JPS634245B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は隣接チヤネル間のクロストーク遮蔽を
改良した多チヤネル磁気変換装置（磁気ヘツド）
に関するものである。 チヤネル間電磁シールドを用いて隣接チヤネル
間のクロストークを減少させる多チヤネルトラン
スジユーサ（変換装置）は一般に知られている。
これらのシールドはコイルまたは後部ギヤツプな
どのトランスジユーサ構体の内部領域で発生する
漏洩磁束に起因するクロストークを減少させるの
にある程度効果的であるが、周知のようにクロス
トークを完全になくすものではない。従来のチヤ
ネル間シールドはトランスジユーサ前部端面の上
にのびていないので、たとえば多チヤネルトラン
スジユーサの変換ギヤツプまたは磁極の外側端部
から発生する表面漏洩磁界によつて生ずるクロス
トークを減少させるには事実上効果的でない。複
数の変換チヤネルが密接に配置されたトランスジ
ユーサでは、そのような表面漏洩磁界が全体のチ
ヤネル間クロストークに大きく影響を与える。周
知のように多チヤネルトランスジユーサでは、ク
ロストークの大部分が隣接チヤネル間で発生し、
離れたチヤネルの間ではその影響が非常に少ない
が、これは漏洩磁界を含むいずれの磁界の強さも
距離の２乗とともに除々に減少するためである。 従来技術の多チヤネルトランスジユーサには磁
極の前部端面の上にのびたチヤネル間シールドを
利用しているものがある。これらのシールドは表
面漏洩磁界に起因するクロストークが僅かに改善
されることがあるが、同時にヘツドバンプも大き
く減少する。 駆動チヤネルのもとの電気信号の一部の位相を
反転して隣接チヤネルへ導入するクロストーク遮
蔽技術が知られている。位相反転などに必要な電
子回路を追加するという欠点の他に、その場合の
クロストーク遮蔽はもとの信号の反転信号に対す
る位相対周波数の関係に大きく依存する。 他の従来技術の方法によればチヤネル間に非対
称にチヤネル間シールドを設け、その両端を隣接
チヤネルに関係する各反対の磁極に密接して配置
している。この非対称に配置されたシールドは隣
接チヤネルへ反対極性の磁束を導入する。しかし
この従来技術は、これらの非対称シールドがトラ
ンスジユーサ前部端面の上にのびていないので表
面漏洩磁束によるクロストークが減少しない。 したがつて本発明の目的はチヤネル間クロスト
ーク遮蔽が改善され上述の従来技術のトランスジ
ユーサの欠点がない多チヤネルトランスジユーサ
構体を提供することにある。 本発明の他の目的は隣接チヤネル間の表面漏洩
磁束に起因するクロストークが実質的にない多チ
ヤネルトランスジユーサ構体を提供することであ
る。 他の目的はクロストーク遮蔽が周波数に対して
実質的に一定である多チヤネルトランスジユーサ
構体を提供することである。 さらに他の目的は上述の機能を有するが付加的
な電子回路を必要としない多チヤネルトランスジ
ユーサ構体を提供することである。 本発明の特定の目的は上述の機能を有し経済的
に製造することができる多チヤネルトランスジユ
ーサ構体を提供することである。本発明によれ
ば、変換ギヤツプを画成する一対の磁極を有する
チヤネルを間隔をおいて複数設けた多チヤネル磁
気トランスジユーサ（磁気ヘツド）が提供され
る。磁極の各対ごとの１つの磁極に密接して多チ
ヤネルトランスジユーサの前部端面に磁性体材料
の部材を配置し、その磁極に低リラクタンス磁気
回路を形成する。各部材はトラツクの幅方向に実
質的にその磁極を横切つてのび、それぞれ変換ギ
ヤツプおよび対応する磁気媒体から距離をおいて
配置されているので後者の部材のいずれとも磁気
的な結合をなくすことができる。これらの磁性体
部材は、隣接チヤネルのトランスジユーサ前部端
面ギヤツプの両側に配置された磁極に交互に対応
している。隣接チヤネルで誘起された表面漏洩磁
束に起因するクロストークがトランスジユーサの
内部から発生するクロストークに対して反対の位
相となる非対称磁気回路が得られる。この反対の
位相のクロストーク相互の間の妨害現象が発生
し、全体のチヤネル間クロストークが実質的に減
少する。 本発明の上述およびその他の特徴、目的および
利点は、好ましい実施例を例として示した添付図
面を参照する以下の説明によつてより明らかとな
ろう。これらの図面は本発明の説明のためにすぎ
ず、この範囲を限定する意図はない。 第１図は従来技術の多チヤネル磁気トランスジ
ユーサ（磁気ヘツド）の前部端面１を示す図であ
り、これは平行に間隔をおいた変換チヤネル１
０，１２を有し、たとえばテープまたはデイスク
などの対応する可動磁気媒体（図示せず）のたと
えば記録または再生に使用する。当業者に周知の
ように、各チヤネルは一対の対向した磁極１６，
１７；１８，１９を有し、それぞれ整合して配置
されそれらの間には非磁性体が配置されており、
それぞれ変換ギヤツプ２０，２１を画成する。ギ
ヤツプ２０，２１はギヤツプ線８０を形成する共
通の変換ギヤツプ平面内にある。磁気または電磁
シールド１１，１３，１５をチヤネル１０，１２
の近くに配置して、たとえば周知のようにエポキ
シ充填剤などの非磁性体スペーサ（図示せず）に
よつてその間に間隔をおく。シールド１３は通常
のチヤネル間シールドであり、隣接チヤネル１
０，１２の内部から発生する漏洩磁束を拾つてこ
の磁束をもとのチヤネルへ折り返す機能を有す
る。従来の外側シールド１１および１５を利用し
て各チヤネル１０，１２を周知のように外部電磁
界から保護する。 磁気的に対称な従来技術の多チヤネルトランス
ジユーサ構体１の１つのチヤネル、たとえばチヤ
ネル１０が記録または再生信号によつて駆動され
ていると、漏洩磁界７，２３および２５が発生す
る。漏洩磁界７は駆動チヤネル１０の変換コイル
および後部ギヤツプなどの内部から発生する。磁
界７の影響はチヤネル間シールド１３によつてあ
る程度減少する。磁界７の他の部分はチヤネル１
２におけるクロストローク磁束９となり、これは
駆動チヤネル１０のもとの信号磁束２６と位相が
一致している。よく知られているように第１図の
従来技術の多チヤネルトランスジユーサの従来の
シールド１１，１３，１５はそれぞれトランスジ
ユーサの前部端面１と同じ平面にあるようにし、
これより上にでることはない。その結果これらの
シールドはトランスジユーサの前部端面１のすぐ
上に生ずる表面漏洩磁束２３，２５によつて生ず
るチヤネル間クロストークを減少させる効果がな
い。 上述の説明をわかりやすくするために、第１図
では表面漏洩磁束の一部をそれぞれ線２３および
２５で表わし、これは駆動チヤネル１０から発生
して隣のチヤネル１２へ向う。具体的には表面漏
洩磁束２３はチヤネル１０の変換ギヤツプ２０の
中で発生し、表面漏洩磁束２５は磁極１６，１７
の外側端部で発生する。なおここで説明した磁界
および関連の磁束は三次元の値を有するのでその
一部分だけを添付図面の平面内にある線で示すこ
とができることを理解されたい。 第１図の従来技術のトランスジユーサの上に説
明した対称的構成において、表面漏洩磁束２３お
よび２５によつて生ずる好ましくないクロストー
ク磁束２７が駆動チヤネル１０から隣接チヤネル
１２の中へ誘起される。表面漏洩磁束によつて生
ずるクロストーク２７および前に説明したチヤネ
ル１０の内部から発生するクロストーク９は両方
とも実質的にチヤネル１０のもとの信号磁束２６
と位相が一致している。その結果これらは大部分
従来技術のトランスジユーサのクロストーク全体
を構成する。本発明はのちに説明するように表面
漏洩磁束から生ずる上述のクロストーク２７を実
質的になくすものである。 第２図は本発明の好ましい実施例による２チヤ
ネルトランスジユーサの前部端面３０を示す図で
ある。第１図および第２図のトランスジユーサの
各前部端面１および３０を比較すると、両方の構
体はよく似ており、第２図のトランスジユーサの
前部端面３０へ磁性体部材３１，３２が取り付け
られている点が異なることがわかる。好ましい実
施例ではこれらの部材３１，３２は長方形のスト
リツプとして形成され、隣接する変換チヤネル３
０，３４に対して対称的に配置されている。各ス
トリツプ３１，３２はそれぞれ一対の磁極３７，
３８；３９，４０の一方の磁極３７，４０に取り
付けており、各対はそれぞれ隣接する変換チヤネ
ル３３，３４を形成する。ストリツプ３１，３２
がその上に取り付けられた磁極３７，４０はトラ
ンスジユーサ前部端面３０の両側に配置されてい
る。各ストリツプ３１，３２は対応する磁極３
７，４０と磁気的に接触しており、またそれぞれ
隣接の外側シールド４１，４３とも磁気的に接触
している。しかし両ストリツプ３１，３２はチヤ
ネル間シールド４２とは接触しないようになつて
おり、そのチヤネル間シールド４２を通して隣接
チヤネル１０，１２の間に直接の磁気的結合が生
じないようになつている。直方形のストリツプ３
１として形成された本発明の好ましい実施例の磁
性体部材は第４図に示されている。これはたとえ
ばミユーメタルなどの全体として可撓性のある高
透過率材料で作るのが望ましい。たとえばストリ
ツプ３１はシート材料を切断または打ち抜きによ
つて所望の形にしてもよい。ストリツプ３１，３
２は実質的に同一であるので、一方のストリツプ
３１のみを第４図に示し以下に説明する。 ストリツプ３１のトラツク幅方向の幅は、スト
リツプ３１が磁極３７および外側シールド４１の
上にのび、チヤネル間シールド４２から充分な距
離を隔ててこれと全く接触しないように選択す
る。長さは、ストリツプ３１の外側の端部がそれ
ぞれ磁極３７および外側シールド４１の側面４
５，４８とオーバラツプするように選択するのが
望ましい。ストリツプ３１の反対側の内側端部は
変換ギヤツプ３５から充分に離れた距離にあつて
対応する記録媒体と接触しないようにし、これと
の磁気的な結合を防ぐ。すなわちストリツプ３１
は記録媒体と変換ギヤツプ３５の間の如何なる実
質的な量の有効な磁束をも拾うことはない。好ま
しい実施例ではストリツプ３１の厚さｄは0.05〜
0.15mm（２〜６ミル）のオーダである。この厚さ
は磁気パスのリラクタンスが低いことが望ましい
ことと渦電流損が低いことが望ましいこととの妥
協からそれぞれ選択された。その結果高い周波数
の記録では磁気ストリツプが薄い方が望ましい。 このような構成ではストリツプ３０，３１を利
用することによつて第１図のトランスジユーサの
対称的な磁気回路が第２図の非対称に配置された
磁気回路に変化することになる。この非対称の構
成によつて、第２図のトランスジユーサのチヤネ
ル３４に誘起され駆動チヤネル３３から発生する
表面漏洩磁界に比例したクロストーク磁束４４は
前に述べたトランスジユーサの内部から発生する
クロストーク９に対して位相が反対となる。その
結果第２図の実施例ではそれぞれ位相が反対のク
ロストーク４および９の間に相殺効果が生ずる。 上述の説明をわかりやすくするために、第２図
では線８１が０の磁気ポテンシヤルＵ＝０を表わ
しており、したがつてそれぞれ正負の磁極性の領
域Ｕ＞０およびＵ＜０に分かれる。同一極性の磁
気ポテンシヤルが隣接チヤネル３３，３４に対し
てトランスジユーサ前部端面３０の両側にあり、
端面３０の同じ側には反対の磁極性が隣接チヤネ
ルにあることがわかる。その結果表面漏洩磁界に
よつて生ずるクロストーク４４と内部漏洩磁界に
よつて生ずる位相が反対のクロストーク９との間
に生ずる妨害現象が第２図の非対称多チヤネルト
ランスジユーサ構体の全体のチヤネル間クロスト
ークを効果的に減少させる。 本発明による上述のクロストーク減少技術は、
磁性体部材によつて生ずる位相変化が周波数に対
して実質的に一定であり、したがつてその結果と
してクロストークの遮蔽が実質的に周波数に依存
しないという重要な利点がある。 本発明のさまざまな実施例によれば、磁性体部
材の形状は本発明による所望のクロストーク遮蔽
を得るには重要でないことがわかつた。たとえば
好ましい実施例において長方形のストリツプの両
辺を正確に平行または真直ぐとしなくてもクロス
トークの遮蔽において得られる効果は妨げられな
い。磁性体部材の他の形状にはたとえば、平行四
辺形、角に丸みをつけたストリツプまたは他の適
当な形状があるが、いずれも所望のストリツプ遮
蔽を行なうことができる。 他の実施例として第３図は多チヤネルトランス
ジユーサの前部端面５０を示し、これは４つの変
換チヤネル５１ないし５４および各チヤネル間に
挿入された磁気シールド５５ないし５９を有す
る。第２図および第３図のトランスジユーサの実
施例の類似点については、第２図の実施例と異な
る第３図のトランスジユーサの部分および特徴に
ついてのみ説明する。 第３図において、長方形ストリツプ６０ないし
６３の形をとる磁性体部材がそれぞれ隣接する変
換チヤネル５１ないし５４に対応する一方の極７
０，７３，７４，７７にそれぞれ設けられてい
る。ストリツプ６０ないし６３は第４図について
すでに説明し示したストリツプ３１と設計が似て
いる。これらのストリツプは隣接する一連のチヤ
ネルのトランスジユーサ前部端面５０の両側にあ
る磁極に交互に取り付けられている。外側チヤネ
ル５１，５４にそれぞれ対応するストリツプ６０
および６３は、第２図の好ましい実施例のストリ
ツプ３１および３２についてすでに説明したのと
同様に、それぞれ外側シールド５５，５９に隣接
して磁極７０，７７に取り付けられている。これ
までの説明によれば第３図のストリツプ６０ない
し６３はチヤネル間シールド５６，５７，５８の
いずれとも接触しないようにし、これから充分な
距離を離して配置され、チヤネル間シールドを通
して隣接チヤネルが直接結合するのを防止してい
る。したがつて内部チヤネル５２，５３に対応す
るチヤネル６１および６２はストリツプ６０，６
３の幅に対して狭い幅を有する。 たとえば磁束６５で表わされる記録または再生
信号などの有用な信号によつて駆動されると、隣
接チヤネル５２およびそれより遠いチヤネル５
３，５４にも表面漏洩磁界に起因するクロストー
クが生ずる。しかし、表面漏洩磁界の大きさ、し
たがつてそれに関連するクロストークの大きさは
距離とともに徐々に減少するので、距離の遠いチ
ヤネルでは誘起されたクロストークは実質的にほ
とんど問題がなくなる。第３図の多チヤネルトラ
ンスジユーサの内部から発生した漏洩磁束に起因
するそれぞれのクロストークはそれぞれ隣接チヤ
ネル５２，５３，５４に矢印７８，７９および９
９で表示されている。周知のように後者のクロス
トークはチヤネル５１のもとの信号磁束６４と位
相が一致している。しかし第３図の実施例におけ
る磁性体ストリツプ６０ないし６３によつて構成
される非対称チヤネル間構造については、それぞ
れチヤネル５２および５４の表面漏洩磁束に起因
するクロストーク磁束６６および６８は磁束６
５，７８および９９に対してそれぞれ反対の位相
にある。このことは、すべてのそれ以降の奇数番
のチヤネル、たとえば第５チヤネル、第７チヤネ
ルなどに駆動チヤネル５１から誘起されるクロス
トーク磁束の極性についてもいえる。各チヤネル
５２，５４のそれぞれのクロストーク磁束６６，
７８；６８，９９は互いに反対の位相であるの
で、これらは実質的に消去される。 チヤネル５３は駆動チヤネル５１に対して対称
的に配置されているので、すなわち各磁性体スト
リツプ６０，６２がトランスジユーサ前部端面５
０の同じ側にあるので、表面漏洩磁束によつて誘
起されたクロストーク６７は前に述べたトランス
ジユーサ内部から発生するクロストーク７９と同
じ極性である。これもまた、非常に多数のチヤネ
ルをもつたトランスジユーサを利用する場合駆動
チヤネルからさらに偶数番のチヤネル、たとえば
第４チヤネル、第６チヤネルに対してもいえる。
したがつて後者の偶数番チヤネルにおける表面漏
洩磁界に起因するクロストークは減少せず、むし
ろ各クロストーク成分が互いに加算される。後者
の影響が多くの応用例において差し支えないの
は、周知のようにクロストークの量が漏洩磁束の
発生源からの距離とともに徐々に減少し、その結
果本発明による直接隣接するチヤネル間のクロス
トークを全体的に改善することで遠いチヤネル間
における相対的な増加を補償することができるこ
とがわかる。 たとえば第３図の本発明の実施例において、こ
の磁極およびコアはフエライトおよびミユーメタ
ルの磁性体ストリツプで作られており、従来技術
の磁性体ストリツプを用いない同様の構造のトラ
ンスジユーサに対してつぎのようなクロストーク
の改善がみられた。隣接チヤネルの中心が3.30mm
（130ミル）離れた４チヤネルトランスジユーサで
測定するとクロストークの遮蔽はチヤネル間で−
40dBないし−50dBの改善が得られ、離れた２つ
のチヤネルからのクロストークの相対的な増加は
−70dBないし−60dBであつた。 上に示した改良された隣接チヤネル間のクロス
トーク遮蔽は本発明による多チヤネルトランスジ
ユーサを利用すれば記録および再生の品質を大き
く改善するものであることは当業者に明らかであ
ろう。また音楽のアナログ録音や狭い高密度トラ
ツクへのデイジタル記憶などのいくつかの応用例
において遠いチヤネル間のクロストーク遮蔽が相
対的に減少することは遮蔽チヤネル間のクロスト
ークが相対的に改善されることによつて充分に補
償されることがわかる。 第５図は磁気記録および（または）磁気再生に
利用した２チヤネルトランスジユーサ８５を示す
本発明の好ましい実施例である。トランスジユー
サ８５は、磁性体部材３１，３２およびこれと各
トランスジユーサ素子との組合せ部分を除いては
従来から周知の構造である。 第５図はトランスジユーサ８５の分解図を示
し、第２図について前に説明したのと同様の前部
端面を有する。比較を簡単にするために第２図お
よび第５図の対応する要素は同じ参照符号で示さ
れている。トランスジユーサ８５は磁極チツプ組
立体８６およびバツクコア組立体８７を有する。
バツクコア組立体８７はたとえばアルミニウムな
どの非磁性体ホルダ９１を有し、これは周知のよ
うにそれぞれ磁気コア９４およびシールド９５を
取り付けるためのスロツト９２および９３を有す
る。記録または再生などのために変換コイル９６
が各バツクコアレグの周りに配置されている。第
５図ではバツクコアの構造をわかりやすく示すた
めに磁気シールドが切り欠いて示されている。ト
ランスジユーサコイル端子９７が従来の方法で端
子板９８に取り付けられている。 磁極チツプ組立体８６はアルミニウムなどの非
磁性材料などのホルダ８８を有し、これは従来技
術で周知のようにそれぞれ磁極の組３７，３８；
３９，４０および磁気シールド４１，４２および
４３を取り付けるスロツトを有する。上に述べた
磁極の組はそれぞれ変換ギヤツプ３５，３６を正
確に画成し、これらはたとえば雲母およびガラス
で作られている。一例として、磁極３７，３８，
３９，４０およびコア９４はそれぞれフエライト
または積層ミユーメタルで作つてもよく、またシ
ールド４１，４２，４３および９５は積層ミユー
メタルで作つてもよい。 磁極チツプ組立体８６およびバツクコア組立体
８７は当業者に周知のようにたとえばエポキシ接
着剤などで互いに接着して堅固な一体構造となつ
ている。これによつてできあがる多チヤネルトラ
ンスジユーサ構体８５はそれぞれ磁極の組３７，
３８および３９，４０を有し、これらは正確にか
つぴつたりと対応するバツクコア９４と接触して
整列している。同様にシールド４１，４２および
４３は周知のようにそれぞれバツクコアシールド
９３と整列している。 トランスジユーサ８５は前部端面において所望
のトランスジユーサ対記録媒体のインタフエース
を得るような輪郭をなしている。つぎにこの輪郭
の表面を従来技術で周知のようにラツプ仕上し研
摩する。つぎに磁性体ストリツプ３１，３２をそ
れぞれトランスジユーサ前部端面の両側に位置す
る磁極３７，４０にしつかりと堅固に取り付け
る。ストリツプ３１，３２は好ましくはミユーメ
タルで作られ、たとえばイーストマンコダツクコ
ーポレーシヨンの製造によるイーストマン９−10
型などの適当な接着剤によつて磁極３７，４０へ
取り付ける。ストリツプ３１，３２の接合面全体
にわたつてトランスジユーサ表面ともつともよく
確実に接触させるためには、接着剤が固化するま
でストリツプに均一に圧力を加える。たとえば適
当な取付工具を利用してもよいし、また高速固化
接着剤を利用するならばストリツプに手で圧力を
加えてもよい。 最も効果的にクロストークを遮蔽するには磁気
的接触を密にし、すなわち磁極とこれに取り付け
られた磁性体部材との間の間隔を最小に維持して
非対称回路のリラクタンスを最少にしなければな
らないことがわかつた。 たとえば接触磁気テープ記録の場合のように第
５図に示すような輪郭をもつた前部端面を多チヤ
ネルトランスジユーサが有しているような応用例
においては、たとえばミユーメタルなどの全体的
に可撓性のある材料で磁性体ストリツプを作らな
ければならない。後者の特徴によつて磁性体部材
の表面をトランスジユーサの輪郭に合わせること
ができ、望ましい密な接触が得られる。同時にそ
の部材のひび割れや破損がなくなる。後者の望ま
しくない影響はフエライトなどの堅くて砕けやす
い磁性体材料を利用した場合に生ずることがあ
る。つぎの例は従来技術のトランスジユーサと比
較した第５図の実施例による２チヤネルトランス
ジユーサのクロストーク遮蔽が実質的に改善され
たことを示す。測定した特定のトランスジユーサ
のバツクコアおよび磁極チツプはMnZnフエライ
トで作られ、磁性体ストリツプおよびシールドは
ミユーメタルで作られている。比較のため同様の
構造で磁性体ストリツプを用いていない従来技術
のトランスジユーサについて同じ条件でそれぞれ
同じ測定を行なつた。 まず、つぎのようにして再生クロストークを測
定した。２チヤネルトランスジユーサの一方のト
ラツクから磁気テープに1kHzにおいて基準記録
信号レベルであらかじめ記録を行なつた。このあ
らかじめ記録した信号をチヤネル２で再生し、同
時にチヤネル１に誘起したクロストークをチヤネ
ル２の基準再生信号レベルに対して測定した。つ
ぎにテープを反対にしてあらかじめ記録したトラ
ツクをチヤネル１によつて再生し、クロストーク
をトランスジユーサのチヤネル２で測定した。そ
の結果はつぎの通りである。 クロストーク被測定チヤネル ストリツプ付 ストリツプなし チヤネル１： −81dB −61dB チヤネル２： −85dB −59dB つぎに記録および再生を組み合せたクロストー
クをつぎのようにして測定した。テープのトラツ
ク１に1kHzにおいて所定の基準信号レベルであ
らかじめ記録をし、トラツク２には記録バイアス
信号のみを記録した。つぎにあらかじめ記録した
トラツク１と２の両方を各トランスジユーサチヤ
ネル１および２によつて再生し、チヤネル２の再
生信号に現われるクロストークレベルをチヤネル
１の再生信号レベルに対して測定した。つぎにテ
ープをトランスジユーサチヤネル１および２に対
して反対にし、チヤネル２を基準としてチヤネル
１についてそれぞれ再生信号測定を行なつた。そ
の結果はつぎの通りである。

【表】 クロストーク
上に示した隣接チヤネル間の全体のクロストー
ク値に表われる差は、従来技術で知られているよ
うにトランスジユーサ構体のチヤネル間特性の僅
かな差に起因することがわかる。 これらの例から本発明の好ましい実施例によれ
ば２チヤネルトランスジユーサの隣接チヤネル間
には20dB、すなわち10：１の比以上のクロスト
ークの減少がみられたことがわかる。 これらの説明からつぎのことがわかる。本発明
によつて得られたクロストークの遮蔽は、使用す
るトランスジユーサの物理的形状および寸法、駆
動電磁波信号のたとえば周波数、振幅その他の特
性およびパラメータ、ならびに個々のトランスジ
ユーサ素子に使用した各磁性体材料の透磁率およ
びその他の関連するパラメータによつて変化する
ことがある。たとえば磁性体部材の透磁率が高く
なると、隣接チヤネル間のクロストーク遮蔽が効
果的になる。 よく知られているように、フエライトで作られ
た磁極およびコアを有する従来技術の多チヤネル
磁気トランスジユーサは典型的には、ミユーメタ
ルなどの金属材料で作られたトランスジユーサよ
りチヤネル間クロストークが多い。このような効
果はおもにフエライトの透磁率が比較的低いため
であり、その結果漏洩磁界が大きいためである。
本発明によればトランスジユーサの個々の部分に
いずれの型の強磁性体材料を使用してもチヤネル
間クロストークが大きく減少するが、もつとも大
きな改良は磁極および（または）コアの透磁率が
比較的低くかつ比較的高い透磁率の磁性体部材を
用いたトランスジユーサで達成された。 本発明の好ましいいくつかの実施例を従来の電
磁シールドを使用して説明してきたが、本発明に
よる磁性体ストリツプを有するトランスジユーサ
はそのようなチヤネル間シールドがない場合でさ
えも良好なクロストーク遮蔽を有することがわか
る。しかしこのようなトランスジユーサで得られ
る全体のクロストーク遮蔽は、多チヤネルトラン
スジユーサ構体の内側部分から生ずる漏洩磁束が
減少することはないので非常に少ない。 同様に前に説明したクロストーク遮蔽は、本発
明による磁性体ストリツプを変換ギヤツプが共通
のギヤツプ線に沿つて配列されていない多チヤネ
ルトランスジユーサと組み合せて使用した場合に
も得られる。 すでに説明したように、本発明による磁性体部
材は好ましい実施例とは異なつた形状を有しても
よい。たとえばさまざまな所望の形状の磁性体材
料の比較的薄い板を用いてもよい。これらの部材
の厚さは非対称磁気回路のリラクタンスを低くし
たいこととそれに伴う渦電流損を低くしたいこと
との妥協によつて選定すべきである。 前に述べたように磁性体材料のデイスクリート
な部材を多チヤネルトランスジユーサ磁極に取り
付ける代りに、ミユーメタルまたはパーマロイな
どの適当な磁性体材料の層をトランスジユーサ前
部端面の上に所望の形状および厚さで直接被着さ
せてもよい。たとえば真空蒸着またはスパツタリ
ングなどの周知の被着技術を利用することができ
る。なお被着工程中表面の残りの部分を覆うには
適当なマスクを必要とする。後者の技術は磁性体
材料と磁極との間に物理的な空間を必要としない
ので、その結果である非対称磁気回路のリラクタ
ンスが低下し、全体のクロストーク遮蔽の効率が
向上する。 上述の説明から本発明によるトランスジユーサ
は、たとえばオーデイオ、音楽、ビデオまたはそ
の他のタイプのテープ、デイスクなどへの多チヤ
ネルアナログもしくはデイジタル記録などの非常
に広い範囲の応用に使用できることがわかる。 本発明をその好ましい実施例について説明して
きたが、特許請求の範囲に記載した本発明の精神
および範囲から逸脱することなく各構成要素をさ
まざまに変形して構成することができることは明
らかである。 本発明を要約すると、多チヤネル磁気トランス
ジユーサの前部端面に磁性体材料の部材を取り付
けて非対称磁気回路を形成する。変換チヤネルを
形成する磁極対ごとの１つの磁極に部材を取り付
ける。一連の隣接チヤネルにおいてトランスジユ
ーサ前部端面の両側に位置する磁極にこれらの部
材を交互に取り付ける。これらの部材は記録媒体
とは接触しないようにし、変換ギヤツプから一定
の距離を設け、それぞれその間の磁気的結合がな
いようにする。

【図面の簡単な説明】

第１図は表面漏洩磁界およびクロストーク磁束
を示す従来技術の２チヤネルトランスジユーサの
正面図、第２図はクロストーク磁束の相殺を示す
本発明の好ましい実施例による２チヤネルトラン
スジユーサの正面図、第３図は本発明の他の実施
例による４チヤネルトランスジユーサの正面図、
第４図は本発明の好ましい実施例による磁性体部
材の平面図、第５図は本発明の好ましい実施例に
よる２チヤネルトランスジユーサの分解斜視図で
ある。 ３０，３４……変換チヤネル、３１，３２……
磁性体部材、３７，３８，３９，４０……磁極、
４１，４３……外側シールド、４２……チヤネル
間シールド。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数の変換チヤネルのそれぞれが１対の磁極
   の間に変換ギヤツプを形成しており、該磁極と一
   体となつた磁気バツクコア及び対応する変換巻線
   を含む多チヤネル磁気変換装置において、該変換
   装置の前部端面に堅固に取り付けられた複数の磁
   性体部材を含み、各磁性体部材は各磁極対の１つ
   の磁極に対応し、それに密接してその間に低リラ
   クタンスの磁気回路を形成し、各磁性体部材は記
   録トラツクの幅の方向に前記対応する磁極を実質
   的に横切つてのび、前記変換ギヤツプおよび対応
   する磁気媒体の両方からそれぞれその間の磁気的
   結合が生じないように距離を隔てて設けられ、前
   記磁性体部材は上記前部端面の一連の隣接チヤネ
   ルの両端に位置する磁極に対して交互に対応し、
   非対称の多チヤネル磁気変換装置を形成すること
   を特許とする多チヤネル磁気変換装置。