐ10〜Ｐ11、
Ｐ12〜Ｐ13の距離は微動距離0.02〔■〕より小さい距離
0.01〔■〕しか離れていないので、データ処理装置１１
はＸステージ３及びＹステージ２を図８の微動移動モー
ドで移動させることになる。
〜Ｐ5、Ｐ6〜Ｐ7、Ｐ7〜Ｐ8、Ｐ8〜Ｐ9、Ｐ11〜Ｐ
12は、微動範囲0.02〔■〕より大きいので、この場合も
図８の高速移動モード及び微動移動モードの両方を使っ
てＸステージ３及びＹステージ２を移動停止させる。こ
れに対して切断点Ｐ5〜Ｐ6、Ｐ9〜Ｐ10、Ｐ10〜Ｐ11、
Ｐ12〜Ｐ13の距離は微動距離0.02〔■〕より小さい距離
0.01〔■〕しか離れていないので、データ処理装置１１
はＸステージ３及びＹステージ２を図８の微動移動モー
ドで移動させることになる。
【００２４】このように従来の構成によれば、常に微動
移動モードを伴うようなモードでＸステージ３及びＹス
テージ２を移動制御することになるので、全ての切断点
Ｐ1〜Ｐ13を切断処理するのに要する時間が長大にな
り、その結果レーザ加工装置１のスループットを実用上
向上させることができない問題があった。本発明は以上
の点を考慮してなされたもので、Ｘステージ及びＹステ
ージが高い精度で移動できる点を利用して、Ｘステージ
及び又はＹステージを停止させずに隣合う切断点を切断
して行くことができるようにすることにより、全ての切
断点を切断するのに要する時間を短縮し得るようにした
レーザ加工装置を提案しようとするものである。
移動モードを伴うようなモードでＸステージ３及びＹス
テージ２を移動制御することになるので、全ての切断点
Ｐ1〜Ｐ13を切断処理するのに要する時間が長大にな
り、その結果レーザ加工装置１のスループットを実用上
向上させることができない問題があった。本発明は以上
の点を考慮してなされたもので、Ｘステージ及びＹステ
ージが高い精度で移動できる点を利用して、Ｘステージ
及び又はＹステージを停止させずに隣合う切断点を切断
して行くことができるようにすることにより、全ての切
断点を切断するのに要する時間を短縮し得るようにした
レーザ加工装置を提案しようとするものである。
【００２５】
【課題を解決する為の手段】上記問題点の解決の為に本
発明では１直線に並んだ加工点のグループを検出し、或
いは順番を入れ換える事によってつくり、隣接する２点
間の距離を求める。２点間の距離が所定量よりも小さい
時には、各加工点でビームと加工対象の相対移動を停止
して位置決めするのでなく、各軸（もしくは１軸のみ）
を微速度で連続的に駆動しながら加工点を順次加工（オ
ンザフライ加工）して行く様に制御する。
発明では１直線に並んだ加工点のグループを検出し、或
いは順番を入れ換える事によってつくり、隣接する２点
間の距離を求める。２点間の距離が所定量よりも小さい
時には、各加工点でビームと加工対象の相対移動を停止
して位置決めするのでなく、各軸（もしくは１軸のみ）
を微速度で連続的に駆動しながら加工点を順次加工（オ
ンザフライ加工）して行く様に制御する。
【００２６】
【作用】本発明に於いては、加工点の配置がー直線上に
一定間隔以下で隣接して並んでいる場合にレーザビーム
走査機構によりレーザビーム（実際にはレーザビームは
発射しないから仮想的なビームであるが簡単の為レーザ
ビームと称する）を微速度で加工点上を走査し、レーザ
ビームを１点毎に位置決めするのでなく、連続的にビー
ムを走査しながら加工（オンザフライ加工）し、それ以
外の加工点間は高速で移動して位置決め後にレーザを発
射して加工する様制御することにより、高いスルーブッ
トで加工を行うことが出来る。
一定間隔以下で隣接して並んでいる場合にレーザビーム
走査機構によりレーザビーム（実際にはレーザビームは
発射しないから仮想的なビームであるが簡単の為レーザ
ビームと称する）を微速度で加工点上を走査し、レーザ
ビームを１点毎に位置決めするのでなく、連続的にビー
ムを走査しながら加工（オンザフライ加工）し、それ以
外の加工点間は高速で移動して位置決め後にレーザを発
射して加工する様制御することにより、高いスルーブッ
トで加工を行うことが出来る。
【００２７】
【発明の実施の形態】図１に本発明の第１の実施例を示
す。図１においてレーザ加工装置１は入力される不良デ
ータＢＡＤをコンピュータで構成された切断順序制御装
置３１に受けて順次続く切断点間の距離が所定の値より
小さいときは、切断点の処理順序を変更すると共に微速
度でＸスキャナ１０１又はＹスキャナ１０２を送る微速
モードとなるような切断点データＣＵＴをデータ処理装
置１１に送り込む。
す。図１においてレーザ加工装置１は入力される不良デ
ータＢＡＤをコンピュータで構成された切断順序制御装
置３１に受けて順次続く切断点間の距離が所定の値より
小さいときは、切断点の処理順序を変更すると共に微速
度でＸスキャナ１０１又はＹスキャナ１０２を送る微速
モードとなるような切断点データＣＵＴをデータ処理装
置１１に送り込む。
【００２８】これに対して不良データＢＡＤによって順
次指定されている切断点間の距離が所定の切換限界値よ
り長い場合には不良データＢＡＤをそのまま切断点デー
タＣＵＴとしてデータ処理装置１１へ入力することによ
って通常の位置決めモードによりスキャナを制御するこ
とになる。ここで切断順序制御装置３１が微速モードを
選定したときには切断順序制御装置３１はデータ処理装
置１１に対する切断点データＣＵＴの目標座標データと
して、Ｘ軸及びＹ軸の指定データのうちのー方すなわち
Ｙ軸（またはＸ軸）のデータを固定した状態で他方すな
わちＸ軸（またはＹ軸）の座標データを順次変更するこ
とによってＸスキャナ１０１（又はＹスキャナ１０２）
を微速度で駆動する。データ処理装置１１からの座標デ
ータはＸ位置設定レジスタ１２、Ｙ位置設定レジスタ１
３に入力され現在のレーザビームの位置を示すスキャナ
からの位置信号から求められたＸ位置レジスタ１６、Ｙ
位置レジスタの内容と比較器１８、１９で比較し、両者
がー致した時にＡＮＤ回路２０からトリガ信号ＴＲＩが
出て、レーザビーム発生源６をトリガすることでレーザ
ビームＬＢがウエハ５の所定の位置まで導かれ加工が行
なわれる。片方の走査方向の軸を固定したとすると（例
えばＹ軸）、一致検出信号ＣＯＭＹは出たままになり、
Ｘ方向の比較器からのＣＯＭＸが出た瞬間にレーザにト
リガ信号が送出される。
次指定されている切断点間の距離が所定の切換限界値よ
り長い場合には不良データＢＡＤをそのまま切断点デー
タＣＵＴとしてデータ処理装置１１へ入力することによ
って通常の位置決めモードによりスキャナを制御するこ
とになる。ここで切断順序制御装置３１が微速モードを
選定したときには切断順序制御装置３１はデータ処理装
置１１に対する切断点データＣＵＴの目標座標データと
して、Ｘ軸及びＹ軸の指定データのうちのー方すなわち
Ｙ軸（またはＸ軸）のデータを固定した状態で他方すな
わちＸ軸（またはＹ軸）の座標データを順次変更するこ
とによってＸスキャナ１０１（又はＹスキャナ１０２）
を微速度で駆動する。データ処理装置１１からの座標デ
ータはＸ位置設定レジスタ１２、Ｙ位置設定レジスタ１
３に入力され現在のレーザビームの位置を示すスキャナ
からの位置信号から求められたＸ位置レジスタ１６、Ｙ
位置レジスタの内容と比較器１８、１９で比較し、両者
がー致した時にＡＮＤ回路２０からトリガ信号ＴＲＩが
出て、レーザビーム発生源６をトリガすることでレーザ
ビームＬＢがウエハ５の所定の位置まで導かれ加工が行
なわれる。片方の走査方向の軸を固定したとすると（例
えばＹ軸）、一致検出信号ＣＯＭＹは出たままになり、
Ｘ方向の比較器からのＣＯＭＸが出た瞬間にレーザにト
リガ信号が送出される。
【００２９】図２に実際に加工される様子を示す。図２
は近年半導体メモリＩＣに使れわるようになった冗長回
路のヒューズ部の模式図である。半導体メモリ上のゴミ
等による部分欠陥は歩留りを低下させるが、冗長回路技
術とはあらかじめ所望の容量以外の予備回路を用意して
おき、本回路側に不良部分があった場合、そこを分離し
予備回路側につなぎ替えることで不良チップを良品にす
るものである事は既に説明した。回路のつなぎ替えの際
にはデコーダ部に設けられたヒューズを不良データに基
いてレーザ光で切断する。図２ではＰ1〜Ｐ13の加工点
を加工する。
は近年半導体メモリＩＣに使れわるようになった冗長回
路のヒューズ部の模式図である。半導体メモリ上のゴミ
等による部分欠陥は歩留りを低下させるが、冗長回路技
術とはあらかじめ所望の容量以外の予備回路を用意して
おき、本回路側に不良部分があった場合、そこを分離し
予備回路側につなぎ替えることで不良チップを良品にす
るものである事は既に説明した。回路のつなぎ替えの際
にはデコーダ部に設けられたヒューズを不良データに基
いてレーザ光で切断する。図２ではＰ1〜Ｐ13の加工点
を加工する。
【００３０】Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3の加工に於いては加工点の
間隔が大きく、微速モードの加工よりも各点で位置決め
を行った方が早く終了するため、通常の位置決めモード
を用いる。Ｐ4、Ｐ7、Ｐ9、Ｐ10、Ｐ11はー直線上に並
びかつ加工点間の距離が短いため微速モードを用いる。
レーザビームはＹ座標一定のままＸ軸方向に低速度で走
査され、オンザフライ加工がなされる。即ちＰ4、Ｐ7、
Ｐ9、Ｐ10、Ｐ11の各点に到達した時点でトリガ信号が
迭出され加工が行われる。Ｐ11からＰ13は通常の位置決
めモードを用いて移動し、再び微速モードでＰ13、
Ｐ12、Ｐ8、Ｐ6、Ｐ 5の加工を行う。
間隔が大きく、微速モードの加工よりも各点で位置決め
を行った方が早く終了するため、通常の位置決めモード
を用いる。Ｐ4、Ｐ7、Ｐ9、Ｐ10、Ｐ11はー直線上に並
びかつ加工点間の距離が短いため微速モードを用いる。
レーザビームはＹ座標一定のままＸ軸方向に低速度で走
査され、オンザフライ加工がなされる。即ちＰ4、Ｐ7、
Ｐ9、Ｐ10、Ｐ11の各点に到達した時点でトリガ信号が
迭出され加工が行われる。Ｐ11からＰ13は通常の位置決
めモードを用いて移動し、再び微速モードでＰ13、
Ｐ12、Ｐ8、Ｐ6、Ｐ 5の加工を行う。
【００３１】不良データは必ずしも上記加工順序と同一
の並びであるとは限らない。切断順序制御装置３１で
は、加工点の座標からー直線上に並んでいるものをグル
ープ分けし、最適パスを求めて加工順序を決定し、その
各グループ内での加工点間の距離により通常の位置決め
モードを用いるか微速モードを用いるかの判断を行う。
レーザビームの移動範囲は光学系によって変化するが、
一般には収差等を考慮するとウエハ全面に対して狭い部
分しか加工出来ないので、ＸＹステージ４によりステッ
プアンドリピート動作を行うことになる。
の並びであるとは限らない。切断順序制御装置３１で
は、加工点の座標からー直線上に並んでいるものをグル
ープ分けし、最適パスを求めて加工順序を決定し、その
各グループ内での加工点間の距離により通常の位置決め
モードを用いるか微速モードを用いるかの判断を行う。
レーザビームの移動範囲は光学系によって変化するが、
一般には収差等を考慮するとウエハ全面に対して狭い部
分しか加工出来ないので、ＸＹステージ４によりステッ
プアンドリピート動作を行うことになる。
【００３２】図１ではスキャナによるビーム走査装置で
の加工方法について説明したが、同様の加工はリニアモ
ータによってＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ駆動するりニア
モータ駆動ＸＹテーブル型でも行うことが出来る。また
加工点が任意の方向にー直線に並んでいる場合、Ｘ方向
の走査機構とＹ力向の走査機構を同時にそれぞれある速
度で微動させることにより上記任意の方向への直線移動
する微速モードが実現出来る。
の加工方法について説明したが、同様の加工はリニアモ
ータによってＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ駆動するりニア
モータ駆動ＸＹテーブル型でも行うことが出来る。また
加工点が任意の方向にー直線に並んでいる場合、Ｘ方向
の走査機構とＹ力向の走査機構を同時にそれぞれある速
度で微動させることにより上記任意の方向への直線移動
する微速モードが実現出来る。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、離散的に
散在する加工点の中でー直線に並んでおりかつー定間隔
以下の加工点に対してレーザビームを該加工点の並ぶ直
線上を微速度で制御しながら、停止させる事無くレーザ
ビームを間欠的にオン・オフ制御し、それ以外の加工点
に対しては高速で移動し、位置決めした後にレーザビー
ムをオン・オフ制御することにより複数の加工点の加工
を高いスループットかつ高い位置精度でなし得る。
散在する加工点の中でー直線に並んでおりかつー定間隔
以下の加工点に対してレーザビームを該加工点の並ぶ直
線上を微速度で制御しながら、停止させる事無くレーザ
ビームを間欠的にオン・オフ制御し、それ以外の加工点
に対しては高速で移動し、位置決めした後にレーザビー
ムをオン・オフ制御することにより複数の加工点の加工
を高いスループットかつ高い位置精度でなし得る。
【図１】図１は本発明によるレーザ加工装置のー実施例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図２】図２は図１の半導体チップ上に形成されたヒュ
ーズの構成及び本発明による加工順序と制御方法を示す
略線図である。
ーズの構成及び本発明による加工順序と制御方法を示す
略線図である。
【図３】図３は図７の従来の構成において用いられてい
るヒューズの構成と加工順序を示す略線図である。
るヒューズの構成と加工順序を示す略線図である。
【図４】図４はメモリチップ１の構成を示す平面図であ
る。
る。
【図５】図５はそのヒューズの構成を示す略線図であ
る。
る。
【図６】図６はそのヒューズの構成を示す略線図であ
る。
る。
【図７】図７は従来のレーザ加工装置を示すブロック図
である。
である。
【図８】図８はその加速度指令パターンを示す曲線図で
ある。
ある。
１…レーザ加工装置 ４…ＸＹステージ ５…半導体ウエハ ６…レーザビーム発生源 １１…データ処理装置 ３１…切断順序制御装置 １０１…Ｘスキヤナ １０２…Ｙスキャナ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年１月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】これと同時にトリガ信号ＴＲＩはデータ処
理装置１１に入力されて、次のヒューズについての切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡを迭出するステップに移
る。以上の構成に加えて、データ処理装置１１は、切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡに基つく座標位置と、現在
のレーザビームＬＢの照射位置との差に基ついて、デー
タ処理装置１１において図８に示す速度指令パターンＳ
ＰＴＮに対応する速度指令データをデイジタル／アナロ
グ変換器２１及び２２に送出する。このときデイジタル
／アナログ変換器２１及び２２は速度指令パターンに対
応する速度指令電圧VSX及びVSYをサーボ増幅器２３及び
２４を介してＸステージ駆動モータ２５及びＹステージ
駆動モータ２６に供絶する。かくしてＸステージ３及び
Ｙステージ２は、目標座標ブータと現在位置との距離
が、微動範囲（例えば0.02〔mm〕）より大きいとき、移
動開始後先ず図８の期間Ｔ１で示すように、台形の速度
パターンに基つく高速モードでＸステージ３及びＹステ
ージ２を駆動した後、微動範囲に入ったとき、期間Ｔ２
で示すように、三角形の速度パターンに基づく微動移動
モードでＸステージ３及びＹステージ２を駆動する。
理装置１１に入力されて、次のヒューズについての切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡを迭出するステップに移
る。以上の構成に加えて、データ処理装置１１は、切断
ヒューズ座標データＤＡＴＡに基つく座標位置と、現在
のレーザビームＬＢの照射位置との差に基ついて、デー
タ処理装置１１において図８に示す速度指令パターンＳ
ＰＴＮに対応する速度指令データをデイジタル／アナロ
グ変換器２１及び２２に送出する。このときデイジタル
／アナログ変換器２１及び２２は速度指令パターンに対
応する速度指令電圧VSX及びVSYをサーボ増幅器２３及び
２４を介してＸステージ駆動モータ２５及びＹステージ
駆動モータ２６に供絶する。かくしてＸステージ３及び
Ｙステージ２は、目標座標ブータと現在位置との距離
が、微動範囲（例えば0.02〔mm〕）より大きいとき、移
動開始後先ず図８の期間Ｔ１で示すように、台形の速度
パターンに基つく高速モードでＸステージ３及びＹステ
ージ２を駆動した後、微動範囲に入ったとき、期間Ｔ２
で示すように、三角形の速度パターンに基づく微動移動
モードでＸステージ３及びＹステージ２を駆動する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】図８の場合高速移動モードは、速度０の停
止状態から１０００〔mm/sec2〕の加速度で最高定速度
１００〔mm/sec〕まで立上がり、この最高定速度で移動
した後、−１０００〔mm/sec2〕の加速度で速度０の停
止状態にまで立下がる。かくして符号Ｓ１で示す面積で
表すように、定速移動時間がないような三角形の速度パ
ターンにおいてほぼ１０〔mm〕だけ移動できる速度パタ
ーンで、微動範囲にまで追い込むようになされている。
止状態から１０００〔mm/sec2〕の加速度で最高定速度
１００〔mm/sec〕まで立上がり、この最高定速度で移動
した後、−１０００〔mm/sec2〕の加速度で速度０の停
止状態にまで立下がる。かくして符号Ｓ１で示す面積で
表すように、定速移動時間がないような三角形の速度パ
ターンにおいてほぼ１０〔mm〕だけ移動できる速度パタ
ーンで、微動範囲にまで追い込むようになされている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】これに続く微動移動モードにおいて、デー
タ処理装置１１は速度０の状態から直ちに最高速度０.
４〔mm/sec〕に立ち上げた後、当該最高速度から−４
〔mm/sec2〕の加速度で速度０の停止状態まで立下がる
ような速度バターンデータを送出する。かくしてＸステ
ージ３及びＹステージ２は、符号Ｓ２で示す面積に相当
する移動距離0.02〔mm〕分だけ微動移動モードの間に移
動できることになる。
タ処理装置１１は速度０の状態から直ちに最高速度０.
４〔mm/sec〕に立ち上げた後、当該最高速度から−４
〔mm/sec2〕の加速度で速度０の停止状態まで立下がる
ような速度バターンデータを送出する。かくしてＸステ
ージ３及びＹステージ２は、符号Ｓ２で示す面積に相当
する移動距離0.02〔mm〕分だけ微動移動モードの間に移
動できることになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】このようにすればＸステージ３及びＹステ
ージ２は、現在位置と比較して目標位置が微動範囲すな
わち0.02〔mm〕より遠い場合には、先ず高速移動モード
で高速度で移動することによって現在位置を微動範囲に
追い込んだ後、微動移動モードで目標位置に高い精度で
停止するようになされている。
ージ２は、現在位置と比較して目標位置が微動範囲すな
わち0.02〔mm〕より遠い場合には、先ず高速移動モード
で高速度で移動することによって現在位置を微動範囲に
追い込んだ後、微動移動モードで目標位置に高い精度で
停止するようになされている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】このような構成の従来
のレーザ加工装置１を用いると、切断すべきヒューズ群
ＦＶ１〜ＦＶ４の各々のヒューズ間隔が微動範囲0.02
〔mm〕（=２０〔μm〕）より小さいとき（例えば１０
〔μm〕の場合）には、順次続くヒューズを切断して行
く際には、連続して図８の微動移動モードでＸ及びＹス
テージ３及び２を移動、停止させた後、ヒューズを切断
する作業を繰り返すことになるので、全てのヒューズＦ
Ｖ１〜ＦＶ４を切断するのに要する時間が長大になり、
その結果レーザ加工装置１のスルーブットを十分に向上
し得ない問題がある。
のレーザ加工装置１を用いると、切断すべきヒューズ群
ＦＶ１〜ＦＶ４の各々のヒューズ間隔が微動範囲0.02
〔mm〕（=２０〔μm〕）より小さいとき（例えば１０
〔μm〕の場合）には、順次続くヒューズを切断して行
く際には、連続して図８の微動移動モードでＸ及びＹス
テージ３及び２を移動、停止させた後、ヒューズを切断
する作業を繰り返すことになるので、全てのヒューズＦ
Ｖ１〜ＦＶ４を切断するのに要する時間が長大になり、
その結果レーザ加工装置１のスルーブットを十分に向上
し得ない問題がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】例えばローデコーダ部ＲＯＷ１のヒューズ
ＦＶ２及びスペアローデコーダ部ＳＤＲ１のヒューズＦ
Ｖ４（ＦＶ４Ａ、ＦＶ４Ｂ）が、例えば図３に示すよう
な関係に設定されている場合を考えたとき、データ処理
装置１１が切断ヒューズ座標データＤＡＴＡによって離
散的に散在する１３個の切断点Ｐ1、Ｐ2……Ｐ13を指定
して順次間欠的に切断するにつき、切断点Ｐ1〜Ｐ2、Ｐ
2〜Ｐ3、Ｐ3〜Ｐ4間は微動範囲0.02〔mm〕より大きい距
離であるので、データ処理装置１１はＸステージ３及び
又はＹステージ２を、図８の高速移動モード及び微動移
動モードの両方を使って切断点Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4に停
止させ、当該停止状態においてレーザビームＬＢによる
加工をする。
ＦＶ２及びスペアローデコーダ部ＳＤＲ１のヒューズＦ
Ｖ４（ＦＶ４Ａ、ＦＶ４Ｂ）が、例えば図３に示すよう
な関係に設定されている場合を考えたとき、データ処理
装置１１が切断ヒューズ座標データＤＡＴＡによって離
散的に散在する１３個の切断点Ｐ1、Ｐ2……Ｐ13を指定
して順次間欠的に切断するにつき、切断点Ｐ1〜Ｐ2、Ｐ
2〜Ｐ3、Ｐ3〜Ｐ4間は微動範囲0.02〔mm〕より大きい距
離であるので、データ処理装置１１はＸステージ３及び
又はＹステージ２を、図８の高速移動モード及び微動移
動モードの両方を使って切断点Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4に停
止させ、当該停止状態においてレーザビームＬＢによる
加工をする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】またヒューズＦＶ４に対する切断位置Ｐ4
〜Ｐ5、Ｐ6〜Ｐ7、Ｐ7〜Ｐ8、Ｐ8〜Ｐ9、Ｐ11〜Ｐ
12は、微動範囲0.02〔mm〕より大きいので、この場合も
図８の高速移動モード及び微動移動モードの両方を使っ
てＸステージ３及びＹステージ２を移動停止させる。こ
れに対して切断点Ｐ5〜Ｐ6、Ｐ9〜Ｐ10、Ｐ10〜Ｐ11、
Ｐ12〜Ｐ13の距離は微動距離0.02〔mm〕より小さい距離
0.01〔mm〕しか離れていないので、データ処理装置１１
はＸステージ３及びＹステージ２を図８の微動移動モー
ドで移動させることになる。
〜Ｐ5、Ｐ6〜Ｐ7、Ｐ7〜Ｐ8、Ｐ8〜Ｐ9、Ｐ11〜Ｐ
12は、微動範囲0.02〔mm〕より大きいので、この場合も
図８の高速移動モード及び微動移動モードの両方を使っ
てＸステージ３及びＹステージ２を移動停止させる。こ
れに対して切断点Ｐ5〜Ｐ6、Ｐ9〜Ｐ10、Ｐ10〜Ｐ11、
Ｐ12〜Ｐ13の距離は微動距離0.02〔mm〕より小さい距離
0.01〔mm〕しか離れていないので、データ処理装置１１
はＸステージ３及びＹステージ２を図８の微動移動モー
ドで移動させることになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２５】
【課題を解決する為の手段】上記課題を解決する為に本
発明では１直線に並んだ加工点のグループを検出し、或
いは順番を入れ換える事によってつくり、隣接する２点
間の距離を求める。２点間の距離が所定量よりも小さい
時には、各加工点でビームと加工対象の相対移動を停止
して位置決めするのでなく、各軸（もしくは１軸のみ）
を微速度で連続的に駆動しながら加工点を順次加工（オ
ンザフライ加工）して行く様に制御する。
発明では１直線に並んだ加工点のグループを検出し、或
いは順番を入れ換える事によってつくり、隣接する２点
間の距離を求める。２点間の距離が所定量よりも小さい
時には、各加工点でビームと加工対象の相対移動を停止
して位置決めするのでなく、各軸（もしくは１軸のみ）
を微速度で連続的に駆動しながら加工点を順次加工（オ
ンザフライ加工）して行く様に制御する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】図１ではスキャナによるビーム走査装置で
の加工方法について説明したが、同様の加工はリニアモ
ータによってＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ駆動するリニア
モータ駆動ＸＹテーブル型でも行うことが出来る。また
加工点が任意の方向にー直線に並んでいる場合、Ｘ方向
の走査機構とＹ力向の走査機構を同時にそれぞれある速
度で微動させることにより上記任意の方向への直線移動
する微速モードが実現出来る。
の加工方法について説明したが、同様の加工はリニアモ
ータによってＸ軸、Ｙ軸方向にそれぞれ駆動するリニア
モータ駆動ＸＹテーブル型でも行うことが出来る。また
加工点が任意の方向にー直線に並んでいる場合、Ｘ方向
の走査機構とＹ力向の走査機構を同時にそれぞれある速
度で微動させることにより上記任意の方向への直線移動
する微速モードが実現出来る。
Claims (4)
- 【請求項１】加工対象とレーザビームを照射する照射予
定位置とを相対移動して前記加工対象に散在する任意の
加工点に前記レーザビームを照射するレーザ加工装置の
レーザビーム制御方法であって、 前記加工点と前記照射予定位置とを相対移動させなが
ら、前記加工点の座標と前記照射予定位置の座標とを比
較し、両者が一致した時に、前記レーザビームを照射す
ることを特徴とするレーザ加工装置のレーザビーム制御
方法。 - 【請求項２】前記加工点のうち少なくとも略一直線上に
所定間隔以下で隣接して位置した特定の加工点に対し
て、前記照射予定位置を略一直線上に相対移動させて前
記レーザビームを照射することを特徴とする請求項１に
記載のレーザ加工装置のレーザビーム制御方法。 - 【請求項３】前記加工点は、略一直線上に所定間隔以下
で隣接して位置する第１の加工点群と、前記第１の加工
点群に属さない第２の加工点群とに分けられ、 前記第１の加工点群に含まれる前記加工点間における前
記照射予定位置の相対移動は、微速で相対移動させ、 前記第１の加工点群と前記第２の加工点群との間におけ
る前記照射予定位置の相対移動は、高速で移動させるこ
とを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置のレーザ
ビーム制御方法。 - 【請求項４】前記加工点は、半導体ウエハ上のメモリ回
路に設けられたヒューズ部であり、 前記ヒューズ部を前記レーザビームで切断することを特
徴とする請求項１、２又は３記載のレーザ加工装置のレ
ーザビーム制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355634A JPH11245061A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | レーザ加工装置のレーザビーム制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355634A JPH11245061A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | レーザ加工装置のレーザビーム制御方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63050295A Division JP2942804B2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | レーザ加工装置及びレーザ加工装置のレーザビーム制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11245061A true JPH11245061A (ja) | 1999-09-14 |
Family
ID=18444984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10355634A Pending JPH11245061A (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | レーザ加工装置のレーザビーム制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11245061A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007203375A (ja) * | 2001-02-16 | 2007-08-16 | Electro Scientific Industries Inc | メモリリンク処理用の走査ビーム経路の誤差の補正 |
| JP2008254073A (ja) * | 2008-07-25 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
| JP2010064106A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| KR20130134861A (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 한국기계연구원 | 스테이지와 스캐너의 동기화 방법 |
| KR20130134864A (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 한국기계연구원 | 스테이지-스캐너 연동 가공설계 방법 |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP10355634A patent/JPH11245061A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007203375A (ja) * | 2001-02-16 | 2007-08-16 | Electro Scientific Industries Inc | メモリリンク処理用の走査ビーム経路の誤差の補正 |
| JP2011098394A (ja) * | 2001-02-16 | 2011-05-19 | Electro Scientific Industries Inc | メモリリンク処理用の走査ビーム経路の誤差の補正 |
| JP2008254073A (ja) * | 2008-07-25 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
| JP4670911B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2011-04-13 | パナソニック株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP2010064106A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| KR20130134861A (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 한국기계연구원 | 스테이지와 스캐너의 동기화 방법 |
| KR20130134864A (ko) * | 2012-05-31 | 2013-12-10 | 한국기계연구원 | 스테이지-스캐너 연동 가공설계 방법 |
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