JPH0146944B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0146944B2 JPH0146944B2 JP57008660A JP866082A JPH0146944B2 JP H0146944 B2 JPH0146944 B2 JP H0146944B2 JP 57008660 A JP57008660 A JP 57008660A JP 866082 A JP866082 A JP 866082A JP H0146944 B2 JPH0146944 B2 JP H0146944B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- transfer
- minor
- major
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 235000004035 Cryptotaenia japonica Nutrition 0.000 description 7
- 102000007641 Trefoil Factors Human genes 0.000 description 7
- 235000015724 Trifolium pratense Nutrition 0.000 description 7
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン注入磁気バブル素子のブロツ
ク・リプリケータ・トランスフア・ゲートに関す
るものである。
ク・リプリケータ・トランスフア・ゲートに関す
るものである。
従来、磁気バブル素子において磁気バブル（以
下単にバブルと称する）を転送させるために、Ｔ
バーパタン、YYパタンあるいは非対称シエブロ
ンパタンなどの形状のパーマロイ素片を磁性ガー
ネツト上に形成していた。（以下パーマロイデバ
イスと称する）。しかし、このようなパーマロイ
転送パタンを用いた磁気バブル素子においては、
バブル径を2μm程度以下に小さくすることは、パ
タンを形成するリソグラフイ技術や駆動技術の点
で大変困難となつてきた。そこで、これ以上の高
密度磁気バブル素子を得る方法としてイオン注入
コンデイギユアス・デイスク・バブル素子（以下
CDデバイスと称する）が提案された。
下単にバブルと称する）を転送させるために、Ｔ
バーパタン、YYパタンあるいは非対称シエブロ
ンパタンなどの形状のパーマロイ素片を磁性ガー
ネツト上に形成していた。（以下パーマロイデバ
イスと称する）。しかし、このようなパーマロイ
転送パタンを用いた磁気バブル素子においては、
バブル径を2μm程度以下に小さくすることは、パ
タンを形成するリソグラフイ技術や駆動技術の点
で大変困難となつてきた。そこで、これ以上の高
密度磁気バブル素子を得る方法としてイオン注入
コンデイギユアス・デイスク・バブル素子（以下
CDデバイスと称する）が提案された。
イオン注入層による磁気バブルの転送に関する
基本概念はエー・アイ・ピー・コンフアレンス・
プロシーデイングス（A.I.P.Conference
Proceed―ings）第10号第339ページ（1973年）
にウエルフエらの論文として述べられている。ま
た、イオン注入磁気バブルメモリ素子の構成に関
しては、IBMのリンらによるアイ・イー・イ
ー・イー・トランザクシヨンズ・オン・マグネテ
イクス（IEEE Trans.on Magnetics）第15巻第
1642ページ（1979年）や、ベル研究所のネルソン
らによるザ・ベル・システム・テクニカル・ジヤ
ーナル（The Bell System Technical Jour―
nal）第59巻第229ページ（1980年）などの論文に
詳しく述べられている通りである。
基本概念はエー・アイ・ピー・コンフアレンス・
プロシーデイングス（A.I.P.Conference
Proceed―ings）第10号第339ページ（1973年）
にウエルフエらの論文として述べられている。ま
た、イオン注入磁気バブルメモリ素子の構成に関
しては、IBMのリンらによるアイ・イー・イ
ー・イー・トランザクシヨンズ・オン・マグネテ
イクス（IEEE Trans.on Magnetics）第15巻第
1642ページ（1979年）や、ベル研究所のネルソン
らによるザ・ベル・システム・テクニカル・ジヤ
ーナル（The Bell System Technical Jour―
nal）第59巻第229ページ（1980年）などの論文に
詳しく述べられている通りである。
従来、パーマロイデバイスでは、リブリケータ
およびブロツクリブリケータが種々開発され実用
化されており、素子のサイクルタイム短縮や信頼
性の向上に役立つている。しかるに、CDデバイ
スにおけるブロツク・リブリケータは未開発であ
り、これを開発することは、CDデバイスがパー
マロイデバイスと同等の構成を達する上で重要な
要因である。
およびブロツクリブリケータが種々開発され実用
化されており、素子のサイクルタイム短縮や信頼
性の向上に役立つている。しかるに、CDデバイ
スにおけるブロツク・リブリケータは未開発であ
り、これを開発することは、CDデバイスがパー
マロイデバイスと同等の構成を達する上で重要な
要因である。
本発明の目的は新しく開発したコンテイギユア
ス・デイスク・デバイス用ブロツク・リプリケー
タを提供することにある。
ス・デイスク・デバイス用ブロツク・リプリケー
タを提供することにある。
本発明によれば、磁気バブルを保持し得る磁性
膜にイオン注入により磁気バブル転送路を形成し
任意の形状の転送パタンを互いにギヤツプを設け
て配置したメジヤー転送路を有するメジヤー・マ
イナー転送路間磁気バブル機能素子において、前
記メジヤー転送路を構成する任意の形状の転送パ
タンとマイナー転送路との距離を磁気バブル直径
の0.5倍以上２倍以下とし、前記メジヤー・マイ
ナー転送路間にメジヤー転送路と平行な方向に直
線状または波形の第１の導体パタンを前記マイナ
ー転送路の先端に接することなく配置し、かつ前
記第１の導体パタンに交差し、前記マイナー転送
路の先端部と前記メジヤー転送路を形成する任意
の形状の転送パタンとに重なり、マイナーループ
の中心線と10度以上90度以下の角度を成すヘヤピ
ン状の第２の導体パタンを絶縁層を介して各マイ
ナー転送路ごとに配置したことを特徴とする磁気
バブル分割・進路転換器が得られる。
膜にイオン注入により磁気バブル転送路を形成し
任意の形状の転送パタンを互いにギヤツプを設け
て配置したメジヤー転送路を有するメジヤー・マ
イナー転送路間磁気バブル機能素子において、前
記メジヤー転送路を構成する任意の形状の転送パ
タンとマイナー転送路との距離を磁気バブル直径
の0.5倍以上２倍以下とし、前記メジヤー・マイ
ナー転送路間にメジヤー転送路と平行な方向に直
線状または波形の第１の導体パタンを前記マイナ
ー転送路の先端に接することなく配置し、かつ前
記第１の導体パタンに交差し、前記マイナー転送
路の先端部と前記メジヤー転送路を形成する任意
の形状の転送パタンとに重なり、マイナーループ
の中心線と10度以上90度以下の角度を成すヘヤピ
ン状の第２の導体パタンを絶縁層を介して各マイ
ナー転送路ごとに配置したことを特徴とする磁気
バブル分割・進路転換器が得られる。
次に図面を参照して本発明の実施例について説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示すパタン配置図
である。イオン注入転送パタンの形成方法は公知
である。三つ葉形転送パタン１２を互いにギヤツ
プを設けて配置して構成したメジヤー転送路１０
とマイナー転送路１１の間に、各マイナー転送路
の先端に沿つてメジヤー転送路方向に波形の導体
パタン１とマイナー転送路の中心線と30度の角度
を成すヘヤピン状導体パタン２を互いに交差する
ように別々の層に絶縁層をはさんで配置して構成
される。第１図の１５は磁性ガーネツトの面内磁
化困難方向を示す記号である。また、メジヤー転
送路１０のギヤツプおよび前記三つ葉形転送パタ
ン１２とマイナー転送路１１の間のギヤツプは一
方向にしか通過できない性質を有しており、その
基本概念はジヤーナル・オブ・アプライド・フイ
ジクス（Journal of Applied Physics）第52号
第2377ページ（1981年）にウエルフエらの論文と
して述べられている通りである。
である。イオン注入転送パタンの形成方法は公知
である。三つ葉形転送パタン１２を互いにギヤツ
プを設けて配置して構成したメジヤー転送路１０
とマイナー転送路１１の間に、各マイナー転送路
の先端に沿つてメジヤー転送路方向に波形の導体
パタン１とマイナー転送路の中心線と30度の角度
を成すヘヤピン状導体パタン２を互いに交差する
ように別々の層に絶縁層をはさんで配置して構成
される。第１図の１５は磁性ガーネツトの面内磁
化困難方向を示す記号である。また、メジヤー転
送路１０のギヤツプおよび前記三つ葉形転送パタ
ン１２とマイナー転送路１１の間のギヤツプは一
方向にしか通過できない性質を有しており、その
基本概念はジヤーナル・オブ・アプライド・フイ
ジクス（Journal of Applied Physics）第52号
第2377ページ（1981年）にウエルフエらの論文と
して述べられている通りである。
次に本発明の動作原理を図を使つて説明する。
第２図ａは回転磁界HRが矢印の方向に加わつた
ときの状態を示す。図上真上を位相の基準とする
と、位相θ＝200゜である。このときマイナー転送
路１１にはチヤージド・ウオール２１が安定とな
る。各マイナー転送路のバブル２２はチヤージ
ド・ウオール２１に引きつけられて動く。ゲート
動作をしない場合は、バブル２２は矢印３１のよ
うにギヤツプを通過する。第２図ｂは位相が210゜
のとき、導体パタン１に伸張電流Isを流した状態
を示す。前記電流Isによる磁界のためバブル２２
は伸張され、導体パタン１に沿つて導体パタン２
を横切つて伸び安定となる。続いて、第２図ｃは
第２図ｂに示したバブル２２を伸張した状態で、
導体パタン２に分割電流Icを流したときの状態を
示す。分割電流Icは導体パタンのヘヤピンの内側
にバブル２２を消す方向の磁界が発生するように
流し、その波形と長さは第３図に示すような波形
と長さの電流である。第３図において分割電流Ic
の位相θ＝250゜近傍にある大きな立上り電流によ
つて発生する磁界により、伸張されたバブル２２
は各マイナー転送路上で２つに分割されてバブル
２３，２４となる。この後位相θ＝45゜まで導体
パタン２には分割電流Icの後半の部分が流れ続
け、分割導体パタンの右側にボテンシヤルの山が
出来るため、２つに分割されたバブルのうちバブ
ル２４はここで阻止される。一方、バブル２３は
チヤージド・ウオール２１に引きつけられて動き
続ける。次に第２図ｄはすべての電流Is，Icを切
つた後の状態を示す。分割されたバブルのうち前
半のバブル２３はチヤージド・ウオールに引きつ
けられて動き続け次のカスブに達する。後半のバ
ブル２４は導体パタン２の手前で阻止されていた
が、やがて三つ葉形転送パタン１２に生じるチヤ
ージド・ウオール２０に引きつけられてそこで安
定になる。その後回転磁界HRが回転するにつれ
て三つ葉形転送パタン１２に沿つて進み矢印３３
で示すようにメジヤー転送路のギヤツプを通り抜
けスーパートラツク側を移動していく。マイナー
転送路１１にはバブル２２があるべき場所にバブ
ル２３が保存され、三つ葉形パタン１２上に各マ
イナー転送路に対応したバブル２４が得られる。
したがつて、一連のバブル２４を検出した後再び
マイナー転送路にもどす必要がない。このよう
に、メジヤー・マイナー転送路の間に互いに交差
するように２つの導体パタンを配置し、伸張、分
割の電流を流すことにより、バブルの一括分割が
可能となる。また、本実施例ではバブルを伸張し
た状態に保持するのは、前記伸張電流Isによる磁
界であるため、バブルが伸張しいくい高バイアス
磁界でも十分に動作が可能である。
第２図ａは回転磁界HRが矢印の方向に加わつた
ときの状態を示す。図上真上を位相の基準とする
と、位相θ＝200゜である。このときマイナー転送
路１１にはチヤージド・ウオール２１が安定とな
る。各マイナー転送路のバブル２２はチヤージ
ド・ウオール２１に引きつけられて動く。ゲート
動作をしない場合は、バブル２２は矢印３１のよ
うにギヤツプを通過する。第２図ｂは位相が210゜
のとき、導体パタン１に伸張電流Isを流した状態
を示す。前記電流Isによる磁界のためバブル２２
は伸張され、導体パタン１に沿つて導体パタン２
を横切つて伸び安定となる。続いて、第２図ｃは
第２図ｂに示したバブル２２を伸張した状態で、
導体パタン２に分割電流Icを流したときの状態を
示す。分割電流Icは導体パタンのヘヤピンの内側
にバブル２２を消す方向の磁界が発生するように
流し、その波形と長さは第３図に示すような波形
と長さの電流である。第３図において分割電流Ic
の位相θ＝250゜近傍にある大きな立上り電流によ
つて発生する磁界により、伸張されたバブル２２
は各マイナー転送路上で２つに分割されてバブル
２３，２４となる。この後位相θ＝45゜まで導体
パタン２には分割電流Icの後半の部分が流れ続
け、分割導体パタンの右側にボテンシヤルの山が
出来るため、２つに分割されたバブルのうちバブ
ル２４はここで阻止される。一方、バブル２３は
チヤージド・ウオール２１に引きつけられて動き
続ける。次に第２図ｄはすべての電流Is，Icを切
つた後の状態を示す。分割されたバブルのうち前
半のバブル２３はチヤージド・ウオールに引きつ
けられて動き続け次のカスブに達する。後半のバ
ブル２４は導体パタン２の手前で阻止されていた
が、やがて三つ葉形転送パタン１２に生じるチヤ
ージド・ウオール２０に引きつけられてそこで安
定になる。その後回転磁界HRが回転するにつれ
て三つ葉形転送パタン１２に沿つて進み矢印３３
で示すようにメジヤー転送路のギヤツプを通り抜
けスーパートラツク側を移動していく。マイナー
転送路１１にはバブル２２があるべき場所にバブ
ル２３が保存され、三つ葉形パタン１２上に各マ
イナー転送路に対応したバブル２４が得られる。
したがつて、一連のバブル２４を検出した後再び
マイナー転送路にもどす必要がない。このよう
に、メジヤー・マイナー転送路の間に互いに交差
するように２つの導体パタンを配置し、伸張、分
割の電流を流すことにより、バブルの一括分割が
可能となる。また、本実施例ではバブルを伸張し
た状態に保持するのは、前記伸張電流Isによる磁
界であるため、バブルが伸張しいくい高バイアス
磁界でも十分に動作が可能である。
また、本実施例はトランスフア・ゲートとして
も動作させることができる。第２図ｅにおいて、
位相150゜から45゜まで導体パタン２にトランスフ
ア電流ITを流すと、発生した磁界のためバブルは
導体パタン２の手前で阻止され、三つ葉形転送パ
タン１２へトランスフア・アウトされる。一方、
トランスフア・イン動作は導体パタン２にトラン
スフア電流ITを流しメジヤー転送路のギヤツプ部
に図上で上向きの磁界勾配を発生させることによ
り、通常は矢印３２のように移動するバブルを矢
印３３のようにマイナー転送路１１へトランスフ
ア・インさせることが出来る。
も動作させることができる。第２図ｅにおいて、
位相150゜から45゜まで導体パタン２にトランスフ
ア電流ITを流すと、発生した磁界のためバブルは
導体パタン２の手前で阻止され、三つ葉形転送パ
タン１２へトランスフア・アウトされる。一方、
トランスフア・イン動作は導体パタン２にトラン
スフア電流ITを流しメジヤー転送路のギヤツプ部
に図上で上向きの磁界勾配を発生させることによ
り、通常は矢印３２のように移動するバブルを矢
印３３のようにマイナー転送路１１へトランスフ
ア・インさせることが出来る。
以上説明したきたように本発明を適用するなら
ば、マイナー転送路上のバブルを一括分割するバ
ブル分割・進路転換器が得られる。さらに本発明
は、実施例に示した円形転送パタンのみならず、
三角形、四角形その他の形状の転送パタンに対し
ても有効である。
ば、マイナー転送路上のバブルを一括分割するバ
ブル分割・進路転換器が得られる。さらに本発明
は、実施例に示した円形転送パタンのみならず、
三角形、四角形その他の形状の転送パタンに対し
ても有効である。
第１図は本発明の一実施例を示すパタン配置図
第２図ａ〜ｅは第１図の動作を示す状態図、第３
図は電流のタイミング図である。 図において、１，２は導体パタン、１０はメジ
ヤー転送路、１１はマイナー転送路、１２は三つ
葉形転送パタン、１５は面内磁化困難方向を示す
記号、２０，２１はチヤージド・ウオール、２
２，２３，２４は磁界バブル、３１，３２，３３
は磁気バブルの進路を示す矢印である。
第２図ａ〜ｅは第１図の動作を示す状態図、第３
図は電流のタイミング図である。 図において、１，２は導体パタン、１０はメジ
ヤー転送路、１１はマイナー転送路、１２は三つ
葉形転送パタン、１５は面内磁化困難方向を示す
記号、２０，２１はチヤージド・ウオール、２
２，２３，２４は磁界バブル、３１，３２，３３
は磁気バブルの進路を示す矢印である。
Claims (1)
- １ 磁気バブルを保持し得る磁性膜にイオン注入
により磁気バブル転送路を形成し、任意の形状の
転送パタンを互いにギヤツプを設けて配置したメ
ジヤー転送路を有するメジヤー・マイナー転送路
間磁気バブル機能素子において、前記メジヤー転
送路を構成する任意の形状の転送パタンとマイナ
ー転送路との距離を磁気バブル直径の0.5倍以上
２倍以下とし、前記メジヤー・マイナー転送路間
にメジヤー転送路と平行な方向に直線状または波
形の第１の導体パタンを前記マイナー転送路の先
端近傍を通るように配置し、かつ前記第１の導体
パタンに交差し、前記マイナー転送路の先端部と
前記メジヤー転送路を形成する任意の形状の転送
パタンとに重なり、マイナーループの中心線と10
度以上90度以下の角度を成すヘヤピン状の第２の
導体パタンを絶縁層を介して各マイナー転送路ご
とに配置したことを特徴とする磁気バブル分割・
進路転換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008660A JPS58128081A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008660A JPS58128081A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128081A JPS58128081A (ja) | 1983-07-30 |
| JPH0146944B2 true JPH0146944B2 (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=11699081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008660A Granted JPS58128081A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128081A (ja) |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008660A patent/JPS58128081A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58128081A (ja) | 1983-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4086572A (en) | Magnetic bubble domain replicator | |
| US3523286A (en) | Magnetic single wall domain propagation device | |
| GB1433901A (en) | Magnetic devices | |
| US4253161A (en) | Generator/shift register/detector for cross-tie wall memory system | |
| US3825885A (en) | Magnetic bubble domain system having improved operating margins | |
| US3540021A (en) | Inverted mode domain propagation device | |
| US4142250A (en) | Bubble translation switch using magnetic charged wall | |
| US4176404A (en) | Bubble memory structure with enhanced data density | |
| US4360904A (en) | Segmented stretcher detector for magnetic bubble domain devices | |
| US4253160A (en) | Nondestructive readout, random access cross-tie wall memory system | |
| US4079461A (en) | Gap tolerant bubble domain propagation circuits | |
| JPH0146944B2 (ja) | ||
| JPH0146945B2 (ja) | ||
| US4122538A (en) | Single wall domain, stripe domain memory plane | |
| US4164026A (en) | Contiguous element field access bubble lattice file | |
| CA1165874A (en) | Magnetic bubble memory | |
| US3922652A (en) | Field-accessed magnetic bubble replicator | |
| US4079359A (en) | Compact transfer replicate switch for magnetic single wall domain propagation circuits and method of making same | |
| US4042916A (en) | Magnetic bubble track crossover element | |
| US4156937A (en) | Noncirculating register for bubble memory systems | |
| US4012726A (en) | Magnetic bubble replicator | |
| JPS58146086A (ja) | ブロツク・リプリケ−タ | |
| US4403304A (en) | Replicator for ion-implanted bubble domain devices | |
| US4052708A (en) | Circular magnetic domain devices | |
| JPS6338796B2 (ja) |