JPS63312613A - 単板コンデンサ− - Google Patents
単板コンデンサ−Info
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- JPS63312613A JPS63312613A JP62149351A JP14935187A JPS63312613A JP S63312613 A JPS63312613 A JP S63312613A JP 62149351 A JP62149351 A JP 62149351A JP 14935187 A JP14935187 A JP 14935187A JP S63312613 A JPS63312613 A JP S63312613A
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Classifications
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波帯の高出力増幅器等のインピーダン
ス整合回路に使用される単板コンデンサーに関し、特に
その電極構造の改良に関する。
ス整合回路に使用される単板コンデンサーに関し、特に
その電極構造の改良に関する。
マイクロ波帯の高出力増幅回路では各素子の性能を最大
限に引き出す為、高誘′Ｆｔ率基板上に形成された集中
定数化キャパシタ（単板コンデンサー）と２０〜３０μ
ｍφのＡｕボンディング線によるインダクタンスとから
なる集中定数回路によるインピーダンス整合化が行なわ
れている。
限に引き出す為、高誘′Ｆｔ率基板上に形成された集中
定数化キャパシタ（単板コンデンサー）と２０〜３０μ
ｍφのＡｕボンディング線によるインダクタンスとから
なる集中定数回路によるインピーダンス整合化が行なわ
れている。
第２図は集中定数回路に用いられている従来の単板コン
デンサー（チップコンデンサーともいう）の縦断面図を
示すものであシ、酸化チタンを主成分とする高誘電率基
板１の両面にＴｉＷ膜２，５とＡｕ膜４，６とを順次形
成しである。かかる単板コンデンサーの実装はまずＡｕ
膜４をＡｕＳｎあるいはＡｕＳｉ等の共晶合金ソルダー
を用いてパッケージの放熱基板にマウントし、その後上
面側をＡｕのボ／ディ／グワイヤで接続することにより
使用される。
デンサー（チップコンデンサーともいう）の縦断面図を
示すものであシ、酸化チタンを主成分とする高誘電率基
板１の両面にＴｉＷ膜２，５とＡｕ膜４，６とを順次形
成しである。かかる単板コンデンサーの実装はまずＡｕ
膜４をＡｕＳｎあるいはＡｕＳｉ等の共晶合金ソルダー
を用いてパッケージの放熱基板にマウントし、その後上
面側をＡｕのボ／ディ／グワイヤで接続することにより
使用される。
しかしながら、この様な従来の単板コンデンサーの接着
強度はマウントの作業時間に大きく依存し、時間と共に
低下する欠点があり、特に一つのパッケージ内に数個の
単板コンデンサーを装着する場合、最初にマウントした
単板コンデンサーのＡｕ膜４がソルダーに食われてしま
いＴｉＷ膜２とソルダーの界面で剥れが生じたり（チッ
プコン剥れ）、あるいは又特に単板コンデンサーの電極
面積が１−以下の時に顕著であるがＡｕ線のボン歩留り
及び信頼性低下の大きな要因となっている。
強度はマウントの作業時間に大きく依存し、時間と共に
低下する欠点があり、特に一つのパッケージ内に数個の
単板コンデンサーを装着する場合、最初にマウントした
単板コンデンサーのＡｕ膜４がソルダーに食われてしま
いＴｉＷ膜２とソルダーの界面で剥れが生じたり（チッ
プコン剥れ）、あるいは又特に単板コンデンサーの電極
面積が１−以下の時に顕著であるがＡｕ線のボン歩留り
及び信頼性低下の大きな要因となっている。
本発明の目的は、この様な従来の欠点を除去し、チップ
コン剥れや電極剤れの生じない電極構造を有する単板コ
ンデンサーを提供するものである。
コン剥れや電極剤れの生じない電極構造を有する単板コ
ンデンサーを提供するものである。
本発明の単板コンデンサーは、酸化チタンを主成分とす
る高誘電率基板の一主面上にＳｉｎ、膜、ＴｉＷ膜さら
にＰｔ、Ｐｄ又はＮｉ膜の中から選ばれたいずれかの膜
、さらにその上にＡｕｌ［の順に積層されておシ、他方
の主面上がＳ ｉＯｘ膜、ＴｉＷ膜、Ａｕ膜の順に積層
された電極構造を有している。
る高誘電率基板の一主面上にＳｉｎ、膜、ＴｉＷ膜さら
にＰｔ、Ｐｄ又はＮｉ膜の中から選ばれたいずれかの膜
、さらにその上にＡｕｌ［の順に積層されておシ、他方
の主面上がＳ ｉＯｘ膜、ＴｉＷ膜、Ａｕ膜の順に積層
された電極構造を有している。
以下に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明にかかる単板コンデンサーの一実施例の
縦断面図である。まず酸化チタン主成分とする高誘電率
基板（ε：〜９０）１０基板厚をラッピング及びポリッ
シング研摩により例えば１５０μｍの厚さに加工する。
縦断面図である。まず酸化チタン主成分とする高誘電率
基板（ε：〜９０）１０基板厚をラッピング及びポリッ
シング研摩により例えば１５０μｍの厚さに加工する。
トリクレン等による有機洗浄を行って基板表面を清浄化
した後、ＣＶＤ法あるいはスパッタ法により基板両面に
５ｉ（ｈ膜２を例えば５０００Ａの厚さは形成する。次
にソルダーで固着される側（図の下面側）に例えば６０
０ＡのＴｉＷ膜（’ｒｉ：ｉｏｗｔ％）３、例えば２０
００Ａのｐｔ膜４、例えば３μｍのＡｕ１１５をこの順
序に連続してスパッタ法によ多形成する。次に基板を畏
返して同様に例えば６００ＡのＴｉＷ膜６、例えば３μ
ｍのＡｕ膜７をこの順序に連続して形成する。その後、
所望の容量値が得られるようにＴｉＷ膜６−Ａｕ膜７か
ら成る電極の大きさを通常のホトプロセスによシエッチ
ング加工し、最後にダイシングによシ個々に分離するこ
とにより第１図に示すような単板コンデンサーが完成す
る。
した後、ＣＶＤ法あるいはスパッタ法により基板両面に
５ｉ（ｈ膜２を例えば５０００Ａの厚さは形成する。次
にソルダーで固着される側（図の下面側）に例えば６０
０ＡのＴｉＷ膜（’ｒｉ：ｉｏｗｔ％）３、例えば２０
００Ａのｐｔ膜４、例えば３μｍのＡｕ１１５をこの順
序に連続してスパッタ法によ多形成する。次に基板を畏
返して同様に例えば６００ＡのＴｉＷ膜６、例えば３μ
ｍのＡｕ膜７をこの順序に連続して形成する。その後、
所望の容量値が得られるようにＴｉＷ膜６−Ａｕ膜７か
ら成る電極の大きさを通常のホトプロセスによシエッチ
ング加工し、最後にダイシングによシ個々に分離するこ
とにより第１図に示すような単板コンデンサーが完成す
る。
この様な電極構造にすれば、高誘電率基板１及びＴｉＷ
１％ｇ％３．６の双方に対して良好な密着性の得られ
る５ｉＯｚＵ２が両者間に介在するのでボンディング強
度が著しく増大する。さらにソルダーに対して拡散バリ
アとなるＰｉ 膜４がＴｉＷ膜３とＡｕ膜５の間に介在
するのでマウント時間が長くなつても単板コンデンサー
の接着強度は低下しない。従来の単板コンデンサーおよ
び本発明の単板コンデンサー両者についてボンディング
強度及びダイシェア強度試験を実施した結果、従来の単
板コンデンサーの電極剤れおよびチップコン剥れの発生
率はそれぞれ１０％、３０％ であったのに対し、本発
明の単板コンデンサーでは電極剤れ、チップコン剥れ共
に全く発生せず、試験した１００個のチップコンデンサ
ーすべてか接着強度規格を満足した。
１％ｇ％３．６の双方に対して良好な密着性の得られ
る５ｉＯｚＵ２が両者間に介在するのでボンディング強
度が著しく増大する。さらにソルダーに対して拡散バリ
アとなるＰｉ 膜４がＴｉＷ膜３とＡｕ膜５の間に介在
するのでマウント時間が長くなつても単板コンデンサー
の接着強度は低下しない。従来の単板コンデンサーおよ
び本発明の単板コンデンサー両者についてボンディング
強度及びダイシェア強度試験を実施した結果、従来の単
板コンデンサーの電極剤れおよびチップコン剥れの発生
率はそれぞれ１０％、３０％ であったのに対し、本発
明の単板コンデンサーでは電極剤れ、チップコン剥れ共
に全く発生せず、試験した１００個のチップコンデンサ
ーすべてか接着強度規格を満足した。
上記の実施例は、ソルダーに対する拡散バリア層をＰｉ
膜４で形成したものであるが、Ｐｉ膜４の代シにＰｄ膜
あるいはＮｉ膜を用いても同様の〔発明の効果〕 以上の一シ明から明らかなように、本発明によれば高評
Ｖ、翠基板１及びＴｉＷ膜３，６の双方に対して良好な
密着性の得られる５ｉｎ２膜２が両者間に介在すること
によシ、電極剤れを防止でき、さらにＴｉＷＭ３．６と
Ａｕ膜５との間にＩ’ｔ、ＰｄあるいはＮｉ膜等のソル
ダーに対する拡散バリアが介在することによシ、単板コ
ンデンサーの接着強度の低下あるいは剥れを防止でき、
組立歩留り及び信穎性の著しい向上が可能となった。
膜４で形成したものであるが、Ｐｉ膜４の代シにＰｄ膜
あるいはＮｉ膜を用いても同様の〔発明の効果〕 以上の一シ明から明らかなように、本発明によれば高評
Ｖ、翠基板１及びＴｉＷ膜３，６の双方に対して良好な
密着性の得られる５ｉｎ２膜２が両者間に介在すること
によシ、電極剤れを防止でき、さらにＴｉＷＭ３．６と
Ａｕ膜５との間にＩ’ｔ、ＰｄあるいはＮｉ膜等のソル
ダーに対する拡散バリアが介在することによシ、単板コ
ンデンサーの接着強度の低下あるいは剥れを防止でき、
組立歩留り及び信穎性の著しい向上が可能となった。
第１図は本発明の一実施例による単板コンデンサーの縦
断面図、第２図は従来の単板コンデンサーの縦断面図で
ある。 １・・・・・・酸化チタンを主成分とする高誘電率基板
、２・・・・・・ＳｉＯ２膜、３，６・・・・・・Ｔｉ
Ｗ膜、４・・・・・・ｒ’を膜、５，７・・・・・・Ａ
ｕ膜。 、−＼ 代理人 弁理士 内 原 双 ゛・＼日。
断面図、第２図は従来の単板コンデンサーの縦断面図で
ある。 １・・・・・・酸化チタンを主成分とする高誘電率基板
、２・・・・・・ＳｉＯ２膜、３，６・・・・・・Ｔｉ
Ｗ膜、４・・・・・・ｒ’を膜、５，７・・・・・・Ａ
ｕ膜。 、−＼ 代理人 弁理士 内 原 双 ゛・＼日。
Claims (1)
- 高誘電率基板の一主面上にＳｉＯ＿２膜、ＴｉＷ膜さら
にＰｔ、Ｐｄ又はＮｉ膜の中から選ばれたいずれかの膜
、さらにその上にＡｕ膜がこの順に積層されており、他
方の主面上にＳｉＯ＿２層、ＴｉＷ膜、Ａｕ膜がこの順
に積層された電極構造を有することを特徴とする単板コ
ンデンサー。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149351A JPS63312613A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 単板コンデンサ− |
| US07/206,427 US4903110A (en) | 1987-06-15 | 1988-06-14 | Single plate capacitor having an electrode structure of high adhesion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149351A JPS63312613A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 単板コンデンサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312613A true JPS63312613A (ja) | 1988-12-21 |
| JPH0570293B2 JPH0570293B2 (ja) | 1993-10-04 |
Family
ID=15473223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62149351A Granted JPS63312613A (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | 単板コンデンサ− |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4903110A (ja) |
| JP (1) | JPS63312613A (ja) |
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| US5122923A (en) * | 1989-08-30 | 1992-06-16 | Nec Corporation | Thin-film capacitors and process for manufacturing the same |
| US5053917A (en) * | 1989-08-30 | 1991-10-01 | Nec Corporation | Thin film capacitor and manufacturing method thereof |
| US5021300A (en) * | 1989-09-05 | 1991-06-04 | Raytheon Company | Solder back contact |
| JPH06105726B2 (ja) * | 1989-10-13 | 1994-12-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| US5406447A (en) * | 1992-01-06 | 1995-04-11 | Nec Corporation | Capacitor used in an integrated circuit and comprising opposing electrodes having barrier metal films in contact with a dielectric film |
| US5335138A (en) * | 1993-02-12 | 1994-08-02 | Micron Semiconductor, Inc. | High dielectric constant capacitor and method of manufacture |
| US6791131B1 (en) * | 1993-04-02 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
| US6531730B2 (en) | 1993-08-10 | 2003-03-11 | Micron Technology, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
| US5381302A (en) * | 1993-04-02 | 1995-01-10 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same |
| US5478772A (en) * | 1993-04-02 | 1995-12-26 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
| US5392189A (en) | 1993-04-02 | 1995-02-21 | Micron Semiconductor, Inc. | Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same |
| US6030847A (en) * | 1993-04-02 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials |
| US5401687A (en) * | 1993-04-15 | 1995-03-28 | Martin Marietta Corporation | Process for high density interconnection of substrates and integrated circuit chips containing sensitive structures |
| US6548854B1 (en) * | 1997-12-22 | 2003-04-15 | Agere Systems Inc. | Compound, high-K, gate and capacitor insulator layer |
| DE19902769A1 (de) * | 1999-01-25 | 2000-07-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Keramisches, passives Bauelement |
| US6979849B2 (en) * | 2003-12-31 | 2005-12-27 | Micron Technology, Inc. | Memory cell having improved interconnect |
| TWI359714B (en) * | 2008-11-25 | 2012-03-11 | Univ Yuan Ze | Method for inhibiting the formation of palladium-n |
| DE102017210625A1 (de) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Resistiver Partikelsensor |
| JP7168280B2 (ja) * | 2018-06-26 | 2022-11-09 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置、および、半導体チップの搭載方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3499213A (en) * | 1965-09-30 | 1970-03-10 | Texas Instruments Inc | Method of making a multilayer contact system for semiconductor devices |
| US3496428A (en) * | 1968-04-11 | 1970-02-17 | Itt | Diffusion barrier for semiconductor contacts |
| US4112196A (en) * | 1977-01-24 | 1978-09-05 | National Micronetics, Inc. | Beam lead arrangement for microelectronic devices |
| WO1982001102A1 (en) * | 1980-09-15 | 1982-04-01 | Mulholland W | Integrated circuit power distribution network |
| JPS57211269A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor element |
| JPH0682783B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1994-10-19 | 三菱電機株式会社 | 容量およびその製造方法 |
| JP2534004B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1996-09-11 | 信越ポリマー株式会社 | 結霜防止性付与組成物 |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP62149351A patent/JPS63312613A/ja active Granted
-
1988
- 1988-06-14 US US07/206,427 patent/US4903110A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4903110A (en) | 1990-02-20 |
| JPH0570293B2 (ja) | 1993-10-04 |
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