JPS6332936A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6332936A JPS6332936A JP17650486A JP17650486A JPS6332936A JP S6332936 A JPS6332936 A JP S6332936A JP 17650486 A JP17650486 A JP 17650486A JP 17650486 A JP17650486 A JP 17650486A JP S6332936 A JPS6332936 A JP S6332936A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
化合物半導体基板の上に絶縁層を形成し、化合物半導体
基板へのコンタクト穴を形成する際に、前記半導体元素
からなる絶縁層の穴明けを確実に行うために、低温で補
助絶縁膜の形成が行え、補助絶縁膜が基板に直交した方
向に形成される工程を用い、その後レジストパターンを
リフトオフして、コンタクト穴を形成し、コンタクト穴
形成の歩留りを向上する。
基板へのコンタクト穴を形成する際に、前記半導体元素
からなる絶縁層の穴明けを確実に行うために、低温で補
助絶縁膜の形成が行え、補助絶縁膜が基板に直交した方
向に形成される工程を用い、その後レジストパターンを
リフトオフして、コンタクト穴を形成し、コンタクト穴
形成の歩留りを向上する。
本発明は、光検知素子に用いられる化合物半導体基板の
一ヒに、この半導体元素からなる絶縁層、例えば陽極酸
化層と、更にその上に形成された補助絶縁膜とからなる
半導体装置の製造方法に関するものである。 ・ 光検知素子基板であるインジウム・アンチモン（ＩｎＳ
ｂ） 、水銀・カドミウム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）等
の化合物半導体の表面に絶縁層が形成されており、この
絶縁層は、一般に基板と接する界面の電気的特性をよく
するために、半導体元素からなる絶縁層、例えば陽極酸
化層や陽極硫化層が用いられている。しかし、この絶縁
層は絶縁耐圧が低いため、さらにこの上に補助絶縁膜が
形成されている。
一ヒに、この半導体元素からなる絶縁層、例えば陽極酸
化層と、更にその上に形成された補助絶縁膜とからなる
半導体装置の製造方法に関するものである。 ・ 光検知素子基板であるインジウム・アンチモン（ＩｎＳ
ｂ） 、水銀・カドミウム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）等
の化合物半導体の表面に絶縁層が形成されており、この
絶縁層は、一般に基板と接する界面の電気的特性をよく
するために、半導体元素からなる絶縁層、例えば陽極酸
化層や陽極硫化層が用いられている。しかし、この絶縁
層は絶縁耐圧が低いため、さらにこの上に補助絶縁膜が
形成されている。
上記した化合物半導体を用いて光検知素子を形成しよう
とすると、補助絶縁膜と陽極酸化層に穴明けを行い、こ
の穴に基板と接続する金属を形成することが必要である
。従って、絶縁膜の穴明けが容易であり、歩留りのよい
半導体装置製造方法が要求されている。
とすると、補助絶縁膜と陽極酸化層に穴明けを行い、こ
の穴に基板と接続する金属を形成することが必要である
。従って、絶縁膜の穴明けが容易であり、歩留りのよい
半導体装置製造方法が要求されている。
従来の製造方法を第２図の工程図を用いて説明する。第
２図（ａ）に示すように、化合物半導体基板、例えばｎ
形のインジウム・アンチモン（以後ｎ−１ｎｓｂと記す
）基板１の所定領域にベリリウム（Ｂｅ）をドープして
Ｐ影領域４を形成する。次ぎにこの表面に、陽極酸化法
を適用して苛性カリの電解液中にて、半導体元素からな
る絶縁性の陽極酸化層２を形成する。
２図（ａ）に示すように、化合物半導体基板、例えばｎ
形のインジウム・アンチモン（以後ｎ−１ｎｓｂと記す
）基板１の所定領域にベリリウム（Ｂｅ）をドープして
Ｐ影領域４を形成する。次ぎにこの表面に、陽極酸化法
を適用して苛性カリの電解液中にて、半導体元素からな
る絶縁性の陽極酸化層２を形成する。
この陽極酸化層２の上に気相成長法（ＣＶＤ）によって
補助絶縁膜となる５ｉ０２膜３を形成する。次に第２図
（ｂ）に示すように、５ｉＯ７膜３上にレジストパター
ン５を形成して、酸或いはアルカリ等の液体を用いてエ
ツチングを行い、第２図（Ｃ）に示すように穴明けを行
い、その後レジストパターン５を取り去る。この穴に金
属電極６を第２図（ｄ）に示すように形成する。勿論Ｐ
影領域のない箇所で穴明けを行いＮ型領域への電極も同
様に作成する。
補助絶縁膜となる５ｉ０２膜３を形成する。次に第２図
（ｂ）に示すように、５ｉＯ７膜３上にレジストパター
ン５を形成して、酸或いはアルカリ等の液体を用いてエ
ツチングを行い、第２図（Ｃ）に示すように穴明けを行
い、その後レジストパターン５を取り去る。この穴に金
属電極６を第２図（ｄ）に示すように形成する。勿論Ｐ
影領域のない箇所で穴明けを行いＮ型領域への電極も同
様に作成する。
従来の半導体装置製造方法では、コンタクト穴を形成す
る際に、陽極酸化層が酸或いはアルカリに弱いことから
、エツチングの制御が困難であり、エツチング不足の場
合は、Ｐ領域の表面上に陽極酸化層が残り、またエツチ
ングオーバの場合は、コンタクト穴が必要以上に拡がっ
たり、補助絶縁膜が剥離するという問題を生じる。
る際に、陽極酸化層が酸或いはアルカリに弱いことから
、エツチングの制御が困難であり、エツチング不足の場
合は、Ｐ領域の表面上に陽極酸化層が残り、またエツチ
ングオーバの場合は、コンタクト穴が必要以上に拡がっ
たり、補助絶縁膜が剥離するという問題を生じる。
この発明は以上の従来の状況から、コンタクト穴を形成
する際に制御が容易な半導体装置製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
する際に制御が容易な半導体装置製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
化合物半導体基板の表面に、穴明は用のレジストパター
ンを作成し、この上に前記半導体を構成する元素からな
る絶縁層を作成し、この絶縁層の上に補助絶縁膜を積層
形成する際に、低温度で然も基板に直交する方向に補助
絶縁膜を形成し、レジストパターンをリフトオフするこ
とによって穴明けを行う。
ンを作成し、この上に前記半導体を構成する元素からな
る絶縁層を作成し、この絶縁層の上に補助絶縁膜を積層
形成する際に、低温度で然も基板に直交する方向に補助
絶縁膜を形成し、レジストパターンをリフトオフするこ
とによって穴明けを行う。
穴明けが酸或いは、アルカリ液体を使用することなく行
われ、補助絶縁膜が直交する方向に形成されるために、
レジストパターンの側面に補助絶縁膜の付着力が弱く、
レジストパターンのリフトオフが容易であり、且つ低温
度による処理によって、絶縁層の特性に支障を来さず穴
明けが可能となり、穴明は品質及び歩留りを向上する。
われ、補助絶縁膜が直交する方向に形成されるために、
レジストパターンの側面に補助絶縁膜の付着力が弱く、
レジストパターンのリフトオフが容易であり、且つ低温
度による処理によって、絶縁層の特性に支障を来さず穴
明けが可能となり、穴明は品質及び歩留りを向上する。
第１図は本発明の一実施例の工程図であり、第１図（ａ
ｌに示すように、Ｐ影領域４が形成された化合物半導体
；ｎ−ＩｎＳｂ基板１のコンタクト穴形成領域へにネガ
レジストを用いてレジストパターン５を形成する。次に
ｎ−１ｎＳｂ基板１を陽極とし、カーボンを陰極として
、苛性カリ （ＫＯＨ）を主体とする電解液の中でレジ
ストパターン側のｎ−ＩｎＳｂｎＳｂ基板面に絶縁層と
なる陽極酸化層２を形成し、第１図（ｂ）の状態を作成
する。
ｌに示すように、Ｐ影領域４が形成された化合物半導体
；ｎ−ＩｎＳｂ基板１のコンタクト穴形成領域へにネガ
レジストを用いてレジストパターン５を形成する。次に
ｎ−１ｎＳｂ基板１を陽極とし、カーボンを陰極として
、苛性カリ （ＫＯＨ）を主体とする電解液の中でレジ
ストパターン側のｎ−ＩｎＳｂｎＳｂ基板面に絶縁層と
なる陽極酸化層２を形成し、第１図（ｂ）の状態を作成
する。
次に低温度で処理が行え、然も陽極酸化層２に直交する
方向に補助絶縁膜となる５ｉ０２膜３を形成し得る電子
サイクロトロン共鳴プラズマ気相法（以後ＥＣＲプラズ
マＣｖＤ法と記す）を用いて、第１図（Ｃ）に示すよう
にＳｉ０２膜３を形成する。
方向に補助絶縁膜となる５ｉ０２膜３を形成し得る電子
サイクロトロン共鳴プラズマ気相法（以後ＥＣＲプラズ
マＣｖＤ法と記す）を用いて、第１図（Ｃ）に示すよう
にＳｉ０２膜３を形成する。
次ぎに、レジストパターン５をレジストパターン５上の
５ｉ０２ＮＷ３と共に有機溶剤にて除去即ち、リフトオ
フして第１図（ｄ）を得る。このリフトオフは、５ｉ０
２膜３を形成する時、ＥＣＲプラズマＣＶ。
５ｉ０２ＮＷ３と共に有機溶剤にて除去即ち、リフトオ
フして第１図（ｄ）を得る。このリフトオフは、５ｉ０
２膜３を形成する時、ＥＣＲプラズマＣＶ。
法によって、レジストパターンの側面に５ｉ０２膜３が
付着しても、その付着力が弱いため容易に精度の良い穴
明けが行える。つまり、ＦＣＲプラズマＣＶＤ法では、
ラジカル粒子が半導体基板１にほぼ垂直に到達するから
である。然も５ｉＯ７膜３の形成処理は１００℃以下の
低い温度で処理されるために、陽極酸化層の電気的特性
を損なうこともない。
付着しても、その付着力が弱いため容易に精度の良い穴
明けが行える。つまり、ＦＣＲプラズマＣＶＤ法では、
ラジカル粒子が半導体基板１にほぼ垂直に到達するから
である。然も５ｉＯ７膜３の形成処理は１００℃以下の
低い温度で処理されるために、陽極酸化層の電気的特性
を損なうこともない。
次に第１図（ｅｌに示すように穴明は部分に金属電極６
を形成してｎ−１ｎＳｂ基板１およびＰ影領域４の引出
し電極とする。
を形成してｎ−１ｎＳｂ基板１およびＰ影領域４の引出
し電極とする。
上記した説明は、化合物半導体基板をｎ４ｎＳｂ、酸化
層を陽極酸化層として説明を行ったが、それぞれ鉛・錫
・テルル（ＰｂＳｎＴｅ）、水銀・カドミウム・テルル
（ＨｇＣｄＴｅ）と陽極硫化物であっても支障ないこと
は云うまでもない。
層を陽極酸化層として説明を行ったが、それぞれ鉛・錫
・テルル（ＰｂＳｎＴｅ）、水銀・カドミウム・テルル
（ＨｇＣｄＴｅ）と陽極硫化物であっても支障ないこと
は云うまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、半導
体元素からなり半導体の電気特性を決定する絶縁層を損
傷することなく容易に然も正確なコンタクト穴の形成が
行え、半導体製造の歩留りを向上する上できわめて有効
な効果を奏する。
体元素からなり半導体の電気特性を決定する絶縁層を損
傷することなく容易に然も正確なコンタクト穴の形成が
行え、半導体製造の歩留りを向上する上できわめて有効
な効果を奏する。
第１図は本発明の一実施例の工程図、
第２図は従来の製造方法を説明するための工程図である
。 図において、１はｎ−１ｎＳｂ基板、２は陽極酸化層、
３は５ｉ０２膜、５はレジストパターンを示す。 第１図 従輛斃し彊εめ帛ルｆ：あの工稽巴 第２図
。 図において、１はｎ−１ｎＳｂ基板、２は陽極酸化層、
３は５ｉ０２膜、５はレジストパターンを示す。 第１図 従輛斃し彊εめ帛ルｆ：あの工稽巴 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕化合物半導体基板（１）上に所定のレジストパタ
ーン（５）を形成した後に、該化合物半導体基板（１）
の表面に該半導体を構成する元素からなる絶縁層（２）
を形成する工程と、該絶縁層（２）の上に補助絶縁膜（
３）を形成する際に低温で前記補助絶縁膜（３）を前記
化合物半導体基板（１）と直交する方向に付着形成する
工程と、前記レジストパターン（５）を除去することで
コンタクト穴を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。 〔２〕前記補助絶縁膜形成工程に電子サイクロトロン共
鳴プラズマ気相法を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17650486A JPS6332936A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17650486A JPS6332936A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332936A true JPS6332936A (ja) | 1988-02-12 |
Family
ID=16014794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17650486A Pending JPS6332936A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6332936A (ja) |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17650486A patent/JPS6332936A/ja active Pending
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