JPS6337893B2 - - Google Patents
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- JPS6337893B2 JPS6337893B2 JP55104049A JP10404980A JPS6337893B2 JP S6337893 B2 JPS6337893 B2 JP S6337893B2 JP 55104049 A JP55104049 A JP 55104049A JP 10404980 A JP10404980 A JP 10404980A JP S6337893 B2 JPS6337893 B2 JP S6337893B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば三元触媒を使用したフイード
バツク方式の排気ガス浄化システムに採用して好
都合なガス成分検出器に関するものである。
バツク方式の排気ガス浄化システムに採用して好
都合なガス成分検出器に関するものである。
従来、例えば内燃機関の空燃比を検出する方式
の１つとして排気ガス成分に感応するTiO2（二酸
化チタン）等の金属酸化物よりなるガス検出素子
を用い、これの電気抵抗値の変化を検出する方法
がある。従来のガス検出器のガス検出素子部は第
１図ア〜ウのような形状になつている。即ち、ガ
ス雰囲気変化により電気抵抗値変化を検出するた
めの一対の白金等よりなる電極２ａ、触媒が担持
されている酸化チタン等の金属酸化物焼結体のガ
ス検出素子１、およびガス検出素子１の電極２ａ
を通す一対の同一径の貫通穴３ａを有した筒状セ
ラミツクス体３を備えており、この筒状セラミツ
クス体３にはガス成分検出素子１を保持する溝３
ｃおよび排気ガスがガス検出素子１にあたるよう
にした溝３ｂを設けられており、第１図アのよう
にガス検出素子１が収納される。
の１つとして排気ガス成分に感応するTiO2（二酸
化チタン）等の金属酸化物よりなるガス検出素子
を用い、これの電気抵抗値の変化を検出する方法
がある。従来のガス検出器のガス検出素子部は第
１図ア〜ウのような形状になつている。即ち、ガ
ス雰囲気変化により電気抵抗値変化を検出するた
めの一対の白金等よりなる電極２ａ、触媒が担持
されている酸化チタン等の金属酸化物焼結体のガ
ス検出素子１、およびガス検出素子１の電極２ａ
を通す一対の同一径の貫通穴３ａを有した筒状セ
ラミツクス体３を備えており、この筒状セラミツ
クス体３にはガス成分検出素子１を保持する溝３
ｃおよび排気ガスがガス検出素子１にあたるよう
にした溝３ｂを設けられており、第１図アのよう
にガス検出素子１が収納される。
例えば、三元触媒を使用したフイードバツク方
式の排気ガス浄化システムの場合、排気ガス中の
有害成分であるCO、HC、NOxを同時に浄化す
るために空燃比（Ａ／Ｆ）を理論空燃比に制御す
る。しかしながら、機関の始動暖機時、高負荷が
必要な時などにドライバビリテイなどを考慮して
空燃比を過濃（リツチ）にする場合がある。この
ような場合、とくに低温でスス（カーボン）が排
気ガス中に多量に発生し、ガス検出素子１の表面
に付着するという事実を発見した。
式の排気ガス浄化システムの場合、排気ガス中の
有害成分であるCO、HC、NOxを同時に浄化す
るために空燃比（Ａ／Ｆ）を理論空燃比に制御す
る。しかしながら、機関の始動暖機時、高負荷が
必要な時などにドライバビリテイなどを考慮して
空燃比を過濃（リツチ）にする場合がある。この
ような場合、とくに低温でスス（カーボン）が排
気ガス中に多量に発生し、ガス検出素子１の表面
に付着するという事実を発見した。
即ち、第１図エ及び第１図オに示したようにカ
ーボン等の導電性物質１ａが表面に付着すると、
付着物１ａの抵抗がガス検出素子１の抵抗に並列
に入るようになり、その結果第１図カに示した等
価回路を形成し、ガス検出素子の電極２ａ間にリ
ーク電流が生ずる。従つて、ガス検出素子１の示
す電気抵抗値を正しく検出できないという不具合
があつた。ここに、第１図カのRsはガス検出素
子１の抵抗、Rcは付着物１ａの抵抗、Rrは基準
抵抗である。
ーボン等の導電性物質１ａが表面に付着すると、
付着物１ａの抵抗がガス検出素子１の抵抗に並列
に入るようになり、その結果第１図カに示した等
価回路を形成し、ガス検出素子の電極２ａ間にリ
ーク電流が生ずる。従つて、ガス検出素子１の示
す電気抵抗値を正しく検出できないという不具合
があつた。ここに、第１図カのRsはガス検出素
子１の抵抗、Rcは付着物１ａの抵抗、Rrは基準
抵抗である。
又、ガス検出素子１の電気抵抗値を取出す一対
の電極２ａは、耐熱性、耐薬品性等を考慮して、
Pt、pt−Ph合金などの貴金属の材料が採用され
ている。又、このような材料であつても、線径が
細いと耐久性に乏しく通常0.5mm程度のものが使
用されている。しかしながら、これらの材料は非
常に高価であるため、ガス成分検出器全体のコス
ト高の大きな要因でもあつた。
の電極２ａは、耐熱性、耐薬品性等を考慮して、
Pt、pt−Ph合金などの貴金属の材料が採用され
ている。又、このような材料であつても、線径が
細いと耐久性に乏しく通常0.5mm程度のものが使
用されている。しかしながら、これらの材料は非
常に高価であるため、ガス成分検出器全体のコス
ト高の大きな要因でもあつた。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、
一対の電極の表面及び、この一対の電極とガス検
出素子との接続部の表面に、絶縁性を有しかつガ
ス不浸透性の膜を形成させることによつて、カー
ボン等による電気信号の狂い、電極の熱、カーボ
ン、雰囲気による劣化、折損を防止し、耐久性の
あるガス成分検出器を提供することを目的とす
る。
一対の電極の表面及び、この一対の電極とガス検
出素子との接続部の表面に、絶縁性を有しかつガ
ス不浸透性の膜を形成させることによつて、カー
ボン等による電気信号の狂い、電極の熱、カーボ
ン、雰囲気による劣化、折損を防止し、耐久性の
あるガス成分検出器を提供することを目的とす
る。
以上本発明を図に示す実施例について説明す
る。第２図乃至第４図において、１は酸化チタ
ン、酸化スズ等の金属酸化物焼結体よりなる検出
素子で触媒が担持してある。２ａは検出素子１に
埋設されている一対の白金等よりなる電極、２ｂ
は電極２ａに溶接されて電気的に接続導通してい
るステンレス等の耐熱性金属よりなる一対のサブ
リード線、３は前記電極２ａおよびサブリード線
２ｂが挿入される一対の細い同一径の貫通穴３ａ
を有し、ほぼ中央付近で外径が大きくなつている
部分を有している筒状セラミツク体で、アルミナ
等の耐熱かつ電気絶縁性セラミツクで構成してあ
る。このセラミツク体３の検出素子側には、検出
素子１を保持する溝３ｂ、および排気ガスが検出
素子１に当たるようにした溝３ｃが設けてある。
る。第２図乃至第４図において、１は酸化チタ
ン、酸化スズ等の金属酸化物焼結体よりなる検出
素子で触媒が担持してある。２ａは検出素子１に
埋設されている一対の白金等よりなる電極、２ｂ
は電極２ａに溶接されて電気的に接続導通してい
るステンレス等の耐熱性金属よりなる一対のサブ
リード線、３は前記電極２ａおよびサブリード線
２ｂが挿入される一対の細い同一径の貫通穴３ａ
を有し、ほぼ中央付近で外径が大きくなつている
部分を有している筒状セラミツク体で、アルミナ
等の耐熱かつ電気絶縁性セラミツクで構成してあ
る。このセラミツク体３の検出素子側には、検出
素子１を保持する溝３ｂ、および排気ガスが検出
素子１に当たるようにした溝３ｃが設けてある。
２ｃは耐熱性、絶縁性かつガス不浸透性の例え
ばガラス等よりなる膜で、検出素子１の底部即
ち、電極２ａと検出素子１とが接触している部分
で、電極２ａ間に電極２ａを囲むようにつけられ
ている。又、膜２ｃには排気ガスと接触する電極
２ａの表面にもつけられる。この膜２ｃを検出素
子１、電極２ａにつける方法は、例えばZrO−
B2O3系ガラスペーストをスプレーガンによつて
噴霧付着させる。もちろん付着させない部分には
テープ等のマスキングを施しておく。次に、テー
プを除き、乾燥後約850℃で焼成することによつ
て膜２ｃを形成することができる。
ばガラス等よりなる膜で、検出素子１の底部即
ち、電極２ａと検出素子１とが接触している部分
で、電極２ａ間に電極２ａを囲むようにつけられ
ている。又、膜２ｃには排気ガスと接触する電極
２ａの表面にもつけられる。この膜２ｃを検出素
子１、電極２ａにつける方法は、例えばZrO−
B2O3系ガラスペーストをスプレーガンによつて
噴霧付着させる。もちろん付着させない部分には
テープ等のマスキングを施しておく。次に、テー
プを除き、乾燥後約850℃で焼成することによつ
て膜２ｃを形成することができる。
５はパイプで、パイプ５はハウジング４を介し
て排気管（図示しない）に接続され、上記導電体
３ｄは電源の接地側（−）にハウジング４、排気
管を介して接地される。上記パイプ５はハウジン
グ４に溶接固定してあり、ともに耐熱耐食性金属
で構成してある。なお、パイプ５には排気ガス通
過用の穴５ａが設けてある。６は無機質のガラス
シール剤であり、セラミツク体３とパイプ５との
間に、セラミツク体３の貫通穴３ａの開口部を塞
ぐよう充填されており、固化状態になつている。
このガラスシール剤６により排気ガスのシールお
よびサブリード線２ｂの絶縁固定が確保されてい
る。７はアルミナ、マグネシウム等の粉末で、サ
ブリード線２ｂ間の固定、電気絶縁性を保つもの
である。８は耐熱性金属のパイプで、前記パイプ
５に溶接固定されている。９は前記サブリード線
２ｂと溶接によつて接続導通している一対のリー
ド線で、このリード線９の外側にはガラスウール
あるいは耐熱性ゴム等の耐熱電気絶縁材質より成
るカバー１０がかぶせてあり、更にこのカバー１
０には同材質の他のカバー１１がかぶせてあつ
て、リード線９の互いは電気的に絶縁されてい
る。１２は耐熱性金属を編んだカバーで、前記カ
バー１１の外側にかぶせてある。このカバー１２
はパイプ８の端部を８ａのごとくかしめることに
よりこのパイプ８に固定されている。なお、パイ
プ５の端部は５ｃのごとくかしめており、内部の
電気絶縁粉末７の充填密度を高めている。１３は
スミセラム（商品名）等の無機接着剤で、セラミ
ツク体３とパイプ５との間に注入固化してあり、
これにより両者は強く固定される。１４は接着剤
１３を圧縮するための耐熱金属リングである。１
５はパイプ８内において、パイプ５とリード線９
の最外カバー１２との間に配置したシリコンゴム
等の耐熱ゴムである。なお、パイプ８とハウジン
グ４とは符号１６の部分で溶接固定してある。
て排気管（図示しない）に接続され、上記導電体
３ｄは電源の接地側（−）にハウジング４、排気
管を介して接地される。上記パイプ５はハウジン
グ４に溶接固定してあり、ともに耐熱耐食性金属
で構成してある。なお、パイプ５には排気ガス通
過用の穴５ａが設けてある。６は無機質のガラス
シール剤であり、セラミツク体３とパイプ５との
間に、セラミツク体３の貫通穴３ａの開口部を塞
ぐよう充填されており、固化状態になつている。
このガラスシール剤６により排気ガスのシールお
よびサブリード線２ｂの絶縁固定が確保されてい
る。７はアルミナ、マグネシウム等の粉末で、サ
ブリード線２ｂ間の固定、電気絶縁性を保つもの
である。８は耐熱性金属のパイプで、前記パイプ
５に溶接固定されている。９は前記サブリード線
２ｂと溶接によつて接続導通している一対のリー
ド線で、このリード線９の外側にはガラスウール
あるいは耐熱性ゴム等の耐熱電気絶縁材質より成
るカバー１０がかぶせてあり、更にこのカバー１
０には同材質の他のカバー１１がかぶせてあつ
て、リード線９の互いは電気的に絶縁されてい
る。１２は耐熱性金属を編んだカバーで、前記カ
バー１１の外側にかぶせてある。このカバー１２
はパイプ８の端部を８ａのごとくかしめることに
よりこのパイプ８に固定されている。なお、パイ
プ５の端部は５ｃのごとくかしめており、内部の
電気絶縁粉末７の充填密度を高めている。１３は
スミセラム（商品名）等の無機接着剤で、セラミ
ツク体３とパイプ５との間に注入固化してあり、
これにより両者は強く固定される。１４は接着剤
１３を圧縮するための耐熱金属リングである。１
５はパイプ８内において、パイプ５とリード線９
の最外カバー１２との間に配置したシリコンゴム
等の耐熱ゴムである。なお、パイプ８とハウジン
グ４とは符号１６の部分で溶接固定してある。
上記構成において、カーボン等の導電性物質が
発生した場合、検出素子１の膜２ｃの形成されて
いない部分にはカーボンが堆積し、検出素子１の
内部へも侵入するが、電極２ａ間には、耐熱性で
絶縁性があり、かつ実質的にガス不浸透性の膜２
ｃが形成されているので、カーボン等の導電性物
質が堆積したり、内部へ侵入することが少なく、
電極２ａ間にはリーク電流は流れず、従つて検出
素子１の電気抵抗値が低下することがない。又、
電極２ａの表面でガスと接触する可能性のある部
分すなわち露出部には膜２ｃが形成されているの
で、腐食性ガス、酸化還元ガスの影響を受けるこ
とが少なく、さらに電極材料とカーボンとの反応
による劣化もなく、従つて折損等による不良もな
い。
発生した場合、検出素子１の膜２ｃの形成されて
いない部分にはカーボンが堆積し、検出素子１の
内部へも侵入するが、電極２ａ間には、耐熱性で
絶縁性があり、かつ実質的にガス不浸透性の膜２
ｃが形成されているので、カーボン等の導電性物
質が堆積したり、内部へ侵入することが少なく、
電極２ａ間にはリーク電流は流れず、従つて検出
素子１の電気抵抗値が低下することがない。又、
電極２ａの表面でガスと接触する可能性のある部
分すなわち露出部には膜２ｃが形成されているの
で、腐食性ガス、酸化還元ガスの影響を受けるこ
とが少なく、さらに電極材料とカーボンとの反応
による劣化もなく、従つて折損等による不良もな
い。
第５図に本発明の他の実施例を示す。電極２ａ
にはNi−Cr合金よりなり、膜２ｃはアルミナを
主成分とする緻密なガス不浸透性の耐熱電気絶縁
性材料で、ペースト状にしてから各部へ塗布し、
高温で焼成することによつて形成されている。
又、電極２ａ間の中心には膜２ｃは形成されてお
らず電極２ａの露出部と検出素子１への電極２ａ
の周囲にのみ形成されている。
にはNi−Cr合金よりなり、膜２ｃはアルミナを
主成分とする緻密なガス不浸透性の耐熱電気絶縁
性材料で、ペースト状にしてから各部へ塗布し、
高温で焼成することによつて形成されている。
又、電極２ａ間の中心には膜２ｃは形成されてお
らず電極２ａの露出部と検出素子１への電極２ａ
の周囲にのみ形成されている。
第６図は、電極２ａ、検出素子１へそれぞれ材
質の異なる絶縁性かつガス不浸透性である膜２
ｃ，２ｄを形成させた本発明の他の実施例を示す
ものである。膜２ｃはスピネルからなり、プラズ
マ溶射等の方法によつて、あらかじめ（成形前）
形成しておく、次に膜２ｃが形成された電極２ａ
の露出部を用いて検出素子１の粉末成形し焼成す
る。その後、SiO2−Al2O3−CaO系粉末ガラスを
スプレー法で検出素子１部へ塗布し、約900℃で
焼成することによつて膜２ｄを形成した。なお、
電極２ａはFe−Ni−Co系合金、検出素子１は
CoO−AgO系である。
質の異なる絶縁性かつガス不浸透性である膜２
ｃ，２ｄを形成させた本発明の他の実施例を示す
ものである。膜２ｃはスピネルからなり、プラズ
マ溶射等の方法によつて、あらかじめ（成形前）
形成しておく、次に膜２ｃが形成された電極２ａ
の露出部を用いて検出素子１の粉末成形し焼成す
る。その後、SiO2−Al2O3−CaO系粉末ガラスを
スプレー法で検出素子１部へ塗布し、約900℃で
焼成することによつて膜２ｄを形成した。なお、
電極２ａはFe−Ni−Co系合金、検出素子１は
CoO−AgO系である。
なお、各実施例の膜の厚みは、膜の材質、電
極、検出素子の材質によつて異なるが通常0.001
〜１mm、好ましくは0.005〜0.1mmが望ましい。厚
みが薄すぎると効果が損われ、逆に厚すぎると付
着強度が低下する。また、本発明におけるガス検
出素子の材料は上述の酸化チタン、酸化スズ、酸
化コバルトに限定される、酸化ニオブ、酸化ジル
コニウム、酸化ジルコニウム−酸化イツトリウム
固溶体等、ガス成分に応じた電気信号を示すもの
であればよい。
極、検出素子の材質によつて異なるが通常0.001
〜１mm、好ましくは0.005〜0.1mmが望ましい。厚
みが薄すぎると効果が損われ、逆に厚すぎると付
着強度が低下する。また、本発明におけるガス検
出素子の材料は上述の酸化チタン、酸化スズ、酸
化コバルトに限定される、酸化ニオブ、酸化ジル
コニウム、酸化ジルコニウム−酸化イツトリウム
固溶体等、ガス成分に応じた電気信号を示すもの
であればよい。
以上述べたごとく、本発明は一対の電極２ａの
露出部およびこの電極２ａと検出素子１との接触
部に、絶縁性かつガス不浸透性の膜を形成させた
から、カーボン等の導電性物質が検出素子１の表
面に堆積したり、内部へ侵入することによる電極
２ａ間に生じるリーク電流を防ぐことができ、従
つて検出素子１の示す電極信号を正しく検出でき
る効果を有する。
露出部およびこの電極２ａと検出素子１との接触
部に、絶縁性かつガス不浸透性の膜を形成させた
から、カーボン等の導電性物質が検出素子１の表
面に堆積したり、内部へ侵入することによる電極
２ａ間に生じるリーク電流を防ぐことができ、従
つて検出素子１の示す電極信号を正しく検出でき
る効果を有する。
又、電極２ａの露出部にも絶縁性かつガス不浸
透性の膜を形成させたから、検出ガス中の腐食性
のガスや、カーボン等による電極２ａの劣化が少
なく、従つて耐久性を向上させる効果を有する。
さらに、従来電極２ａとしては耐久性を考慮して
Pt、Pt−Rh合金等で比較的太い（φ0.5mm程度）
線形のものを使用していたが、もつと細いものを
使用することが可能になり、又、安価な材料を用
いることが可能になり、従つて、低コストで製作
できる効果も有する。
透性の膜を形成させたから、検出ガス中の腐食性
のガスや、カーボン等による電極２ａの劣化が少
なく、従つて耐久性を向上させる効果を有する。
さらに、従来電極２ａとしては耐久性を考慮して
Pt、Pt−Rh合金等で比較的太い（φ0.5mm程度）
線形のものを使用していたが、もつと細いものを
使用することが可能になり、又、安価な材料を用
いることが可能になり、従つて、低コストで製作
できる効果も有する。
第１図ア乃至第１図カは従来の説明に供するも
ので第１図アはセラミツク体とガス検出素子との
取付状態を示す斜視図、第１図イはガス検出素子
を示す正面図、第１図ウはセラミツク体３の底面
図、第１図エはセラミツク体にカーボン等が付着
した状態を示す正面図、第１図オは第１図エの底
面図、第１図カは第１図エの場合の等価回路図、
第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図
は第２図の部分拡大断面図、第４図アは第３図の
ガス検出素子を示す正面図、第４図イは第４図ア
の底面図、第５図アは本発明の他の実施例を示す
正面図、第５図イは第５図アの底面図、第６図ア
は本発明の他の実施例を示す正面図、第６図イは
第６図アの底面図である。 １……ガス検出素子、２ａ……電極、２ｃ，２
ｄ……膜、３……セラミツク体、３ａ……貫通
穴。
ので第１図アはセラミツク体とガス検出素子との
取付状態を示す斜視図、第１図イはガス検出素子
を示す正面図、第１図ウはセラミツク体３の底面
図、第１図エはセラミツク体にカーボン等が付着
した状態を示す正面図、第１図オは第１図エの底
面図、第１図カは第１図エの場合の等価回路図、
第２図は本発明の一実施例を示す断面図、第３図
は第２図の部分拡大断面図、第４図アは第３図の
ガス検出素子を示す正面図、第４図イは第４図ア
の底面図、第５図アは本発明の他の実施例を示す
正面図、第５図イは第５図アの底面図、第６図ア
は本発明の他の実施例を示す正面図、第６図イは
第６図アの底面図である。 １……ガス検出素子、２ａ……電極、２ｃ，２
ｄ……膜、３……セラミツク体、３ａ……貫通
穴。
Claims (1)
- １ 検出ガス中のガス成分に応じた電気信号を示
すガス検出素子と、このガス検出素子に一部が埋
設され、前記ガス検出素子の電気信号を取り出す
一対の電極とを備え、前記電極の露出部ならびに
前記電極と前記ガス検出素子との接触部に、絶縁
性を有しかつガス不浸透性の膜を形成させること
により前記一対の電極間を前記露出部ならびに前
記接触部において実質上絶縁したことを特徴とす
るガス成分検出器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10404980A JPS5728241A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Gas component detector |
| US06/286,346 US4478067A (en) | 1980-07-28 | 1981-07-23 | Gas composition sensor |
| DE3129107A DE3129107C2 (de) | 1980-07-28 | 1981-07-23 | Sensor zur Messung der Zusammensetzung eines Gases |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10404980A JPS5728241A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Gas component detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5728241A JPS5728241A (en) | 1982-02-15 |
| JPS6337893B2 true JPS6337893B2 (ja) | 1988-07-27 |
Family
ID=14370352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10404980A Granted JPS5728241A (en) | 1980-07-28 | 1980-07-28 | Gas component detector |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4478067A (ja) |
| JP (1) | JPS5728241A (ja) |
| DE (1) | DE3129107C2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3920849A1 (de) * | 1989-06-24 | 1991-01-10 | Process Electronic Analyse Und | Messfuehler zur bestimmung des c-pegels von ofenatmosphaeren |
| KR100493144B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2005-08-04 | 삼성전기주식회사 | 산소센서및그제조방법 |
| DE19814503A1 (de) * | 1998-04-01 | 1999-10-07 | Bosch Gmbh Robert | Dichtungsanordnung für ein Sensorelement eines Gas-Sensors |
| EP2264443A1 (en) * | 1999-10-27 | 2010-12-22 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Oxygen sensor and method for manufacturing sensor element |
| US6579030B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-06-17 | Arvinmeritor, Inc. | Sensor mount assembly |
| DE10319664A1 (de) * | 2003-05-02 | 2004-11-18 | Robert Bosch Gmbh | Sensor zur Detektion von Teilchen |
| JP4902975B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2012-03-21 | パーパス株式会社 | ドレン排出方法、ドレン排出装置及び熱源装置 |
| JP4895173B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2012-03-14 | 株式会社パロマ | 給湯器 |
| JP4721108B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2011-07-13 | 株式会社パロマ | 給湯器 |
| JP4758724B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2011-08-31 | 株式会社パロマ | 給湯器 |
| US8147667B2 (en) | 2006-12-20 | 2012-04-03 | Robert Bosch Gmbh | Exhaust gas sensor and method of manufacture |
| US9482125B2 (en) * | 2010-09-14 | 2016-11-01 | GM Global Technology Operations LLC | Particulate filter and hydrocarbon adsorber bypass systems |
| US9297791B2 (en) | 2012-12-20 | 2016-03-29 | Robert Bosch Gmbh | Gas sensor with thermal shock protection |
| USD953183S1 (en) | 2019-11-01 | 2022-05-31 | Nvent Services Gmbh | Fuel sensor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5599055A (en) * | 1979-01-22 | 1980-07-28 | Ford Motor Co | Improved exhaust gas oxygen sensor |
| JPS568536A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas component detecting elenent |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5010678B1 (ja) * | 1970-07-21 | 1975-04-23 | ||
| JPS493712A (ja) * | 1972-05-02 | 1974-01-14 | ||
| JPS53141099A (en) * | 1977-05-13 | 1978-12-08 | Nippon Soken | Gas component detector |
| GB2005072B (en) * | 1977-08-30 | 1982-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Terminal unit for electrical circuit elements and sensing device employing said terminal unit |
| JPS6245161Y2 (ja) * | 1979-01-18 | 1987-12-02 | ||
| JPS6123790Y2 (ja) * | 1979-02-23 | 1986-07-16 | ||
| JPS5613745U (ja) * | 1979-07-12 | 1981-02-05 |
-
1980
- 1980-07-28 JP JP10404980A patent/JPS5728241A/ja active Granted
-
1981
- 1981-07-23 DE DE3129107A patent/DE3129107C2/de not_active Expired
- 1981-07-23 US US06/286,346 patent/US4478067A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518922A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-09 | Fuji Electric Co Ltd | Oxygen sensor |
| JPS5599055A (en) * | 1979-01-22 | 1980-07-28 | Ford Motor Co | Improved exhaust gas oxygen sensor |
| JPS568536A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gas component detecting elenent |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5728241A (en) | 1982-02-15 |
| DE3129107A1 (de) | 1982-03-04 |
| US4478067A (en) | 1984-10-23 |
| DE3129107C2 (de) | 1985-06-05 |
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