JPS6332952A - ハイブリツドｉｃ用パツケ−ジ - Google Patents
ハイブリツドｉｃ用パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS6332952A JPS6332952A JP17508786A JP17508786A JPS6332952A JP S6332952 A JPS6332952 A JP S6332952A JP 17508786 A JP17508786 A JP 17508786A JP 17508786 A JP17508786 A JP 17508786A JP S6332952 A JPS6332952 A JP S6332952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- resin
- package
- sealing resin
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 18
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- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
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- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はハイブリッドＩＣ用パッケージ、特に、部品搭
載領域は中空構造のまま残し、パッケージと基板との接
合部を樹脂で気密封止してなる樹脂封止型ハイブリッド
ＩＣ用パッケージの構造に関する。
載領域は中空構造のまま残し、パッケージと基板との接
合部を樹脂で気密封止してなる樹脂封止型ハイブリッド
ＩＣ用パッケージの構造に関する。
［従来の技術］
従来、この種のパッケージは、第３図に示すように単純
な箱型キャップ３３が用いられ、セラミック配線基板３
１上のリード接続用ランドパターン部分を除く部品搭載
３５をキャップ３３にて覆って、基板３１とキャップ３
３との接合部を樹脂３４にて気密封止する構造となって
いる。３２は外部リード、３６は部品搭載領域である。
な箱型キャップ３３が用いられ、セラミック配線基板３
１上のリード接続用ランドパターン部分を除く部品搭載
３５をキャップ３３にて覆って、基板３１とキャップ３
３との接合部を樹脂３４にて気密封止する構造となって
いる。３２は外部リード、３６は部品搭載領域である。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上述した従来のパッケージは封止樹脂が
広がり得る領域の自由度が非常に大きい構造となってい
るので、封止樹脂の分量及び粘度、又は周囲温度等のば
らつきの影響により、キュア後の封止樹脂形状が不均一
となり易いという欠点がある。ざらに、極端な場合、封
止樹脂がリード方向に２〜３ｍ程度流れ出して、リード
の半田付は性を劣化させたり、封止樹脂の量の不足によ
り気密性が保たれない等の重大な欠陥を生じる可能性も
大きい。
広がり得る領域の自由度が非常に大きい構造となってい
るので、封止樹脂の分量及び粘度、又は周囲温度等のば
らつきの影響により、キュア後の封止樹脂形状が不均一
となり易いという欠点がある。ざらに、極端な場合、封
止樹脂がリード方向に２〜３ｍ程度流れ出して、リード
の半田付は性を劣化させたり、封止樹脂の量の不足によ
り気密性が保たれない等の重大な欠陥を生じる可能性も
大きい。
本発明の目的は前記問題点を解消したハイブリッドＩＣ
用パッケージを提供することにある。
用パッケージを提供することにある。
［発明の従来技術に対する相違点］
上述した従来のパッケージに対し、本発明は基板側に直
接封止樹脂をコーティングするような不安定な状況を避
け、キャップ側の固定された空間に封止樹脂を流し込む
ことで、封止後の樹脂形状を安定したものとするという
独０］的内容を有する。
接封止樹脂をコーティングするような不安定な状況を避
け、キャップ側の固定された空間に封止樹脂を流し込む
ことで、封止後の樹脂形状を安定したものとするという
独０］的内容を有する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は配線基板の搭載部品を箱型キャップにて覆い、
キャップと基板との接合部を樹脂にて気密封止してなる
ハイブリッドＩＣ用パッケージにおいて、前記キャップ
の側壁を内外２重壁構造とし、内外の側壁間に樹脂充填
用の空間を形成したことを特徴とするハイブリッドＩＣ
用パッケージである。
キャップと基板との接合部を樹脂にて気密封止してなる
ハイブリッドＩＣ用パッケージにおいて、前記キャップ
の側壁を内外２重壁構造とし、内外の側壁間に樹脂充填
用の空間を形成したことを特徴とするハイブリッドＩＣ
用パッケージである。
［実施例］
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す断面図である。
搭載部品１５及び外部リード１２を有するセラミック配
線基板１１上に、側壁部分が２重構造となったキャップ
１３がかぶせられており、セラミック配線基板１１との
キャップ１３の接触部分を含むキャップ側面の外壁１３
ａと内壁１１３ｂの間の空間Ｓは封止樹脂１４で満され
ている。但し、部品搭載領域１６は中空でおる。したが
って、実施例１によれば、キャップ１３の内外２重壁１
３ａ 、 １３ｂ間の空間Ｓ内に樹脂１４を充填し、こ
の樹脂１４にてキャップ１３と基板１１との接合部を気
密封止するので、樹脂１４の広がる範囲が内外２重壁に
より規制されることとなり、リードの半田付は性を劣化
させたり、或いは気密性に支障を与えたりすることが皆
無になる。
線基板１１上に、側壁部分が２重構造となったキャップ
１３がかぶせられており、セラミック配線基板１１との
キャップ１３の接触部分を含むキャップ側面の外壁１３
ａと内壁１１３ｂの間の空間Ｓは封止樹脂１４で満され
ている。但し、部品搭載領域１６は中空でおる。したが
って、実施例１によれば、キャップ１３の内外２重壁１
３ａ 、 １３ｂ間の空間Ｓ内に樹脂１４を充填し、こ
の樹脂１４にてキャップ１３と基板１１との接合部を気
密封止するので、樹脂１４の広がる範囲が内外２重壁に
より規制されることとなり、リードの半田付は性を劣化
させたり、或いは気密性に支障を与えたりすることが皆
無になる。
（実施例２）
第２図は本発明による実施例２を示すものである。
本実施例２は第１図の場合に対し、基板２１の両面に部
品２５を搭載出来る形となっており、セラミック配線基
板２１の両面に搭載部品２５を有する。又、キャップ２
３はそれに合わせて高さが増してあり、ざらに、裏面用
に独立のキャップ２７を有している。
品２５を搭載出来る形となっており、セラミック配線基
板２１の両面に搭載部品２５を有する。又、キャップ２
３はそれに合わせて高さが増してあり、ざらに、裏面用
に独立のキャップ２７を有している。
又、封止樹脂２４はキャップ２３の外壁２３ａと内壁２
３ｂ及びキャップ２７の外壁との間の空間Ｓを満たすよ
うになっている。
３ｂ及びキャップ２７の外壁との間の空間Ｓを満たすよ
うになっている。
本実施例の場合、基板面積に対する部品の実装密度は片
面のみの場合に対して約２倍となる。
面のみの場合に対して約２倍となる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明はキャップ側壁を２重構造と
することにより、封止樹脂の広がる範囲を制限し、より
安定な状態で中空型パッケージの樹脂封止を行うことが
できる。
することにより、封止樹脂の広がる範囲を制限し、より
安定な状態で中空型パッケージの樹脂封止を行うことが
できる。
即ち、封止樹脂の充填からキュアに至る過程でキャップ
自体は部品側を上に向け、水平に置かれた形で扱われる
為、封止樹脂が重力の影響で均一に広がる形となり、ざ
らに、外部リード側へのはい上がりは封止樹脂表面の高
さが封止樹脂の量によって再現性よく調節でき、不都合
を生じることがないという効果を有するものである。
自体は部品側を上に向け、水平に置かれた形で扱われる
為、封止樹脂が重力の影響で均一に広がる形となり、ざ
らに、外部リード側へのはい上がりは封止樹脂表面の高
さが封止樹脂の量によって再現性よく調節でき、不都合
を生じることがないという効果を有するものである。
第１図は本発明の実施例１を示す断面図、第２図は本発
明の両面部品搭載形の実施例２を示す断面図、第３図は
従来例を示す断面図である。 １１、２１・・・セラミック配線基板 １２、２２・・・外部リード １３、２３・・・キャップ １４、２４・・・封止樹脂 １５、２５・・・搭載部品 Ｓ・・・空間
明の両面部品搭載形の実施例２を示す断面図、第３図は
従来例を示す断面図である。 １１、２１・・・セラミック配線基板 １２、２２・・・外部リード １３、２３・・・キャップ １４、２４・・・封止樹脂 １５、２５・・・搭載部品 Ｓ・・・空間
Claims (1)
- （１）配線基板の搭載部品を箱型キャップにて覆い、キ
ャップと基板との接合部を樹脂にて気密封止してなるハ
イブリッドＩＣ用パッケージにおいて、前記キャップの
側壁を内外２重壁構造とし、内外の側壁間に樹脂充填用
の空間を形成したことを特徴とするハイブリッドＩＣ用
パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175087A JPH0793389B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ハイブリツドｉｃ用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61175087A JPH0793389B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ハイブリツドｉｃ用パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332952A true JPS6332952A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0793389B2 JPH0793389B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=15990019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61175087A Expired - Lifetime JPH0793389B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ハイブリツドｉｃ用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793389B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511538U (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-12 | テイーデイーケイ株式会社 | 電子部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559745A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61175087A patent/JPH0793389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559745A (en) * | 1978-10-30 | 1980-05-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511538U (ja) * | 1991-07-18 | 1993-02-12 | テイーデイーケイ株式会社 | 電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793389B2 (ja) | 1995-10-09 |
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