JPS6338572A - Ｐｖｄ法 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレーザビームを利用したＰＶＤ法、特に被膜
、粉末の形成の高能率化に関するものである。
、粉末の形成の高能率化に関するものである。
第４図は、従来のレーザビーム全利用したＰＶＤ法によ
るｔｌ！Ｉ膜形成方法の説明図であり、図において１は
密閉されたチャンバであり、チャンバ１は内部雰囲気を
不図示の真空ポンプで矢印２方向に吸引し真空とされて
いる。６はチャンバ１内に取付けられ、表面に被膜４ｔ
−形成する基材、５は基板３と対向して取付けられ級膜
４となる蒸発物質６を蒸発させるターゲット材、７は不
図示のレーザ発振器より出射されたレーザビームであり
、レーザビーム７はチャンバ１の透過窓８を経てターゲ
ット材５に照射される。
るｔｌ！Ｉ膜形成方法の説明図であり、図において１は
密閉されたチャンバであり、チャンバ１は内部雰囲気を
不図示の真空ポンプで矢印２方向に吸引し真空とされて
いる。６はチャンバ１内に取付けられ、表面に被膜４ｔ
−形成する基材、５は基板３と対向して取付けられ級膜
４となる蒸発物質６を蒸発させるターゲット材、７は不
図示のレーザ発振器より出射されたレーザビームであり
、レーザビーム７はチャンバ１の透過窓８を経てターゲ
ット材５に照射される。
上記のように溝成した従来の被膜形成方法においては、
ターゲット材５はレーザビーム７の照射により直接蒸発
させ、この蒸発し比蒸発物質６を基材３の表面に付着、
堆積せしめて所定の被膜４を形成している。
ターゲット材５はレーザビーム７の照射により直接蒸発
させ、この蒸発し比蒸発物質６を基材３の表面に付着、
堆積せしめて所定の被膜４を形成している。
上記従来のレーザビーム金利用した被膜形成方法におい
ては、ターゲット材５として金属材料を使用し次場合例
えば赤外波長のＣ０２レーザ（波長１０．６μｍ）ｔ−
照射すると、ターゲット材５のレーザビーム吸収率は約
５％以下であり、照肘エネルギの大部分は反射してし１
い、ターゲット材５の蒸発に利用できず、被膜形成の効
率が極めて低いというｒａａ逓Ａがあった。
ては、ターゲット材５として金属材料を使用し次場合例
えば赤外波長のＣ０２レーザ（波長１０．６μｍ）ｔ−
照射すると、ターゲット材５のレーザビーム吸収率は約
５％以下であり、照肘エネルギの大部分は反射してし１
い、ターゲット材５の蒸発に利用できず、被膜形成の効
率が極めて低いというｒａａ逓Ａがあった。
まｔ、蒸発物質乙の活性化が十分でないため、基材３と
被ｌＸＡ間の密着力が小さく、形成された被膜４のｕｔ
密性が欠けるという問題点もあった。
被ｌＸＡ間の密着力が小さく、形成された被膜４のｕｔ
密性が欠けるという問題点もあった。
この発明は、かかる間遁点を解決するためＫなされたも
のであシ、密着力の良好な被膜あるいは粉末を高能率で
形成できるＰＶＤ法を提案することを目的とするもので
ある。
のであシ、密着力の良好な被膜あるいは粉末を高能率で
形成できるＰＶＤ法を提案することを目的とするもので
ある。
この発明に係るＰＶＤ法は、ターゲット材の蒸発二手ル
ギ諒としてアーク単独もしくはアークとレーザビームの
併用！？！ｌ源を用いターゲット材を蒸発させ、蒸発し
た蒸発物質にレーザビームを照射して４発物質の被膜あ
るいは粉末全形成する。
ギ諒としてアーク単独もしくはアークとレーザビームの
併用！？！ｌ源を用いターゲット材を蒸発させ、蒸発し
た蒸発物質にレーザビームを照射して４発物質の被膜あ
るいは粉末全形成する。
この発明においてはターゲット材にアーク照射を行なう
ことによりターゲット材の熱吸収の向上を図ると共に、
蒸発した蒸発物質にレーザビームを照射し、蒸発物質の
活性状態を高める。
ことによりターゲット材の熱吸収の向上を図ると共に、
蒸発した蒸発物質にレーザビームを照射し、蒸発物質の
活性状態を高める。
ま九、ターゲット材にアーク照射を行ないさ−ａした金
ｌ！！にレーザビームを照射することによシ、レーザビ
ームの吸収凛を高める。
ｌ！！にレーザビームを照射することによシ、レーザビ
ームの吸収凛を高める。
第１図はこの発明の一実施例を示す慨略構成図であシ、
図ｆおいて１〜６は上記第４図に示した従来例と同じも
のである。９はターゲット材５にアーク１０を照射する
１！ｆｆｌ、１１はチャンバ１の透過窓１２１に介して
蒸発物質６に照射するレープビームである。
図ｆおいて１〜６は上記第４図に示した従来例と同じも
のである。９はターゲット材５にアーク１０を照射する
１！ｆｆｌ、１１はチャンバ１の透過窓１２１に介して
蒸発物質６に照射するレープビームである。
上記のように構成したＰＶＤ法において、まずターゲッ
ト材５に１！極９からアーク１０を照射する。ターゲッ
ト材５はアーク１０により溶融し、溶融部に′ｉ：＆能
率でアーク１０の熱エネルギ金吸収し、ターゲット材５
を蒸発させる。この蒸発１（より生じた蒸発物質６にレ
ーザビーム１１を照射する。蒸発物質６は微粒子化して
いるため、レーザビーム１１の有するエネルギを高能率
で吸収し、蒸発物質６のイオン化率等を高め蒸発物質６
の活性化を高める。
ト材５に１！極９からアーク１０を照射する。ターゲッ
ト材５はアーク１０により溶融し、溶融部に′ｉ：＆能
率でアーク１０の熱エネルギ金吸収し、ターゲット材５
を蒸発させる。この蒸発１（より生じた蒸発物質６にレ
ーザビーム１１を照射する。蒸発物質６は微粒子化して
いるため、レーザビーム１１の有するエネルギを高能率
で吸収し、蒸発物質６のイオン化率等を高め蒸発物質６
の活性化を高める。
このレーザビーム１１の照射により活性化が高められ九
蒸発９Ｊ質６が基板５表面上に付着し被膜４を形成する
。
蒸発９Ｊ質６が基板５表面上に付着し被膜４を形成する
。
以下、この実施例によシスチンレス鋼（ＳＯ８３０４）
からなる基材６の表面（被膜を形成した具体例を説明す
る。
からなる基材６の表面（被膜を形成した具体例を説明す
る。
〔具体例１〕
ターゲット材５として純Ｎｉ金ａｔ１を使用し、チャン
バ１内の雰囲気圧を３０Ｔｏｒｒに維持しながら、ター
ゲット材５を７−ク１０に対して７ノード側、電極？、
ｔカソード側とし、アークｔ［Ｅ７５人のアーク１０金
ターゲット材５に照射して蒸発物質６ｔ−発生させ、こ
の蒸発物質６に出力２ ＫＷのＣＯ２レーザ（波長１α
６μｍ）のレーザビーム１１を照射して、ステンレス漠
の基材６上に厚さ１５μｍのＮｉ被膜を形成した・ 基板３上に形成したＮ！ＭＭｒ調べ几結果、被膜はポロ
シティ、ピンホールの無い緻密な膜で形成されており、
蒸着速度も２ハツーとなり、ターゲット材５にレーザ照
射を行なつｔ従来例と比べ５倍に達した。なお、この具
体例の場合、蒸発物質６にレーザビーム１１ｔ−照射し
ないと蒸着速度が約Ａ）で低下し、被膜４と基材５Ｂの
密着力も低下した。
バ１内の雰囲気圧を３０Ｔｏｒｒに維持しながら、ター
ゲット材５を７−ク１０に対して７ノード側、電極？、
ｔカソード側とし、アークｔ［Ｅ７５人のアーク１０金
ターゲット材５に照射して蒸発物質６ｔ−発生させ、こ
の蒸発物質６に出力２ ＫＷのＣＯ２レーザ（波長１α
６μｍ）のレーザビーム１１を照射して、ステンレス漠
の基材６上に厚さ１５μｍのＮｉ被膜を形成した・ 基板３上に形成したＮ！ＭＭｒ調べ几結果、被膜はポロ
シティ、ピンホールの無い緻密な膜で形成されており、
蒸着速度も２ハツーとなり、ターゲット材５にレーザ照
射を行なつｔ従来例と比べ５倍に達した。なお、この具
体例の場合、蒸発物質６にレーザビーム１１ｔ−照射し
ないと蒸着速度が約Ａ）で低下し、被膜４と基材５Ｂの
密着力も低下した。
なお、上記実施例においては、ターゲット材５にアーク
１０のみを照射してターゲット材５ｔ−溶融、蒸発する
場合を示したが、第２図に示すようにターゲット材５Ｖ
ｃアーク１０とレーザビーム１．１ｂＱ照射することに
よジターゲット材５の蒸発速Ｉｆを高めることができる
。
１０のみを照射してターゲット材５ｔ−溶融、蒸発する
場合を示したが、第２図に示すようにターゲット材５Ｖ
ｃアーク１０とレーザビーム１．１ｂＱ照射することに
よジターゲット材５の蒸発速Ｉｆを高めることができる
。
第２図において１３はレーザビーム１１の一部を反射し
、残シを透過する部分反射鏡、１４は全反射鏡であシ、
部分反射鏡１６で反射したレーザビーム１１ａによシ蒸
発物質６の活性化ｔ−図シ、全反射鏡１４で反射したレ
ーザビーム１１ｂがアーク１０と共にターゲット材５を
蒸発させる。
、残シを透過する部分反射鏡、１４は全反射鏡であシ、
部分反射鏡１６で反射したレーザビーム１１ａによシ蒸
発物質６の活性化ｔ−図シ、全反射鏡１４で反射したレ
ーザビーム１１ｂがアーク１０と共にターゲット材５を
蒸発させる。
以下、＠２図に示した実施例を具体例により説明する。
〔具体例２〕
ターゲット材５として純Ｎｉ ＊ 属ｋ ｉ（用し、チ
ャンバ１内の雰囲気圧が３０ Ｔｏｒｒのもとでターゲ
ット材５条〔アーク電流７５Ａのアーク１０と出力２
ＫＷのＣＯ２レーザのレーザビーム１１ｂｔ″同時に照
射し、ステ／レス涌からなる基材３ＩＣ被膜４を形成し
た・ なおレーザビーム１１は部分圧１ｉ１４ｆｉ１３で蒸発
用と活性化用にそれぞれ５０％の比で分割した。
ャンバ１内の雰囲気圧が３０ Ｔｏｒｒのもとでターゲ
ット材５条〔アーク電流７５Ａのアーク１０と出力２
ＫＷのＣＯ２レーザのレーザビーム１１ｂｔ″同時に照
射し、ステ／レス涌からなる基材３ＩＣ被膜４を形成し
た・ なおレーザビーム１１は部分圧１ｉ１４ｆｉ１３で蒸発
用と活性化用にそれぞれ５０％の比で分割した。
上記条件で基材３上に厚さ２０μｍのＮｉ ＠ ｇ ｔ
−形成し、その被＠４の性状を調べた結果、緻密な被膜
が形成されているのが確ｌ召され、基材６と被Ｐ！Ｊ４
の密着力も７すＶ−以上であった。
−形成し、その被＠４の性状を調べた結果、緻密な被膜
が形成されているのが確ｌ召され、基材６と被Ｐ！Ｊ４
の密着力も７すＶ−以上であった。
また蒸Ｍ速度も８μ＠／Ｍとなり、アーク１０単独でタ
ーゲット材５を蒸発させた上ε具体例１と比し、ターゲ
ット材５の蒸発速度の著しい増大を図ることができ皮。
ーゲット材５を蒸発させた上ε具体例１と比し、ターゲ
ット材５の蒸発速度の著しい増大を図ることができ皮。
これは固体金属のレーザビーム吸収率が５係程度である
のに対し、アーク照射により溶融した全開が５０％以上
のレーザビーム吸収率を有するためでちる。
のに対し、アーク照射により溶融した全開が５０％以上
のレーザビーム吸収率を有するためでちる。
なお、この具体例において、蒸発物質６に活性化用のレ
ーザビーム１１ａ（ｉ−照射しないと蒸Ｎ速度は６μ７
Ｗ／／Ｊと低下し友。
ーザビーム１１ａ（ｉ−照射しないと蒸Ｎ速度は６μ７
Ｗ／／Ｊと低下し友。
さらに、上記６実ゐ例においては基材３にターゲット材
５と同一物質の被膜４を形成する場合について説明した
が、第１図及びツ■２図に示し几各実権例のアーク１０
の周囲にＮ２ガス等の反応性ガス金供給することにより
蒸発物質６の化合物を形成することができる。例えはＮ
２ガスの供給により蒸発物質６ｔ−窒化処理することが
できる。
５と同一物質の被膜４を形成する場合について説明した
が、第１図及びツ■２図に示し几各実権例のアーク１０
の周囲にＮ２ガス等の反応性ガス金供給することにより
蒸発物質６の化合物を形成することができる。例えはＮ
２ガスの供給により蒸発物質６ｔ−窒化処理することが
できる。
〔具体例３〕
第１図、第２図に示した実葎例の具体側１．具体例２と
各々同一条件のもとで、ターゲット材５として純Ｎｉ金
属全使用し、アーク１０のｆ［に沿ってＮ２ガスを流し
、このＮ２ガス全活性化して基板３上に厚さ２μｍの被
膜４全形成した＠この形成し念被膜４を調べた結果、被
膜４はＴｉＮからなることが明らかになった。ｆた、こ
の方法で形成した被１ｇｓ性ｔ−ｇＩ表に示す。
各々同一条件のもとで、ターゲット材５として純Ｎｉ金
属全使用し、アーク１０のｆ［に沿ってＮ２ガスを流し
、このＮ２ガス全活性化して基板３上に厚さ２μｍの被
膜４全形成した＠この形成し念被膜４を調べた結果、被
膜４はＴｉＮからなることが明らかになった。ｆた、こ
の方法で形成した被１ｇｓ性ｔ−ｇＩ表に示す。
第 １ 表
なお、上記各実施例は基板５ｔ−用い、基板３上に蒸発
物質６全蒸着して被膜４を形成し友場合を示したが基材
３を取り除けは蒸発物１１！６のは粉末も製造すること
ができる。
物質６全蒸着して被膜４を形成し友場合を示したが基材
３を取り除けは蒸発物１１！６のは粉末も製造すること
ができる。
第３図は微粉末を′Ｍ造する場合の概略Ｍ成図であシ、
図において第１図と同一符号は同一のもの全示し、１５
はチャンバ１内の排気孔１６に設けたフィルタである０ ターゲット材５から蒸発した蒸発物質６は不図示の真窒
引装置によるチャンバ１内の排％ｆｉによｐ排気孔１６
に級引されて、フィルタ１５に吸着し、蒸発物質６の微
粉末全形成する。以下、蒸発物質６の微粉末を製造する
場合の具体例により、この実施例をａＦＡする。
図において第１図と同一符号は同一のもの全示し、１５
はチャンバ１内の排気孔１６に設けたフィルタである０ ターゲット材５から蒸発した蒸発物質６は不図示の真窒
引装置によるチャンバ１内の排％ｆｉによｐ排気孔１６
に級引されて、フィルタ１５に吸着し、蒸発物質６の微
粉末全形成する。以下、蒸発物質６の微粉末を製造する
場合の具体例により、この実施例をａＦＡする。
〔具体例４〕
ターゲット材５として純Ｎｉ金属全使用し、チャンバ１
内２￥囲気圧ｆ ５０ Ｔｏｒｒに保持しながら、ター
ゲット材５にアーク電流７５Ａのアーク１０と出力３
ＫＷのＣＯ２レーザのレーザビーム１１ａｔ同時に照射
した。この結果得られた象粉末を調べた結果粒径５０〜
１２０ｎｍの超微粉であった。
内２￥囲気圧ｆ ５０ Ｔｏｒｒに保持しながら、ター
ゲット材５にアーク電流７５Ａのアーク１０と出力３
ＫＷのＣＯ２レーザのレーザビーム１１ａｔ同時に照射
した。この結果得られた象粉末を調べた結果粒径５０〜
１２０ｎｍの超微粉であった。
〔具体９１５〕
また、ターゲット材５としてＳｉ金用い、チャンバ１内
の雰囲気圧′ｔ−５０Ｔｏｒｒに保持しアーク’ｆｂＥ
７５Ａツアー１１０ トｌｆｊ力２．５ＫＷノｃｏ２レ
ーザのレーザビーム１１ｂｌターゲツ）材５１Ｃ照射し
、かつアーク１０のＩＩＪｌｌｌｌＩに甜、ガスを供給
しながら、蒸発した蒸発物質６に活性化用レーザとして
１．５ ＫＷのレーザビーム１１ａ’ｉ照射して４発物
質６の微粉末ｔ−製造した。この結果、粒径６０〜１０
０ ｎｍの別３Ｎ４の微微粉を高能率で合成することが
できた〇 〔発明の効果〕 この発明は以上Ｉ！明したようにターゲット材にアーク
を照射することにより、ターゲット材の熱吸収の向上全
図ると共にターゲット材から蒸発した蒸発物質にレーザ
ビームを照射し、蒸発物質の活注状協ヲ高めることがで
きるから、破膜および粉末を高能率で形成することがで
きる効果を存する。
の雰囲気圧′ｔ−５０Ｔｏｒｒに保持しアーク’ｆｂＥ
７５Ａツアー１１０ トｌｆｊ力２．５ＫＷノｃｏ２レ
ーザのレーザビーム１１ｂｌターゲツ）材５１Ｃ照射し
、かつアーク１０のＩＩＪｌｌｌｌＩに甜、ガスを供給
しながら、蒸発した蒸発物質６に活性化用レーザとして
１．５ ＫＷのレーザビーム１１ａ’ｉ照射して４発物
質６の微粉末ｔ−製造した。この結果、粒径６０〜１０
０ ｎｍの別３Ｎ４の微微粉を高能率で合成することが
できた〇 〔発明の効果〕 この発明は以上Ｉ！明したようにターゲット材にアーク
を照射することにより、ターゲット材の熱吸収の向上全
図ると共にターゲット材から蒸発した蒸発物質にレーザ
ビームを照射し、蒸発物質の活注状協ヲ高めることがで
きるから、破膜および粉末を高能率で形成することがで
きる効果を存する。
ぢらに、ターゲット材にアーク照射と共にレーザビーム
照射ｔ−行なうことＫより、ターゲット材のレーザビー
ム吸収′４を高めることができるから、被膜および粉末
の形ｇ連［１−よシ高めることができる効果を有する。
照射ｔ−行なうことＫより、ターゲット材のレーザビー
ム吸収′４を高めることができるから、被膜および粉末
の形ｇ連［１−よシ高めることができる効果を有する。
第１図はこの発明の実施例を示す後略Ｍ成因、第２図は
この発明の第２の実施例を示す概略構成図、第６図はこ
の発明の第６の実施例を示す概略構ＪＲ図、第４図は従
来のＰＶＤ法を示す説明図である。 １・・・チャンバ、６・・・基材、４・・・被膜、５・
・・ターゲット材、６・・・蒸発物質、７，１１，１１
ａ。 １１ｂ・・・レーザビーム、９・・・ワイヤ屯ｋ、１［
Ｊ・・・アーク、１６・・・部分反射視、１４・・・全
反射鏡、１５・・・フィルタ。 代理人 弁珪士 佐 藤 正 年 第１図 拘 ）： 紛 第３図 １５：フィルタ 第２図 質 １３：部分反ｌけ屯 レーデビーム１４：企反村命ヒ ！４図
この発明の第２の実施例を示す概略構成図、第６図はこ
の発明の第６の実施例を示す概略構ＪＲ図、第４図は従
来のＰＶＤ法を示す説明図である。 １・・・チャンバ、６・・・基材、４・・・被膜、５・
・・ターゲット材、６・・・蒸発物質、７，１１，１１
ａ。 １１ｂ・・・レーザビーム、９・・・ワイヤ屯ｋ、１［
Ｊ・・・アーク、１６・・・部分反射視、１４・・・全
反射鏡、１５・・・フィルタ。 代理人 弁珪士 佐 藤 正 年 第１図 拘 ）： 紛 第３図 １５：フィルタ 第２図 質 １３：部分反ｌけ屯 レーデビーム１４：企反村命ヒ ！４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ターゲット材を蒸発させて、基材表面に蒸発物質の被
膜あるいは粉末を形成するＰＶＤ法において、 上記ターゲット材の蒸発エネルギ源としてアーク単独も
しくはアークとレーザビームの併用熱源を用いターゲッ
ト材を蒸発させ、蒸発した蒸発物質にレーザビームを照
射して蒸発物質の被膜あるいは粉末を形成することを特
徴とするＰＶＤ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18199186A JPS6338572A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | Ｐｖｄ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18199186A JPS6338572A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | Ｐｖｄ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338572A true JPS6338572A (ja) | 1988-02-19 |
Family
ID=16110411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18199186A Pending JPS6338572A (ja) | 1986-08-04 | 1986-08-04 | Ｐｖｄ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6338572A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009005484A1 (fr) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | State Enterprise 'international Center For Electron Beam Technologies Of E.O. Paton Electric Welding Institute Of National Academy Of Sciences Of Ukraine' | Procédé de fabrication de nanoparticules destinées aux ferrofluides au moyen de l'évaporation par faisceau d'électrons et par condensation dans le vide, procédé de fabrication de ferrofluide et ferrofluide ainsi obtenu |
-
1986
- 1986-08-04 JP JP18199186A patent/JPS6338572A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009005484A1 (fr) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | State Enterprise 'international Center For Electron Beam Technologies Of E.O. Paton Electric Welding Institute Of National Academy Of Sciences Of Ukraine' | Procédé de fabrication de nanoparticules destinées aux ferrofluides au moyen de l'évaporation par faisceau d'électrons et par condensation dans le vide, procédé de fabrication de ferrofluide et ferrofluide ainsi obtenu |
| US8137459B2 (en) | 2007-07-04 | 2012-03-20 | State Enterprise “International Center For Electron Beam Technologies of E.O. Paton Electric Welding Institute of National Academy of Sciences of Ukraine” | Method for producing nanoparticles for magnetic fluids by electron-beam evaporation and condensation in vacuum, a magnetic fluid producing method and magnetic fluid produced according to said method |
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