JPS586576A - コンテイギユアス・デイスク・バブル検出・消去器 - Google Patents
コンテイギユアス・デイスク・バブル検出・消去器Info
- Publication number
- JPS586576A JPS586576A JP56103071A JP10307181A JPS586576A JP S586576 A JPS586576 A JP S586576A JP 56103071 A JP56103071 A JP 56103071A JP 10307181 A JP10307181 A JP 10307181A JP S586576 A JPS586576 A JP S586576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- detector
- pattern
- permalloy
- detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンティギ為アス・ディスク・バブル素子Kか
ける磁気バブル検出・消去器に関するもOである・ 従来、ll気バブル素子Kかいて、磁気バブル似下参に
バブルと称する)を転送させる丸めKh”−Iパターン
、YYパターン、あるいは非対称シェグーンバターンな
どの形状Oパーマロイ素片をil性ガーネット上に形成
してい九・しかし、このようなパーマロイ転送パターン
を用い−k11気パズル嵩子においては、バブル掻を2
5m1lt以下に小さくする仁とは、パターンを形成す
るリソダツフィ技術中駆動技術の点で大変困難とな、て
龜九。
ける磁気バブル検出・消去器に関するもOである・ 従来、ll気バブル素子Kかいて、磁気バブル似下参に
バブルと称する)を転送させる丸めKh”−Iパターン
、YYパターン、あるいは非対称シェグーンバターンな
どの形状Oパーマロイ素片をil性ガーネット上に形成
してい九・しかし、このようなパーマロイ転送パターン
を用い−k11気パズル嵩子においては、バブル掻を2
5m1lt以下に小さくする仁とは、パターンを形成す
るリソダツフィ技術中駆動技術の点で大変困難とな、て
龜九。
そζで、これ以上の高置ll!−気パプル素子を得る方
法として、コンティギ為アス・ディスク・バブル素子(
以下CDデバイスと称する)が提案された・ コンティギ島アス参ディスク・パターンを尾い九バブル
の転送Kllする基本概念は、ニー・アイビー−コンフ
ァレンス−y■t/−fインク厚(ム轡I * P
Conf@rence Preceedlmgs)
II 1 0 号1−1【ss9ページ(1973年
)Kクエルフェらの論文として述べられている・ま九、
CDデバイス041成に勇しては、IBMのリンらによ
るアイ・イー・イー・イー・トランずクシ冒ンズ・オン
・マグネ94りx (I BH’HTrans、on
Magnet 1cm) 1111811菖1642ぺ
一/(11178年)やベル研究所Oネルソンらによる
。ず・ベル・システム・テクニカル・ジャーナル(’!
’he Bel l 8ystan Tachn−轟c
al Journal ) IIS 9巻i@ 221
1ページ(1980都)1どの論文に詳しく述べられて
いる通りであ為・ 本実鳴けこのCDデバイスにおけるバブルの検出・消去
1m)K関し、その目的は高速かつ高能率のバブル検出
・消去器を提供することKある・′eLにllI!lを
参照して詳細に、説明する・第1図線バブル検出器消去
器の従来例を示すパターン配置図である。イオン注入膜
くターンの廖成方法紘よく知られているので省略する。
法として、コンティギ為アス・ディスク・バブル素子(
以下CDデバイスと称する)が提案された・ コンティギ島アス参ディスク・パターンを尾い九バブル
の転送Kllする基本概念は、ニー・アイビー−コンフ
ァレンス−y■t/−fインク厚(ム轡I * P
Conf@rence Preceedlmgs)
II 1 0 号1−1【ss9ページ(1973年
)Kクエルフェらの論文として述べられている・ま九、
CDデバイス041成に勇しては、IBMのリンらによ
るアイ・イー・イー・イー・トランずクシ冒ンズ・オン
・マグネ94りx (I BH’HTrans、on
Magnet 1cm) 1111811菖1642ぺ
一/(11178年)やベル研究所Oネルソンらによる
。ず・ベル・システム・テクニカル・ジャーナル(’!
’he Bel l 8ystan Tachn−轟c
al Journal ) IIS 9巻i@ 221
1ページ(1980都)1どの論文に詳しく述べられて
いる通りであ為・ 本実鳴けこのCDデバイスにおけるバブルの検出・消去
1m)K関し、その目的は高速かつ高能率のバブル検出
・消去器を提供することKある・′eLにllI!lを
参照して詳細に、説明する・第1図線バブル検出器消去
器の従来例を示すパターン配置図である。イオン注入膜
くターンの廖成方法紘よく知られているので省略する。
gX図を1@−てバブル検出・消去@00外を説明する
と。
と。
イオン注入パターンlにそりて転送されてIIiえバブ
ルBが、バブルを拡大・消去するためのへアビン状導体
30内MEき九とき、導体3にバブルを拡大する方向(
バイアス−界と逆方向)の磁界を発生するように電流を
流す・仁の磁界によりてバブルBは導体内側を拡大され
、薄膜パーツロイ膜で作られたバブル検出器4に達する
。
ルBが、バブルを拡大・消去するためのへアビン状導体
30内MEき九とき、導体3にバブルを拡大する方向(
バイアス−界と逆方向)の磁界を発生するように電流を
流す・仁の磁界によりてバブルBは導体内側を拡大され
、薄膜パーツロイ膜で作られたバブル検出器4に達する
。
バブル検出器の出力は拡大され九バブルの長さが、バブ
ル検出量の長さになり死時に最大とな)出力は飽和する
・ζO小出力飽和するまでの時間は、バブルを拡大しな
ければならない長さLと。
ル検出量の長さになり死時に最大とな)出力は飽和する
・ζO小出力飽和するまでの時間は、バブルを拡大しな
ければならない長さLと。
パブ色材料の持りている麹和速tvpKよりて決められ
る。第i riao*o場会のようにバブルを一方向に
拡大する時の飽和時間at =、L/Vpとなる。
る。第i riao*o場会のようにバブルを一方向に
拡大する時の飽和時間at =、L/Vpとなる。
代表的な一例を用いて時間型を計算するとvp、、、4
G(−4cc)# L−100(aim)よj)tm
ls(asec)となる、これは周波数400(KHz
)の−周期に対応するが、*@O検出は限られ九期関内
に行なわなけれげならないため、使用できる周波数は1
OO(社i)以下に低下すゐ・出力O飽和値を用いなけ
れば周波数は上げられるが、出力が小さくなるため信頼
性が暴くなる・ 會九、菖1■OようにバブルO転送路とパーマロイ検出
器が離れていると、拡大され九バブルがパーfftlイ
検出器に違するまで時間が必要とな;さらKIN―馬技
数限界を低下させてしまう、バブル消−II!紘拡大と
逆方向のパルスwisiを加えると七によ)行をう・ 無雪■は本実@になるバブル検出・消去1)0111め
実施例である・これは、パーマロイ検出器をバブル転送
路パターンと交差して直交するようにそO両軸に配置し
たことと、転送パターン形成とは^亀るイオン注入条件
を持つた部分(検出領域部と呼ぶ)!をパーマロイ検出
部に設#!tItヒとを畳徽とし、これによ〕、高遮か
つ高能率の検出・iI*器を実現し九4ので番る・ s#Cおいて、バブル転送パターン配置図りで転送喋れ
て暑九バブルが*”1m又は82に参る時ヘアピン状導
体3にパズル拡大電流パルスを加えるとバブルは導体パ
ターン30内儒にそりて拡大1れる・パーマμイ検出1
jk4紘転送パターンIK交差して配置されているため
、拡大パルスsmが加えられ、バブルが拡大し始めると
同時に、出力が発生する−また。バブルを拡大される方
向は2方向(rlIAでは上下方向)であるため、バブ
ル拡大に必要な時間を手分に短縮することができる・さ
らにパーマロイ検出器4のある部分に@定された大きさ
の構出領域s2を設けたことによ)、拡大されたバブル
からの浮遊磁束を有効にパーマロイ検出94に作用させ
ることができる。これはイオン注入膜による磁束シール
ド効果を軽減しえことによる・ バブル消去は従来例と同機に逆方向電流パルスを加える
ことによpI!現で−る。消去パルスを加えない時はバ
ブルはバブル転送路lに向うて縮小し、バブル転送MI
Kもと9九後、パーマロイ検出器4外に転送される會 こOようにバブルの拡大方向をパーマロイ検出器40両
側にすること、艮びバーYEIイ検出器部に限定された
大きさの検出fI域I12を設けることによル、高魂、
高能率のバブル検出・消去器が実構で自重・ msam#i本発−の他本実sisを示しえもOで参る
。第3■は、A−マ誼イ機出・消去器を、バブル転送s
Oまが9角に配置し丸もので参る。これもg*aiと同
じように、バブルB$まが)角に来死時、ヘアピン状導
体Sにバブル拡大電流パルスを流すととによシ、バブル
は検出器4に沿りて両側に拡大すゐ、バブル検出終了後
、鉱大亀癒パルスとは道内龜O消去電流パルスを纏える
ことによ)バブルな消去する。これも前述実施例と岡じ
ように検出*に@’iiLされ丸領域をもつ検出領域部
2を置け、イオン注入謳による磁束シールド効果を一減
することによル轟能率を達成で自る・以上Oように、本
実@によれば従来■薙IIiれてvh−に検出・消去器
に比べ、高遮かつ高能率OパブkIIII蟲・消去器が
lIbれる。
G(−4cc)# L−100(aim)よj)tm
ls(asec)となる、これは周波数400(KHz
)の−周期に対応するが、*@O検出は限られ九期関内
に行なわなけれげならないため、使用できる周波数は1
OO(社i)以下に低下すゐ・出力O飽和値を用いなけ
れば周波数は上げられるが、出力が小さくなるため信頼
性が暴くなる・ 會九、菖1■OようにバブルO転送路とパーマロイ検出
器が離れていると、拡大され九バブルがパーfftlイ
検出器に違するまで時間が必要とな;さらKIN―馬技
数限界を低下させてしまう、バブル消−II!紘拡大と
逆方向のパルスwisiを加えると七によ)行をう・ 無雪■は本実@になるバブル検出・消去1)0111め
実施例である・これは、パーマロイ検出器をバブル転送
路パターンと交差して直交するようにそO両軸に配置し
たことと、転送パターン形成とは^亀るイオン注入条件
を持つた部分(検出領域部と呼ぶ)!をパーマロイ検出
部に設#!tItヒとを畳徽とし、これによ〕、高遮か
つ高能率の検出・iI*器を実現し九4ので番る・ s#Cおいて、バブル転送パターン配置図りで転送喋れ
て暑九バブルが*”1m又は82に参る時ヘアピン状導
体3にパズル拡大電流パルスを加えるとバブルは導体パ
ターン30内儒にそりて拡大1れる・パーマμイ検出1
jk4紘転送パターンIK交差して配置されているため
、拡大パルスsmが加えられ、バブルが拡大し始めると
同時に、出力が発生する−また。バブルを拡大される方
向は2方向(rlIAでは上下方向)であるため、バブ
ル拡大に必要な時間を手分に短縮することができる・さ
らにパーマロイ検出器4のある部分に@定された大きさ
の構出領域s2を設けたことによ)、拡大されたバブル
からの浮遊磁束を有効にパーマロイ検出94に作用させ
ることができる。これはイオン注入膜による磁束シール
ド効果を軽減しえことによる・ バブル消去は従来例と同機に逆方向電流パルスを加える
ことによpI!現で−る。消去パルスを加えない時はバ
ブルはバブル転送路lに向うて縮小し、バブル転送MI
Kもと9九後、パーマロイ検出器4外に転送される會 こOようにバブルの拡大方向をパーマロイ検出器40両
側にすること、艮びバーYEIイ検出器部に限定された
大きさの検出fI域I12を設けることによル、高魂、
高能率のバブル検出・消去器が実構で自重・ msam#i本発−の他本実sisを示しえもOで参る
。第3■は、A−マ誼イ機出・消去器を、バブル転送s
Oまが9角に配置し丸もので参る。これもg*aiと同
じように、バブルB$まが)角に来死時、ヘアピン状導
体Sにバブル拡大電流パルスを流すととによシ、バブル
は検出器4に沿りて両側に拡大すゐ、バブル検出終了後
、鉱大亀癒パルスとは道内龜O消去電流パルスを纏える
ことによ)バブルな消去する。これも前述実施例と岡じ
ように検出*に@’iiLされ丸領域をもつ検出領域部
2を置け、イオン注入謳による磁束シールド効果を一減
することによル轟能率を達成で自る・以上Oように、本
実@によれば従来■薙IIiれてvh−に検出・消去器
に比べ、高遮かつ高能率OパブkIIII蟲・消去器が
lIbれる。
alllla、yンティギ為アス・ディスク・バブル検
出・橋去lat来例を示すパターン配I/ILllIi
。 嬉=■及び菖3−はそれぞれ本実@になるコンティギ轟
アス・ディスク・パズル検出・消去器の菖l、嬉2の実
施例を示すパターン配置図である・l・−イオン注入転
送パターン、2−検出領域部。 3−バブル拡大消去層導体パターン、4・−パーマロイ
検出器、B、Bl、Bl−バブル、L−バブル拡大の長
さ。 11図 第 2 図
出・橋去lat来例を示すパターン配I/ILllIi
。 嬉=■及び菖3−はそれぞれ本実@になるコンティギ轟
アス・ディスク・パズル検出・消去器の菖l、嬉2の実
施例を示すパターン配置図である・l・−イオン注入転
送パターン、2−検出領域部。 3−バブル拡大消去層導体パターン、4・−パーマロイ
検出器、B、Bl、Bl−バブル、L−バブル拡大の長
さ。 11図 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 iimガーネット膜上に形成書九九コンティギ。 アス・ディスク・バブル素子に′h%/hて、イオン注
入転送路に実質的に直交するようにその両側に伸びる磁
気バブル検出用パーマロイ薄膜パターンが設けられ、そ
O検出用バー”vtiイ薄艇パターンに沿りて磁気バブ
ル拡大・消去#j棒体パターンが設けられ、かつ、前記
検出用パーマロイ薄膜の一部分が位置するm性ガーネッ
ト−杜前記転送路とはイオン注入条件が鳥なっているこ
とを特徴とするコンディギ^アス・ディスク・バブル検
出・消去器・
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56103071A JPS586576A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | コンテイギユアス・デイスク・バブル検出・消去器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56103071A JPS586576A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | コンテイギユアス・デイスク・バブル検出・消去器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS586576A true JPS586576A (ja) | 1983-01-14 |
Family
ID=14344414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56103071A Pending JPS586576A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | コンテイギユアス・デイスク・バブル検出・消去器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS586576A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59170269U (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | 株式会社リコー | 周波数発電機 |
JPS6067354A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-17 | Fujitsu Ltd | 極軟質フ−プ材の自動送り装置 |
JPS6382271A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-13 | Sankyo Seisakusho:Kk | 材料送り装置 |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56103071A patent/JPS586576A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59170269U (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | 株式会社リコー | 周波数発電機 |
JPS6067354A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-17 | Fujitsu Ltd | 極軟質フ−プ材の自動送り装置 |
JPS6353101B2 (ja) * | 1983-09-19 | 1988-10-21 | Fujitsu Ltd | |
JPS6382271A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-13 | Sankyo Seisakusho:Kk | 材料送り装置 |
JPH0517141B2 (ja) * | 1986-09-22 | 1993-03-08 | Sankyo Seisakusho Kk |
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