JPS5998384A - 磁気記憶素子 - Google Patents
磁気記憶素子Info
- Publication number
- JPS5998384A JPS5998384A JP57208870A JP20887082A JPS5998384A JP S5998384 A JPS5998384 A JP S5998384A JP 57208870 A JP57208870 A JP 57208870A JP 20887082 A JP20887082 A JP 20887082A JP S5998384 A JPS5998384 A JP S5998384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- domain
- vbl
- information
- magnetic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は膜面垂直方向を磁化容易方向とする軟磁性体薄
膜に形成されるストライプドメインの境界を形成するブ
ロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する垂面プロッホラ
インを記憶単位として用いた磁気記憶素子に関し、よシ
詳しくは、ストライプドメイン周辺の磁壁に存在する垂
直プロッホライン（以下ＶＢＬと略す）の位置を安定化
する磁気記憶素子に１関する。
膜に形成されるストライプドメインの境界を形成するブ
ロッホ磁壁の中に静的に安定に存在する垂面プロッホラ
インを記憶単位として用いた磁気記憶素子に関し、よシ
詳しくは、ストライプドメイン周辺の磁壁に存在する垂
直プロッホライン（以下ＶＢＬと略す）の位置を安定化
する磁気記憶素子に１関する。
磁気バブル素子の開発は高密度化、高速度化を１指して
各所でパーマロイデバイス、イオン注入コンティギーア
スディスクデバイス、電流駆動デバイスおよびこれらを
組合せだいわゆる混成型デバイスについて盛んに行われ
ている。これらのデバイスの高密度化の限界はパズル転
送路を形成するだめのフォトリソグラフィー技術にある
といわれてきた。しかし、近年、その技術が長足に進歩
してきた。その結果、高密度化のための材料すなわち、
バブル径をどこまで小さくできるかが問題視されるよう
Ｋｆｘってきた。現在使用されているガーネット材料で
は、到達可能な最小バブル径は０．３μｍといわれてい
る。したがって、０．３μｍ径以下のバブルを保持する
バブル材料はガーネット材料以外に求めなければならな
い。これはそれほど容易な話ではなく、ここがバブル高
密度化の限界であるとさえ考えられている。
各所でパーマロイデバイス、イオン注入コンティギーア
スディスクデバイス、電流駆動デバイスおよびこれらを
組合せだいわゆる混成型デバイスについて盛んに行われ
ている。これらのデバイスの高密度化の限界はパズル転
送路を形成するだめのフォトリソグラフィー技術にある
といわれてきた。しかし、近年、その技術が長足に進歩
してきた。その結果、高密度化のための材料すなわち、
バブル径をどこまで小さくできるかが問題視されるよう
Ｋｆｘってきた。現在使用されているガーネット材料で
は、到達可能な最小バブル径は０．３μｍといわれてい
る。したがって、０．３μｍ径以下のバブルを保持する
バブル材料はガーネット材料以外に求めなければならな
い。これはそれほど容易な話ではなく、ここがバブル高
密度化の限界であるとさえ考えられている。
一方、このようなバブル保持層の特性に基く高密度化限
界を大幅に改善し、かつ、情報読出し時間は従来の素子
と同程度に保つことができる、新らたな記憶素子が提案
さ・れている。この磁気記憶素子は情報読出し手段と情
報書込み手段と情報蓄積手段を伽え、膜面に垂直な方向
を磁化容易方向とする強磁性体膜（フェリ磁性体膜を含
む）に存在子るストライプドメインの周辺のブロッホ磁
壁の中に作った相隣合う蚕直プロッホライン対全記憶情
報早位として用い、該垂直プロッホライン全ブロッホ磁
壁内で転送する手段を有することを特徴とする。
界を大幅に改善し、かつ、情報読出し時間は従来の素子
と同程度に保つことができる、新らたな記憶素子が提案
さ・れている。この磁気記憶素子は情報読出し手段と情
報書込み手段と情報蓄積手段を伽え、膜面に垂直な方向
を磁化容易方向とする強磁性体膜（フェリ磁性体膜を含
む）に存在子るストライプドメインの周辺のブロッホ磁
壁の中に作った相隣合う蚕直プロッホライン対全記憶情
報早位として用い、該垂直プロッホライン全ブロッホ磁
壁内で転送する手段を有することを特徴とする。
この素子の構成全メジャーマイナー構成とする場合、メ
ジャーラインでは従来通シバプルドメインを情報単位と
し、マイナーループをストライプドメインで構成し、そ
の周辺のブロッホ磁壁内に存在する垂直プロッホライン
（以下ＶＢＬという。）を情報単位とする。
ジャーラインでは従来通シバプルドメインを情報単位と
し、マイナーループをストライプドメインで構成し、そ
の周辺のブロッホ磁壁内に存在する垂直プロッホライン
（以下ＶＢＬという。）を情報単位とする。
第１図はチップの全体図である。全体の情報の流れを示
すと、まず、発生器ｌで書込まれた情報（バブルの有無
）は書込みメジャーラインを上から下へ移動する。この
情報をマイナーループ２へ記憶させるために、バブル３
の有無で示されたメジャーライン上の情報をマイナール
ープへＶＢＬＯ形でトランスファーできるように、マイ
ナーループ１ＶＢＬを保持できるブロッホ磁壁で構成す
ることが本発明の特徴であり、記憶容量の飛細的向上の
ＭＨなカギになっている。書込みライントランスファー
ゲート４により、マイナールーズにトランスファーされ
た情報（ＶＢＬ）はマイナーループを構成するストライ
プドメイン磁壁土を移動させることができる。マイナー
ループから読出しメジャーラインへの情報トランスファ
ーはＶＢＬからバブルへの変換を伴う。なお、この読出
しトランスファーゲート５はブロックレプリケータ機能
も合せ持っている。
すと、まず、発生器ｌで書込まれた情報（バブルの有無
）は書込みメジャーラインを上から下へ移動する。この
情報をマイナーループ２へ記憶させるために、バブル３
の有無で示されたメジャーライン上の情報をマイナール
ープへＶＢＬＯ形でトランスファーできるように、マイ
ナーループ１ＶＢＬを保持できるブロッホ磁壁で構成す
ることが本発明の特徴であり、記憶容量の飛細的向上の
ＭＨなカギになっている。書込みライントランスファー
ゲート４により、マイナールーズにトランスファーされ
た情報（ＶＢＬ）はマイナーループを構成するストライ
プドメイン磁壁土を移動させることができる。マイナー
ループから読出しメジャーラインへの情報トランスファ
ーはＶＢＬからバブルへの変換を伴う。なお、この読出
しトランスファーゲート５はブロックレプリケータ機能
も合せ持っている。
このようにマイナーループをバブル材料に存在するスト
ライプドメインで構成し、マイナーループ上での情報単
位としてバブルドメインの代シにＶＢＬ’ｉ用いること
によシ、従来のバブルドメインを用いた素子に比較して
約２桁の記憶＠度向上を達成できる。
ライプドメインで構成し、マイナーループ上での情報単
位としてバブルドメインの代シにＶＢＬ’ｉ用いること
によシ、従来のバブルドメインを用いた素子に比較して
約２桁の記憶＠度向上を達成できる。
この素子の構成例についてさらに詳しく説明する。メジ
ャーラインは書込み、読出しともに電流駆動方式全採用
している。
ャーラインは書込み、読出しともに電流駆動方式全採用
している。
４本の平行コンダクタ−からなる書込みトランスファー
ゲートはメジャーライン上のバブルとマイナーループを
構成するストライプドメインヘッドとの相互作用を用い
ている。メジャーラインライン上にバブルドメインがあ
ると、それにつながるマイナーループｋｔ！成している
ストライプドメインのヘッドはバブルとストライプドメ
インとの反発相互作用のため、バブルから遠ざかること
をオリ用している。書込みメジャーラインにバブルがな
いとき、マイナールーズのストライプドメイン磁壁にＶ
ＢＬ’ｉ書込む。ＶＢＬをストライプドメインヘッドに
作る手段として、ストライプドメインヘッドをそれに接
するコンダクタ−パターンにパルス電流を与えることに
ょシ、ダイナミックに移動させ、ヘッド部磁壁をダイナ
ミックコンバージョンさせることをオリ用している。こ
の方法で、 ＶＢＬが２つできるが、これらは互いに性
質が異なシ、再結合しやすい。そこで、情報を安定化で
きるようにストライプドメインの長手方向に面内磁界を
加え、ストライプドメイン側の２本のコンダクタ−によ
ってストライプドメインヘッドを切離すことによシ、ス
トライプドメイン中に２つの同じ性質のＶＢＬ’ｉ作る
。同じ性質のＶＢＬは互いに近づいても安定に存在する
。メジャーラインにバブルが存在しているところに対応
するマイナールーズのストライプドメインヘッドはバブ
ルとの反発作用のため、上記コンダクタ−パターンから
離れているため、ＶＢＬは形成されない。結果的にメジ
ャーラインの情報″１″をマイナーループ内にＶＢＬ対
がない状態としてトランスファーしたことになる。
ゲートはメジャーライン上のバブルとマイナーループを
構成するストライプドメインヘッドとの相互作用を用い
ている。メジャーラインライン上にバブルドメインがあ
ると、それにつながるマイナーループｋｔ！成している
ストライプドメインのヘッドはバブルとストライプドメ
インとの反発相互作用のため、バブルから遠ざかること
をオリ用している。書込みメジャーラインにバブルがな
いとき、マイナールーズのストライプドメイン磁壁にＶ
ＢＬ’ｉ書込む。ＶＢＬをストライプドメインヘッドに
作る手段として、ストライプドメインヘッドをそれに接
するコンダクタ−パターンにパルス電流を与えることに
ょシ、ダイナミックに移動させ、ヘッド部磁壁をダイナ
ミックコンバージョンさせることをオリ用している。こ
の方法で、 ＶＢＬが２つできるが、これらは互いに性
質が異なシ、再結合しやすい。そこで、情報を安定化で
きるようにストライプドメインの長手方向に面内磁界を
加え、ストライプドメイン側の２本のコンダクタ−によ
ってストライプドメインヘッドを切離すことによシ、ス
トライプドメイン中に２つの同じ性質のＶＢＬ’ｉ作る
。同じ性質のＶＢＬは互いに近づいても安定に存在する
。メジャーラインにバブルが存在しているところに対応
するマイナールーズのストライプドメインヘッドはバブ
ルとの反発作用のため、上記コンダクタ−パターンから
離れているため、ＶＢＬは形成されない。結果的にメジ
ャーラインの情報″１″をマイナーループ内にＶＢＬ対
がない状態としてトランスファーしたことになる。
マイナーループ内では性質が同じＶＢＬの対を１ビツト
として情報が記憶される。レプリケータ−作用の安定性
を考えてｅＶＢＬ対を使っている。
として情報が記憶される。レプリケータ−作用の安定性
を考えてｅＶＢＬ対を使っている。
マイナーループ内のビット周期っまシ、ＶＢＬ間隔全一
定に保つように、１ビツトずつ遂次転送できるように転
送パターンをつける。−例として、上記マイナーループ
を構成するストライプドメイン上にストライプドメイン
の長手方向に直角方向にＶＢＬ間の安定間隔Ｓ。の２倍
の周期で、幅Ｓ。のパーマロイ薄膜で作った平行細ｉ祿
パターンを形成し、千行構線の両側に誘起される磁極と
ＶＢＬとの相互作用をオリ用している。
定に保つように、１ビツトずつ遂次転送できるように転
送パターンをつける。−例として、上記マイナーループ
を構成するストライプドメイン上にストライプドメイン
の長手方向に直角方向にＶＢＬ間の安定間隔Ｓ。の２倍
の周期で、幅Ｓ。のパーマロイ薄膜で作った平行細ｉ祿
パターンを形成し、千行構線の両側に誘起される磁極と
ＶＢＬとの相互作用をオリ用している。
ＶＢＬのマイナールーズに沿っての転送は一つの方法と
して、ストライプドメインにパルスバイアス磁界を加え
てダイナミックに行なった。
して、ストライプドメインにパルスバイアス磁界を加え
てダイナミックに行なった。
３本の平行コンタツタ−からなるん“し出しトランスフ
ァーゲートはマイナーループを形成しているストライプ
ドメイン磁壁にＶＢＬとして記憶されている情報をバブ
ルに変換してメジャーラインにトランスファーアットし
、かつ、マイナーループ上の情報が破壊されないように
するレプリケータ−の働きも兼備えている。
ァーゲートはマイナーループを形成しているストライプ
ドメイン磁壁にＶＢＬとして記憶されている情報をバブ
ルに変換してメジャーラインにトランスファーアットし
、かつ、マイナーループ上の情報が破壊されないように
するレプリケータ−の働きも兼備えている。
動作原理を説明する。ＶＢＬ対で形成される１ビツトの
片割れを例えば、面内磁界を加えてストライプドメイン
ヘッドに固足する。その後コンダクタ−パターンを用い
て、このストライプドメインヘッドを幼少と９、バブル
にする。そうすると、バブルを幼少とうた後のストライ
プドメインヘッドには切りとっだＶＢＬと同じＶＢＬが
構成されるにのようなＶＢＬのレプリケート作用はマイ
ナス符号のＶＢＬに対してのみ生じる。
片割れを例えば、面内磁界を加えてストライプドメイン
ヘッドに固足する。その後コンダクタ−パターンを用い
て、このストライプドメインヘッドを幼少と９、バブル
にする。そうすると、バブルを幼少とうた後のストライ
プドメインヘッドには切りとっだＶＢＬと同じＶＢＬが
構成されるにのようなＶＢＬのレプリケート作用はマイ
ナス符号のＶＢＬに対してのみ生じる。
マイナーループのストライプドメインヘッドから幼少と
られたバブルはメジャーライン上全検出器に向けて転送
される。ここではストライプドメインヘッドにＶＢＬが
ある場合とない場合とでストライプドメインヘッドを切
９とる、パルス電流値が異なることを利用している。ス
トライプドメインヘッドにＶＢＬがない場合は切れにく
い。したがって、ストライプドメインヘッドにＶＢＬが
ある場合はメジャーラインにバブルを送シ込めるが、Ｖ
ＢＬがない場合はバブルはない。っまシ、マイナールー
プ上のＶＢＬの有無（ｉ、ｏ）は読出しメジャーライン
上ではバブルの有無に変換されている。
られたバブルはメジャーライン上全検出器に向けて転送
される。ここではストライプドメインヘッドにＶＢＬが
ある場合とない場合とでストライプドメインヘッドを切
９とる、パルス電流値が異なることを利用している。ス
トライプドメインヘッドにＶＢＬがない場合は切れにく
い。したがって、ストライプドメインヘッドにＶＢＬが
ある場合はメジャーラインにバブルを送シ込めるが、Ｖ
ＢＬがない場合はバブルはない。っまシ、マイナールー
プ上のＶＢＬの有無（ｉ、ｏ）は読出しメジャーライン
上ではバブルの有無に変換されている。
ＶＢＬ対の消去法について述べる。消云したいＶＢＬ対
ｋＷ込みメジャーライン側のマイナーループのストライ
プドメインヘッドの最近接位置におく。次に面内磁界Ｈ
ｉｐｉ加えて、消去したいＶＢＬ対と、そのとなシのＶ
ＢＬ対の片割れをストライプドメインヘッドにもっでき
て、情報書込みの腺、プラスのＶＢＬｆｆｉ切シとるだ
幼少用いた平行コンダクタ−を１史ってストライプドメ
インヘッドを幼少とる。バブルドメインを切９とったあ
とのストライプドメインヘッドには、消去したいＶＢＬ
対と共にもってきたＶＢＬがレプリケートされる。結局
、消去したいＶＢＬ対のみが消云されることに表る。
ｋＷ込みメジャーライン側のマイナーループのストライ
プドメインヘッドの最近接位置におく。次に面内磁界Ｈ
ｉｐｉ加えて、消去したいＶＢＬ対と、そのとなシのＶ
ＢＬ対の片割れをストライプドメインヘッドにもっでき
て、情報書込みの腺、プラスのＶＢＬｆｆｉ切シとるだ
幼少用いた平行コンダクタ−を１史ってストライプドメ
インヘッドを幼少とる。バブルドメインを切９とったあ
とのストライプドメインヘッドには、消去したいＶＢＬ
対と共にもってきたＶＢＬがレプリケートされる。結局
、消去したいＶＢＬ対のみが消云されることに表る。
なお、マイナーループ全体をクリアする場合は予め、バ
イアスイみ界を上げて全部のストライプドメインを一旦
消去したあと、Ｓ＝１バブルからマイナーループスドラ
イブドメイン全形成することにより、ＶＢＬが全熱々い
全ピット零の状態を作ることができる。
イアスイみ界を上げて全部のストライプドメインを一旦
消去したあと、Ｓ＝１バブルからマイナーループスドラ
イブドメイン全形成することにより、ＶＢＬが全熱々い
全ピット零の状態を作ることができる。
このようなＶＢＬメモリーにおいては、ストライプドメ
イン磁壁に存在するＶＢＬの位置を固定するあるいは規
定することが重要である。本発明の目的はＶＢＬのビッ
ト位置の安定化を図ることを目的とする。即ち本発明に
よれば情報読出し手段、情報書込み手段、及び情報蓄積
手段を備え、膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする強
磁性体膜（フェリ磁性体膜を含む）に存在するストライ
プドメインの周辺のブロッホ磁壁の中に作った相隣る２
つの垂直プロッホラインからなる垂直プロッホライン対
を記憶情報単位として用いる磁気記憶素子において、強
磁性体膜表面上のストライプドメイン周辺部のブロッホ
磁壁に対応する位置に周期的に磁性膜が形成されてなる
ことを特徴とする磁気記憶素子が得られる。
イン磁壁に存在するＶＢＬの位置を固定するあるいは規
定することが重要である。本発明の目的はＶＢＬのビッ
ト位置の安定化を図ることを目的とする。即ち本発明に
よれば情報読出し手段、情報書込み手段、及び情報蓄積
手段を備え、膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする強
磁性体膜（フェリ磁性体膜を含む）に存在するストライ
プドメインの周辺のブロッホ磁壁の中に作った相隣る２
つの垂直プロッホラインからなる垂直プロッホライン対
を記憶情報単位として用いる磁気記憶素子において、強
磁性体膜表面上のストライプドメイン周辺部のブロッホ
磁壁に対応する位置に周期的に磁性膜が形成されてなる
ことを特徴とする磁気記憶素子が得られる。
第２図は、ストライプドメイン周辺即ちループを構成す
る磁！、２１の一部を模式的に示したものである。ここ
では一対のＶＢＬ’ｉ示している。図中矢ｌｄＪは磁化
の向きである。ＶＢＬ対の周期は２Ｓｏで存在する。こ
こでＶＢＬ対の有無は情報の”１”、０”に対応する。
る磁！、２１の一部を模式的に示したものである。ここ
では一対のＶＢＬ’ｉ示している。図中矢ｌｄＪは磁化
の向きである。ＶＢＬ対の周期は２Ｓｏで存在する。こ
こでＶＢＬ対の有無は情報の”１”、０”に対応する。
ＶＢＬの磁化はストライプドメインに直交する方向を向
いているがその表面にはΦのσ磁葡とθのσ磁性が生じ
る。したがってこの磁性によシストライプドメインの表
面には第２図２２に示す方向にストレイフィールドを生
じる。本発明は、このストレイフィールドによシ、スト
ライプドメイン上に設けられた磁性膜を磁化し、′１″
に対応するＶＢＬ対を固定しビットの安定化を図るもの
である。
いているがその表面にはΦのσ磁葡とθのσ磁性が生じ
る。したがってこの磁性によシストライプドメインの表
面には第２図２２に示す方向にストレイフィールドを生
じる。本発明は、このストレイフィールドによシ、スト
ライプドメイン上に設けられた磁性膜を磁化し、′１″
に対応するＶＢＬ対を固定しビットの安定化を図るもの
である。
次に実施例を用いて本発明を一層詳細に説明する。
実施例１
第３図はストライプドメイン３１に直交する方向に、周
期的にストライプ状の磁性膜３２を設けたものである。
期的にストライプ状の磁性膜３２を設けたものである。
３３及び３４は缶報の１”に対応するＶＢＬ対である。
周期的に設けるストライプ状の磁性膜は、必らずしもス
トライプドメイン３１と直交する方向に配置させる必要
はない。ある程度傾斜させて配置した方が磁性膜の反磁
場ｋ ８Ｍ減す示すようにパーマロイ薄膜４１の上にレ
ジスト４２全塗布し、２方向から可干渉平面波光４３を
入射する光干渉法によシ周期的なパターンを形成するこ
とが有効である。このようにして得られるパターン４４
全マスクとしてイオンミリングすることにヨシ、パーマ
ロイパターンを得ることができる。
トライプドメイン３１と直交する方向に配置させる必要
はない。ある程度傾斜させて配置した方が磁性膜の反磁
場ｋ ８Ｍ減す示すようにパーマロイ薄膜４１の上にレ
ジスト４２全塗布し、２方向から可干渉平面波光４３を
入射する光干渉法によシ周期的なパターンを形成するこ
とが有効である。このようにして得られるパターン４４
全マスクとしてイオンミリングすることにヨシ、パーマ
ロイパターンを得ることができる。
この方法によれば、フォトマスクを使うことなしに０．
１μｍ程度の周期構造を比較的容易に作ることができる
。磁性膜パターンの周期λは平面波の入射角θを変える
ことにより制御できる。言うまでもなくイオンビームリ
ソグラフィや電子ビームリングラフィの技術を駆使して
、このような周期構造を作ることも可能である。
１μｍ程度の周期構造を比較的容易に作ることができる
。磁性膜パターンの周期λは平面波の入射角θを変える
ことにより制御できる。言うまでもなくイオンビームリ
ソグラフィや電子ビームリングラフィの技術を駆使して
、このような周期構造を作ることも可能である。
実施例２
第５図は周期的な磁性膜パターン構造としてドツト状の
磁性膜５１を設けたものである。磁性膜の形状は矩形で
もよいし円形でもよい。矩形状の磁性膜パターン全周期
的に設けることのできる最も簡便な方法は実施例１の第
４図で述べた光干渉法を用いて２重露光することである
。即ち第１の露光で得られる周期的構造に対して９０°
回転した方向から司干渉元を再度入射させて第２の露光
を行なうことである。レジストの現像は第１の露光及び
第２の露光を行った後にそれぞれ現像を行ってもよいし
、第２の露光を行った後に１にの現像を行なうだけでも
よい。また本実施例では周期的な母性膜はドツト状の残
レバターンについて述べたがドツト状の抜きパターンで
あっても良い。
磁性膜５１を設けたものである。磁性膜の形状は矩形で
もよいし円形でもよい。矩形状の磁性膜パターン全周期
的に設けることのできる最も簡便な方法は実施例１の第
４図で述べた光干渉法を用いて２重露光することである
。即ち第１の露光で得られる周期的構造に対して９０°
回転した方向から司干渉元を再度入射させて第２の露光
を行なうことである。レジストの現像は第１の露光及び
第２の露光を行った後にそれぞれ現像を行ってもよいし
、第２の露光を行った後に１にの現像を行なうだけでも
よい。また本実施例では周期的な母性膜はドツト状の残
レバターンについて述べたがドツト状の抜きパターンで
あっても良い。
以上述べたように本発明によれば、ストライプドメイン
上に周期的に配置された磁性膜を配置することによ、！
ｌ）、ＶＢＬのビット位置の安定化を図ることができる
。
上に周期的に配置された磁性膜を配置することによ、！
ｌ）、ＶＢＬのビット位置の安定化を図ることができる
。
第１図は本発明にかかる素子チップの全体構成図、第２
図はストライプドメイン周辺の磁壁に存在するＶＢＬの
磁区構造を模式的に示した図、第３図はＶＢＬの存在位
置の安定化を図った本発明の一実施例を示す図、第４図
は周期的構造金得るだめの光干渉法の原理を示す図、第
５図は本発明の一実施例を示す図である。 各図において １・・バブル発生器 ２・・・マイナールーズに相当するストライプドメイン
３・・・バブル ４・・・誓込みライントランスファーゲート５・・・読
出しトランスファーゲート ２１・・・ストライプドメイン周辺の磁壁３１・・スト
ライプドメイン ３２・・・磁性膜よりなるストライプ状くターン３３．
３４・・・ＶＢＬ対 ４１・・・磁性膜４２・・・
フォトレジスト ４３・・・入射平面波５１・・・磁性
膜よシなるドラトノ（ターン第４図 第 ５ 図 （；＝：：■工ニニＩ：：二）
図はストライプドメイン周辺の磁壁に存在するＶＢＬの
磁区構造を模式的に示した図、第３図はＶＢＬの存在位
置の安定化を図った本発明の一実施例を示す図、第４図
は周期的構造金得るだめの光干渉法の原理を示す図、第
５図は本発明の一実施例を示す図である。 各図において １・・バブル発生器 ２・・・マイナールーズに相当するストライプドメイン
３・・・バブル ４・・・誓込みライントランスファーゲート５・・・読
出しトランスファーゲート ２１・・・ストライプドメイン周辺の磁壁３１・・スト
ライプドメイン ３２・・・磁性膜よりなるストライプ状くターン３３．
３４・・・ＶＢＬ対 ４１・・・磁性膜４２・・・
フォトレジスト ４３・・・入射平面波５１・・・磁性
膜よシなるドラトノ（ターン第４図 第 ５ 図 （；＝：：■工ニニＩ：：二）
Claims (1)
- 情報読み出し手段と情報書込み手段と情報蓄積手段金偏
え、膜面に垂直な方向を磁化容易方向とする強磁性体膜
（フェリ磁性体膜を含む）に存在するストライプドメイ
ンの周辺のブロッホ磁壁の中に作った相隣る２つの組直
プロッホラインからなる垂直プロッホライン対を記憶情
報単位として用いる磁気記憶素子において、強研性体膜
表面上のストライプドメイン周辺部のブロッホ磁壁に対
応する位置に周期的に磁性膜が形成されてなることを特
徴とする磁気記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208870A JPS5998384A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 磁気記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208870A JPS5998384A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 磁気記憶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998384A true JPS5998384A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16563478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57208870A Pending JPS5998384A (ja) | 1982-11-29 | 1982-11-29 | 磁気記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2617629A1 (fr) * | 1987-07-02 | 1989-01-06 | Canon Kk | Memoire a ligne de bloch et procede pour transferer une ligne de bloch |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363595A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-07 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5497336A (en) * | 1977-12-29 | 1979-08-01 | Sperry Rand Corp | Bloch line memory system |
-
1982
- 1982-11-29 JP JP57208870A patent/JPS5998384A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363595A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-07 | Fujitsu Ltd | Magnetic bubble device |
| JPS5497336A (en) * | 1977-12-29 | 1979-08-01 | Sperry Rand Corp | Bloch line memory system |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2617629A1 (fr) * | 1987-07-02 | 1989-01-06 | Canon Kk | Memoire a ligne de bloch et procede pour transferer une ligne de bloch |
| US5138571A (en) * | 1987-07-02 | 1992-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for transferring a bloch line |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5998384A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5996592A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS6076079A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998373A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS6076081A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998375A (ja) | 書込みトランスフア−ゲ−ト | |
| JPS6076080A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS6066386A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998382A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998383A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5996593A (ja) | 書込みトランスフア−ゲ−ト | |
| JPS5998378A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5996591A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998386A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPH0459711B2 (ja) | ||
| JPS5998381A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS61184783A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| Lin et al. | Computer: Contiguous-element memories increase storage tenfold: An overlapping-triangle configuration for bubble memories may displace permalloy-chevron types | |
| JPS60113390A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS5998374A (ja) | 磁気記憶素子 | |
| JPS6149754B2 (ja) | ||
| JPH0526279B2 (ja) | ||
| JP2763917B2 (ja) | ブロッホラインメモリデバイス | |
| US4547865A (en) | Magnetic bubble replicator | |
| JPS6249672B2 (ja) |