JPS6332752A - 光デイスク基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザー光等を用いて情報の記録、再生を行う
データファイル装置などに使われる光ディスク基板の製
造方法に関するものである。

従来の技術 近年、光ディスクは高密度、大容量、高速アクセス可能
なメモリーとして広く研究されている。

光ディスクには記録、再生時のトラッキング用の案内溝
が必要で、その構造により大きく二つのタイプに分けら
れる。ひとつはポリカーボネート樹脂のような熱可塑性
樹脂を用いた射出成形法やエポキシ樹脂のような熱硬化
性樹脂を用いたキャスティング法のように基板と案内溝
が一体で形成されたタイプのもので、もうひとつはガラ
スのような平板上に光硬化性樹脂（以下２Ｐと記す−Ｐ
ｈｏｔ。

Ｐｏｌｙｍｅｒの略）を用いスタンバ上の反転形状案内
溝を転写して案内溝を形成する２Ｐタイプのものである
。

光ディスクの従来の作製方法の概略を第５図の工程図を
用いて説明する。第５図において、６１は案内溝形成工
程、６２は脱ガス工程、５３，５４゜５５は各々第１保
護層、記録媒体層、第２保護層の作製工程、６６はディ
スクの貼り合わせ工程を示す。

以下さらに詳述すると、まず、案内溝形成工程６１で案
内溝を形成した基板を脱ガス工程６２で真空加熱等で脱
ガスし、その後第１保護層形成工程で、ＳｉＯや５ｉ０
２等からなる第１保護層を形成し、記録媒体形成工程６
４で、その上に情報を光の反射率や偏光角の違いで記録
、再生する記録媒体層を形成し、第２保護層形成工程で
さらＫその上に第２保護層を形成する。最後に貼り合わ
せ工程でこのようにしてできだディスク２枚を貼り合わ
せて光ディスクを作製する。この際、脱ガス工程５２を
省略すると記録媒体が基板からのガスの影響で劣化する
（垂直性が低下）欠点を生じる。

また、従来から基板をスパッタエツチングをおこなう技
術はあったが、その効果は、たとえば特開昭５８−１５
３６９６号公報に示されるように基板の表面を荒し、膜
との接着強度が向上することや、特開昭５９−１７１０
４２号公報に示されるように基板に微細な凹凸をつける
ことにより記録感度が向］ニすることであった。

発明が解決しようとする問題点 しかし、なから上記のような光ディスクの製造方法にお
いては以下のような問題点がある。第１に基板の脱ガス
工程に時間がかかってしまい（数時間）、量産性が悪い
。第２に樹脂中の未反応の残存モノマー成分が脱ガス工
程では完全に除去できず耐熱性試験に対して劣化の原因
となる（特にキャスティングや２Ｐタイプに多い）。

さらｔｇ−２Ｐタイプにおいてはガラス平板との付着力
が十分でなく、２Ｐとガラス平板の界面から水分が侵入
し耐湿性試験におい−（磁性膜が劣化するという問題点
を有する。

ゆえに量産性が良く信頼性の高い光デ□スクの開発が望
まれていた。

本発明は上記問題点に鑑み、工数が少なくかつ高信頼性
の光ディスク基板の製造方法を提供するものである。

問題点を解決するための手段 との目的を達成するために本発明の光ディスクの製造方
法は、樹脂から成る案内溝の表面に、例えばアルゴン等
のイオン衝撃を加え、その後脱ガス工程を省略し第１保
護層以下の膜を形成することを特徴どするものである。

特に４．　Ｑ　Ｑ人、／　ｍ１４以上のボラチングレー
トのイオン衝撃を弔い、約０．１μｍ程度（２分３０秒
）エツチングするのが有効である。

作用 以上のような本発明の製造方法は、案内溝の表面をイオ
ンでたたくことにより短時間で樹脂中の水分を熱的に取
り除くことができ、脱ガス工程を省くことができる。ま
た残存しているモノマー成分も一部はエツチング効果で
取り除かれ、一部は架橋反応による重合、硬化により取
り除かれる。

さらに２Ｐタイプのものにおいては、２Ｐ層が薄いため
イオンで表面をだだくことで２Ｐが加熱され２Ｐと基板
との付着強度が向上する利点もある。。

以上のような作用のため量産性にすぐれかつ耐湿性、耐
熱性等の信頼性に優れた光ディスクの製造が可能となる
。

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１図は２Ｐタイプの基板を用いた本発明の一実施例に
おける光磁気ディスクの製造工程である。

第１図において、１１は２Ｐ層形成」−程、１２はイオ
ン衝乍（スパッタエツチング）工程、１３゜１４、ＩＥ
５は第１保護層、記録媒体層、第２保護層の形成工程、
１６は基板貼り合わせ工程である。

以下、各工程についてさらに詳しく説明する。

まず、案内溝形成工程において、ガフスΔ；２板を洗浄
し、２Ｐを用いスタンパの案内溝（反転形状）を基板上
に転写する。次に、イオン衝撃工程でこの基板を真空装
置に入れ、ムｒガ、ズを用丸ハて案内溝表面にイオン衝
撃（スパッタエツチング）を加える１、乙の際ムｒガス
圧は１〜５　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒで入力ｆｄｓｏｏ’
Ｗ（ディスク径はψ１３０Ｗ１Ｋ）、エツチングＬ／−
トは４００人／ｗｉｎ、スパッタ時間は２分３０秒、エ
ツチング量０．１μｍで行ったが、人ｒガス以外にも０
２ガスを３割程度混入した混合ガスでも同様の効果が得
られる。

次に、第１保護層形成工程１３．記録媒体層形成工程１
４．第２保護層形成工程で、第１保護層としてＳｉＯを
０．８　μｍ　、記録媒体層とｌ、−（ＧｄＴ６Ｆｉ３
Ｇ６膜をＯ，Ｓμｍ１第２保護層としてＳｉＯ２を０．
８μ口作製して単板を形成する。そして最後に、貼り合
わせ工程１θでこのディスク２枚をエポキシ系接着剤で
貼り合わせて光磁気ディスクを得る。

スパッタエツチングのレートが低いときは同じエツチン
グ量であっても２Ｐの改質効果は低い。

ガラス転移温度（以下Ｔｇと略す）でみると、第２図に
示すように２００Å／ｍｉｎのエツチングレートではエ
ツチング量によらずＴｇの増加ば６°Ｃ程度であるが、
４００人／ｗｉｎではエツチング量に比例してＴｇが高
くなり０．１μｍ程度のエツチング量でＴｇが１６°Ｃ
も高くなった。ガラス平板と２Ｐとの付着強度もスパッ
タエツチングレートに依存し、第３図に示すようにエツ
チングレートが２０Ｑ入／ｍｉｎ程度では付着強度の増
加はないが、４００人／ｗｉｎではエツチング量に比例
して付着強度も増加していった。それゆえ本実施例では
４００人／　ｍ　ｉ　ｎで０．１μｍのエツチング量で
案内溝表面を処理し７た。第４図人、Ｂに本処理による
案内溝の形状変化を段差針で調べた結果を示すが、処理
前後において、溝形状はほとんど変化していないことが
わかる。

また、第５図に示しである脱ガス工程を省略して膜づけ
を行うと、以下の表１にボすように、記録膜の特性を示
す保磁力、カー回転角の値が脱ガス工程を行う時に比較
して３割程度低くくなり特性が劣化し、記録膜の膜厚も
２割程度減少する。

しかし、脱ガス工程のかわりに第１図に示すように基板
のイオン衝撃工程を行うと保磁力、カー回転角の値、記
録膜の膜厚共に脱ガス工程を行ったときと比較して特性
の劣化はない。

表１ 以上のように本実施例によれば、第１に案内溝をイオン
衝撃でたたく（スパッタエツチング）ことにより２Ｐの
温度が上昇し水分の除去が可能となり、その結果脱ガス
工程を省くことができ、数時間を要していた脱ガス工程
が数分のスパッタエツチング工程に代わり量産性が向上
する。

第２に、２ＰのＴｇがスパッタエツチングにより１６°
Ｃ程度上昇し耐熱性が向上する。

第３にガラス平板と２Ｐとの付着強度も４０〜ｔｓｏｋ
ｑ／ａｓ増加し、ガラス平板と２Ｐの界面からの水分の
侵入を押えることができ、従来のものでは、８０’Ｃ，
８０４ＲＨの環境下では４００時間で２Ｐ層にひび割れ
及びクレータ状の起伏を生じたが、本発明の製造方法に
よるディスクでは１６００時間以上でも上記のような劣
化は認められず耐湿性が向上するものである。

尚、本実施例においては２Ｐタイプ基板を用いだが、キ
ャスティング基板および射出成形基板を使用した場合に
おいても程度は少し低いが同様の効果を得ることができ
る。

発明の効果 本発明は樹脂からなる案内溝の表面にイオン衝撃を加え
る（スパッタエツチング）ことにより脱ガス工程が省略
でき作業時間の短縮ができる。また、樹脂中の残存モノ
マー成分をエツチングおよび重合反応で除去できるだめ
、耐熱性が約２０　’Ｃ程度向上する。さらに２Ｐタイ
プにおいてはガラス平板と２Ｐ間の界面の付着強度が増
加し、水分の浸入を防げ耐湿性の向上がはかれる。

以上のように本発明は量産性および耐熱性、耐湿性等の
信頼性に優れた光ディスクの製造方法を提供するもので
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における光ディスク基板の製造
方法を示す工程図、第２図はスパッタエツチングレート
およびエツチング量と２ＰのＴｇの関係を示す特性図、
第３図はスパッタエツチングレートおよびエツチング量
に対するガラス平板と２Ｐ間の付着強度の関係を示す特
性図、第４図はスパッタエツチング前後における案内溝
の形状変化を示す特性図、第５図は従来の光ディスク基
板の製造方法を示す工程図である。 １１・・・・・・案内溝形成工程、１２・・・・・・イ
オン衝撃（スパッタエツチング）工程、１３・・・・・
・第１保護層形成工程、１４・・・・・・記録媒体層形
成工程、１５・・・・・・第２保護層形成工程、１ら・
・・・・・貼り合わせ工程１、 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名笥　
１　図 第　２　図 第　３　図 第　４　図 ４オン揮Ｐ−史す！前 イオン譚問？処理１東

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）樹脂から成る案内溝の表面にイオン衝撃を加えた
   ことを特徴とする光ディスク基板の製造方法。
2. （２）４００Å／ｍｉｎ以上のエッチングレートのイオ
   ン衝撃を案内溝表面に加えたことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の光ディスク基板の製造方法。