JPS6338796B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6338796B2 JPS6338796B2 JP2520181A JP2520181A JPS6338796B2 JP S6338796 B2 JPS6338796 B2 JP S6338796B2 JP 2520181 A JP2520181 A JP 2520181A JP 2520181 A JP2520181 A JP 2520181A JP S6338796 B2 JPS6338796 B2 JP S6338796B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pattern
- magnetic
- conductor
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 16
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンテイギユアス・デイスク・バブ
ル分割・消去器（以下リプリケータアナイアレー
タと称する）に関する。
ル分割・消去器（以下リプリケータアナイアレー
タと称する）に関する。
従来、磁気バブル素子において、磁気バブル
（以下単にバブルと称する）を転送させるために、
Ｔバーパタン、YYパタン、あるいは非対称シエ
ブロンパタンなどの形状のパーマロイ素片を磁性
ガーネツト上に形成していた（以下パーマロイデ
バイスと称する）。しかし、このようなパーマロ
イ転送パタンを用いた磁気バブル素子において
は、バブル径を2μｍ程度以下に小さくすること
は、バタンを形成するリソグラフイ技術や駆動技
術の点で大変困難となつてきた。そこで、これ以
上の高密度磁気バブル素子を得る方法としてコン
テイギユアス・デイスク・バブル素子（以下CD
デバイスと称する）が提案された。
（以下単にバブルと称する）を転送させるために、
Ｔバーパタン、YYパタン、あるいは非対称シエ
ブロンパタンなどの形状のパーマロイ素片を磁性
ガーネツト上に形成していた（以下パーマロイデ
バイスと称する）。しかし、このようなパーマロ
イ転送パタンを用いた磁気バブル素子において
は、バブル径を2μｍ程度以下に小さくすること
は、バタンを形成するリソグラフイ技術や駆動技
術の点で大変困難となつてきた。そこで、これ以
上の高密度磁気バブル素子を得る方法としてコン
テイギユアス・デイスク・バブル素子（以下CD
デバイスと称する）が提案された。
コンテイギユアス・デイスク・パタンを用いた
バブルの転送に関しての基本概念は、エー・アイ
ピー・コンフアレンス・プロシーデイングズ
（A.I.P Conference Proceedings）第10号第339
ページ（1973年）にウエルフエらの論文として述
べられている。また、コンテイギユアス・デイス
ク・バブル素子の構成に関しては、IBMのリン
らによるアイ・イー・イー・イー・トランザクシ
ヨンズ・オン・マグネテイクス（IEEE Trans.
on Magnetics）第15巻第1642ページ（1979年）
やベル研究所のネルソンらによるザ・ベル・シス
テム・テクニカル・ジヤーナル（The Bell
System Technical Journal）第59巻第229ペー
ジ（1980年）などの論文に詳しく述べられている
通りである。
バブルの転送に関しての基本概念は、エー・アイ
ピー・コンフアレンス・プロシーデイングズ
（A.I.P Conference Proceedings）第10号第339
ページ（1973年）にウエルフエらの論文として述
べられている。また、コンテイギユアス・デイス
ク・バブル素子の構成に関しては、IBMのリン
らによるアイ・イー・イー・イー・トランザクシ
ヨンズ・オン・マグネテイクス（IEEE Trans.
on Magnetics）第15巻第1642ページ（1979年）
やベル研究所のネルソンらによるザ・ベル・シス
テム・テクニカル・ジヤーナル（The Bell
System Technical Journal）第59巻第229ペー
ジ（1980年）などの論文に詳しく述べられている
通りである。
本発明にかかるバブルのリプリケータに関する
記述は、前記文献ザ・ベル・システム・テクニカ
ル・ジヤーナルに存在する。しかし、この文献に
ある素子では、バブルの分割ができなかつたこと
が記述されている。また、バブルのリプリケータ
アナイアレータは、パーマロイデバイスでは各種
の方法が考案され実用されており、素子の信頼性
向上に役立つている。
記述は、前記文献ザ・ベル・システム・テクニカ
ル・ジヤーナルに存在する。しかし、この文献に
ある素子では、バブルの分割ができなかつたこと
が記述されている。また、バブルのリプリケータ
アナイアレータは、パーマロイデバイスでは各種
の方法が考案され実用されており、素子の信頼性
向上に役立つている。
しかるに、CDデバイスにおけるリプリケー
タ・アナイアレータは未開発であり、これを開発
することは、CDデバイスがパーマロイデバイス
と同等の構成を達成する上で重要な要因である。
タ・アナイアレータは未開発であり、これを開発
することは、CDデバイスがパーマロイデバイス
と同等の構成を達成する上で重要な要因である。
本発明の目的は、新しく開発されたコンテイギ
ユアス・デイスク・バブル分割・消去器を提供す
ることにある。
ユアス・デイスク・バブル分割・消去器を提供す
ることにある。
本発明によれば、磁性ガーネツト膜上に形成さ
れたコンテイギユアス・バブル素子におけるイオ
ン注入転送パターン間に磁気バブルを拡張および
消去するための第１の導体を配置し、かつ前記第
１の導体に交差するように磁気バブルを分割する
ための第２の導体を絶縁膜を介して配置したこと
を特徴とするコンテイギユアス・デイスク・バブ
ル分割・消去器が得られる。
れたコンテイギユアス・バブル素子におけるイオ
ン注入転送パターン間に磁気バブルを拡張および
消去するための第１の導体を配置し、かつ前記第
１の導体に交差するように磁気バブルを分割する
ための第２の導体を絶縁膜を介して配置したこと
を特徴とするコンテイギユアス・デイスク・バブ
ル分割・消去器が得られる。
次に図面を参照して本発明の実施例について説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示すパターン
配置図である。イオン注入パターンの形成方法は
公知である。イオン注入により形成された２本の
イオン注入転送パターン１，１′にバブルを拡張
および分割するための拡張・消去導体パターン２
および分割導体パターン３を互いに交差するよう
に別々の層に絶縁層をはさんで配置して構成され
る。次に本発明の動作原理を図を使つて説明す
る。第２図ａは回転磁界HRが矢印の方向に加わ
つたときの状態を示す。このときイオン注入転送
パターン１，１′にチヤージド・ウオールCWが
安定となる。バブルＢ０はこのチヤージド・ウオ
ールCWに引きつけられて動く。第２図ｂはバブ
ルＢ０が拡張・消去導体パターン２の位置にある
とき、前記導体パターン２に拡張電流Isを流した
状態を示す。前記電流Isによる磁界のためバブル
Ｂ０は拡張され、イオン注入転送パターン１の近
傍のチヤージド・ウオールCWとイオン注入転送
パターン１′の近傍チヤージド・ウオールCWに
またがつて安定となる。続いて第２図ｃは第２図
ｂに示したバブルＢ０を拡張した状態で、前記拡
張・消去導体パターン２に交差するように配置さ
れた分割導体パターン３に分割電流Icを流したと
きの状態を示す。分割電流Icは分割導体パターン
３のループの内側にバブルＢ０を消す方向の磁界
が発生するように流す。この磁界により拡張され
たバブルＢ０は、２つに分割されてバブルＢ１，
Ｂ２となる。次に第２図ｄはすべての電流Is，Ic
を切り、２つに分割されたバブルＢ１，Ｂ２がイ
オン注入パターン１，１′のそれぞれに発生して
いるチヤージド・ウオールCWの位置で安定とな
つたときの状態を示す。このように、２本のイオ
ン注入転送パターンに互いに交差するように２つ
の導体パターンを配置し、拡張・分割の電流を加
えることにより、バブルの分割が可能となる。ま
た、この第１の実施例の方法ではバブルを拡張し
た状態に保持するのは、前記電流Isによる磁界で
あるため、バブルが拡張しにくい高バイアス磁界
でも十分に動作が可能であり、リプリケータとし
ての動作マージンをチヤージド・ウオールのみを
用いたものに比べ、広くとることができる。
配置図である。イオン注入パターンの形成方法は
公知である。イオン注入により形成された２本の
イオン注入転送パターン１，１′にバブルを拡張
および分割するための拡張・消去導体パターン２
および分割導体パターン３を互いに交差するよう
に別々の層に絶縁層をはさんで配置して構成され
る。次に本発明の動作原理を図を使つて説明す
る。第２図ａは回転磁界HRが矢印の方向に加わ
つたときの状態を示す。このときイオン注入転送
パターン１，１′にチヤージド・ウオールCWが
安定となる。バブルＢ０はこのチヤージド・ウオ
ールCWに引きつけられて動く。第２図ｂはバブ
ルＢ０が拡張・消去導体パターン２の位置にある
とき、前記導体パターン２に拡張電流Isを流した
状態を示す。前記電流Isによる磁界のためバブル
Ｂ０は拡張され、イオン注入転送パターン１の近
傍のチヤージド・ウオールCWとイオン注入転送
パターン１′の近傍チヤージド・ウオールCWに
またがつて安定となる。続いて第２図ｃは第２図
ｂに示したバブルＢ０を拡張した状態で、前記拡
張・消去導体パターン２に交差するように配置さ
れた分割導体パターン３に分割電流Icを流したと
きの状態を示す。分割電流Icは分割導体パターン
３のループの内側にバブルＢ０を消す方向の磁界
が発生するように流す。この磁界により拡張され
たバブルＢ０は、２つに分割されてバブルＢ１，
Ｂ２となる。次に第２図ｄはすべての電流Is，Ic
を切り、２つに分割されたバブルＢ１，Ｂ２がイ
オン注入パターン１，１′のそれぞれに発生して
いるチヤージド・ウオールCWの位置で安定とな
つたときの状態を示す。このように、２本のイオ
ン注入転送パターンに互いに交差するように２つ
の導体パターンを配置し、拡張・分割の電流を加
えることにより、バブルの分割が可能となる。ま
た、この第１の実施例の方法ではバブルを拡張し
た状態に保持するのは、前記電流Isによる磁界で
あるため、バブルが拡張しにくい高バイアス磁界
でも十分に動作が可能であり、リプリケータとし
ての動作マージンをチヤージド・ウオールのみを
用いたものに比べ、広くとることができる。
次にバブルの消去動作について説明する。第３
図ａに示すように、バブルＢ０がイオン注入転送
パターン１′上で拡張・消去導体パターン２のル
ープ内側にあるとき、第３図ｂに示すように、前
記導体パターン２にこのループ内側にバブルを消
去するような方向の磁界が発生するように電流IA
を流すと、前記導体パターン２による磁界のため
バブルは消去される。
図ａに示すように、バブルＢ０がイオン注入転送
パターン１′上で拡張・消去導体パターン２のル
ープ内側にあるとき、第３図ｂに示すように、前
記導体パターン２にこのループ内側にバブルを消
去するような方向の磁界が発生するように電流IA
を流すと、前記導体パターン２による磁界のため
バブルは消去される。
このように、イオン注入転送パターンにバブル
を拡張消去するための導体パターンと分割するた
めの導体パターンを互に交差するように配置する
ことによつて、バブルの分割および消去が可能と
なる。
を拡張消去するための導体パターンと分割するた
めの導体パターンを互に交差するように配置する
ことによつて、バブルの分割および消去が可能と
なる。
動作の説明は、バブルがイオン注入転送パター
ン１′にある場合についてのみ行なつたが、バブ
ルがイオン注入転送パターン１にある場合につい
ても同様の動作で、バブルの分割および消去が可
能であることはいうまでもない。
ン１′にある場合についてのみ行なつたが、バブ
ルがイオン注入転送パターン１にある場合につい
ても同様の動作で、バブルの分割および消去が可
能であることはいうまでもない。
第４図、第５図および第６図は、本発明の第
２、第３および第４の実施例を示すパターン配置
図である。第４図はイオン注入転送パターンの曲
り角の部分でバブルを分割・消去するもので、第
５図および第６図は、転送パターンループ間でバ
ブルを分割・消去するものである。それぞれの動
作原理は前述した第１の実施例のものと同じであ
る。
２、第３および第４の実施例を示すパターン配置
図である。第４図はイオン注入転送パターンの曲
り角の部分でバブルを分割・消去するもので、第
５図および第６図は、転送パターンループ間でバ
ブルを分割・消去するものである。それぞれの動
作原理は前述した第１の実施例のものと同じであ
る。
本発明によれば、従来開発されていなかつた、
同一のパターン配置で磁気バブルの分割と消去と
を実現できるコンテイギユアス・デイスク・バブ
ル分割・消去器が得られる。
同一のパターン配置で磁気バブルの分割と消去と
を実現できるコンテイギユアス・デイスク・バブ
ル分割・消去器が得られる。
第１図、第４図〜第６図は、本発明のコンテイ
ギユアス・デイスク・バブル分割・消去器の第１
〜第４の実施例を示すパターン配置図、第２図ａ
〜ｄ、第３図ａ〜ｂは、第１図の動作を示す状態
図である。 １，１′……イオン注入転送パターン、２……
拡張・消去導体パターン、３……分割導体パター
ン、CW……チヤージド・ウオール、Ｂ０，Ｂ
１，Ｂ２……磁気バブル。
ギユアス・デイスク・バブル分割・消去器の第１
〜第４の実施例を示すパターン配置図、第２図ａ
〜ｄ、第３図ａ〜ｂは、第１図の動作を示す状態
図である。 １，１′……イオン注入転送パターン、２……
拡張・消去導体パターン、３……分割導体パター
ン、CW……チヤージド・ウオール、Ｂ０，Ｂ
１，Ｂ２……磁気バブル。
Claims (1)
- １ 磁性ガーネツト膜上に、形成されたコイテイ
ギユアス・デイスク・バブル素子におけるイオン
注入転送パターン間に磁気バブルを拡張および消
去するための第１の導体を配置し、かつ前記第１
の導体に交差するように磁気バブルを分割するた
めの第２の導体を絶縁膜を介して配置したことを
特徴とする、コンテイギユアス・デイスク・バブ
ル分割・消去器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2520181A JPS57141092A (en) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | Contiguous disc bubble divider and eraser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2520181A JPS57141092A (en) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | Contiguous disc bubble divider and eraser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57141092A JPS57141092A (en) | 1982-09-01 |
| JPS6338796B2 true JPS6338796B2 (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=12159330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2520181A Granted JPS57141092A (en) | 1981-02-23 | 1981-02-23 | Contiguous disc bubble divider and eraser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57141092A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04112783A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Tokushima Seiko Kk | 麹乾燥装置 |
| US11709940B2 (en) | 2019-03-18 | 2023-07-25 | Nec Corporation | Firmware rewriting apparatus, firmware rewriting method, and non-transitory computer readable medium storing program |
-
1981
- 1981-02-23 JP JP2520181A patent/JPS57141092A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04112783A (ja) * | 1990-09-03 | 1992-04-14 | Tokushima Seiko Kk | 麹乾燥装置 |
| US11709940B2 (en) | 2019-03-18 | 2023-07-25 | Nec Corporation | Firmware rewriting apparatus, firmware rewriting method, and non-transitory computer readable medium storing program |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57141092A (en) | 1982-09-01 |
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