JPS6340348A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

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JPS6340348A
JPS6340348A JP61184445A JP18444586A JPS6340348A JP S6340348 A JPS6340348 A JP S6340348A JP 61184445 A JP61184445 A JP 61184445A JP 18444586 A JP18444586 A JP 18444586A JP S6340348 A JPS6340348 A JP S6340348A
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semiconductor element
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Kunihito Sakai
酒井　国人
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体装置に関し、持に樹脂封止型半導体装
置におけるα線λ断方法に関するものである。
「従来の技術」 第２図は従来の樹脂封止型半導体装Ｒｆ示す断面図であ
る。図において、半導体素子４がダイスバッド３上に固
定されＣｆ３す、また、半導体素子４上の＊ｆｆ１（図
示せｆ）とリードフレーム（図示せず）の一部を構成す
るリード１とが、ボンディングワイヤ２で結線されてい
る。さらに、半導体素子４の表面が、ポリイミド等の保
２［９で１貰われ、そして、これら全体が封止樹脂７に
よって封止されている。
この保１１１１９の施工目的は、たとえばエポキシ樹脂
またはシリコン樹脂等の封止樹脂７に含有されているシ
リカ等の無機質充填剤（６０ｗｔ％程度）から発生され
るα線を遮断して半導体素子の誤操作を防止しようとす
るものである。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来の樹脂封止型半導体装置では、保１１
９と封止樹脂７とが直接接触しているため、これらの材
料間の熱膨張差や、また、封止樹脂の冷却時の硬化収縮
による残留応力等によって保護ＩＢＩ９にｒｉＪ械的応
力が加わる。
したがって、この機械的応力による保１１１９の破壊ま
たは剥離等をＭ（プるために、加工性が悪くまた価格も
高いが、強度上有利なポリイミド樹脂の保３膜９への使
用が余備なくされ、装置のコスト高の要因ともなってい
た。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、ポリイミド樹脂以外の低価格の有機材料を保Ｗ！膜
に使用しても上記のような機械的応力を受けず、αＰｉ
ｌ遮断に信頼がおけ、かつ、低価格である樹脂封止型半
導体装置を得ることを目的とする。
［間８点を解決するための手段］ この発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子お
よびダイスパッドまわりに、ガスを含有するマイクロカ
プセルを混合しｌ；合成ゴムを塗布し、これを加熱する
ことによってマイクロカプセルの発泡とともに合成ゴム
を膨張させ、これとともに全体をトランスファ成形装置
で樹脂封止する。
次に、マイクロカプセルの破壊による内部ガスの放出で
、合成ゴムの体積収縮が起こり合成ゴムと封止樹脂との
間に空洞部を作るものである。
［作用コ この発明においては、半導体素子を覆う合成ゴムと封止
樹脂との間に空洞部が形成されるため、封止樹脂の形成
による発生応力は合成ゴムに影響を与えず、安定した合
成ゴムのα線遮断効果が得られる。
［発明の実施例］ ′ｉＲ１図はこの発明の一実施例である製造工程の一部
の断面図である。
図において、１〜４および７は従来装置と同様である。
第１図（ａ）において、ダイスバッド３上に固定された
半導体素子４がボンディングワイヤ２によってリード１
と結線された後、マイクロカプセル６を混合した合成ゴ
ム５を塗布する。マイクロカプセル６はその中にイソブ
タン等のガスを保有しその直径が１０〜２０μｍであり
、合成ゴム５は、たとえばシリコンゴム、ウレタンゴム
、イソブタンゴムまたはクロロブレンゴム等である。ま
た、その混合は合成ゴム５にマイクロカプセル６を１０
（ｗｔ％）の割合とする。
次に、マイクロカプセル６を含んだ合成ゴム５を９０℃
に加熱し、一旦合成ゴム５を硬化させた後１２０’Ｃに
加熱してマイクロカプセル６を発泡させる。合成ゴム５
は硬化しているがマイクロカプセル６の発泡力によって
体積が増大する。この状態でトランスファ装置の加熱さ
れた金型（１７５℃）の５０〜８０　ｋＧ／　Ｑｍ２の
成形圧力で封止膜脂７を形成する（第１図（ｂ）参照〉
。
このトランスファ装置の成形温度および成形圧力によっ
て、膨張した合成ゴム５中のマイクロカプセル６が膨張
により破壊され、その内部のガスを放出することによっ
てマイクロカプセル６が収縮し、併せて合成ゴム５の体
積は減少する。放出されたガスは合成ゴム５を通過し、
一部は封止樹脂７を通って外部に拡散するが残りは合成
ゴムの体積の減少に伴ない生じた空洞８に保有され、空
洞８部の圧力を上昇させることによって合成ゴム５を半
導体素子４側に密着ざぜる働きをするく第１図（Ｃ）参
照）。
なお、上記実施例では、合成ゴム５の体積を膨張させる
手段としてマイクロカプセルを用いたが発泡スチロール
を用いても可能である。
［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、半導体素子を覆う、α
線を遮断する合成ゴムを封止樹脂から分離させて直接接
触させないため、従来のように耐熱性および機械的強度
に優れたコスト高の材料を保［８として使う必要はなく
、安価でかつ信頼のおける樹脂封止型半導体装置を得る
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である製造工程の一部の断
面図であり、第２図は従来装置の断面図である。 図において、１はリード、２はボンディングワイヤ、３
はダイスパッド、４は半導体素子、５は合成ゴム、６は
マイクロカプセル、７は封止樹脂、８は空洞、９は保１
ｌＩＩＫである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）樹脂封止型半導体装置であって、 その表面に電極を有する半導体素子と、 前記半導体素子を設置するダイスパッドと、前記半導体
    素子の前記電極へボンディングワイヤにて接続するリー
    ドと、 前記半導体素子および前記ダイスパッドを覆う保護膜と
    、 前記保護膜から間隔を隔てて前記半導体装置を封止する
    封止樹脂とを備えた、樹脂封止型半導体装置。
  2. （２）前記保護膜は、合成ゴムであることを特徴とする
    、特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. （３）樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、 その表面に電極を有する半導体素子をダイスパッドに固
    定する工程と、 前記半導体素子上の前記電極とリードとをボンディング
    ワイヤにて接続する工程と、 前記半導体素子および前記ダイスパッドに封止膜を塗布
    する工程と、 前記封止膜を膨張させ、前記封止膜の外面を覆うように
    樹脂にて封止する工程と、 前記封止膜を収縮させて、前記樹脂と前記封止膜との間
    に空洞部を形成する工程とを備えた、樹脂封止型半導体
    装置の製造方法。
  4. （４）前記封止膜は、ガスを含有する膨張剤が混合され
    た合成ゴムであり、加熱による膨張剤のガスの膨張に伴
    ない前記合成ゴムの体積が増加し、さらに、前記膨張剤
    の破裂による前記ガスの放出に伴ない前記合成ゴムの体
    積が減少することを特徴とする、特許請求の範囲第３項
    記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  5. （５）前記膨張剤は、マイクロカプセルであることを特
    徴とする、特許請求の範囲第４項記載の樹脂封止型半導
    体装置の製造方法。
  6. （６）前記マイクロカプセルに含有されるガスは、イソ
    ブタンであることを特徴とする、特許請求の範囲第５項
    記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  7. （７）前記マイクロカプセルの混合比は、前記合成ゴム
    に対する重量比で１：９であることを特徴とする、特許
    請求の範囲第５項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  8. （８）前記膨張剤は、発泡スチロールであることを特徴
    とする、特許請求の範囲第４項記載の樹脂封止型半導体
    装置の製造方法。
  9. （９）前記封止膜の膨張は、加熱によることを特徴とす
    る、特許請求の範囲第３項記載の樹脂封止型半導体装置
    の製造方法。
  10. （１０）前記樹脂による封止は、トランスファ成形装置
    によることを特徴とする、特許請求の範囲第３項記載の
    樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878611A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Nec Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878611A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Nec Corp 半導体装置

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