JPS63311260A - 電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63311260A JPS63311260A JP14747087A JP14747087A JPS63311260A JP S63311260 A JPS63311260 A JP S63311260A JP 14747087 A JP14747087 A JP 14747087A JP 14747087 A JP14747087 A JP 14747087A JP S63311260 A JPS63311260 A JP S63311260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive layer
- treatment
- sealing treatment
- adhesion
- anodic oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 abstract 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 abstract 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- BYGOPQKDHGXNCD-UHFFFAOYSA-N tripotassium;iron(3+);hexacyanide Chemical compound [K+].[K+].[K+].[Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] BYGOPQKDHGXNCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 ・
この発明は、静電式複写機あるいは電算機のプリンタ等
に使用される電子写真用感光体の製造方法に関する。
に使用される電子写真用感光体の製造方法に関する。
なおこの明細書において、アルミニウムの語はその合金
を含む意味で用いる。
を含む意味で用いる。
従来の技術
上記のような用途に用いられる電子写真用感光体は、一
般に、アルミニウムからなる導電性支持体に、光導電性
絶縁材からなる光導電層を被覆したものに構成される。
般に、アルミニウムからなる導電性支持体に、光導電性
絶縁材からなる光導電層を被覆したものに構成される。
而して従来、導電性支持体と光導電層との密着性を向上
するために、導電性支持体に下地処理として陽極酸化処
理を施し、支持体の表面に界面層としての未封孔陽極酸
化皮膜を形成し、該皮膜を介して光導電層を被覆形成す
ることが知られている(例えば特開昭61−19824
3号)。
するために、導電性支持体に下地処理として陽極酸化処
理を施し、支持体の表面に界面層としての未封孔陽極酸
化皮膜を形成し、該皮膜を介して光導電層を被覆形成す
ることが知られている(例えば特開昭61−19824
3号)。
発明が解決しようとする問題点
ところが未封孔陽極酸化皮膜は、表面が吸着性に富み、
特に皮膜形成後直ちに光導電層を被覆形成する場合は確
かに光導電層との良好な密着性を実現しうるが、反面そ
の吸着性に富む性質の故に、皮膜形成後光導電層の被覆
形成までの期間が長いと良好な密1着性が却って得られ
ないという欠点があった。即ち実際の生産に際しては、
導電性支持体がその陽極酸化処理後、光導電層未形成の
まま数日ないしは1か月程度あるいはそれ以上在庫され
、その後光導電層が成膜される場合がある。このような
場合、陽極酸化皮膜の優れた吸着性のため、在庫環境や
在庫期間によっては汚れや大気中の水分との反応による
自然封孔等を生じて、酸化皮膜の経時劣化を引起す結果
、所期のような良好な密着性が得られず、密着不良を起
こすという問題があった。
特に皮膜形成後直ちに光導電層を被覆形成する場合は確
かに光導電層との良好な密着性を実現しうるが、反面そ
の吸着性に富む性質の故に、皮膜形成後光導電層の被覆
形成までの期間が長いと良好な密1着性が却って得られ
ないという欠点があった。即ち実際の生産に際しては、
導電性支持体がその陽極酸化処理後、光導電層未形成の
まま数日ないしは1か月程度あるいはそれ以上在庫され
、その後光導電層が成膜される場合がある。このような
場合、陽極酸化皮膜の優れた吸着性のため、在庫環境や
在庫期間によっては汚れや大気中の水分との反応による
自然封孔等を生じて、酸化皮膜の経時劣化を引起す結果
、所期のような良好な密着性が得られず、密着不良を起
こすという問題があった。
この発明はかかる技術的背景のもとになされたものであ
って、導電性支持体の下地処理後直ちに光導電層を被覆
形成した場合は勿論のこと、長期間経過後に被覆形成し
た場合においても支持体と光導電層の密着性に優れたも
のとなしえ、かつ感光体の電気特性にも何ら影響を与え
ることのない電子写真用感光体の提供を目的とするもの
である。
って、導電性支持体の下地処理後直ちに光導電層を被覆
形成した場合は勿論のこと、長期間経過後に被覆形成し
た場合においても支持体と光導電層の密着性に優れたも
のとなしえ、かつ感光体の電気特性にも何ら影響を与え
ることのない電子写真用感光体の提供を目的とするもの
である。
問題点を解決するための手段
上記目的において、発明者は種々実験と研究を重ねた結
果、導電性支持体に陽極酸化処理後所定温度以下の低温
度封孔処理を行っておくことで、光導電層の密着性の低
下を防止しうろことを知見し、この発明を完成しえたも
のである。
果、導電性支持体に陽極酸化処理後所定温度以下の低温
度封孔処理を行っておくことで、光導電層の密着性の低
下を防止しうろことを知見し、この発明を完成しえたも
のである。
即ちこの発明は、アルミニウムからなる導電性支持体に
陽極酸化処理を実施してその表面に陽極酸化皮膜を形成
したのち、温度40℃以下での低温封孔処理を実施し、
その後前記支持体の表面に光導電層を被覆形成すること
を特徴とする電子写真用感光体の製造方法を要旨とする
。
陽極酸化処理を実施してその表面に陽極酸化皮膜を形成
したのち、温度40℃以下での低温封孔処理を実施し、
その後前記支持体の表面に光導電層を被覆形成すること
を特徴とする電子写真用感光体の製造方法を要旨とする
。
導電性支持体の構成材料として用いられるアルミニウム
材の種類は特に限定されるものではなく、加工性、強度
、硬さ等を考慮して市販の各種アルミニウム材の中から
適宜のものを選択使用すれば良い。一般的には純アルミ
ニウム系、A3000番系等のアルミニウム展伸材が好
適に用いられる。また支持体の製造方法も問わない。
材の種類は特に限定されるものではなく、加工性、強度
、硬さ等を考慮して市販の各種アルミニウム材の中から
適宜のものを選択使用すれば良い。一般的には純アルミ
ニウム系、A3000番系等のアルミニウム展伸材が好
適に用いられる。また支持体の製造方法も問わない。
導電性支持体に施す陽極酸化処理もまたこれを特定の方
法に限定するものではなく硫酸法、蓚酸法、クロム酸法
等種々の陽極酸化処理法の中から任意の処理法を用いれ
ば良い。また処理条件も常法に従って設定すれば良い。
法に限定するものではなく硫酸法、蓚酸法、クロム酸法
等種々の陽極酸化処理法の中から任意の処理法を用いれ
ば良い。また処理条件も常法に従って設定すれば良い。
陽極酸化処理後に施す温度40℃以下での低温封孔処理
は、例えば赤血塩等の添加を主体にする40℃以下の処
理液を用いた封孔処理である。処理液の好適例としては
、赤血塩:2〜10g/Lりん酸塩=2〜697Ω、カ
ルシウム塩:1〜39/Ωを含有したpH6程度の水溶
液を挙げうる。処理時間は10分程度が良い。
は、例えば赤血塩等の添加を主体にする40℃以下の処
理液を用いた封孔処理である。処理液の好適例としては
、赤血塩:2〜10g/Lりん酸塩=2〜697Ω、カ
ルシウム塩:1〜39/Ωを含有したpH6程度の水溶
液を挙げうる。処理時間は10分程度が良い。
一般的な処理方法は処理液への浸漬あるいは処理液の塗
布により行う。かかる40℃以下での低温封孔処理によ
り、光導電層の密着性が良くなるのは、酸化皮膜中ある
いは表面に長期に亘って安定でかつ良好な吸着性を保持
しうる非水和物が生成されているからと推測される。非
水和物と推測されるのは以下の理由による。即ち一般に
知られている加圧水蒸気法や沸騰水法による封孔処理で
は酸化皮膜の水和反応により表面に水和膜が形成される
が、水和膜が形成されると光導電層の焼付は時等に水和
膜の水分脱着が起り密着性が低下する。これに対し40
℃以下での低温封孔処理を行った場合、かかる密着性の
低下は生じないからである。而して、40℃を超える低
温封孔処理では吸着性の良い非水和物が形成されにくく
なり、光導電層の密着性が悪いものとなってしまう。
布により行う。かかる40℃以下での低温封孔処理によ
り、光導電層の密着性が良くなるのは、酸化皮膜中ある
いは表面に長期に亘って安定でかつ良好な吸着性を保持
しうる非水和物が生成されているからと推測される。非
水和物と推測されるのは以下の理由による。即ち一般に
知られている加圧水蒸気法や沸騰水法による封孔処理で
は酸化皮膜の水和反応により表面に水和膜が形成される
が、水和膜が形成されると光導電層の焼付は時等に水和
膜の水分脱着が起り密着性が低下する。これに対し40
℃以下での低温封孔処理を行った場合、かかる密着性の
低下は生じないからである。而して、40℃を超える低
温封孔処理では吸着性の良い非水和物が形成されにくく
なり、光導電層の密着性が悪いものとなってしまう。
上記により陽極酸化処理及び温度40℃以下での低温封
孔処理を順次的に実施したのち、光導電層を焼付け、浸
漬その他の手段により被覆形成し、感光体の完成品とす
る。先導電層の材料としてはセレン系材料、アモルファ
スシリコン系材料、有機物系材料等を用いうる。
孔処理を順次的に実施したのち、光導電層を焼付け、浸
漬その他の手段により被覆形成し、感光体の完成品とす
る。先導電層の材料としてはセレン系材料、アモルファ
スシリコン系材料、有機物系材料等を用いうる。
発明の効果
この発明は、導電性支持体に陽極酸化処理を実施してそ
の表面に陽極酸化皮膜を形成したのち、温度40℃以下
での低温封孔処理を行い、その後前記支持体の表面に光
導電層を被覆形成するものである・。従って後述の実施
例の参酌によっても明らかなように、封孔処理後直ちに
光導電層を被覆形成した場合はもとより、長期間経過後
形成した場合であっても導電性支持体と光導電層との充
分な密着性を保持しえ、該層の別離、ふくれ、亀裂等の
現象を生じることのない安定した感光体を得ることがで
きる。しかも本発明の実施により感光体としての静電特
性に悪影響を及ぼすことはなく、従来と同等の静電特性
を保持した感光体を得ることができる・。
の表面に陽極酸化皮膜を形成したのち、温度40℃以下
での低温封孔処理を行い、その後前記支持体の表面に光
導電層を被覆形成するものである・。従って後述の実施
例の参酌によっても明らかなように、封孔処理後直ちに
光導電層を被覆形成した場合はもとより、長期間経過後
形成した場合であっても導電性支持体と光導電層との充
分な密着性を保持しえ、該層の別離、ふくれ、亀裂等の
現象を生じることのない安定した感光体を得ることがで
きる。しかも本発明の実施により感光体としての静電特
性に悪影響を及ぼすことはなく、従来と同等の静電特性
を保持した感光体を得ることができる・。
実施例
[実施例]
A3003アルミニウム合金を、常法により押出バイブ
に押出したのち引抜き加工を施し、さらにその後切削を
実施してその表面を表面粗さ0.ISに平滑仕上げした
ものを導電性支持体として用いた。
に押出したのち引抜き加工を施し、さらにその後切削を
実施してその表面を表面粗さ0.ISに平滑仕上げした
ものを導電性支持体として用いた。
そして上記支持体を複数個用意し、それぞれに硫酸濃度
:15%、液温:20±1℃の硫酸電解液中で電流密度
: 1. 3A/drd、処理時間20分の条件で陽極
酸化処理を実施した。
:15%、液温:20±1℃の硫酸電解液中で電流密度
: 1. 3A/drd、処理時間20分の条件で陽極
酸化処理を実施した。
次いで、上記の導電性支持体に低温封孔処理を実施した
。この低温封孔処理は、サンド株式会社製の低温封孔剤
C8−1を159/Ωの割合で添加した液温26〜30
℃の水溶液に、導電性支持体を10分浸漬することによ
り行った。
。この低温封孔処理は、サンド株式会社製の低温封孔剤
C8−1を159/Ωの割合で添加した液温26〜30
℃の水溶液に、導電性支持体を10分浸漬することによ
り行った。
そして上記により得た封孔処理済みの導電性支持体のう
ち、その1個については直ちに光導電層としてポリビニ
ールカルバシーブ/トリニトロフルオレイン(PVK/
TNF)を被覆形成し、もって試料Nolの感光体を得
た。また他の導電性支持体については、7日、15日、
30日の各期間室内にて常温放置したのち、同じく上記
光導電層を被覆形成し、試料No2〜4の感光体を得た
。なお、PVK/TNFの被覆形成はいずれも浸漬法に
よる塗布をもって行い、層厚はいずれも15μmとした
。
ち、その1個については直ちに光導電層としてポリビニ
ールカルバシーブ/トリニトロフルオレイン(PVK/
TNF)を被覆形成し、もって試料Nolの感光体を得
た。また他の導電性支持体については、7日、15日、
30日の各期間室内にて常温放置したのち、同じく上記
光導電層を被覆形成し、試料No2〜4の感光体を得た
。なお、PVK/TNFの被覆形成はいずれも浸漬法に
よる塗布をもって行い、層厚はいずれも15μmとした
。
[比較例1]
実施例と同じ基材を用いかつ実施例と同じ陽極酸化処理
を実施したが、その後の封孔処理を実施しない導電性支
持体を複数個用意し、そのうちの1個については陽極酸
化処理後直ちにPVK/TNFを被覆形成し、試料No
5の感光体を得た。また他の導電性支持体については7
日、15日、30日の各期間室内にて常温放置したのち
同じく光導電層を被覆形成し、試料No6〜8の感光体
を得た。なおP V K/T N Fの被覆形成手段、
層厚はいずれも実施例と同様とした。
を実施したが、その後の封孔処理を実施しない導電性支
持体を複数個用意し、そのうちの1個については陽極酸
化処理後直ちにPVK/TNFを被覆形成し、試料No
5の感光体を得た。また他の導電性支持体については7
日、15日、30日の各期間室内にて常温放置したのち
同じく光導電層を被覆形成し、試料No6〜8の感光体
を得た。なおP V K/T N Fの被覆形成手段、
層厚はいずれも実施例と同様とした。
[比較例■]
実施例と同じ基材を用いかつ実施例と同じ陽極酸化処理
を実施したのち、純水沸騰水法による封孔処理を常法に
従って30分実施した。次いで直ちにPVK/TNFを
同一手段で同一厚さに被覆形成し、もって試料No9の
感光体を得た。
を実施したのち、純水沸騰水法による封孔処理を常法に
従って30分実施した。次いで直ちにPVK/TNFを
同一手段で同一厚さに被覆形成し、もって試料No9の
感光体を得た。
[比較例■]
実施例と同じ基材を用いかつ実施例と同じ陽極酸化処理
を実施したのち、純水に酢酸ニッケル系封孔助剤を添加
した液温80〜90℃の処理液を用いて30分間の封孔
処理を実施した。
を実施したのち、純水に酢酸ニッケル系封孔助剤を添加
した液温80〜90℃の処理液を用いて30分間の封孔
処理を実施した。
次いで直ちにPVK/TNFを同一手段で同一厚さに被
覆形成し、もって試料N010の感光体を得た。
覆形成し、もって試料N010の感光体を得た。
上記本発明実施に係る感光体(試料No1〜4)及び比
較品(試料No5〜10)のそれぞれにつき、テープ剥
離試験を実施し光導電層の密着性を評価した。モして又
、これらの感光体試料を暗中においてコロナ電圧+5.
5kVx20秒間帯電させ、次いでハロゲンランプにて
1iχ・S露光したのちの残留電位を測定した。これら
の結果を下記第1表に示す。
較品(試料No5〜10)のそれぞれにつき、テープ剥
離試験を実施し光導電層の密着性を評価した。モして又
、これらの感光体試料を暗中においてコロナ電圧+5.
5kVx20秒間帯電させ、次いでハロゲンランプにて
1iχ・S露光したのちの残留電位を測定した。これら
の結果を下記第1表に示す。
[以下余白]
上表の結果により、この発明に従って製作された感光体
は、導電性支持体の封孔処理後光導電層の被覆形成まで
の時間が長い場合であっても、直ちに被覆形成した場合
と同じく支持体と光導電層との密着性に優れたものであ
ることがわかる。また露光後の残留電位も問題のないも
のであることもわかる。
は、導電性支持体の封孔処理後光導電層の被覆形成まで
の時間が長い場合であっても、直ちに被覆形成した場合
と同じく支持体と光導電層との密着性に優れたものであ
ることがわかる。また露光後の残留電位も問題のないも
のであることもわかる。
以上
特許出願人 昭和アルミニウム株式会社 、=”r>
:1・′−?、享 代理人 弁理士 清水久義□・(L:’−’:Al、’
F゛、〜 、−パ \++し/
:1・′−?、享 代理人 弁理士 清水久義□・(L:’−’:Al、’
F゛、〜 、−パ \++し/
Claims (1)
- アルミニウムからなる導電性支持体に陽極酸化処理を実
施してその表面に陽極酸化皮膜を形成したのち、温度4
0℃以下での低温封孔処理を実施し、その後前記支持体
表面に光導電層を被覆形成することを特徴とする電子写
真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62147470A JP2509225B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62147470A JP2509225B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63311260A true JPS63311260A (ja) | 1988-12-20 |
JP2509225B2 JP2509225B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=15431113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62147470A Expired - Fee Related JP2509225B2 (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2509225B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02226162A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH0519515A (ja) * | 1990-12-21 | 1993-01-29 | Mita Ind Co Ltd | 高感度な感光体 |
JPH0527468A (ja) * | 1990-12-25 | 1993-02-05 | Mita Ind Co Ltd | 有機感光体 |
US6120955A (en) * | 1997-06-27 | 2000-09-19 | Minolta Co., Ltd. | Substrate for photosensitive member, photosensitive member, production method thereof and image forming apparatus using the photosensitive member |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63214759A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Mitsubishi Kasei Corp | 電子写真感光体 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP62147470A patent/JP2509225B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63214759A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | Mitsubishi Kasei Corp | 電子写真感光体 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02226162A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH0519515A (ja) * | 1990-12-21 | 1993-01-29 | Mita Ind Co Ltd | 高感度な感光体 |
JPH0527468A (ja) * | 1990-12-25 | 1993-02-05 | Mita Ind Co Ltd | 有機感光体 |
US6120955A (en) * | 1997-06-27 | 2000-09-19 | Minolta Co., Ltd. | Substrate for photosensitive member, photosensitive member, production method thereof and image forming apparatus using the photosensitive member |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2509225B2 (ja) | 1996-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2126017A (en) | Method of producing photographic representations on aluminum surfaces | |
JPS63311260A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
US3213004A (en) | Surface preparation of platinum group metals for electrodeposition | |
JPS63311261A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
JPS61198245A (ja) | 電子写真用感光体の下地処理方法 | |
JPH01114853A (ja) | 電子写真用感光体 | |
US5166020A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2741126B2 (ja) | ニッケル−クロムめっき製品 | |
JP2680314B2 (ja) | 電子写真用有機感光体の下地処理方法 | |
JPS6249618B2 (ja) | ||
JPH01108551A (ja) | 電子写真用有機感光体の下地処理方法 | |
JP2003055796A (ja) | アルミニウム材およびその製造方法、ならびに電子写真用感光体および電解コンデンサ電極用アルミニウム材料 | |
JPS63314555A (ja) | 電子写真用有機感光体 | |
JPH03109563A (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法 | |
JPH07295241A (ja) | 電子写真用有機感光体の製造方法 | |
JPS61200546A (ja) | 電子写真用感光体の下地処理方法 | |
US1801629A (en) | Electroplating magnesium and alloys thereof | |
US4389459A (en) | Conductive coatings for metal substrates | |
Porter et al. | Further studies on the electrical properties of stearate films deposited on metal | |
JPH0355818B2 (ja) | ||
JPH01114854A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS62103377A (ja) | Cvd装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 | |
SU865995A1 (ru) | Электролит латунировани | |
JPS61198243A (ja) | 電子写真用感光体 | |
JPS5852036B2 (ja) | 陽極酸化処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |