JPH0545027B2 - - Google Patents
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- JPH0545027B2 JPH0545027B2 JP60039921A JP3992185A JPH0545027B2 JP H0545027 B2 JPH0545027 B2 JP H0545027B2 JP 60039921 A JP60039921 A JP 60039921A JP 3992185 A JP3992185 A JP 3992185A JP H0545027 B2 JPH0545027 B2 JP H0545027B2
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
産業上の利用分野
この発明は、静電式複写機あるいは電算機のプ
リンタなどに使用される電子写真用感光体に関す
る。 従来の技術 この種の感光体は、一般にアルミニウム（この
明細書において「アルミニウム」の語はその合金
を含む意味に於いて用いられる。）からなる導電
性支持体上に、密着性を向上するための界面層を
介して光導電性絶縁材からなる光導電層が形成さ
れたものとなされている。光導電性材料として
は、従来から無定形セレンを主体とする各種材料
が広く用いられているところであるが、最近、光
感度、スペクトル特性、受容電位、電荷保持性等
の面で一段と優れた性質を有しかつ無公害である
等の利点から、アモルフアスシリコン（以下ａ−
Siと略記する）の使用の有望性が着目され、その
実用化が進められている。 ところが、従来のセレン系光導電性材料を用い
る場合においても勿論であるが、殊にａ−Siで光
導電層を形成する場合、該光導電層の導電性支持
体に対する密着性、及び帯電・露光後の残留電位
特性の点で問題を生ずることが多い。 従来、アルミニウム製の導電性支持体を用いる
場合、主として光導電層の密着性の向上をはかる
ために、該支持体に予め下地処理として硫酸法等
による陽極酸化処理を施し、支持体表面に界面層
としての陽極酸化皮膜を形成することが知られて
いる（例えば特公昭57−104938号）。 発明が解決しようとする問題点 ところが、確かにこのような下地処理による陽
極酸化皮膜、なかでも特に硫酸皮膜は、封孔処理
しない場合、表面が吸着性に富み、比較的光導電
層との良好な密着性を実現しうるが、反面、電子
写真の画像形成プロセスにおいて、光照射後の残
留電位、即ち光減衰後の残留電位が比較的高いも
のとなり、特に連続階調の画像形成に有害な影響
を及ぼすという難点がある。例えば、最も一般的
な陽極酸化処理条件である硫酸濃度15％、温度20
℃の電解液を用いて、電流密度1.3A／ｄm2の条
件でアルミニウム製電極支持体を陽極酸化処理し
た場合、そのときの化成電圧は使用材料によつて
多少異なるが約15〜20V程度となり、その結果化
成される陽極酸化皮膜のバリヤー層（表面の多孔
質層下の絶縁層）の厚さは150〜200Å程度になる
といわれている。而して、このような皮膜を支持
体と光導電層との界面層として用いた場合、表面
の吸着性に富む多孔質層の存在によつて比較的良
好な密着性を得ることができるものの、露光後の
残留電位が高いものとなり、電気特性の面で必ず
しも高品質の感光体を得ることができないという
問題があつた。 本発明者等は、上記のような問題点を克服する
ことを目的として鋭意研究した結果、電気的特性
の低下の原因が、主に陽極酸化皮膜の下層部分に
不可避的に形成されるバリヤー層の有する比較的
高い絶縁性にあることをつきとめ、かかる知見に
基づいてこの発明を完成したものである。 従つて、この発明の所期目的は、光導電層に対
する密着性を比較的良好に保ちながらも、バリヤ
ー層の厚さを好ましくは100Å以下の極めて薄い
ものに制御して、露光後の残留電位の低減化をは
かりうるような界面陽極酸化皮膜の形成方法、即
ち導電性支持層に対する陽極酸化下地処理方法を
提示することにある。 問題点を解決するための手段 而して、この発明は、添附の模式図に示すよう
に、表面に光導電層３を密着状に被覆形成するた
めにアルミニウムからなる導電性支持体１の表面
に陽極酸化皮膜を形成するに際して、上記導電性
支持体１の陽極酸化処理を、濃度20〜40％、温度
30〜40℃の高温・高濃度の硫酸電解液を用いて行
うことを特徴とする電子写真用感光体の下地処理
方法を要旨とする。 手段の具体的な説明 陽極酸化皮膜２の形成に用いられる電解処理液
として、この発明においては特に硫酸溶液に限定
される。これは、この発明の処理条件において
は、リン酸、あるいはシユウ酸等の他の電解液を
用いる場合に較べて、光導電層３の密着性、残留
電位特性の点で、一段と優れた陽極酸化皮膜を形
成しうることに基づく。 ただ、斯る硫酸電解液を用いて導電性支持体を
陽極酸化処理するにおいても、通常の電解処理条
件ではこの発明の所期する低残留電位効果をもつ
た硫酸陽極酸化皮膜を形成せしめることはできな
い。而して、この発明は、上記効果を発現せしめ
るような陽極酸化皮膜２を生成するため、陽極酸
化皮膜２における表面部の多孔質層２ｂ下にあつ
て殊に絶縁層として作用するバリヤー層２ａの厚
さt1を、100Å以下の極く薄いものに制御しうる
ような特定の陽極酸化処理条件を提示するもので
ある。即ち、この発明の方法による処理条件は、
硫酸電解液の濃度としてこれを20〜40％、温度と
して30〜40℃の範囲に規定するものである。この
ような電解浴の濃度及び温度は、一般的な硫酸法
陽極酸化処理条件として採用されているような、
濃度10〜20％、温度10〜30℃程度の範囲より逸脱
して、高温かつ高濃度のものである。硫酸電解液
の温度の温度及び濃度が上記範囲の下限値未満、
即ち30℃、20％未満であると、バリヤー層２ｂの
厚さを100Å以下とする陽極酸化皮膜２の生成が
困難であり、逆に上限値の40℃、40％をこえると
きは、高導電層に対する密着性の良好な皮膜を得
ることができない。硫酸電解液においてもつと好
適な濃度は導電率の良い30％を中心としてその上
下５％程度の範囲であり、温度は35℃前後であ
る。上記のような高温．高濃度の条件は化成電圧
を下げる上で必要となるものであり、従つて化成
電圧の上昇の原因となるような例えば電解浴中の
溶存アルミニウムの量は、常に少なくとも５ｇ／
程度以下となるように浴を管理することが必要
である。電解は、定電流電解で行うのが一般的で
あるが、定電圧電解で行つても良く、その電解時
間は概ね１〜５分程度で良い。 なお、この発明において、導電性支持体１の構
成材料として用いられるアルミニウム材の種類は
特に限定されるものではなく、切削性、強度、硬
さ等を考慮して市販の各種アルミニウム材の中か
ら適宜のものを選択使用することができる。一般
的には、純アルミニウム系、A3000番系等のアル
ミニウム展伸材が好適に用いられる。 発明の効果 この発明による下地処理方法においては、導電
性支持体とその上に形成される光導電層との間に
界面層として介在されることになる陽極酸化皮膜
が、特にそのバリヤー層の厚さにおいて100Å以
下の極めて薄いものとして形成される。従つて、
界面層が陽極酸化皮膜であるにも拘わらず、それ
自体の絶縁性が低く、帯電・露光時の光導電層の
速やかな光減衰を妨げることがなく、ひいては露
光後の残留電位を充分に低いものとすることが可
能となる。従つて、連続階調の画像の解像力にも
優れた電気特性の良好な感光体を提供しうる。も
とより、界面層がアルミニウム製導電性支持体の
表面の陽極酸化皮膜として形成されるものである
から、表面にポーラスな多孔質層を有してこれが
光導電性に対する良好な密着性を示し、セレン系
の光導電性材料を用いる場合はもちろんのこと、
ａ−Si系の光導電性材料を用いる場合において
も、光導電層の成層形成後、放冷過程等において
該層の別離、ふくれ、亀裂等の現象を生じること
のない安定した感光体の製造に貢献を果しうる。 実施例 実施例 １ A1070−H14からなる外径80mm、内径74mm、長
さ340mmのアルミニウム円筒体を導電性支持体と
して用い、表面を鏡面切削仕上げし、かつ弱アル
カリ系脱脂剤で脱脂処理したのち、30％硫酸電解
液中で、液温35℃において、電流密度1.3A／ｄ
m2の定電流電解により２分間陽極酸化電解処理を
行つた。そして、これを充分に水洗し、自然乾燥
したのち、上記支持体上に、グロー放電法により
ａ−Siからなる厚さ約20μｍの光導電層を形成し、
常温下に自然冷却して電子写真用感光体の本発明
試料No.１を得た。 実施例 ２ 実施例１と同じ方法で前処理したアルミニウム
製導電性支持体を、30％硫酸電解液中で、温度40
℃、電流密度1.3A／ｄm2定電流の条件で２分間
陽極酸化電解処理した。以降は実施例１と同様に
処理して表面にａ−Si光導電層を有する感光体の
本発明試料No.２を得た。 比較例 １〜２ 実施例１〜２と同様のアルミニウム製円筒状導
電性支持体を前処理したのち、常法に従つて、15
％硫酸電解液により、温度20℃において、電流密
度1.3A／ｄm2の定電流条件で1.5分間陽極酸化電
解処理した。そして、陽極酸化皮膜の未封孔のも
の（比較例試料No.１）と、更に続いて常法による
封孔処理を施したもの（比較例試料No.２）とをつ
くり、以降は前記実施例１〜２の場合と同様にし
て、表面にａ−Si光導電層を有する感光体の比較
例試料No.１〜２を得た。 比較例 ３ 硫酸電解液の濃度を15％、温度を25℃としたこ
とのほかは、すべて実施例１と同様に実施して、
比較例試料No.３の感光体を得た。 上記実施例の本発明試料No.１〜２及び比較例試
料No.１〜３のそれぞれにつき、その陽極酸化皮膜
２のバリヤー層２ａ及び多孔質層２ｂの厚さt1，
t2を測定すると共に、光導電層の密着性を評価し
た。そして又、これらの感光体試料を、暗中にお
いてコロナ電圧5.5KVで帯電させ、次いでハロゲ
ンランプにて10lx・ｓ露光したのち残留電位を測
定した。 これらの結果を下表に示す。
リンタなどに使用される電子写真用感光体に関す
る。 従来の技術 この種の感光体は、一般にアルミニウム（この
明細書において「アルミニウム」の語はその合金
を含む意味に於いて用いられる。）からなる導電
性支持体上に、密着性を向上するための界面層を
介して光導電性絶縁材からなる光導電層が形成さ
れたものとなされている。光導電性材料として
は、従来から無定形セレンを主体とする各種材料
が広く用いられているところであるが、最近、光
感度、スペクトル特性、受容電位、電荷保持性等
の面で一段と優れた性質を有しかつ無公害である
等の利点から、アモルフアスシリコン（以下ａ−
Siと略記する）の使用の有望性が着目され、その
実用化が進められている。 ところが、従来のセレン系光導電性材料を用い
る場合においても勿論であるが、殊にａ−Siで光
導電層を形成する場合、該光導電層の導電性支持
体に対する密着性、及び帯電・露光後の残留電位
特性の点で問題を生ずることが多い。 従来、アルミニウム製の導電性支持体を用いる
場合、主として光導電層の密着性の向上をはかる
ために、該支持体に予め下地処理として硫酸法等
による陽極酸化処理を施し、支持体表面に界面層
としての陽極酸化皮膜を形成することが知られて
いる（例えば特公昭57−104938号）。 発明が解決しようとする問題点 ところが、確かにこのような下地処理による陽
極酸化皮膜、なかでも特に硫酸皮膜は、封孔処理
しない場合、表面が吸着性に富み、比較的光導電
層との良好な密着性を実現しうるが、反面、電子
写真の画像形成プロセスにおいて、光照射後の残
留電位、即ち光減衰後の残留電位が比較的高いも
のとなり、特に連続階調の画像形成に有害な影響
を及ぼすという難点がある。例えば、最も一般的
な陽極酸化処理条件である硫酸濃度15％、温度20
℃の電解液を用いて、電流密度1.3A／ｄm2の条
件でアルミニウム製電極支持体を陽極酸化処理し
た場合、そのときの化成電圧は使用材料によつて
多少異なるが約15〜20V程度となり、その結果化
成される陽極酸化皮膜のバリヤー層（表面の多孔
質層下の絶縁層）の厚さは150〜200Å程度になる
といわれている。而して、このような皮膜を支持
体と光導電層との界面層として用いた場合、表面
の吸着性に富む多孔質層の存在によつて比較的良
好な密着性を得ることができるものの、露光後の
残留電位が高いものとなり、電気特性の面で必ず
しも高品質の感光体を得ることができないという
問題があつた。 本発明者等は、上記のような問題点を克服する
ことを目的として鋭意研究した結果、電気的特性
の低下の原因が、主に陽極酸化皮膜の下層部分に
不可避的に形成されるバリヤー層の有する比較的
高い絶縁性にあることをつきとめ、かかる知見に
基づいてこの発明を完成したものである。 従つて、この発明の所期目的は、光導電層に対
する密着性を比較的良好に保ちながらも、バリヤ
ー層の厚さを好ましくは100Å以下の極めて薄い
ものに制御して、露光後の残留電位の低減化をは
かりうるような界面陽極酸化皮膜の形成方法、即
ち導電性支持層に対する陽極酸化下地処理方法を
提示することにある。 問題点を解決するための手段 而して、この発明は、添附の模式図に示すよう
に、表面に光導電層３を密着状に被覆形成するた
めにアルミニウムからなる導電性支持体１の表面
に陽極酸化皮膜を形成するに際して、上記導電性
支持体１の陽極酸化処理を、濃度20〜40％、温度
30〜40℃の高温・高濃度の硫酸電解液を用いて行
うことを特徴とする電子写真用感光体の下地処理
方法を要旨とする。 手段の具体的な説明 陽極酸化皮膜２の形成に用いられる電解処理液
として、この発明においては特に硫酸溶液に限定
される。これは、この発明の処理条件において
は、リン酸、あるいはシユウ酸等の他の電解液を
用いる場合に較べて、光導電層３の密着性、残留
電位特性の点で、一段と優れた陽極酸化皮膜を形
成しうることに基づく。 ただ、斯る硫酸電解液を用いて導電性支持体を
陽極酸化処理するにおいても、通常の電解処理条
件ではこの発明の所期する低残留電位効果をもつ
た硫酸陽極酸化皮膜を形成せしめることはできな
い。而して、この発明は、上記効果を発現せしめ
るような陽極酸化皮膜２を生成するため、陽極酸
化皮膜２における表面部の多孔質層２ｂ下にあつ
て殊に絶縁層として作用するバリヤー層２ａの厚
さt1を、100Å以下の極く薄いものに制御しうる
ような特定の陽極酸化処理条件を提示するもので
ある。即ち、この発明の方法による処理条件は、
硫酸電解液の濃度としてこれを20〜40％、温度と
して30〜40℃の範囲に規定するものである。この
ような電解浴の濃度及び温度は、一般的な硫酸法
陽極酸化処理条件として採用されているような、
濃度10〜20％、温度10〜30℃程度の範囲より逸脱
して、高温かつ高濃度のものである。硫酸電解液
の温度の温度及び濃度が上記範囲の下限値未満、
即ち30℃、20％未満であると、バリヤー層２ｂの
厚さを100Å以下とする陽極酸化皮膜２の生成が
困難であり、逆に上限値の40℃、40％をこえると
きは、高導電層に対する密着性の良好な皮膜を得
ることができない。硫酸電解液においてもつと好
適な濃度は導電率の良い30％を中心としてその上
下５％程度の範囲であり、温度は35℃前後であ
る。上記のような高温．高濃度の条件は化成電圧
を下げる上で必要となるものであり、従つて化成
電圧の上昇の原因となるような例えば電解浴中の
溶存アルミニウムの量は、常に少なくとも５ｇ／
程度以下となるように浴を管理することが必要
である。電解は、定電流電解で行うのが一般的で
あるが、定電圧電解で行つても良く、その電解時
間は概ね１〜５分程度で良い。 なお、この発明において、導電性支持体１の構
成材料として用いられるアルミニウム材の種類は
特に限定されるものではなく、切削性、強度、硬
さ等を考慮して市販の各種アルミニウム材の中か
ら適宜のものを選択使用することができる。一般
的には、純アルミニウム系、A3000番系等のアル
ミニウム展伸材が好適に用いられる。 発明の効果 この発明による下地処理方法においては、導電
性支持体とその上に形成される光導電層との間に
界面層として介在されることになる陽極酸化皮膜
が、特にそのバリヤー層の厚さにおいて100Å以
下の極めて薄いものとして形成される。従つて、
界面層が陽極酸化皮膜であるにも拘わらず、それ
自体の絶縁性が低く、帯電・露光時の光導電層の
速やかな光減衰を妨げることがなく、ひいては露
光後の残留電位を充分に低いものとすることが可
能となる。従つて、連続階調の画像の解像力にも
優れた電気特性の良好な感光体を提供しうる。も
とより、界面層がアルミニウム製導電性支持体の
表面の陽極酸化皮膜として形成されるものである
から、表面にポーラスな多孔質層を有してこれが
光導電性に対する良好な密着性を示し、セレン系
の光導電性材料を用いる場合はもちろんのこと、
ａ−Si系の光導電性材料を用いる場合において
も、光導電層の成層形成後、放冷過程等において
該層の別離、ふくれ、亀裂等の現象を生じること
のない安定した感光体の製造に貢献を果しうる。 実施例 実施例 １ A1070−H14からなる外径80mm、内径74mm、長
さ340mmのアルミニウム円筒体を導電性支持体と
して用い、表面を鏡面切削仕上げし、かつ弱アル
カリ系脱脂剤で脱脂処理したのち、30％硫酸電解
液中で、液温35℃において、電流密度1.3A／ｄ
m2の定電流電解により２分間陽極酸化電解処理を
行つた。そして、これを充分に水洗し、自然乾燥
したのち、上記支持体上に、グロー放電法により
ａ−Siからなる厚さ約20μｍの光導電層を形成し、
常温下に自然冷却して電子写真用感光体の本発明
試料No.１を得た。 実施例 ２ 実施例１と同じ方法で前処理したアルミニウム
製導電性支持体を、30％硫酸電解液中で、温度40
℃、電流密度1.3A／ｄm2定電流の条件で２分間
陽極酸化電解処理した。以降は実施例１と同様に
処理して表面にａ−Si光導電層を有する感光体の
本発明試料No.２を得た。 比較例 １〜２ 実施例１〜２と同様のアルミニウム製円筒状導
電性支持体を前処理したのち、常法に従つて、15
％硫酸電解液により、温度20℃において、電流密
度1.3A／ｄm2の定電流条件で1.5分間陽極酸化電
解処理した。そして、陽極酸化皮膜の未封孔のも
の（比較例試料No.１）と、更に続いて常法による
封孔処理を施したもの（比較例試料No.２）とをつ
くり、以降は前記実施例１〜２の場合と同様にし
て、表面にａ−Si光導電層を有する感光体の比較
例試料No.１〜２を得た。 比較例 ３ 硫酸電解液の濃度を15％、温度を25℃としたこ
とのほかは、すべて実施例１と同様に実施して、
比較例試料No.３の感光体を得た。 上記実施例の本発明試料No.１〜２及び比較例試
料No.１〜３のそれぞれにつき、その陽極酸化皮膜
２のバリヤー層２ａ及び多孔質層２ｂの厚さt1，
t2を測定すると共に、光導電層の密着性を評価し
た。そして又、これらの感光体試料を、暗中にお
いてコロナ電圧5.5KVで帯電させ、次いでハロゲ
ンランプにて10lx・ｓ露光したのち残留電位を測
定した。 これらの結果を下表に示す。
【表】
【表】
上表の結果により、この発明に係る下地処理方
法を採用して製作した感光体は、光導電層の密着
性を良好に保ちつつ、殊に露光後の残留電位の低
下効果を認め得るものであつた。
法を採用して製作した感光体は、光導電層の密着
性を良好に保ちつつ、殊に露光後の残留電位の低
下効果を認め得るものであつた。
図面はこの発明の下地処理を施して製作される
感光体の支持体と光導電層との界面部分の構造を
示す模式図である。 １……導電性支持体、２……陽極酸化皮膜、２
ａ……バリヤー層、２ｂ……多孔質層、３……光
導電層。
感光体の支持体と光導電層との界面部分の構造を
示す模式図である。 １……導電性支持体、２……陽極酸化皮膜、２
ａ……バリヤー層、２ｂ……多孔質層、３……光
導電層。
Claims (1)
- １ 表面に光導電層を密着状に被覆形成するため
にアルミニウムからなる導電性支持体の表面に陽
極酸化皮膜を形成するに際して、上記導電性支持
体の陽極酸化処理を、濃度20〜40％、温度30〜40
℃の高温・高濃度の硫酸電解液を用いて行うこと
を特徴とする電子写真用感光体の下地処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3992185A JPS61198246A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真用感光体の下地処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3992185A JPS61198246A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真用感光体の下地処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198246A JPS61198246A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH0545027B2 true JPH0545027B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=12566398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3992185A Granted JPS61198246A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真用感光体の下地処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198246A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022637A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-11 | ||
| JPS56106248A (en) * | 1980-01-29 | 1981-08-24 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3992185A patent/JPS61198246A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022637A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-11 | ||
| JPS56106248A (en) * | 1980-01-29 | 1981-08-24 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61198246A (ja) | 1986-09-02 |
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