JPH0313673B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0313673B2 JPH0313673B2 JP56069444A JP6944481A JPH0313673B2 JP H0313673 B2 JPH0313673 B2 JP H0313673B2 JP 56069444 A JP56069444 A JP 56069444A JP 6944481 A JP6944481 A JP 6944481A JP H0313673 B2 JPH0313673 B2 JP H0313673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permalloy
- transfer path
- minor loop
- ion implantation
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 35
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 31
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
- G11C19/0891—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders using hybrid structure, e.g. ion doped layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子計算機や電子交換機等のフアイ
ルメモリに使用される磁気バブル素子に関するも
のである。
ルメモリに使用される磁気バブル素子に関するも
のである。
従来、実用されてきた磁気バブル素子はパーマ
ロイ素子と呼ばれるもので、磁性ガーネツト膜た
とえば（YSmLuCa）3（FeGe）5O12ガーネツト膜
に存在する円筒状磁区すなわちバブル２を、第１
図に示すようなガーネツト膜上に設置されたパー
マロイ転送路１にそつて、面内に印加した回転磁
界により転送することを基本としている。バブル
発生器、トランスフアゲート、スワツプゲート、
レプリケータ等は第２図に示すようにパーマロイ
パターン１と、絶縁層４，６を介してガーネツト
膜３とパーマロイパターン１の間に設けられたコ
ンダクタパターン５とから成り、コンダクタパタ
ーン５に制御用パルス電流を流すことにより、
各々の機能を司るようになつている。（なお、第
１図において非磁性基板は図示を省略されてい
る。） バブル素子の高密度化、高集積化に伴い、第１
図に示すパーマロイ転送路１のパターン幅、ギヤ
ツプ寸法ともに著るしく微細化されている。たと
えば、直径約2μｍのバブルを用いてビツト周期
8μｍの素子を形成する場合、パターン寸法、ギ
ヤツプ寸法は約1μｍと微細にする必要がある。
今後さらに素子の高密度化をパーマロイ素子で図
るには、1μｍ以下の微細パーマロイパターンを、
チツプ全面に形成することが必要で、技術的に非
常に困難である。
ロイ素子と呼ばれるもので、磁性ガーネツト膜た
とえば（YSmLuCa）3（FeGe）5O12ガーネツト膜
に存在する円筒状磁区すなわちバブル２を、第１
図に示すようなガーネツト膜上に設置されたパー
マロイ転送路１にそつて、面内に印加した回転磁
界により転送することを基本としている。バブル
発生器、トランスフアゲート、スワツプゲート、
レプリケータ等は第２図に示すようにパーマロイ
パターン１と、絶縁層４，６を介してガーネツト
膜３とパーマロイパターン１の間に設けられたコ
ンダクタパターン５とから成り、コンダクタパタ
ーン５に制御用パルス電流を流すことにより、
各々の機能を司るようになつている。（なお、第
１図において非磁性基板は図示を省略されてい
る。） バブル素子の高密度化、高集積化に伴い、第１
図に示すパーマロイ転送路１のパターン幅、ギヤ
ツプ寸法ともに著るしく微細化されている。たと
えば、直径約2μｍのバブルを用いてビツト周期
8μｍの素子を形成する場合、パターン寸法、ギ
ヤツプ寸法は約1μｍと微細にする必要がある。
今後さらに素子の高密度化をパーマロイ素子で図
るには、1μｍ以下の微細パーマロイパターンを、
チツプ全面に形成することが必要で、技術的に非
常に困難である。
これに対して最近、新しい形式のバブル素子が
注目を集めている。これは従来のパーマロイ転送
路に代つて、転送路をイオン打込みにより形成す
ることを特徴とする素子でイオン打込み素子と呼
ばれる。すなわち第３図に示すようにガーネツト
膜３上に、コンテイガスデイスク（数珠状パター
ン）の形状のマスク（図示せず）を形成し、Ne.
H2イオン等のイオンをガーネツト膜表面に打込
み、コンテイガスデイスクの外側の部分にイオン
打込み領域７を形成し、この領域７の磁化を面内
に向ける。このようにして面内に回転磁界を印加
すると、パーマロイ素子と同様に、コンテイガス
デイスク（転送路）１６のふちにそつてバブルが
転送される。このイオン打込み素子の特長は、転
送路１６のパターン寸法が、パーマロイ素子の転
送路のパターン寸法の約２倍と大きくても良いこ
とであり、作製が容易であるため、高密度素子に
適している。
注目を集めている。これは従来のパーマロイ転送
路に代つて、転送路をイオン打込みにより形成す
ることを特徴とする素子でイオン打込み素子と呼
ばれる。すなわち第３図に示すようにガーネツト
膜３上に、コンテイガスデイスク（数珠状パター
ン）の形状のマスク（図示せず）を形成し、Ne.
H2イオン等のイオンをガーネツト膜表面に打込
み、コンテイガスデイスクの外側の部分にイオン
打込み領域７を形成し、この領域７の磁化を面内
に向ける。このようにして面内に回転磁界を印加
すると、パーマロイ素子と同様に、コンテイガス
デイスク（転送路）１６のふちにそつてバブルが
転送される。このイオン打込み素子の特長は、転
送路１６のパターン寸法が、パーマロイ素子の転
送路のパターン寸法の約２倍と大きくても良いこ
とであり、作製が容易であるため、高密度素子に
適している。
しかしながらこのイオン打込み素子は、レプリ
ケータ、トランスフアゲート、スワツプゲート等
の機能の動作が十分安定ではなく、しかもブロツ
クレプリケーターがないという欠点を有し、実用
化する際の一つの問題になつていた。
ケータ、トランスフアゲート、スワツプゲート等
の機能の動作が十分安定ではなく、しかもブロツ
クレプリケーターがないという欠点を有し、実用
化する際の一つの問題になつていた。
本発明の目的は、十分安定に動作するレプリケ
ータ、トランスフアゲート、スワツプゲート等を
有し、かつ高密度のバブル転送路を有するバブル
素子を得ることを目的とする。
ータ、トランスフアゲート、スワツプゲート等を
有し、かつ高密度のバブル転送路を有するバブル
素子を得ることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明はマイナール
ープの転送路としてはイオン打込みによつて形成
された転送路を用い、メジヤーループ（またはラ
イン）との接続部の少なくとも一部をパーマロイ
によつて形成するものである。以下、本発明を詳
細に説明する。
ープの転送路としてはイオン打込みによつて形成
された転送路を用い、メジヤーループ（またはラ
イン）との接続部の少なくとも一部をパーマロイ
によつて形成するものである。以下、本発明を詳
細に説明する。
一般にバブル素子は、第４図に示すように、情
報の記憶部であるマイナループ群１０と、情報の
書込み読出しを行うメージヤライン又はメージヤ
ループから構成される。マイナループ１０とメー
ジヤライン（ループも含む）との接続部にはトラ
ンスフアゲート、スワツプゲートおよびレプリケ
ータ等８が使用される。マイナループ１０はバブ
ル転送路で構成され素子面積の大半を占める。メ
ージヤライン（ループ）はバブル転送路９，１
１、バブル発生器１３、検出器１２で構成され
る。マイナーループ１０とメージヤライン（また
はループ）は、トランスフアゲート、スワツプゲ
ートもしくはレプリケーターなど８によつて接続
される。本発明の特徴は、素子面積の大半を占め
るマイナループ１０を高密度に適したイオン打込
み転送路で形成し、メージヤラインレプリケー
タ、トランスフアゲート等の少なくとも一部をパ
ーマロイで形成することにある。メージヤライン
やレプリケータ等は素子面積の極く僅かな部分を
占めるのみである。したがつてパーマロイで形成
する際、パターン寸法の制限がマイナループ部の
イオン打込み転送路よりも厳しくても、形成が十
分可能である。又、メージヤラインのビツト周期
はマイナループ部のビツト周期の、たとえば２倍
〜４倍にとる構成も可能であり、このようにすれ
ばパーマロイのパターン寸法の制限が緩和されて
形成が容易となる。
報の記憶部であるマイナループ群１０と、情報の
書込み読出しを行うメージヤライン又はメージヤ
ループから構成される。マイナループ１０とメー
ジヤライン（ループも含む）との接続部にはトラ
ンスフアゲート、スワツプゲートおよびレプリケ
ータ等８が使用される。マイナループ１０はバブ
ル転送路で構成され素子面積の大半を占める。メ
ージヤライン（ループ）はバブル転送路９，１
１、バブル発生器１３、検出器１２で構成され
る。マイナーループ１０とメージヤライン（また
はループ）は、トランスフアゲート、スワツプゲ
ートもしくはレプリケーターなど８によつて接続
される。本発明の特徴は、素子面積の大半を占め
るマイナループ１０を高密度に適したイオン打込
み転送路で形成し、メージヤラインレプリケー
タ、トランスフアゲート等の少なくとも一部をパ
ーマロイで形成することにある。メージヤライン
やレプリケータ等は素子面積の極く僅かな部分を
占めるのみである。したがつてパーマロイで形成
する際、パターン寸法の制限がマイナループ部の
イオン打込み転送路よりも厳しくても、形成が十
分可能である。又、メージヤラインのビツト周期
はマイナループ部のビツト周期の、たとえば２倍
〜４倍にとる構成も可能であり、このようにすれ
ばパーマロイのパターン寸法の制限が緩和されて
形成が容易となる。
実施例 １
本実施例はマイナーループの転送路以外の部分
であるメージヤライン、レプリケーター、トラン
スフアゲート、検出器および発生器を、すべてパ
ーマロイによつて形成した例である。
であるメージヤライン、レプリケーター、トラン
スフアゲート、検出器および発生器を、すべてパ
ーマロイによつて形成した例である。
（YSmLuCa）3（FeGe）5O12ガーネツト膜（厚
さ1μｍ、バブル径、約1μｍ）を用いて、マイナ
ループのビツト周期4μｍ、メージヤラインのビ
ツト周期8μｍのメージヤライン・マイナループ
構成の素子を作製した。マイナループには第５図
に示すような形状を持つたイオン打込み転送路１
６を用いた。転送路１６の最小パターン寸法は約
1μｍである。転送路作製にはNe（50keV、２×
1014／cm2）−Ne（180keV、２×1014／cm2）−H2
（100keV、４×1016／cm2）の三重打込みを用い
た。メージヤライン、レプリケータ、トランスフ
アゲート、バブル検出器、発生器は、パーマロイ
素子で使用されているのと同じものを用いた。ト
ランスフアゲートとレプリケータはイオン打込み
によつて形成されたマイナーループ転送路上に設
置されたパーマロイパターンを利用しているが、
マイナループのバブル転送には支障がなく、パル
ス電流を印加したときにはトランスフアゲート又
はレプリケータの機能を果すことを確認した。レ
プリケータは各マイナループに１つつけており、
これをブロツクレプリケータと呼ぶ。
さ1μｍ、バブル径、約1μｍ）を用いて、マイナ
ループのビツト周期4μｍ、メージヤラインのビ
ツト周期8μｍのメージヤライン・マイナループ
構成の素子を作製した。マイナループには第５図
に示すような形状を持つたイオン打込み転送路１
６を用いた。転送路１６の最小パターン寸法は約
1μｍである。転送路作製にはNe（50keV、２×
1014／cm2）−Ne（180keV、２×1014／cm2）−H2
（100keV、４×1016／cm2）の三重打込みを用い
た。メージヤライン、レプリケータ、トランスフ
アゲート、バブル検出器、発生器は、パーマロイ
素子で使用されているのと同じものを用いた。ト
ランスフアゲートとレプリケータはイオン打込み
によつて形成されたマイナーループ転送路上に設
置されたパーマロイパターンを利用しているが、
マイナループのバブル転送には支障がなく、パル
ス電流を印加したときにはトランスフアゲート又
はレプリケータの機能を果すことを確認した。レ
プリケータは各マイナループに１つつけており、
これをブロツクレプリケータと呼ぶ。
本実施例の断面構造は第６図に示す通りであ
る。
る。
第６図において、記号３はバブルを保持するガ
ーネツト膜、４および６は絶縁膜、５はコンダク
タパターン、１はパーマロイパターン７はイオン
打込み領域を、それぞれ表わす。本素子は面内に
印加する回転磁界を40Oe以上にするとブロツク
レプリケータも含めて安定に動作することを確認
した。第７図は回転磁界HRと膜面に垂直に印加
するバイアス磁界HBの関係を示したもので、斜
線を付した領域Ａが安定に動作する領域を示す。
回転磁界の周波数は200kHzである。バイアス磁
界の中心値に対し、10％以上の幅が回転磁界
40Oe以上で得られており、本発明にかかる素子
が大きな動作マージンを有していることがわか
る。
ーネツト膜、４および６は絶縁膜、５はコンダク
タパターン、１はパーマロイパターン７はイオン
打込み領域を、それぞれ表わす。本素子は面内に
印加する回転磁界を40Oe以上にするとブロツク
レプリケータも含めて安定に動作することを確認
した。第７図は回転磁界HRと膜面に垂直に印加
するバイアス磁界HBの関係を示したもので、斜
線を付した領域Ａが安定に動作する領域を示す。
回転磁界の周波数は200kHzである。バイアス磁
界の中心値に対し、10％以上の幅が回転磁界
40Oe以上で得られており、本発明にかかる素子
が大きな動作マージンを有していることがわか
る。
本実施例ではメージヤラインの転送路にパーマ
ロイ転送路を用いたが、これをイオン打込み転送
路で形成しても同等の動作結果が得られた。
ロイ転送路を用いたが、これをイオン打込み転送
路で形成しても同等の動作結果が得られた。
本発明の素子構造はビツト周期4μｍに限らず
それ以上又はそれ以下の素子にも適用できる。
それ以上又はそれ以下の素子にも適用できる。
実施例 ２
実施例１とは異なる第８図の如きチツプ構成の
例について説明する。第８図において、破線部は
イオン打込みによつて形成された転送路を示し、
実線部はパーマロイによつて形成された転送路を
示す。発生器１３、書込みメージヤラインの、ト
ランスフアゲート１４およびマイナループ１０の
大半はイオン打込みによつて作成した。その他の
部分、すなわちレプリケータ１５およびその近傍
の転送路、読出しメージヤライン１１および検出
器１２はパーマロイで作成した。本実施例ではイ
オン打込みによつて形成された転送路とパーマロ
イによつて形成された転送路は、接続部以外では
完全に分離されている。イオン打込みによつて作
成されたトランスフアゲート１４はIEEE
Transactions on Magnetics VoL.MAG−17No.
１ P1134〜P1141に開示されているようなイオ
ン打込み素子用ゲートを用いてもよい。また、パ
ーマロイによつて作成されたレプリケータとして
はIEEE Transactions on Magnetics、VoL.
MAG−12、No.6.P614〜P617に開示されているよ
うなブロツクレプリケータを用い、検出器として
は、磁気バブル拡張器と検出線からなる厚膜パー
マロイ型検出器を使用した。なお、イオン打込み
転送路としては第５図に示した形状を有する転送
路を、パーマロイによつて形成された転送路とし
ては第１図に示した形状のものを用いた。また、
パーマロイ転送路の動作マージンを広げるため
に、パーマロイ転送路の周期をイオン打込み転送
路の２倍にし、マイナループは第８図のように折
り畳みループを使用した。このような構成によ
り、容易にブロツクレプリケータを持つたチツプ
が作成できた。トランスフアーゲート１４は通常
用いられているパーマロイのものを用いてよく、
また、メジヤーループおよびトランスフアーゲー
ト近傍のマイナーループをパーマロイで形成して
もよい。
例について説明する。第８図において、破線部は
イオン打込みによつて形成された転送路を示し、
実線部はパーマロイによつて形成された転送路を
示す。発生器１３、書込みメージヤラインの、ト
ランスフアゲート１４およびマイナループ１０の
大半はイオン打込みによつて作成した。その他の
部分、すなわちレプリケータ１５およびその近傍
の転送路、読出しメージヤライン１１および検出
器１２はパーマロイで作成した。本実施例ではイ
オン打込みによつて形成された転送路とパーマロ
イによつて形成された転送路は、接続部以外では
完全に分離されている。イオン打込みによつて作
成されたトランスフアゲート１４はIEEE
Transactions on Magnetics VoL.MAG−17No.
１ P1134〜P1141に開示されているようなイオ
ン打込み素子用ゲートを用いてもよい。また、パ
ーマロイによつて作成されたレプリケータとして
はIEEE Transactions on Magnetics、VoL.
MAG−12、No.6.P614〜P617に開示されているよ
うなブロツクレプリケータを用い、検出器として
は、磁気バブル拡張器と検出線からなる厚膜パー
マロイ型検出器を使用した。なお、イオン打込み
転送路としては第５図に示した形状を有する転送
路を、パーマロイによつて形成された転送路とし
ては第１図に示した形状のものを用いた。また、
パーマロイ転送路の動作マージンを広げるため
に、パーマロイ転送路の周期をイオン打込み転送
路の２倍にし、マイナループは第８図のように折
り畳みループを使用した。このような構成によ
り、容易にブロツクレプリケータを持つたチツプ
が作成できた。トランスフアーゲート１４は通常
用いられているパーマロイのものを用いてよく、
また、メジヤーループおよびトランスフアーゲー
ト近傍のマイナーループをパーマロイで形成して
もよい。
実施例 ３
他の実施例を第９図に示す。第９図において、
破線部はイオン打込みによつて形成された転送
路、実線部はパーマロイによつて形成されて転送
路を、それぞれ示す。マイナループ１０はイオン
打込み転送路だけで構成されている。その下端部
はトランスフアゲート１４を介してパーマロイ転
送路からなる書込みメージヤライン９に接してい
る。また、マイナループ１０の上端にはレプリケ
ータ１５を持つたパーマロイ転送路のバイパスが
設けられている。この構成では、磁気バブルはマ
イナループ１０上を反時計方向に転送される。そ
して、左側のバイパスとマイナループの接続部は
トランスフアゲート１４からなり、右側の接続部
は単なるマージ回路になつている。したがつて、
通常磁気バブルはイオン打込み転送路だけで構成
されているマイナループ上を回つている。データ
読出し時、すなわち、レプリケート時にはマイナ
ループ１０上端のトランスフアゲート１４を働か
せ必要な磁気バブルをバイパスに送り出す。その
磁気バブルがレプリケータ１５へ到達した時にレ
プリケータ１５を働かせレプリケート動作を行な
う、２つに分割された磁気バブルの内一方は読出
しメージヤラインを通つて検出器へ至り、他方は
バイパスを通つてマージ回路によりマイナループ
に帰る。この時、バイパスへのトランスフア動作
により空いたマイナループ上のビツト位置に再び
バイパスから来た磁気バブルが納まるようにバイ
パスとマイナループ上部のビツト数を選ぶ。これ
により、トランスフアゲートでバイパスへ入つた
磁気バブルが再びマイナループ上の元の場所へ戻
る。このように本実施例の構成では、通常は磁気
バブルはイオン打込み転送路上を転送していて、
必要な時だけ必要な磁気バブルだけがパーマロイ
転送路で構成されたバイパスへ移され読出され
た。
破線部はイオン打込みによつて形成された転送
路、実線部はパーマロイによつて形成されて転送
路を、それぞれ示す。マイナループ１０はイオン
打込み転送路だけで構成されている。その下端部
はトランスフアゲート１４を介してパーマロイ転
送路からなる書込みメージヤライン９に接してい
る。また、マイナループ１０の上端にはレプリケ
ータ１５を持つたパーマロイ転送路のバイパスが
設けられている。この構成では、磁気バブルはマ
イナループ１０上を反時計方向に転送される。そ
して、左側のバイパスとマイナループの接続部は
トランスフアゲート１４からなり、右側の接続部
は単なるマージ回路になつている。したがつて、
通常磁気バブルはイオン打込み転送路だけで構成
されているマイナループ上を回つている。データ
読出し時、すなわち、レプリケート時にはマイナ
ループ１０上端のトランスフアゲート１４を働か
せ必要な磁気バブルをバイパスに送り出す。その
磁気バブルがレプリケータ１５へ到達した時にレ
プリケータ１５を働かせレプリケート動作を行な
う、２つに分割された磁気バブルの内一方は読出
しメージヤラインを通つて検出器へ至り、他方は
バイパスを通つてマージ回路によりマイナループ
に帰る。この時、バイパスへのトランスフア動作
により空いたマイナループ上のビツト位置に再び
バイパスから来た磁気バブルが納まるようにバイ
パスとマイナループ上部のビツト数を選ぶ。これ
により、トランスフアゲートでバイパスへ入つた
磁気バブルが再びマイナループ上の元の場所へ戻
る。このように本実施例の構成では、通常は磁気
バブルはイオン打込み転送路上を転送していて、
必要な時だけ必要な磁気バブルだけがパーマロイ
転送路で構成されたバイパスへ移され読出され
た。
第１０図は、第８図に示した構成の素子におい
て、メージヤライン１１とマイナーループ１０と
の接続を示す平面図である。第１０図に示すよう
に、マイナーループの転送路１６の端部上に、バ
ブルを分割するためのヘアピン状コンダクターパ
ターン５とバブルを拡張するためのピツカツクス
形パーマロイパターン１が、絶縁膜を介して積層
されている。第１０図は、マイナーループの転送
路１６をすべてイオン打込みによつて形成した例
を示したが、第１１図に示すように、マイナール
ープの転送路１６のうち、メージヤラインとの接
合部近傍１６′のみをパーマロイで形成してもよ
い。
て、メージヤライン１１とマイナーループ１０と
の接続を示す平面図である。第１０図に示すよう
に、マイナーループの転送路１６の端部上に、バ
ブルを分割するためのヘアピン状コンダクターパ
ターン５とバブルを拡張するためのピツカツクス
形パーマロイパターン１が、絶縁膜を介して積層
されている。第１０図は、マイナーループの転送
路１６をすべてイオン打込みによつて形成した例
を示したが、第１１図に示すように、マイナール
ープの転送路１６のうち、メージヤラインとの接
合部近傍１６′のみをパーマロイで形成してもよ
い。
従来のイオン打込み素子では、パーマロイ素子
におけるブロツクレプリケーターに相当するもの
がなかつたが、上記のように構成することによつ
て、イオン打込み素子においても、十分安定に動
作するブロツクレプリケーターが得られた。な
お、パーマロイパターン１はピツカツクス型のみ
ではなく他のものも使い得ることはいうまでもな
い。
におけるブロツクレプリケーターに相当するもの
がなかつたが、上記のように構成することによつ
て、イオン打込み素子においても、十分安定に動
作するブロツクレプリケーターが得られた。な
お、パーマロイパターン１はピツカツクス型のみ
ではなく他のものも使い得ることはいうまでもな
い。
パーマロイパターン１がないときの転送マージ
ンは第１２図、破線の直線１７に示すようであつ
たが、この場合はレプリケートされないことは勿
論である。
ンは第１２図、破線の直線１７に示すようであつ
たが、この場合はレプリケートされないことは勿
論である。
しかし、本発明によつて、パーマロイパターン
１を用いると、第１２図実線１８に示したよう
に、転送マージンの低下は、極めて僅かであり、
しかもレプリケートは支障なく行なうことができ
る。
１を用いると、第１２図実線１８に示したよう
に、転送マージンの低下は、極めて僅かであり、
しかもレプリケートは支障なく行なうことができ
る。
第１３図は第９図に示した構成の素子におい
て、メージヤライン９とマイナーループ１０との
接続を示す平面図である。
て、メージヤライン９とマイナーループ１０との
接続を示す平面図である。
第１３図に示したように、マイナーループの転
送路１６の端部上にヘアピン形のコンダクターパ
ターン５とシエブロン形のパーマロイパターン１
が、それぞれ絶縁膜を介して設けられている。
送路１６の端部上にヘアピン形のコンダクターパ
ターン５とシエブロン形のパーマロイパターン１
が、それぞれ絶縁膜を介して設けられている。
従来のイオン打込み素子では、メージヤライン
がイオン打込みによつて形成されていたが、本実
施例では、シエブロン形のパーマロイパターン１
によつて形成した。これにより、極めて安定なト
ランスフアーを行なうことができ、本発明の効果
が確認された。
がイオン打込みによつて形成されていたが、本実
施例では、シエブロン形のパーマロイパターン１
によつて形成した。これにより、極めて安定なト
ランスフアーを行なうことができ、本発明の効果
が確認された。
以上、説明したごとく本発明によればビツト周
期の小さい（4μｍ又はそれ以下）高密度バブル
素子でかつブロツクレプリケータ等の機能を含む
素子動作が安定にされる素子を検供することがで
きる。
期の小さい（4μｍ又はそれ以下）高密度バブル
素子でかつブロツクレプリケータ等の機能を含む
素子動作が安定にされる素子を検供することがで
きる。
第１図はパーマロイ転送路の平面形状を示す
図、第２図はパーマロイからなる転送路を有する
磁気バブル素子のゲート部を示すの断面図、第３
図はイオン打込み素子を説明するための図、第４
図は磁気バブル素子の構成を示す図、第５図はイ
オン打込みによつて形成された転送路の平面形状
を示す図、第６図は本発明の一実施例を示す断面
図、第７図は本発明による素子の動作マージンの
一例を示す曲線図、第８図と第９図はそれぞれ本
発明の異なる実施例を示す系統図である。第１０
図、第１１図および第１３図はそれぞれマイナー
ループとメージヤラインの接続を示す平面図、第
１２図は本発明の効果を示す曲線図である。 １はパーマロイ転送路、２は磁気バブル、３は
磁性ガーネツト、４はスペーサ、５はコンダク
タ、６は絶縁層、７はイオン打込み層、８は転送
方向切換えスイツチ、９は書込みメージヤライ
ン、１０はマイナループ、１１は読出しメージヤ
ライン、１２は検出器、１３は発生器、１４はト
ランスフアゲート、１５はレプリケータである。
図、第２図はパーマロイからなる転送路を有する
磁気バブル素子のゲート部を示すの断面図、第３
図はイオン打込み素子を説明するための図、第４
図は磁気バブル素子の構成を示す図、第５図はイ
オン打込みによつて形成された転送路の平面形状
を示す図、第６図は本発明の一実施例を示す断面
図、第７図は本発明による素子の動作マージンの
一例を示す曲線図、第８図と第９図はそれぞれ本
発明の異なる実施例を示す系統図である。第１０
図、第１１図および第１３図はそれぞれマイナー
ループとメージヤラインの接続を示す平面図、第
１２図は本発明の効果を示す曲線図である。 １はパーマロイ転送路、２は磁気バブル、３は
磁性ガーネツト、４はスペーサ、５はコンダク
タ、６は絶縁層、７はイオン打込み層、８は転送
方向切換えスイツチ、９は書込みメージヤライ
ン、１０はマイナループ、１１は読出しメージヤ
ライン、１２は検出器、１３は発生器、１４はト
ランスフアゲート、１５はレプリケータである。
Claims (1)
- １ 磁気バブルを保持し得るガーネツト膜の所望
部分にイオン打込みによつて構成され、情報とし
て上記磁気バブルを記憶するマイナーループと、
上記ガーネツト膜上に設置されたパーマロイ膜に
よつて構成され、上記磁気バブルの書込み読出し
を行なうメジヤーライン又はメジヤーループと、
上記マイナーループと上記メジヤーライン又はメ
ジヤーループとの間の接続部とから成る磁気バブ
ル素子において、上記接続部は上記マイナールー
プの転送路上の一部分に設けられた上記磁気バブ
ルを拡張するためのパーマロイ膜パターンと、こ
のパーマロイ膜パターンによつて拡張された上記
磁気バブルを分割するためのヘアピン状コンダク
ターパターンとで構成されていることを特徴とす
る磁気バブル素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56069444A JPS57186287A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Magnetic bubble element |
| US06/375,344 US4528645A (en) | 1981-05-11 | 1982-05-05 | Magnetic bubble memory device |
| GB08213084A GB2102224B (en) | 1981-05-11 | 1982-05-06 | Magnetic bubble memory device |
| DE19823217533 DE3217533A1 (de) | 1981-05-11 | 1982-05-10 | Magnetblasenspeicher-bauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56069444A JPS57186287A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Magnetic bubble element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57186287A JPS57186287A (en) | 1982-11-16 |
| JPH0313673B2 true JPH0313673B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=13402810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56069444A Granted JPS57186287A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Magnetic bubble element |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4528645A (ja) |
| JP (1) | JPS57186287A (ja) |
| DE (1) | DE3217533A1 (ja) |
| GB (1) | GB2102224B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9285144B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-03-15 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Economizer for an intermittent absorption refrigeration system |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108085A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS58220290A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Hitachi Ltd | 磁気バブル素子 |
| JPS58224493A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Fujitsu Ltd | 磁気バルブメモリデバイス |
| JPS59162683A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリデバイス |
| US4769783A (en) * | 1984-12-03 | 1988-09-06 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| US4744052A (en) * | 1985-07-03 | 1988-05-10 | Hitachi, Ltd. | Hybrid magnetic bubble memory device |
| CN110017430A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-16 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种基于弱磁的海底管道双通道定点损伤监控系统 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740791A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Fujitsu Ltd | High-density bubble memory element |
| JPS5778693A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-17 | Nec Corp | Magnetic bubble memory element |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3828329A (en) * | 1972-07-24 | 1974-08-06 | Bell Telephone Labor Inc | Single wall domain propagation arrangement |
| US4040019A (en) * | 1974-08-23 | 1977-08-02 | Texas Instruments Incorporated | Ion implanted magnetic bubble memory device having major and minor rows |
| GB1527005A (en) * | 1975-12-31 | 1978-10-04 | Ibm | Method and apparatus for magnetic bubble storage |
| US4360904A (en) * | 1980-10-27 | 1982-11-23 | Rockwell International Corporation | Segmented stretcher detector for magnetic bubble domain devices |
-
1981
- 1981-05-11 JP JP56069444A patent/JPS57186287A/ja active Granted
-
1982
- 1982-05-05 US US06/375,344 patent/US4528645A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-05-06 GB GB08213084A patent/GB2102224B/en not_active Expired
- 1982-05-10 DE DE19823217533 patent/DE3217533A1/de active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740791A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Fujitsu Ltd | High-density bubble memory element |
| JPS5778693A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-17 | Nec Corp | Magnetic bubble memory element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9285144B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-03-15 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Economizer for an intermittent absorption refrigeration system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2102224B (en) | 1985-05-15 |
| JPS57186287A (en) | 1982-11-16 |
| US4528645A (en) | 1985-07-09 |
| DE3217533C2 (ja) | 1987-08-13 |
| GB2102224A (en) | 1983-01-26 |
| DE3217533A1 (de) | 1982-12-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3967002A (en) | Method for making high density magnetic bubble domain system | |
| JPH0313673B2 (ja) | ||
| US4164029A (en) | Apparatus for high density bubble storage | |
| US4247912A (en) | Magnetic bubble domain chip with enhanced propagation margins | |
| US4601013A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| EP0081215B1 (en) | Magnetic bubble memory | |
| US4164026A (en) | Contiguous element field access bubble lattice file | |
| US4122538A (en) | Single wall domain, stripe domain memory plane | |
| JPS6059669B2 (ja) | 高密度バブルメモリ素子 | |
| US4316263A (en) | Transfer and replication arrangement for magnetic bubble memory devices | |
| US4355373A (en) | Magnetic bubble memory | |
| US4271485A (en) | Bubble domain storage using improved transfer switch | |
| US4079359A (en) | Compact transfer replicate switch for magnetic single wall domain propagation circuits and method of making same | |
| US4584668A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS5824870B2 (ja) | 磁気バブル・ドメインの移動のための伝播構造体 | |
| US4156937A (en) | Noncirculating register for bubble memory systems | |
| EP0097524B1 (en) | Magnetic bubble memory device | |
| US4745578A (en) | Magnetic bubble memory device | |
| JPS608551B2 (ja) | 円筒磁区素子 | |
| JPS5916192A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPH0355910B2 (ja) | ||
| JPS6338796B2 (ja) | ||
| JPS6117066B2 (ja) | ||
| Washburn et al. | A multiplexed 4 Mbit bubble memory device | |
| JPS63205887A (ja) | イオン注入バブル転送路 |