JPS58128082A - 磁気バブル分割・進路転換器 - Google Patents
磁気バブル分割・進路転換器Info
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- JPS58128082A JPS58128082A JP57008661A JP866182A JPS58128082A JP S58128082 A JPS58128082 A JP S58128082A JP 57008661 A JP57008661 A JP 57008661A JP 866182 A JP866182 A JP 866182A JP S58128082 A JPS58128082 A JP S58128082A
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- Japan
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン注入磁気パズル素子のプルツク・リプ
リケータ−トランスファゲートに関す為ものである。
リケータ−トランスファゲートに関す為ものである。
従来、磁気バブル素子に＃いて、磁気バブル（以下単に
パズルと称する）を転送させるために、Ｔバーバタン、
ＹＹパタンあるいは非対称シェブロンバタンなとの形状
のバー！ロイ木片ｆｋａ性ガーネット上に形成し曵いた
（以下パーマロイデバイスと称する）。しかし、このよ
うなバーｉロイ転送バタンを用いた磁気バブル菓子にお
いては、バブル径を２μｍｌｉ度以下に小さくすること
は、バタンを形成するリング２フイ技術や駆動技術の点
で大変困難とな−）′Ｃきた。そこで、これ以上のの高
密度磁気バブル素子な得る方法としてイオン注入コンテ
ィギュアス・ディスク・バブル素子（以下 ＣＤデバイ
スと称する）が提案された。
パズルと称する）を転送させるために、Ｔバーバタン、
ＹＹパタンあるいは非対称シェブロンバタンなとの形状
のバー！ロイ木片ｆｋａ性ガーネット上に形成し曵いた
（以下パーマロイデバイスと称する）。しかし、このよ
うなバーｉロイ転送バタンを用いた磁気バブル菓子にお
いては、バブル径を２μｍｌｉ度以下に小さくすること
は、バタンを形成するリング２フイ技術や駆動技術の点
で大変困難とな−）′Ｃきた。そこで、これ以上のの高
密度磁気バブル素子な得る方法としてイオン注入コンテ
ィギュアス・ディスク・バブル素子（以下 ＣＤデバイ
スと称する）が提案された。
イオン注入層による磁気バブル転送に関しての基本概念
は、ニー・アイＯビーのコンファレンス・プａシープ４
７グス（Ａ、１．Ｐ、Ｃｏｎｆｆｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃ
ｅｅｄ−五ｎｇｓ ）第１０号第３３９ページ（１９７
３年）にクエルフェらの論文として述べられ℃いる。
は、ニー・アイＯビーのコンファレンス・プａシープ４
７グス（Ａ、１．Ｐ、Ｃｏｎｆｆｒｅｎｃｅ Ｐｒｏｃ
ｅｅｄ−五ｎｇｓ ）第１０号第３３９ページ（１９７
３年）にクエルフェらの論文として述べられ℃いる。
また、イオン注入磁気バブルメモリ素子の構成に関して
は、ＩＢＭのリンらによるアイ・イー・イー−イー・ト
ランザクシ璽ンズ・オン・マグネティクス（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎ＠ｔｉｃｓ ）第１５
巻第１６４２ページ（１９７９年）や、ベル研究所のネ
ルリンらによるザ・ベル噛システム曝テクニカル・ジャ
ーナＡ／ （Ｔｈｅ Ｂ＠ｌｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃ
ｈｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａｌ）第５９巻第２２９ページ
（１９８０年）などの論文に詳くし述べられている通り
である。
は、ＩＢＭのリンらによるアイ・イー・イー−イー・ト
ランザクシ璽ンズ・オン・マグネティクス（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓ、 ｏｎ Ｍａｇｎ＠ｔｉｃｓ ）第１５
巻第１６４２ページ（１９７９年）や、ベル研究所のネ
ルリンらによるザ・ベル噛システム曝テクニカル・ジャ
ーナＡ／ （Ｔｈｅ Ｂ＠ｌｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｔｅｃ
ｈｎｉｃａｌＪｏｕｒｎａｌ）第５９巻第２２９ページ
（１９８０年）などの論文に詳くし述べられている通り
である。
従来、パーマロイデバイスでは、リプリケータおよびブ
ロックリプリケータが種々開発され実用化されており、
素子のサイクルタイム短縮や信頼スにおけるブロック・
リプリケータは未開発であり、これを開発することは、
ＣＤデバイスがパーマロイデバイスと同等の構成を達成
する上で重要な要因である。
ロックリプリケータが種々開発され実用化されており、
素子のサイクルタイム短縮や信頼スにおけるブロック・
リプリケータは未開発であり、これを開発することは、
ＣＤデバイスがパーマロイデバイスと同等の構成を達成
する上で重要な要因である。
本発明の目的は、新しく開発したコンティギ。
アス・ディスク拳デバイス用ブｐツク・リプリケータを
提供することにある。
提供することにある。
本発明によれば、磁気バブルを保持し得る磁性膜にイオ
ン注入によりメジャー・マイナ一方式の磁気バブル転送
路を形成し、メジャー・マイナー転退路関に導体パタン
を備えた磁気バブル機能素子において、前記メジャー転
送路と前記マイナー転送路の連結部に各マイナー転送路
ごとに少なくとも１個以上の任意の形状の転送バタ／を
、メジャー・マイナー転送路双方に対して磁気パズル直
径の０．５倍以上２倍以下のギャップを設け【配置し、
前記メジャー・マイナー転送路間にメジャー転送路と平
行な方向に直線状または波形の第１の導体パタンを前記
マイナー転送路の先端に接することなく配置し、前記第
１の導体パタンに交差し前記マイナー転送路の先端部−
と前記ギャップを設けた転送パタンに重なり、前記マイ
ナー転送路の中心線に対して１０度以上９０度以下の角
度を成すヘヤビン状の＃Ｉ２の導体パタンを絶縁層を介
して各マイナー転送路ごとに配置したことを特徴とする
磁気バブル分割、進路転換器が得られる。
ン注入によりメジャー・マイナ一方式の磁気バブル転送
路を形成し、メジャー・マイナー転退路関に導体パタン
を備えた磁気バブル機能素子において、前記メジャー転
送路と前記マイナー転送路の連結部に各マイナー転送路
ごとに少なくとも１個以上の任意の形状の転送バタ／を
、メジャー・マイナー転送路双方に対して磁気パズル直
径の０．５倍以上２倍以下のギャップを設け【配置し、
前記メジャー・マイナー転送路間にメジャー転送路と平
行な方向に直線状または波形の第１の導体パタンを前記
マイナー転送路の先端に接することなく配置し、前記第
１の導体パタンに交差し前記マイナー転送路の先端部−
と前記ギャップを設けた転送パタンに重なり、前記マイ
ナー転送路の中心線に対して１０度以上９０度以下の角
度を成すヘヤビン状の＃Ｉ２の導体パタンを絶縁層を介
して各マイナー転送路ごとに配置したことを特徴とする
磁気バブル分割、進路転換器が得られる。
次に図面を参照して本発明の実施例について説明する。
ＩＩＩ図は本発明の一実施例を示すバタン配置図である
。イオン注入転送バタンの形成方法は公知である。イオ
ン注入により形成されたメジャー転送路ｌＯとマイナー
転送路１１の間に、各マイナー転送路ごとに転送パタン
１２がギャップを設けて配置され、各マイナー転送路の
先端に沿ってメジャー転送路方向に波形の導体パタンｌ
とマイナー転送路の中心線と３０度の角度を成すヘヤピ
ン状導体パタン２を互いに交差するように別々の層に絶
縁層をはさんで配置して構成される。第１図の１５は桓
性ガーネットの面内磁化困難方向な示す記号であり、メ
ジャー転送路ｌＯはスーパートラックで構成されること
を示す。また、メジャー転送路１０．マイナー転送路１
１および孤立転送バタン１２で形成されるギャップは一
方向にしか通過できない性質を有しており、その基本概
念はジャーナル・オン・アプライド・フィツクス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
第５２号第２３７７ページ（１９８１年）Ｋクエル
７工らの論文として述べられている通りである。
。イオン注入転送バタンの形成方法は公知である。イオ
ン注入により形成されたメジャー転送路ｌＯとマイナー
転送路１１の間に、各マイナー転送路ごとに転送パタン
１２がギャップを設けて配置され、各マイナー転送路の
先端に沿ってメジャー転送路方向に波形の導体パタンｌ
とマイナー転送路の中心線と３０度の角度を成すヘヤピ
ン状導体パタン２を互いに交差するように別々の層に絶
縁層をはさんで配置して構成される。第１図の１５は桓
性ガーネットの面内磁化困難方向な示す記号であり、メ
ジャー転送路ｌＯはスーパートラックで構成されること
を示す。また、メジャー転送路１０．マイナー転送路１
１および孤立転送バタン１２で形成されるギャップは一
方向にしか通過できない性質を有しており、その基本概
念はジャーナル・オン・アプライド・フィツクス（Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）
第５２号第２３７７ページ（１９８１年）Ｋクエル
７工らの論文として述べられている通りである。
次に本発明の動作原理を図を使って１１１ｇ４する。
第２図（１１）は回転磁界ＨＲが矢印の方向に加わった
ときの状態を示す。図上右横を位相の基準とすると位相
θ＝６０°である。このときメジャー転送路１０、ｆｆ
イナー転送略１１にそれぞれチャーシト・フォール２０
．２１が安定となる。各マイナー転送路のバブル２２は
チャーシト−ウオール２１に引きつけられて動く。ゲー
ト動作をしない場合は、バブル２２は矢印３２のように
孤立パタン１２とマイナールーズのギャップを通過する
。メジャー転送路側のギャップは矢印３１の方向にバプ
ルが通過できる。第２図９））は位相が６０°のとき導
体バタン１に伸張電流１．、を流した状態を示す。
ときの状態を示す。図上右横を位相の基準とすると位相
θ＝６０°である。このときメジャー転送路１０、ｆｆ
イナー転送略１１にそれぞれチャーシト・フォール２０
．２１が安定となる。各マイナー転送路のバブル２２は
チャーシト−ウオール２１に引きつけられて動く。ゲー
ト動作をしない場合は、バブル２２は矢印３２のように
孤立パタン１２とマイナールーズのギャップを通過する
。メジャー転送路側のギャップは矢印３１の方向にバプ
ルが通過できる。第２図９））は位相が６０°のとき導
体バタン１に伸張電流１．、を流した状態を示す。
約配電ＲＩｓによる磁界のためバブル２２は伸張され、
導体パタン１に沿って導体パタッ２ｆｔ横切って伸び安
定となる。続いて第２図（Ｃ）は第２図（ｂ）Ｋ示した
バブル２２を伸張した状態で、導体パタン２に分割電流
工。を流したときの状態を示す。
導体パタン１に沿って導体パタッ２ｆｔ横切って伸び安
定となる。続いて第２図（Ｃ）は第２図（ｂ）Ｋ示した
バブル２２を伸張した状態で、導体パタン２に分割電流
工。を流したときの状態を示す。
分割亀流工。は導体パタン２のヘヤピンの内偵にバブル
２２を消す方向の磁界が発生するように流し、その波形
と長さは第３図に示すような波形と長さの電流である。
２２を消す方向の磁界が発生するように流し、その波形
と長さは第３図に示すような波形と長さの電流である。
第３図において分割電流工。
の位相θ−１１０°近傍にある大きな立上り電流によっ
て発生する磁界により、伸張されたバブル、２２は各マ
イナー転送路上で２つく分割されてバブル２３．２４と
なる。この後位相θ＝２７０°まで導体パタン２には分
割電流工。の後半の部分が流れ続け、分割導体バタンの
右側にポテンシャルの山が出来るため、２つに分割され
たバブルのうちバブル２４はここで阻止される。一方バ
プル２３はチャーシト・ウオール２１に引きつけられて
動き続ける。次にｔｓ２図（ｄ）はすべての電流Ｉｓ、
ｉｃを切りた後の状態を示す。分割されたパズルのうち
前半のバブル２３はチャーシト・ウオールに引きつけら
れて動き続は次のカスプに達する。後半のバブル２４は
導体パタン２の手前で阻止され曵いたが、やがて孤立転
送バタン１２に生じるチャーシト・ウオール２０に引き
つけられ【そこで安定になる。その後、回転磁界Ｈ凡が
回転するにつれ【孤立転送バタン１２に沿りて進み、矢
印３３で示すようにメジャー転送路１０に合流する。マ
イナー転送路上１にはバブル２２があるべき場所にバブ
ル２３が保存され、孤立転送バタン１２上に各マイナー
転送路に対応したバブル２４が得られる。したがりて、
一連のバブル２４を検出した後再びマイナー転送路にも
どす必要がない。このようにメジャー・マイナー転送路
の間に互いに交差するように２つの導体パタンを配置し
、伸張、分割の電流を流すことにより、バブルの一括分
割が可能となる。また、本実施例ではバブルを伸張した
状態に保持するのは、前記伸張電流ＩＳＫよる磁界であ
るため、バブルが伸張しにくい高バイアス磁界でも十分
に動作が可能である。
て発生する磁界により、伸張されたバブル、２２は各マ
イナー転送路上で２つく分割されてバブル２３．２４と
なる。この後位相θ＝２７０°まで導体パタン２には分
割電流工。の後半の部分が流れ続け、分割導体バタンの
右側にポテンシャルの山が出来るため、２つに分割され
たバブルのうちバブル２４はここで阻止される。一方バ
プル２３はチャーシト・ウオール２１に引きつけられて
動き続ける。次にｔｓ２図（ｄ）はすべての電流Ｉｓ、
ｉｃを切りた後の状態を示す。分割されたパズルのうち
前半のバブル２３はチャーシト・ウオールに引きつけら
れて動き続は次のカスプに達する。後半のバブル２４は
導体パタン２の手前で阻止され曵いたが、やがて孤立転
送バタン１２に生じるチャーシト・ウオール２０に引き
つけられ【そこで安定になる。その後、回転磁界Ｈ凡が
回転するにつれ【孤立転送バタン１２に沿りて進み、矢
印３３で示すようにメジャー転送路１０に合流する。マ
イナー転送路上１にはバブル２２があるべき場所にバブ
ル２３が保存され、孤立転送バタン１２上に各マイナー
転送路に対応したバブル２４が得られる。したがりて、
一連のバブル２４を検出した後再びマイナー転送路にも
どす必要がない。このようにメジャー・マイナー転送路
の間に互いに交差するように２つの導体パタンを配置し
、伸張、分割の電流を流すことにより、バブルの一括分
割が可能となる。また、本実施例ではバブルを伸張した
状態に保持するのは、前記伸張電流ＩＳＫよる磁界であ
るため、バブルが伸張しにくい高バイアス磁界でも十分
に動作が可能である。
また、本実施例はトランスファーアジド・ゲートとして
も動作させることができる。第２図（（転）において、
位相０°から２７０°まで導体パタン２Ｋ）ランスフア
ミ流ＩＴ１流すと、発生した磁界のためバブルは導体バ
タン２０手前で阻止され、孤立転送バタン１２ヘトラン
スフア・アクトされる。
も動作させることができる。第２図（（転）において、
位相０°から２７０°まで導体パタン２Ｋ）ランスフア
ミ流ＩＴ１流すと、発生した磁界のためバブルは導体バ
タン２０手前で阻止され、孤立転送バタン１２ヘトラン
スフア・アクトされる。
第４図は本発明の第２の実施例を示すバタン配置図であ
る。メジャー転送路１０とマイナー転送路１１の間に転
送バタン１２がギャップを設けて配置され、互いに交差
する２つの導体パタン１゜２を別々の層に絶縁層をはさ
んで配置して構成される。記号１５が示すようにメジャ
ー転送路ｌＯはバッド・トラックで構成される。動作原
理は第１の実施例と同様である。
る。メジャー転送路１０とマイナー転送路１１の間に転
送バタン１２がギャップを設けて配置され、互いに交差
する２つの導体パタン１゜２を別々の層に絶縁層をはさ
んで配置して構成される。記号１５が示すようにメジャ
ー転送路ｌＯはバッド・トラックで構成される。動作原
理は第１の実施例と同様である。
以上説明してぎたように本発明を適用するならば、マイ
ナー転送路上のパズルを一括分割するバブル分割、進路
転換器が得られる。さらに本発明は、実施例に示した円
形転送バタンのみならず、三角形、四角形その他の形状
の転送バタンに対し【も有効である。
ナー転送路上のパズルを一括分割するバブル分割、進路
転換器が得られる。さらに本発明は、実施例に示した円
形転送バタンのみならず、三角形、四角形その他の形状
の転送バタンに対し【も有効である。
第１図は本発明の一実施例を示すバタン配置図第２図（
ＩＩ）〜■は第１図の動作を示す状態図、ｇｓ図は電流
のタイ建ング図、第４図は第２の実施例を示すバタン配
置図である。 図において、１．２は導体パタン、１Ｇはメジャー転送
路、１１はマイナー転送゛路、１２は転送バタン、１５
は面内磁化困難方向を示す記号、２０．２１はチャーシ
ト・９オール、 ２２．２３゜２４は磁気バブル、３１
．３２．３３は磁気バブルの進路を示す矢印である。 卒ｌ 図 砧１図 （ｏＬ） （ｂ） 亮Ｚ図 ＣＣ） （ｔｌ＞ 第３図 惠１．−図
ＩＩ）〜■は第１図の動作を示す状態図、ｇｓ図は電流
のタイ建ング図、第４図は第２の実施例を示すバタン配
置図である。 図において、１．２は導体パタン、１Ｇはメジャー転送
路、１１はマイナー転送゛路、１２は転送バタン、１５
は面内磁化困難方向を示す記号、２０．２１はチャーシ
ト・９オール、 ２２．２３゜２４は磁気バブル、３１
．３２．３３は磁気バブルの進路を示す矢印である。 卒ｌ 図 砧１図 （ｏＬ） （ｂ） 亮Ｚ図 ＣＣ） （ｔｌ＞ 第３図 惠１．−図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気バブルを保持し得るａ性膜にイオン注入によりメジ
ャー−！イナ一方式の磁気バブル転送路を形成し、メジ
ャー・マイナー転送路間に導体パータンを備えた磁気バ
ブル機能素子において、前記メジャー転送路と前記マイ
ナー転送路の連結部に各マイナー転送路ごとに少なくと
も１個以上の任意の形状の転送バタンな、メジャー・マ
イナー転送路双方に対して磁気バブル直径の０．５倍以
上２倍以下のギャップな設けて配置し、前記メジャー・
マイナー転送路間にメジャー転送路と平行な方向に直線
状または波形の第１の導体バタンを前記マイナー転送路
の先端近傍を通るように配置し、前記第１の導体パタン
に交差し、前記マイナー転送路の先端部と前記ギャップ
を設けた転送バタンに重なり、前記マイナー転送路の中
心線に対し【１０度以上９０度以下の角度を成すヘヤビ
ン状のｊＩ２の導体パタンを絶縁層を介して各マイナー
転送路ごとに配置したことを特徴とする磁気バブル分割
・進路転換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008661A JPS58128082A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008661A JPS58128082A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128082A true JPS58128082A (ja) | 1983-07-30 |
| JPH0146945B2 JPH0146945B2 (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=11699111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008661A Granted JPS58128082A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル分割・進路転換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128082A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920001582Y1 (ko) * | 1989-12-23 | 1992-03-05 | 삼성전관 주식회사 | 편향요크 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008661A patent/JPS58128082A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0146945B2 (ja) | 1989-10-11 |
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