JPS61145851A - 半導体モジユ−ル - Google Patents
半導体モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS61145851A JPS61145851A JP26730884A JP26730884A JPS61145851A JP S61145851 A JPS61145851 A JP S61145851A JP 26730884 A JP26730884 A JP 26730884A JP 26730884 A JP26730884 A JP 26730884A JP S61145851 A JPS61145851 A JP S61145851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin layer
- semiconductor module
- case
- layer
- casting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体モジュールに係り、特に外囲器内の充
填材の構造に関する。
填材の構造に関する。
従来の半導体モジュールの構造を第５図に示し説明する
。
。
図において、（１０１）は例えばエポキシ樹脂のような
合成樹脂でモールド形成され外囲器の側壁を形成するケ
ース、（１０２）は上記ケースに取着され外囲器の底面
を形成する放熱金属板、 （１０３）は上記ケースの開
口部に配置された例えばエポキシ樹脂の端子保持板で、
これを貫通した電極端子板（１０４，１０４・・・）を
封着している。これら電極端子板は一端が外囲器から突
出した電極端子であり、他端は外ｒａｍ内底に設けられ
た回路基板（１０５）上の電極導出パッド（１０５ａ、
１０５ｂ・−・）に夫々接続している。また、上記回路
基板（１０５）上には上記電極導出パッドを含む回路パ
ターンが形成されるとともに、能動素子、受動素子を含
む素子（図示省略）がマウントされており、これら素子
の電極が回路パターンによって前記電極導出パッドに接
続されている。
合成樹脂でモールド形成され外囲器の側壁を形成するケ
ース、（１０２）は上記ケースに取着され外囲器の底面
を形成する放熱金属板、 （１０３）は上記ケースの開
口部に配置された例えばエポキシ樹脂の端子保持板で、
これを貫通した電極端子板（１０４，１０４・・・）を
封着している。これら電極端子板は一端が外囲器から突
出した電極端子であり、他端は外ｒａｍ内底に設けられ
た回路基板（１０５）上の電極導出パッド（１０５ａ、
１０５ｂ・−・）に夫々接続している。また、上記回路
基板（１０５）上には上記電極導出パッドを含む回路パ
ターンが形成されるとともに、能動素子、受動素子を含
む素子（図示省略）がマウントされており、これら素子
の電極が回路パターンによって前記電極導出パッドに接
続されている。
鍛工の如く形成された外１１１ｉ内には、素子１回路基
板等を雰囲気の影響から防護するために、ゲル状樹脂、
Ｎえばシリコン樹脂層（１０６ａ）で被覆され、これに
積層してキャスティング樹脂１例えばエポキシ樹脂層（
１０６ｂ）が注入されて外囲器と前記端子保持板（１０
３）とをキャスティングし気密封止を達成している。こ
のエポキシ樹脂層は硬化剤を含む流動状のエポキシ樹脂
層を注入して形成される。
板等を雰囲気の影響から防護するために、ゲル状樹脂、
Ｎえばシリコン樹脂層（１０６ａ）で被覆され、これに
積層してキャスティング樹脂１例えばエポキシ樹脂層（
１０６ｂ）が注入されて外囲器と前記端子保持板（１０
３）とをキャスティングし気密封止を達成している。こ
のエポキシ樹脂層は硬化剤を含む流動状のエポキシ樹脂
層を注入して形成される。
上記従来の構造の半導体モジュールでは、外囲器内に次
表に示すように線膨張係数の大きいゲル状樹脂層がキャ
スティング樹脂層で密封された構造になっている。この
ため、半導体モジュールの作動時の温度上昇により内圧
が上昇し、外囲器が膨らむ、この結果、電極端子板、電
極端子板と端子保持板との封着部、電極端子板と電極導
出パターンとのはんだ接合部１回路基板ないし回路パタ
ーン等に応力が発生する。特に電極端子板は伸縮された
クラックが発生したり、切断を見るなどの重大な問題が
ある。
表に示すように線膨張係数の大きいゲル状樹脂層がキャ
スティング樹脂層で密封された構造になっている。この
ため、半導体モジュールの作動時の温度上昇により内圧
が上昇し、外囲器が膨らむ、この結果、電極端子板、電
極端子板と端子保持板との封着部、電極端子板と電極導
出パターンとのはんだ接合部１回路基板ないし回路パタ
ーン等に応力が発生する。特に電極端子板は伸縮された
クラックが発生したり、切断を見るなどの重大な問題が
ある。
４詰
〔発明の目的〕
この発明は上記従来の構造の半導体モジュールの問題点
に鑑み、多層に封入された充填部材の膨張に基づく問題
を解消する改良構造を提供するものである。
に鑑み、多層に封入された充填部材の膨張に基づく問題
を解消する改良構造を提供するものである。
この発明にかかる半導体モジュールは外囲器内への充填
部材が、素子を被覆するゲル状樹脂層と。
部材が、素子を被覆するゲル状樹脂層と。
これに積層し弾性のある多孔質物質の細片層と。
これに積層し端子保持板をケースにキャスティングする
キャスティング樹脂層からなり、キャスティングにより
密封されるゲル状樹脂層の大なる膨張による変形を防止
するものである。
キャスティング樹脂層からなり、キャスティングにより
密封されるゲル状樹脂層の大なる膨張による変形を防止
するものである。
以下にこの発明の一実施例を図面を参照して説明する。
なお、説明にあたり従来と変わらない部分部分について
は図面に同じ符号をつけて示し説明を省略する。
は図面に同じ符号をつけて示し説明を省略する。
一実施例の構造を示す第１図において、外囲器内に充填
される充填部材が、素子を被覆するゲル状のシリコン樹
脂層（１０６ａ）と、端子保持板（１０３）をケース（
１０１）にキャスティングし気密封止するエポキシ樹脂
層（１０６ｂ）との間に空間を設け、半導体モジュール
の作動による温度上昇に基づく内圧の増加を吸収させる
ようにしである。すなわち、この空間を設ける手段とし
て多孔質で弾性のある 一部材層（１）にスポンジ状
のシリコンゴムを用いた。
される充填部材が、素子を被覆するゲル状のシリコン樹
脂層（１０６ａ）と、端子保持板（１０３）をケース（
１０１）にキャスティングし気密封止するエポキシ樹脂
層（１０６ｂ）との間に空間を設け、半導体モジュール
の作動による温度上昇に基づく内圧の増加を吸収させる
ようにしである。すなわち、この空間を設ける手段とし
て多孔質で弾性のある 一部材層（１）にスポンジ状
のシリコンゴムを用いた。
そして、充填にあたっては外囲器の大きさ等に基づき、
２〜ｌＯ■曽口程度に切断した第２図に示すようなもの
にした１図中、破線で示された（２，２・・・）はスポ
ンジ中の気泡の一部である。
２〜ｌＯ■曽口程度に切断した第２図に示すようなもの
にした１図中、破線で示された（２，２・・・）はスポ
ンジ中の気泡の一部である。
なお、上記多孔質で弾性のある部材としてシリコンゴム
のほか、第３図に一部を断面図で示すフィルム状プラス
チック発泡体を切断して用いても。
のほか、第３図に一部を断面図で示すフィルム状プラス
チック発泡体を切断して用いても。
第４図に断面図で示す径２〜３ｍｍのゴムボール等がよ
い。
い。
この発明は、熱膨張の大きいゲル状充填部材とキャステ
ィクーング樹脂との間に空間を設けることにより温度上
昇による内圧の増大を吸収させるようにした。この空間
を設ける手段として弾性のある多孔質物質を用いてキャ
スティング樹脂の充填を容易にした。このようにして、
外囲器の膨らむのが防止でき、膨張による伸縮のため電
極端子板のクラック、切断等のダメージを解消できた。
ィクーング樹脂との間に空間を設けることにより温度上
昇による内圧の増大を吸収させるようにした。この空間
を設ける手段として弾性のある多孔質物質を用いてキャ
スティング樹脂の充填を容易にした。このようにして、
外囲器の膨らむのが防止でき、膨張による伸縮のため電
極端子板のクラック、切断等のダメージを解消できた。
第１図はこの発明にかかる一実施例の半導体モジュール
の断面図、第２図ないし第４図は第１図の弾性のある多
孔質物質を説明するもので、第２図は斜視図、第３図お
よび第４図はいずれも断面図２第５図は従来の半導体モ
ジュールの断面図である。 １ 弾性のある多孔質物質 ２．２・・・ スポンジ中の気泡 １０１ ケース １０２ 放熱金属板 １０３ 端子保持板 １０４ 電極端子板 １０５ 回路基板
の断面図、第２図ないし第４図は第１図の弾性のある多
孔質物質を説明するもので、第２図は斜視図、第３図お
よび第４図はいずれも断面図２第５図は従来の半導体モ
ジュールの断面図である。 １ 弾性のある多孔質物質 ２．２・・・ スポンジ中の気泡 １０１ ケース １０２ 放熱金属板 １０３ 端子保持板 １０４ 電極端子板 １０５ 回路基板
Claims (1)
- 外囲器のケースに内装された素子の端子に、前記ケース
の開口部を閉塞して外囲器の一部をなす端子保持板を貫
通して設けられた端子板を接続し、かつ外囲器内に充填
部材を充填した半導体モジュールにおいて、充填部材が
、素子を被覆するゲル状樹脂層と、この樹脂層に積層し
弾性のある多孔質物質の細片層と、この細片層に積層し
た端子保持板をケースにキャスティングするキャスティ
ング樹脂層とからなることを特徴とする半導体モジュー
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26730884A JPS61145851A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26730884A JPS61145851A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145851A true JPS61145851A (ja) | 1986-07-03 |
Family
ID=17443017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26730884A Pending JPS61145851A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 半導体モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145851A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02240951A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2008031370A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul für die energieverteilung mit explosionsschutz |
| WO2016120997A1 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| EP3511977A1 (en) * | 2018-01-16 | 2019-07-17 | Infineon Technologies AG | Semiconductor module and method for producing the same |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP26730884A patent/JPS61145851A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02240951A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2008031370A1 (de) * | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleitermodul für die energieverteilung mit explosionsschutz |
| WO2016120997A1 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| CN107210270A (zh) * | 2015-01-27 | 2017-09-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体模块 |
| US10224257B2 (en) | 2015-01-27 | 2019-03-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor module |
| CN107210270B (zh) * | 2015-01-27 | 2019-12-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体模块 |
| EP3511977A1 (en) * | 2018-01-16 | 2019-07-17 | Infineon Technologies AG | Semiconductor module and method for producing the same |
| US11121004B2 (en) | 2018-01-16 | 2021-09-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module and method for producing the same |
| US11848213B2 (en) | 2018-01-16 | 2023-12-19 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module having a layer that includes inorganic filler and a casting material |
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