JPS58128081A - 磁気バブル分割・進路転換器 - Google Patents
磁気バブル分割・進路転換器Info
- Publication number
- JPS58128081A JPS58128081A JP57008660A JP866082A JPS58128081A JP S58128081 A JPS58128081 A JP S58128081A JP 57008660 A JP57008660 A JP 57008660A JP 866082 A JP866082 A JP 866082A JP S58128081 A JPS58128081 A JP S58128081A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- transfer
- major
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン注入磁気バブル素子のブーツク・リプ
リケータ・トクンス７ア・ゲートに関するものである。
リケータ・トクンス７ア・ゲートに関するものである。
従来、磁気バブル素子において磁気バブル（以下単にバ
ブルと称する）を転送させるために、！パーバタン、Ｙ
Ｙバタンあるいは非対称シｘｆｗｙパタｙなどの形状の
パーｗａイ素片を確性ガーネット上Ｋｊｉ１ｇ成してい
た。（以下パーマ四イデバイスと称する）、シかし、こ
のようなバーＷＷイ転送パタンを用いた磁気バブル素子
におい【は、パブＪ／ｌＫを２．＃ｍ薯度以下に小さく
することは、メタンを形成するリング２フイ技術や駆動
技術の点で大変困難となってきた。そこで、これ以上の
高密度磁気バブル素子を得る方法としてイオン注入コン
ティギエアス・ディスク・バブル素子（以下ＣＤデバイ
スと称する）が提案された。
ブルと称する）を転送させるために、！パーバタン、Ｙ
Ｙバタンあるいは非対称シｘｆｗｙパタｙなどの形状の
パーｗａイ素片を確性ガーネット上Ｋｊｉ１ｇ成してい
た。（以下パーマ四イデバイスと称する）、シかし、こ
のようなバーＷＷイ転送パタンを用いた磁気バブル素子
におい【は、パブＪ／ｌＫを２．＃ｍ薯度以下に小さく
することは、メタンを形成するリング２フイ技術や駆動
技術の点で大変困難となってきた。そこで、これ以上の
高密度磁気バブル素子を得る方法としてイオン注入コン
ティギエアス・ディスク・バブル素子（以下ＣＤデバイ
スと称する）が提案された。
イオン注入層による磁気バブルの転送に関する基本概念
はニー・アイ−ビー・コンファレンス・プロシーディン
ゲス（Ａ、Ｉ 、Ｐ、Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃ
ｅｅｄ−ｉｎｇｓ ）第１０号第３３９ページ（１９７
３年）にクエル７工らの論文として述べられている。ま
た、イオン注入磁気バブルメモリ素子の構成に関しては
、ＩＢＭのリンらによるアイもイー−イー・イー・トラ
ンザクシ習／ズ・オン・マグネティクス（ＩＥＥＢ Ｔ
ｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）第１５巻第１
６４２ページ（１９７９年）や、ベル研究所のネルリン
らによるザ・ベル・システム−テクニカル・ジャーナ／
Ｉ／ （Ｔｈｅ Ｂｅ１ｌ’８ｙｓｔｅｒｎ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒ−ｎａｌ）第５９巻第２２９ペー
ジ（１９８０年）などの論文に詳しく述べられている通
りである。
はニー・アイ−ビー・コンファレンス・プロシーディン
ゲス（Ａ、Ｉ 、Ｐ、Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃ
ｅｅｄ−ｉｎｇｓ ）第１０号第３３９ページ（１９７
３年）にクエル７工らの論文として述べられている。ま
た、イオン注入磁気バブルメモリ素子の構成に関しては
、ＩＢＭのリンらによるアイもイー−イー・イー・トラ
ンザクシ習／ズ・オン・マグネティクス（ＩＥＥＢ Ｔ
ｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）第１５巻第１
６４２ページ（１９７９年）や、ベル研究所のネルリン
らによるザ・ベル・システム−テクニカル・ジャーナ／
Ｉ／ （Ｔｈｅ Ｂｅ１ｌ’８ｙｓｔｅｒｎ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒ−ｎａｌ）第５９巻第２２９ペー
ジ（１９８０年）などの論文に詳しく述べられている通
りである。
従来、パーマロイデバイスでは、リプリケータおよびブ
ロックリプリケータが種々開発され実用化されており、
素子のサイクルタイム短縮や信頼性の向上に役立ってい
る。しかるに、ＣＤデバイイスにおけるブロック・リプ
リケータは未開発であり、これを開発することは、ＣＤ
デバイスがパーマロイデバイスと同等の構成を達する上
で重要な要因である。
ロックリプリケータが種々開発され実用化されており、
素子のサイクルタイム短縮や信頼性の向上に役立ってい
る。しかるに、ＣＤデバイイスにおけるブロック・リプ
リケータは未開発であり、これを開発することは、ＣＤ
デバイスがパーマロイデバイスと同等の構成を達する上
で重要な要因である。
本発明の目的は新しく開発したコンティギ、アス・ディ
スク・デバイス用ブロック・リプリケータを提供するこ
とにある。
スク・デバイス用ブロック・リプリケータを提供するこ
とにある。
本発明によれば、磁気バブルを保持し得るａ性膜にイオ
ン注入により磁気バブル転送路を形成し任意の形状の転
送バタンを互いにギャップを設けて配置したメジャー転
送路を有するメジャー、・マイナ転送路間磁気バブル機
能素子におい℃、前記メジャー転送路を構成する任意の
形状の転送バタンとマイナー転送路との距離を磁気バブ
ル直径の０．５倍以上２倍以下とし、前記メジャー・！
イナー転送路間にメジャー転送路と平行な方向に直線状
または波形の第１の導体パタンを前記マイナー転送路の
先端に接することなく配置し、かつ前記第１の導体パタ
ンに交差し、前記マイナー転送路の先端部と前記メジャ
ー転送路を形成する任意の形状の転送バタンとに重なり
、マイナールーズの中心線と１０度以上９０度以下の角
度を成すヘヤピン状の第２の導体パタンを絶縁層を介し
て各マイナー転送路ごとに配置したことを特徴とする磁
気バブル分割・進路転換器が得られる。
ン注入により磁気バブル転送路を形成し任意の形状の転
送バタンを互いにギャップを設けて配置したメジャー転
送路を有するメジャー、・マイナ転送路間磁気バブル機
能素子におい℃、前記メジャー転送路を構成する任意の
形状の転送バタンとマイナー転送路との距離を磁気バブ
ル直径の０．５倍以上２倍以下とし、前記メジャー・！
イナー転送路間にメジャー転送路と平行な方向に直線状
または波形の第１の導体パタンを前記マイナー転送路の
先端に接することなく配置し、かつ前記第１の導体パタ
ンに交差し、前記マイナー転送路の先端部と前記メジャ
ー転送路を形成する任意の形状の転送バタンとに重なり
、マイナールーズの中心線と１０度以上９０度以下の角
度を成すヘヤピン状の第２の導体パタンを絶縁層を介し
て各マイナー転送路ごとに配置したことを特徴とする磁
気バブル分割・進路転換器が得られる。
次に図面を参照して本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すバタン配置図である。
イオン注入転送パタンの形成方法は公知である。三つ葉
形転送パタン１２を互いにギャップを設けて配置して構
成したメジャー転送路１０とマイナー転送路１１０間に
、各マイナー転送路の先端に沿ってメジャー転送路方向
に波形の導体パタン１とマイナー転送路の中心線と３０
度の角度を成すヘヤピン状導体パタン２を互いに交差す
るように別々の層に絶縁層をはさんで配置して構成され
る。第１図の１５は磁性ガーネットの面内磁化困難方向
を示す記号である。また、メジャー転送路１０のギャッ
プおよび前記三つ葉形転送パタン１２とマイナー転送路
１１０間のギャップは一方向にしか通過できない性質を
有しており、その基本概念はジャーナル拳オプ・アプラ
イド・フィツクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第５２号第２３７７ページ（１
９８１年）Ｋクエル７工らの論文として述べられている
通りである。
形転送パタン１２を互いにギャップを設けて配置して構
成したメジャー転送路１０とマイナー転送路１１０間に
、各マイナー転送路の先端に沿ってメジャー転送路方向
に波形の導体パタン１とマイナー転送路の中心線と３０
度の角度を成すヘヤピン状導体パタン２を互いに交差す
るように別々の層に絶縁層をはさんで配置して構成され
る。第１図の１５は磁性ガーネットの面内磁化困難方向
を示す記号である。また、メジャー転送路１０のギャッ
プおよび前記三つ葉形転送パタン１２とマイナー転送路
１１０間のギャップは一方向にしか通過できない性質を
有しており、その基本概念はジャーナル拳オプ・アプラ
イド・フィツクス（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）第５２号第２３７７ページ（１
９８１年）Ｋクエル７工らの論文として述べられている
通りである。
次に本発明の動作原理を図を使って説明する。
第２図（（転）は回転磁界ＨＨが矢印の方向に加わった
ときの状態を示す。図上真上を位相の基準とすると、位
相θ−２００’である。このときマイナー転送路１１に
はチャーシト・フォール２１が安定となる。各マイナー
転送路のバブル２２はチャーシト・フォール２１に引き
つけられて動く。ゲート動作をしない場合は、バブル２
２は矢印３１のようにギャップを通過する。第２図伽）
は位相が２１０゜のとき、導体パタン１に伸張電流ｌ、
を流した状態を示す。前記電流工、による磁界のためバ
ブル２２は伸張され、導体パタン１に沿って導体パタン
２を横切っ【伸び安定となる。続いて、第２図（ｃ）は
第２図（ｂ）に示したバブル２２を伸張した状態で、導
体パタン２に分割電流ＩＣを流したときの状態を示す。
ときの状態を示す。図上真上を位相の基準とすると、位
相θ−２００’である。このときマイナー転送路１１に
はチャーシト・フォール２１が安定となる。各マイナー
転送路のバブル２２はチャーシト・フォール２１に引き
つけられて動く。ゲート動作をしない場合は、バブル２
２は矢印３１のようにギャップを通過する。第２図伽）
は位相が２１０゜のとき、導体パタン１に伸張電流ｌ、
を流した状態を示す。前記電流工、による磁界のためバ
ブル２２は伸張され、導体パタン１に沿って導体パタン
２を横切っ【伸び安定となる。続いて、第２図（ｃ）は
第２図（ｂ）に示したバブル２２を伸張した状態で、導
体パタン２に分割電流ＩＣを流したときの状態を示す。
分割電流ＩＣは導体バタンのヘヤピンの内側にバブル２
２を消す方向の磁界が発生する１５に流し、その波形と
長さは第３図に示すような波形と長さの電流である。＠
３ｆｆｉにおいて分割電流ＩＣの位相＄ −２１５０”
近傍にある大きな立上り電流によって発生する磁界によ
り、伸張されたバブル２２は各マイナー転送路上で２つ
に分割されてバブル２３．２４となる。この後位相 θ
＝４５゜まで導体バタン２には分割電流ＩＣの後半の部
分が流れ続け、分割導体バタンの右側にポテンシャルの
山が出来るため、２９に分割されたバブルのうちバブル
２４はここで阻止される。一方、バブル２３はチャーシ
ト・ウオール２１に引きつけられて動き続ける。次に第
２Ｉｉｌｌ（イ）はすべての電流−１ＩＣを切った後の
状態を示す。分１１１ｉ！−れたバブルの５ち前半のバ
ブル２３はチャーシト９ウオールに引きつゆられ【動き
続は次のカスブに達する。
２を消す方向の磁界が発生する１５に流し、その波形と
長さは第３図に示すような波形と長さの電流である。＠
３ｆｆｉにおいて分割電流ＩＣの位相＄ −２１５０”
近傍にある大きな立上り電流によって発生する磁界によ
り、伸張されたバブル２２は各マイナー転送路上で２つ
に分割されてバブル２３．２４となる。この後位相 θ
＝４５゜まで導体バタン２には分割電流ＩＣの後半の部
分が流れ続け、分割導体バタンの右側にポテンシャルの
山が出来るため、２９に分割されたバブルのうちバブル
２４はここで阻止される。一方、バブル２３はチャーシ
ト・ウオール２１に引きつけられて動き続ける。次に第
２Ｉｉｌｌ（イ）はすべての電流−１ＩＣを切った後の
状態を示す。分１１１ｉ！−れたバブルの５ち前半のバ
ブル２３はチャーシト９ウオールに引きつゆられ【動き
続は次のカスブに達する。
後半のバブル２４は導体バタン２の手前で阻止されてい
たが、やが【三つ葉形転送バタン１２に生じるチャーシ
ト・ウオール２０に引きつけられてそこで安定になる。
たが、やが【三つ葉形転送バタン１２に生じるチャーシ
ト・ウオール２０に引きつけられてそこで安定になる。
その後回転磁界ＨＲが回転するにつれ【三つ葉形転送バ
タン１２に沿って進み矢印３３で示すよ５にメジャー転
送路のギャップを通り抜はスーパートラック側を移動し
ていく。
タン１２に沿って進み矢印３３で示すよ５にメジャー転
送路のギャップを通り抜はスーパートラック側を移動し
ていく。
マイナー転送路１１にはバブル２２があるぺＨ６所にバ
ブル２３が保存され、三つｌＲ形バタン１２上に各マイ
ナー転送路に対応したバブル２４が得られる。したがり
て、一連のバブル２４を検出した後再、びマイナー転送
路にもどす必要がない。このよ５に、メジャー・マイナ
ー転送路の間に亙いに交差するよ５に２つの導体バタン
を配置し、伸張、分割の電流を流すととにより、パズル
の一括分割が可能となる。また、本実施例ではバブルを
伸張した状態に保持するのは、前記伸張電流！。
ブル２３が保存され、三つｌＲ形バタン１２上に各マイ
ナー転送路に対応したバブル２４が得られる。したがり
て、一連のバブル２４を検出した後再、びマイナー転送
路にもどす必要がない。このよ５に、メジャー・マイナ
ー転送路の間に亙いに交差するよ５に２つの導体バタン
を配置し、伸張、分割の電流を流すととにより、パズル
の一括分割が可能となる。また、本実施例ではバブルを
伸張した状態に保持するのは、前記伸張電流！。
による磁界であるため、パズルが伸張しにくい高バイア
ス磁界でも十分に動作が可能である。
ス磁界でも十分に動作が可能である。
また、本実施例はトランスファ・ゲートとしても動作さ
せることができる。第［１（−に＃いて、位相１５０°
から４５°まで導体バタン２Ｋ）ランスフアミ流ＩＴを
流すと、発生した磁界のためバブルは導体バタン２の手
前で阻止され、三つ葉形転送バタン１２ヘトランス７ア
・アクトされる。一方、トランス７アーイン動作は導体
バタン２Ｋ）ランス７ア電流ＩＴを流しメジャー転送路
のギャップ部に図上で上肉きの磁界勾配を発生させるこ
とにより、通常は矢印３２のように移動するバブルを矢
印３３のようにマイナー転送路１１ヘトツンス７ア・イ
ンさせることが出来る。
せることができる。第［１（−に＃いて、位相１５０°
から４５°まで導体バタン２Ｋ）ランスフアミ流ＩＴを
流すと、発生した磁界のためバブルは導体バタン２の手
前で阻止され、三つ葉形転送バタン１２ヘトランス７ア
・アクトされる。一方、トランス７アーイン動作は導体
バタン２Ｋ）ランス７ア電流ＩＴを流しメジャー転送路
のギャップ部に図上で上肉きの磁界勾配を発生させるこ
とにより、通常は矢印３２のように移動するバブルを矢
印３３のようにマイナー転送路１１ヘトツンス７ア・イ
ンさせることが出来る。
以上説明してきたように本発明を適用するならば、マイ
ナー転送路上のバブルな一括分割するパズル分割・進路
転換器が得られる。さらに本発明は、実施例に示した円
形転送バタンのみならず、三角形、四角形その他の形状
の転送バタンに対しても有効である。
ナー転送路上のバブルな一括分割するパズル分割・進路
転換器が得られる。さらに本発明は、実施例に示した円
形転送バタンのみならず、三角形、四角形その他の形状
の転送バタンに対しても有効である。
第１図は本発明の一実施例を示すバタン配置図ｗ＆２図
（萄〜（−は第１図の動作を示す状態図、第３図は電流
のタイミング図である。 図におい【、１，２は導体バタン、１０はメジャー転送
路、１１はマイナー転送路、１２は三つ葉形転送バタン
、１５は面内磁化困難方向を示す記号、２０．２１はチ
ャーシト・ウオール、２２゜２３．２４は磁界バブル、
３１，３２．３３は磁気パズルの進路を示す矢印である
。 第２図 （α） （トフ 第２図 （０） （Ｏムン 第乙図 イｎ 裏目 Ｃ壌【）
（萄〜（−は第１図の動作を示す状態図、第３図は電流
のタイミング図である。 図におい【、１，２は導体バタン、１０はメジャー転送
路、１１はマイナー転送路、１２は三つ葉形転送バタン
、１５は面内磁化困難方向を示す記号、２０．２１はチ
ャーシト・ウオール、２２゜２３．２４は磁界バブル、
３１，３２．３３は磁気パズルの進路を示す矢印である
。 第２図 （α） （トフ 第２図 （０） （Ｏムン 第乙図 イｎ 裏目 Ｃ壌【）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気パズルを保持し得る１ｌｌＩＩＩＩにイオン注λに
より磁気バブル転送路を膠虞し、任意の形状の転 。 送バタンを亙いにギャップな款けて配置したメジャー転
送路を有するメジャー・マイナー転送路間磁気バブル機
能素子において、前記メジャー転送路を構成する任意の
形状の転送パブｌとマイナー転送路との距離な確気バブ
ル直徴の（Ｌ！＄４１１Ｊ＆Ｌ上２倍以下とし、前記メ
ジ中以下マイナー転送路間にメジャー転送路と平行な方
向に直纏状または波形の第１の導体パブｌを前記マイナ
ー＠遂−の先端近傍を通るように配置し、かつ前記菖ｌ
の導体バタンに交差し、ｆｌｌｌｅマイナー転送絡め転
送部と前記メジャー転送路を形成する任意の形状め転送
パタンとに重な９、マイナーループの中心−と１０度以
上９０度以下の角度を成すヘヤビン状の第２の導体メタ
ンを絶縁層を介して各マイナー転送路ととに配置したこ
とを特徴とする磁気バブル分割・進路転換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008660A JPS58128081A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008660A JPS58128081A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128081A true JPS58128081A (ja) | 1983-07-30 |
| JPH0146944B2 JPH0146944B2 (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=11699081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008660A Granted JPS58128081A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128081A (ja) |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008660A patent/JPS58128081A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0146944B2 (ja) | 1989-10-11 |
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