JPH0355818B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 この発明は、静電式複写機あるいは電算機のプ
リンタなどに使用される電子写真用感光体に関す
る。 従来の技術 この種の感光体は、一般にアルミニウム（この
明細書において「アルミニウム」の語はその合金
を含む意味に於いて用いられる。）からなる導電
性支持体上に、密着性を向上するための界面層を
介して光導電性絶縁材からなる光導電層が形成さ
れたものとなされている。光導電性材料として
は、従来から無定形セレンを主体とする各種材料
が広く用いられているところであるが、最近、光
感度、スペクトル特性、受容電位、電荷保持性等
の面で一段と優れた性質を有しかつ無公害である
等の利点から、アモルフアスシリコン（以下ａ−
Siと略記する）の使用の有望性が着目され、その
実用化が進められている。 ところが、従来のセレン系光導電性材料を用い
る場合においても勿論であるが、殊にａ−Siで光
導電層を形成する場合、該光導電層の導電性支持
体に対する密着性、及び帯電・露光後の残留電位
特性の点で問題を生ずることが多い。 従来、アルミニウム製の導電性支持体を用いる
場合、主として光導電層の密着性の向上をはかる
ために、該支持体に予め下地処理として硫酸法等
による陽極酸化処理を施し、支持体表面に界面層
としての陽極酸化皮膜を形成することが知られて
いる（例えば特公昭57−104938号）。 発明が解決しようとする問題点 ところが、確かにこのような下地処理による陽
極酸化皮膜、なかでも特に硫酸皮膜は、封孔処理
しない場合、表面が吸着性に富み、比較的光導電
層との良好な密着性を実現しうるが、反面、電子
写真の画像形成プロセスにおいて、光照射後の残
留電位即ち光減衰後の残留電位が比較的高いもの
となり、特に連続階調の画像形成に有害な影響を
及ぼすという難点がある。例えば、最も一般的な
陽極酸化処理条件である硫酸濃度15％、温度20℃
の電解液を用いて、電流密度1.3A／ｄm²の条件
でアルミニウム製電極支持体を陽極酸化処理した
場合、そのときの化成電圧は使用材料によつて多
少異なるが約15〜20V程度となり、その結果化成
される陽極酸化皮膜のバリヤー層（表面の多孔質
層下の絶縁層）の厚さは150〜200Å程度になると
いわれている。而して、このような皮膜を支持体
と光導電層との界面層として用いた場合、表面の
吸着性に富む多孔質層の存在によつて比較的良好
な密着性を得ることができるものの、露光後の残
留電位が高いものとなり、電気特性の面で必ずし
も高品質の感光体を得ることができないという問
題があつた。 本発明者等は、上記のような問題点を克服する
ことを目的として鋭意研究した結果、電気的特性
の低下の原因が、主に陽極酸化皮膜の下層部分に
不可避的に形成されるバリヤー層の有する比較的
高い絶縁性にあることをつきとめ、かかる知見に
基づいてこの発明を完成したものである。 従つて、この発明の所期目的は、光導電層に対
する密着性を比較的良好に保ちながらも、バリヤ
ー層の厚さを電気的特性上好適な100Å以下の極
めて薄いものに制御して、露光後の残留電位の低
減化をはかりうるような界面陽極酸化皮膜の形成
方法、即ち導電性支持層に対する陽極酸化下地処
理方法を提示することにある。 問題点を解決するための手段 而して、この発明は、表面に光導電層３を密着
状に被覆形成するためにアルミニウムからなる導
電性支持体１の表面に界面層としての陽極酸化皮
膜２を形成するに際して、特に電解電圧を２〜
10Vの低電圧に保持して前記導電性支持体１の陽
極酸化電解処理を行い、陽極酸化皮膜における表
面多孔質層下のバリヤー層の厚さを100Å以下に
制御することを特徴とする電子写真用感光体の下
地処理方法を要旨とする。 手段の具体的な説明 陽極酸化皮膜を形成するための電解処理浴の種
類はこの発明において特に限定されるものではな
いが、一般的には硫酸、リン酸、シユウ酸等の溶
液が好適に用いられる。ただ、斯る電解液を用い
て導電性支持体を陽極酸化処理する場合、通常の
電解処理条件ではこの発明の所期する低残留電位
効果をもつた陽極酸化皮膜を形成せしめることは
できない。而して、この発明は、上記効果を発現
せしめるような陽極酸化皮膜２を生成するため、
陽極酸化皮膜２における表面部の多孔質層２ｂ下
にあつて殊に絶縁層として作用するバリヤー層２
ａの厚さｔ１を、100Å以下の極く薄いものに制
御しうるような特定の陽極酸化処理条件を提示す
るものである。即ち、この発明の方法による処理
条件は、特に電解電圧を２〜10Vの極低電圧に保
持するものである。斯る電圧は、通常の陽極酸化
電圧の場合、15〜20V程度の電圧が印加されるの
に対し、これより著しく低いものである。該電圧
を2V未満とするときは、作業上許容されるよう
な時間内に陽極酸化皮膜を化成するに必要な電流
が充分に流れず、密着性の良好な皮膜を得ること
ができない。逆に10Vを超える電圧をかけると、
陽極酸化皮膜２のバリヤー層２ａが多くの場合
100Åをこえる厚さになり、感光体にこの発明の
所期する低残留電位の特性を保持することが困難
になる。最も好ましい化成電圧の範囲は、３〜
8V程度である。その他の電解処理条件は一般的
な普通の処理条件に従えば良い。従つて、例えば
硫酸法の場合、濃度は10〜70％、特に好ましくは
10〜20％、温度15〜30℃程度の範囲で任意に変え
ることができる。かつ、電解時間は10〜60分間程
度の範囲で変えることができる。リン酸溶液を用
いる場合には、特に多孔質層の孔径の大きいもの
が得られ、密着性の更なる向上効果を期待するこ
とができる点で有益である。リン酸法の場合の濃
度は５〜20％程度が好適であり、温度10〜30℃程
度、時間３〜30分間程度の範囲で適宜に変えるこ
とができる。更にシユウ酸法による場合、濃度１
〜５％、温度10〜30℃程度とされ、処理時間は５
〜30分間程度の範囲とされる。 なお、この発明において、導電性支持体１の構
成材料として用いられるアルミニウム材の種類は
特に限定されるものではなく、切削性、強度、硬
さ等を考慮して市販の各種アルミニウム材の中か
ら適宜のものを選択使用することができる。一般
的には、純アルミニウム系、A3000番系等のアル
ミニウム展伸材が好適に用いられる。 発明の効果 この発明による下地処理方法においては、導電
性支持体とその上に形成される光導電層との間に
界面層として介在されることになる陽極酸化皮膜
が、特にそのバリヤー層の厚さにおいて100Å以
下の極めて薄いものとして形成される。従つて、
界面層が陽極酸化皮膜であるにも拘わらず、それ
自体の絶縁性が低く、帯電・露光時の光導電層の
速やかな光減衰を妨げることがなく、ひいては露
光後の残留電位を充分に低いものとすることが可
能となる。従つて、連続階調の画像の解像力にも
優れた電気特性の良好な感光体を提供しうる。も
とより、界面層がアルミニウム製導電性支持体の
表面の陽極酸化皮膜として形成されるものである
から、表面にポーラスな多孔質層を有してこれが
光導電性に対する良好な密着性を示し、セレン系
の光導電性材料を用いる場合はもちろんのこと、
ａ−Si系の光導電性材料を用いる場合において
も、光導電層の成層形成後、放冷過程等において
該層の別離、ふくれ、亀裂等の現象を生じること
のない安定した感光体の製造に貢献する効果を奏
する。 実施例 実施例 １ A1070−H14からなる外径80mm、内径74mm、長
さ340mmのアルミニウム円筒体を導電性支持体と
して用い、表面を鏡面切削仕上げし、かつ弱アル
カリ系脱脂剤で脱脂処理したのち、15％硫酸電解
液中で、液温20℃において、3Vの定電圧電解に
より20分間陽極酸化電解処理を行つた。そして、
これを充分に水洗し、自然乾燥したのち、上記支
持体上に、グロー放電法によりａ−Siからなる厚
さ約20μｍの光導電層を形成し、常温下に自然冷
却して電子写真用感光体の本発明試料No.１を得
た。 実施例 ２ 実施例１と同じ方法で前処理したアルミニウム
製導電性支持体を、10％リン酸電解液中で、温度
30℃、化成電圧5Vの条件で15分間定電圧陽極酸
化電解処理した。以降は実施例１と同様に処理し
て表面にａ−Si光導電層を有する感光体の本発明
試料No.２を得た。 実施例 ３ 実施例１と同じ方法で前処理したアルミニウム
製導電性支持体を、２％シユウ酸電解液中で、温
度35℃、化成電圧5Vの条件で10分間定電圧陽極
酸化電解処理した。以降は実施例１と同様に処理
して表面にａ−Si光導電層を有する感光体の本発
明試料No.３を得た。 比較例 １〜２ 実施例１〜３と同様のアルミニウム製円筒状導
電性支持体を前処理したのち、常法に従つて、15
％硫酸電解液により、温度20℃において、電流密
度1.3A／ｄm²の定電流条件で1.5分間陽極酸化電
解処理した。そして、陽極酸化皮膜の未封孔のも
の（比較例試料No.１）と、更に続いて常法による
封孔処理を施したもの（比較例試料No.２）とをつ
くり、以降は前記実施例１〜３の場合と同様にし
て、表面にａ−Si光導電層を有する感光体の比較
例試料No.１〜２を得た。 上記実施例の本発明試料No.１〜３及び比較例試
料No.１〜２のそれぞれにつき、その陽極酸化皮膜
２のバリヤー層２ａ及び多孔質層２ｂの厚さｔ
１，ｔ２を測定すると共に、光導電層の密着性を
評価した。そして又、これらの感光体試料を、暗
中においてコロナ電圧5.5KVで帯電させ、次いで
ハロゲンランプにて10lx・ｓ露光したのちの残留
電位を測定した。 これらの結果を下表に示す。

【表】 上表の結果により、この発明に係る下地処理方
法を採用して製作した感光体は、光導電層の密着
性を良好に保ちつつ、殊に露光後の残留電位の低
下効果を認め得るものであつた。

【図面の簡単な説明】

図面はこの発明の下地処理を施して製作される
感光体の支持体と光導電層との界面部分の構造を
示す模式図である。 １……導電性支持体、２……陽極酸化皮膜、２
ａ……バリヤー層、２ｂ……多孔質層、３……光
導電層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 表面に光導電層を密着状に被覆形成するため
   にアルミニウムからなる導電性支持体の表面に界
   面層としての陽極酸化皮膜を形成するに際して、
   特に電解電圧を２〜10Vの低電圧に保持して前記
   導電性支持体の陽極酸化電解処理を行い、陽極酸
   化皮膜における表面多孔質層下のバリヤー層の厚
   さを100Å以下に制御することを特徴とする電子
   写真用感光体の下地処理方法。