JPS58146086A - ブロツク・リプリケ−タ - Google Patents
ブロツク・リプリケ−タInfo
- Publication number
- JPS58146086A JPS58146086A JP57027112A JP2711282A JPS58146086A JP S58146086 A JPS58146086 A JP S58146086A JP 57027112 A JP57027112 A JP 57027112A JP 2711282 A JP2711282 A JP 2711282A JP S58146086 A JPS58146086 A JP S58146086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubbles
- conductor
- minor
- magnetic
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン注入磁気バブルメモリ素子のブロック
・リプリケータＫｌｌする本のであるー従来、磁気パズ
ル素子において、磁気バブル（以下単にバブルと称する
）を転送させるため＃ｃｓＴパーバタン、ＹＹパタン、
あるいは非対称シェブロンバタンなど０形状のパーマロ
イ素片を磁性ガーネット上に形成して％Ａた（以下パー
マロイデバイスと称する）−シかし、このようなパーマ
ロイ転送バタン食用い友磁気バブル素子にかいては、バ
ブル径ｆ ２ ｓｍ程度以下に小さくする仁とは、バタ
ン管形成するリソグラフィ技術や駆動技術の点で大変困
−となってＩＩた。そこで、仁れＶ上の高密度磁気パズ
ル素子を得る方法としてイオン注入コンテイギュアス・
ディスク・パズル素子（以下ＣＤデバイスと称する）が
提案された。
・リプリケータＫｌｌする本のであるー従来、磁気パズ
ル素子において、磁気バブル（以下単にバブルと称する
）を転送させるため＃ｃｓＴパーバタン、ＹＹパタン、
あるいは非対称シェブロンバタンなど０形状のパーマロ
イ素片を磁性ガーネット上に形成して％Ａた（以下パー
マロイデバイスと称する）−シかし、このようなパーマ
ロイ転送バタン食用い友磁気バブル素子にかいては、バ
ブル径ｆ ２ ｓｍ程度以下に小さくする仁とは、バタ
ン管形成するリソグラフィ技術や駆動技術の点で大変困
−となってＩＩた。そこで、仁れＶ上の高密度磁気パズ
ル素子を得る方法としてイオン注入コンテイギュアス・
ディスク・パズル素子（以下ＣＤデバイスと称する）が
提案された。
イオン注入層による磁気バブルの転送に関する基本概念
は、ニー・アイ・ピー・コン７テレンス・プロシーデイ
ンダス（ム・！・Ｐ−伽＊ｆｅｒｅａｃｅＰｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｍ ）第１０号第３３９ページ（１９７３年）
にウェルフェらの論文として述べられている。１ｆｅ１
イオン注入磁気パズルメモリ素子の構成忙関しては、
ＩＢＭのリンらによるアイ・イー・イー・イー・トラン
プクシ１ンズ・オン・マグネティクス（ＩＩＩＢ Ｔｒ
ａｎｓ−ｏａ Ｍａｇａｅｔｉｃｓ ）第１５巻第１６
４２ぺ一−、＄（１９７９年）４’、 ベル研究所のネ
ルソンらによるザーベル・システム・テクニカル・ジャ
ーナル（Ｔｈｅ Ｂｅｌ ｌ ８ｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎｌｌ ）８１５９巻第２２９ペ
ージ（１９８０年）などの論文に詳しく述べられている
通りである。
は、ニー・アイ・ピー・コン７テレンス・プロシーデイ
ンダス（ム・！・Ｐ−伽＊ｆｅｒｅａｃｅＰｒｏｃｅｅ
ｄｉｎｇｍ ）第１０号第３３９ページ（１９７３年）
にウェルフェらの論文として述べられている。１ｆｅ１
イオン注入磁気パズルメモリ素子の構成忙関しては、
ＩＢＭのリンらによるアイ・イー・イー・イー・トラン
プクシ１ンズ・オン・マグネティクス（ＩＩＩＢ Ｔｒ
ａｎｓ−ｏａ Ｍａｇａｅｔｉｃｓ ）第１５巻第１６
４２ぺ一−、＄（１９７９年）４’、 ベル研究所のネ
ルソンらによるザーベル・システム・テクニカル・ジャ
ーナル（Ｔｈｅ Ｂｅｌ ｌ ８ｙｓｔｅｍ Ｔｅｃｈ
ｎｉｃａｌ Ｊｏｕｒｎｌｌ ）８１５９巻第２２９ペ
ージ（１９８０年）などの論文に詳しく述べられている
通りである。
従来、パー”ｆＱイデバイスでは、リプリケータおよび
ブロックリプリケータが種々−発され実用化されており
、素子のサイクルタイム短縮や信頼性の向上に役立って
いる。しかるに、ＣＤデバイスにおけるブロック・リプ
リケータは未開発であ九これｔ開発することは、ＣＤデ
バイスがパーマロイデバイスと同等の構成管達成する上
で重要な要因である。
ブロックリプリケータが種々−発され実用化されており
、素子のサイクルタイム短縮や信頼性の向上に役立って
いる。しかるに、ＣＤデバイスにおけるブロック・リプ
リケータは未開発であ九これｔ開発することは、ＣＤデ
バイスがパーマロイデバイスと同等の構成管達成する上
で重要な要因である。
本発明の目的は、新しく開発したコンテイギ。
アス・ディスク・ブロック・リプリケータを提供するこ
とＩＩＣある。
とＩＩＣある。
本発明によれば、磁気バブル會保持し得る単層または多
層の磁性膜に、イオン注入により磁気バブルを転送する
手段管形成したメジャー・マイナ一方式の磁気バブルメ
モリ素子において、メジャー・マイナーループ間に第１
の導体を各マイナーループごとに配置し、かつ前記第１
の導体に交差する帯状の第２の導体を復改のマイナール
ープにわたって絶縁層を介して配置したことを特徴とす
るブロック・リプリケータが得られる。
層の磁性膜に、イオン注入により磁気バブルを転送する
手段管形成したメジャー・マイナ一方式の磁気バブルメ
モリ素子において、メジャー・マイナーループ間に第１
の導体を各マイナーループごとに配置し、かつ前記第１
の導体に交差する帯状の第２の導体を復改のマイナール
ープにわたって絶縁層を介して配置したことを特徴とす
るブロック・リプリケータが得られる。
次に図面を参照して本発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すバタン配置図である。
イオン注入パタンの形成方法は公知である。イオン注入
により形成されたメジャー・ループｌＯとマイナールー
プ１１の間に、パ°プルを伸張させるための導体１と、
バブルを分割するための２本の平行導体２ｔ−互いに交
差するように別々の層に絶縁層ｙｈさんで配置して構成
される。
により形成されたメジャー・ループｌＯとマイナールー
プ１１の間に、パ°プルを伸張させるための導体１と、
バブルを分割するための２本の平行導体２ｔ−互いに交
差するように別々の層に絶縁層ｙｈさんで配置して構成
される。
次に本発明の動作層ｊｌｔ図を使って説明する・ｗｉ２
図（ａｌ Ｆｉ回転磁界ＨＲが矢印の方向に加わっ九と
きの状態を示す−このときメジャーループ１０％マイナ
ーループＩＩＫそれぞれチャーシト書ウオール２０．２
１が安定となる。各マイナールーズのバブル２２はチャ
ーシト・ウオール２１に引きっけられて動く、第２図（
ｂ）はバブル２２が伸張導体パタン１の位置にあるとき
、前記導体パーンＩＫ伸張電流１１１！流した状態を示
す、・前記電流１．ｍによる磁界の几めバブル２２は伸
張され、メジャーループ１０の近傍のチャーシト・ウオ
ール２０とマイナーループ１１の近傍のチャーシト・ウ
オール２１にま九がって安定となる。！＄！いて第２図
（ｃｌは第２図（ｂ）に示したバブル２２！、伸張した
状態で、前記伸張導体バタン１に交差するように配置さ
れた分割導体パター２＃Ｃ分割電流ＩＣ？流したときの
状態【示す６分割電流ｘｃｈ分割導体バタン２の内側に
バブル２２ｊ消す方向の磁界が発生するよう罠流す、こ
の磁界により各マイナーループで伸張式れたバブル２２
は％２つに分割されてバブル２２゜２３となる・次ｔｃ
＠２図（ｄ）ｉｆすべての電流１１１１Ｃ’ ｔ−切り
、２つに分割場ｆ′Ｌ７２１．バブル２３．２！がメジ
ャーループ１０．マイナーループ１１のそれぞれに発生
しているチャーシト・ウオール２０゜２１の位置で安定
となっ几ときの状態を示す一マイナーループ１１にはバ
ブル２２が−とのまま保存すれ、メジャーループ１０上
に各マイナーループに対応したバブル鵞３が得られろ、
したがって、一連のバブル２３ｔ−検出した後再びマイ
ナーループにもどす必要がない、このようｔｃｍ メジ
ャー・マイナーループ間に互いに交差するように２つの
導体パタンを配置し、伸張・分割の電流！流すことによ
り、バブルの一括分割が可能となる。
図（ａｌ Ｆｉ回転磁界ＨＲが矢印の方向に加わっ九と
きの状態を示す−このときメジャーループ１０％マイナ
ーループＩＩＫそれぞれチャーシト書ウオール２０．２
１が安定となる。各マイナールーズのバブル２２はチャ
ーシト・ウオール２１に引きっけられて動く、第２図（
ｂ）はバブル２２が伸張導体パタン１の位置にあるとき
、前記導体パーンＩＫ伸張電流１１１！流した状態を示
す、・前記電流１．ｍによる磁界の几めバブル２２は伸
張され、メジャーループ１０の近傍のチャーシト・ウオ
ール２０とマイナーループ１１の近傍のチャーシト・ウ
オール２１にま九がって安定となる。！＄！いて第２図
（ｃｌは第２図（ｂ）に示したバブル２２！、伸張した
状態で、前記伸張導体バタン１に交差するように配置さ
れた分割導体パター２＃Ｃ分割電流ＩＣ？流したときの
状態【示す６分割電流ｘｃｈ分割導体バタン２の内側に
バブル２２ｊ消す方向の磁界が発生するよう罠流す、こ
の磁界により各マイナーループで伸張式れたバブル２２
は％２つに分割されてバブル２２゜２３となる・次ｔｃ
＠２図（ｄ）ｉｆすべての電流１１１１Ｃ’ ｔ−切り
、２つに分割場ｆ′Ｌ７２１．バブル２３．２！がメジ
ャーループ１０．マイナーループ１１のそれぞれに発生
しているチャーシト・ウオール２０゜２１の位置で安定
となっ几ときの状態を示す一マイナーループ１１にはバ
ブル２２が−とのまま保存すれ、メジャーループ１０上
に各マイナーループに対応したバブル鵞３が得られろ、
したがって、一連のバブル２３ｔ−検出した後再びマイ
ナーループにもどす必要がない、このようｔｃｍ メジ
ャー・マイナーループ間に互いに交差するように２つの
導体パタンを配置し、伸張・分割の電流！流すことによ
り、バブルの一括分割が可能となる。
前記第２の導体パタンの本数は第１図のように２本に限
らず、一本で本有効である。また、この方法ではバブル
を伸張した状態に保持するのは、前記電流Ｉ８による磁
界であるため、パズルが伸張しにくい高いバイアス磁界
で４十分に動作が可能である。
らず、一本で本有効である。また、この方法ではバブル
を伸張した状態に保持するのは、前記電流Ｉ８による磁
界であるため、パズルが伸張しにくい高いバイアス磁界
で４十分に動作が可能である。
また、本実施例はマイナーループ上のバブルの消去器と
して本動作する。第２図（ａｌ Ｖｃ示す状態で、前記
伸張導体パタン１ｔＣ＠ｌ記伸張電流Ｉｓと逆の方向に
消去電流１人を流すと、前記導体パタン１による磁界の
ためパズルは消去される。
して本動作する。第２図（ａｌ Ｖｃ示す状態で、前記
伸張導体パタン１ｔＣ＠ｌ記伸張電流Ｉｓと逆の方向に
消去電流１人を流すと、前記導体パタン１による磁界の
ためパズルは消去される。
以上説明してきたＬ５に本発明を適用するならば、マイ
ナーループ上のバブル會一括分割するプロック・リプリ
ケータが得られる。さらに本発明は、実施例に示した円
形転送バタンのみならず。
ナーループ上のバブル會一括分割するプロック・リプリ
ケータが得られる。さらに本発明は、実施例に示した円
形転送バタンのみならず。
四角形、三角形その他の形状の転送バタン九対しても有
効である。
効である。
ＩＦＩＩ図は不発明の一実施例を示すバタン配置図、第
２図（畠１〜−）はｗｉ１図の動作金示す状態図である
・図において、ｌは伸張導体バタン、２は分割導体バタ
ン、１０１！メジヤーループ％ ｌｌａマイナーループ
、２０．２１はチャーシト・ウオール、２２．２３Ｆｉ
磁気バブルである。 才 １図 ｎ 第２Ｕ（Ｃ） 第２ ＩＩ （ｄ）
２図（畠１〜−）はｗｉ１図の動作金示す状態図である
・図において、ｌは伸張導体バタン、２は分割導体バタ
ン、１０１！メジヤーループ％ ｌｌａマイナーループ
、２０．２１はチャーシト・ウオール、２２．２３Ｆｉ
磁気バブルである。 才 １図 ｎ 第２Ｕ（Ｃ） 第２ ＩＩ （ｄ）
Claims (1)
- 磁気バブルを保持し得る単層または多層の磁性＠Ｖｔイ
オン注入により磁気バブル全転送する手段を形成したメ
ジｆ−・マイナ一方式の磁気パズルメモリ素子において
、メジャー・マイナーループ間に第１の導体を各マイナ
ーループごとに配置し、かつ前記第１の導体に交差する
帯状の第２の導体を複数のマイナーループにわたって絶
縁層を介して配置した仁とｔ特徴とするブロック・リプ
リケータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027112A JPS58146086A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ブロツク・リプリケ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027112A JPS58146086A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ブロツク・リプリケ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58146086A true JPS58146086A (ja) | 1983-08-31 |
Family
ID=12211983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57027112A Pending JPS58146086A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | ブロツク・リプリケ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58146086A (ja) |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP57027112A patent/JPS58146086A/ja active Pending
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