JPS63310848A

JPS63310848A - 液晶性化合物

Info

Publication number: JPS63310848A
Application number: JP14692587A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Mihashi; 三橋　茂; Hitoshi Kondo; 仁近藤; Akio Yamaguchi; 明夫山口
Original assignee: Takasago Perfumery Industry Co; Takasago Corp
Current assignee: Takasago International Corp; Takasago Corp
Priority date: 1987-06-15
Filing date: 1987-06-15
Publication date: 1988-12-19
Anticipated expiration: 2009-06-08
Also published as: JPH0643376B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は、液晶の電気光学効果の特性利用において、特
に高速応答性の要求される大型表示素子用材料としての
強ＨＥ性液晶性化合物に関するものである。

［従来の技術］従来より実用化されている液晶の大部分はネマチック、
中でもツイストネマチック型（ＴＮ）であり、主として
時計、腕時計や電卓のような画素数の少ない表示に用い
られてきたが、画素数が多く（例えば信号電極数がＩＨ
以上）、比較的表示面積の大きい画面にするとコントラ
ストが低下し、且つ視野角が狭くなって実用性がなくな
る。

この問題解決には二つの手段がとられた。すなわち、）
戻じれ角９０′のＴＮ型を１８０〜２７０°と大きくし
てコントラストを上げるスーパーツイストネマチック型
（ＳＴＮ型）の開発であり、他の一つは各画素にトラン
ジスターやダイオードを組み込むことによってコントラ
ストの低下を防止する、アクティブマトリックス方式と
いう新しい駆動方式の開発であフた。

これらの解決策により画面サイズ２〜３インチ、画素数
５〜８万の液晶テレビが市場に出現するにおよび、勢い
その研究開発の延長線上にさらにそれよりも表示面積の
大なるディスプレー、例えばＣＲＴを代替可能とするフ
ラットディスブレーが目標として設定されるに至った。

しかしながら、ネマチック液晶の素子では電界Ｅによる
駆動力としては車に話電率の異方性を利用しているため
、常誘電体の小さい力しかなく、ｍ−３ｅＣ以上の高速
応答性は難しく、使用目的による細部の脣求レベルに対
応した様々の工夫にも拘らずその表示容量、応答性２表
示品質などについて、本質的に限界のあることが明らか
となった。

これに対し、新しい液晶として強誘電性液晶が近来注目
と期待を集めるようになった。

強誘電性液晶は、Ｒ，Ｂ、　Ｍｅｙｅｒらにより１９７
５年にｐ−デシルオキシベンジルデンーｐ′−アミノ−
２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＧ）が合
成され（Ｊ、　ｄｅ　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、、　３６
．６９．１９７５）　、カイラルスメクチックＣ相にお
いて、自発分極を有する強誕電体であることが確認され
た。

また、１９８０年には、Ｎ、　Ａ、　Ｃ１ａｒｋらによ
って（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、　３６．８９
９．１９８０）、薄膜セル中でこの強誘電性液晶化合物
の一種であるＤＯＢＡＭＢＣがｍ−５ｅｅ以下の高速ス
イッチング特性を示し、かつ双安定性を有することが報
告され、画期的なディスプレー素子材料としての可能性
が注目された。強誘電性液晶の特徴は高速応答性、メモ
リー性にあるが、なかでもμ・ｓｅｃオーダーの応答時
間を示す高速性は、他の液晶に例をみないものである。

強誘電性は液晶分子の構造上からみて、１）分子長軸方
向に対し垂直方向の双極子モーメントまたは双極子モー
メント成分を持っている、２）分子が光学活性基を有す
るカイラル分子である、３）チルト角を持ったスメクチ
ック相であるという３条件を満たした場合にのみ、自発
分極を持って発現される。電界已に於ける素子の駆動力
は自発分極Ｐ　、　（ｎＣ／ａｍ２）であり、その応答
速度では、τ＝η／Ｐ、・Ｅ（ηはチルト角を一定とした才差運動に対する粘度）で表わされ　ＣＭ、　Ａ、　Ｈａｎｄｓｃｈｙ、；　Ａ
ｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ。

Ｌｅｔｔ、、　４１．３９．１９８２）、高速応答性を
得るには自発分極を大としなければならないことが分か
る。

また、特開昭６１−２０８０３２号、特開昭８１−２３
１０８２号、特開昭６１−２４３０３７号等に下記のご
とき液晶化合物が報告されている。しかしながら、高速
応答性という観点からは未だ不十分といわざるを得ない
。

［発明が解決しようとする問題点コミ誘電性液晶の電気光学的効果を利用する素子やデバイ
スへの実用化については、配向技術、セルの構成および
その量産技術、駆動方式など、未だ解決を要するいろい
ろな問題があるが、最も重要なことは広い温度範囲で大
きな自発分極を持った、高速応答性液晶の開発である。

本発明は、この期待に応えようとしたものである。

［問題点を解決するための手段］自発分極の発現は、分子の長軸に対する垂直方向の永久
双極子モーメントによるものであるが、液晶の場合は固
体に比較してその値は極めて小さく、例えば〉Ｃ＝０の
結合モーメントが完全に配向したときの予想値の約１／
３００Ｄ　シか示さない。この現象は、分子の回転が固
体のようには束縛されていないためかなり自由に回転し
ていること、不斉炭素と永久双極子との位置が離れてい
るため、分子の内部運動である回転や振動によって双極
子の実効的な配向が相殺され、自発分極が著しく低下す
るとされている。

従って、自発分極を大とするには、不斉炭素と永久双極
子の位置をできるだけ接近させること、あるいは不斉炭
素に直接ハロゲン原子または大きな分極を持つ結合を入
れることなどが考えられる。

本発明者らは、かかる事情をもとに、実効性のある自発
分極の大きい液晶性化合物に関して、光学活性基を含め
た分子構造について種々検討の結果、下記一般式（１）
で表わされる化合物が広い範囲にわたり、比較的大きな
自発分極を持つことを見出し、本発明を完成したもので
ある。

即ち、本発明は強誘電性を示し、高速応答性に優れた一般式（式中、Ｒ１は炭素数６〜１２のアルキル基を、Ｒ２は
炭素数３〜５の不斉炭素を有する光学活性基を、Ｒ３は
炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｎはＯまたは１を示
す。）で表わされる液晶性化合物を提供することである。

次に、一般式（Ｉ）の安息香酸誘導体（ｎ＝１）の合成
につき、一般的な製法を簡単にのべる。式中、ｍは０〜
２を、ＴＨＰはテトラヒドロビランを、Ｍｅはメチル基
を表わす。

ＲＩ　Ｏ＄ＣＯＯＨ（Ｉ）まず、オキシ酸エステル（２）のヒドロキシル基をテト
ラヒドロビランにて保護した後、水素化アルミニウムリ
チウムにてカルボキシル基を還元してメチロール化し、
沃化アルキルにて処理して（５）のエーテル化合物を得
る。保護基をはずして得たアルコール（６）にアセトキ
シ安息香酸クロライドを反応させて安息香酸誘導体（７
）を得る。これにベンジルアミンを加えて分解し、（８
）のフェノール誘導体を得る。次に、別に用意したアル
コキシビフェニルカルボン酸と（８）のフェノール誘導
体とのエステル化反応を行い、一般式（Ｉ）のエステル
を得る。

次ニ、　Ｉｆｆ式（Ｉ）のフェノール誘導体（ｎ＝０）
の合成につき、一般的な製法を簡単にのべる。式中、ｍ
は０〜２を、Ｍｅはメチル基を表わす。

Ｉｌｌノオキシ酸エステル（２）をメタンスルホニルクロライド
にてメタンスルホニルアルキルラクテート（９）とする
。次に、ベンジルオキシフェノールと反応させて（ｌＯ
）の化合物を得る。これを水素化アルミニウムリチウム
で還元してアルコール体（１１）を得る。このアルコー
ル体と沃化アルキルを反応させてエーテル体（１２）を
得る。続いて、ノ＜ラジウムカーボンで常圧下に水素添
加し、フェノール体（１３）とする。このフェノール体
（１３）をアルコキシビフェニルカルボン酸クロライド
と反応させて一般式（Ｉ）のエステルを得る。

前記一般式（１）で表わされる液晶性化合物の代表例を
次に例示する。

なお、本発明に係る液晶性化合物は既存の強誘電性液晶
あるいは強誘電性を示さない車なるＳｃ相を経る化合物
と混合使用することによりＳｅ”相の温度範囲を拡げ、
ディスプレーなどに実用可能な液晶組成物を得ることが
できる。また、本発明に係る化合物で液晶性の乏しいも
のでも、Ｓｃ相あるいはＳｃ゛相を経る化合物に５〜２
０％程度加えることにより大きな自発分極を有する強誘
電性液晶組成物を得ることができる。

［実施例］以下に実施例、比較例および応用例を以て本発明を更に
具体的に説明する。

実施例１３−ヒドロキシブチルエチルエーテルの合成３−ヒドロ
キシ酪酸メチルエステル６ｇと２．３−ジヒドロピラン
５ｇをエーテル中で反応させ、エステルの保護体１０．
５ｇを得た。これを１５０ｍｆのテトラヒドロフラン溶
液に入れ、水素化アルミニウムリチウム　１．５ｇを加
えて室温で還元してメチロール化し、８．７ｇの生成物
を得た。次に、これを７．Ｏｇ取り、テトラヒドロフ９
冫８０化エチル１１．６ｇとリチウムハイドライド３ｇ
とを反応させてエーテル体７ｇを得た。これを７ｍ１）
のメタノールの中に入れ、ｐ−トルエンスルホン酸３０
［有］８にて保護基をはずして目的化合物４ｇを得た（
理論収率６３．５％）。

実施例２ｐ−ヒドロキシ安息香酸（１−メチル−３−ニドキシ）
プロピルエステルの合成まず、アセトキシ安息香酸５ｇを塩化チオニル１９、８
ｇを用いて塩素化し、過剰の塩化チオニルを留去した後
、この全量と実施例１で得たエーテル話導体４ｇ，ピリ
ジン２．６ｇとを５０ｍｊのトルエン中で０〜５℃にて
１時間、次いで室温で２時間反応させた。その後、水で
希釈し酸吐炭酸ソーダにて中和し、飽和食塩水でよく洗
浄してからトルエンを回収し、ｐ−アセトキシ安息香酸
（１−メチル−３−エトキシ）プロピルエステル７、４
ｇを得た（理論収率８２．５％）。

次に、これをエタノール２５ｍｆｆ１に溶かし、冷却し
てからベンジルアミン２．８ｇを加え、２０〜２５℃で
２時間反応させ、エタノールを留去した後、クロロホル
ムとメタノールの混合溶媒に溶かし、シリカゲルカラム
を通して純度９９％の目的化合物３．３ｇを得た（理論
収率６３．６％）。

実施例３４−（４’−ｎ−オクチルオキシビフェニル−４−カル
ボニルオキシ）安息香酸（１−メチル−３−エトキシ）
プロピルエステルの合成実施例２で得た安息香酸諺導体
１．５８とｎ−オクチルオキシビフェニルカルボン酸１
．５８ｇとをジクロルメタン５０ｍ１’に溶かし、これ
にジメチルアミノピリジンとジシクロへキシルカルボジ
イミドを少量加えて室温にて２時間反応させた。ジクロ
ルメタンを留去して粗生成物５．４ｇを得た。これをク
ロロホルムとメタノールの混合溶媒に溶かし、シリカゲ
ルカラムに通した後、エタノールで再結晶して融点８０
℃の４−（４’−ｎ−オクチルオキシビフェニル−４−
カルボニルオキシ）安息香酸（１−メチル−３−エトキ
シ）プロピルエステル１．８ｇ　（理論収率６８．７％
）（例示化合物５）を得た。

以下に本化合物の分析値を記す。

比旋光度：　［α］　”＝３１．８゜ＮＭＲ：　０．９０（３Ｈ，ｔ、Ｊ−６，９８Ｚ）、　
１．１７（３Ｈ，ｔ、Ｊ−７，０Ｈｚ）。

１．８３（１１８，ｎ）、　１．４８（２）１．ｍ）、
　１．８１（２Ｈ，ｍ）。

１．９２（１）１．ｍ）、　２．０５（ＬＨ，ｍ）、　
３．５（４）１．ｍ）。

４．０２　（２Ｈ，ｍ）　、　５．３２　（ＩＨ，ｍ）
　、　７．０１　（２１（、ｍ）　。

７．３２　（２Ｈ，ｍ）　、　７．５８　（２Ｈ，ｍ）
　、　７．７０　（２Ｈ，ｍ）　。

８．１４　（２Ｈ，ｍ）　、　８．２３　（２＋１．ｍ
）実施例４４−（４’−ｎ−へキシルオキシビフェニル−４−カル
ボニルオキシ）安息香酸（１−メチル−３−エトキシ）
プロピルエステルの合成４−（４’−ｎ−ヘキシルオキ
シビフェニルカルボン酸１．４５ｇと実施例２で得たバ
ラヒドロキシ安息香酸誘導体１．５ｇとを、実施例３に
準じて反応させた後、精製再結晶を行って融点７５．０
℃の４−（４’−ｎ−へキシルオキシビフェニル−４−
カルボニルオキシ）安息香酸（１−メチル−３−エトキ
シ）プロピルエステル１．９５ｇ　（理論収率７７．０
％）（例示化合物４）を得た。

実施例５２−　［４−（ベンジルオキシ）フェノキシ］プロピオ
ン酸エチルの合成（Ｓ）　　−エチルラクテート　３０３ｇ、エーテル３
５０ｍＡ＋　とピリジン４００ｍＲを混合した液にメタ
ンスルホニルクロライド３５０ｇを室温にて滴下する。

３時間反応させた後、反応液を水中に投入し、エーテル
で抽出する。エーテル層を水洗し、乾燥してから減圧蒸
留してメタンスルホニルエチルラクテートを得た。

このメタンスルホニルエチルラクテート　２３５ｇをエ
タノール２４０ｍ１＋に溶かしたｔ夜を、ベンジルオキ
シフェノール２４０ｇ、苛性カリ　１６２ｇ、水１９０
ｍｊ＋　、エタノール１．２ｆＬを攪拌混合した液に室
温で滴下した後、４時間還流下に反応させた。次いで、
エタノールを留去した後、水３１を加えて希釈し、エー
テルで抽出洗浄した。水層を塩酸で弱酸性とし、酢酸エ
チルで抽出し、水洗、乾燥後、減圧下に濃縮して２４０
ｇの粗生成物を得た。

これをベンゼンで再結晶し、融点１３３〜１３４℃の目
的化合物１２５ｇ　（理論収率３８．３％）を得た。

実施例６２−　（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピルエチルエ
ーテルの合成テトラヒドロフラン　１．ｌｆＬの中に、水素化アルミ
ニウムリチウム２６ｇを窒素ガス気流中で懸濁せしめ、
１０〜１５℃に保ちながら、この液に実施例５で得た２
−［４−（ベンジルオキシ）フェノキシ］プロピオン酸
エチル１６９ｇを３４０ｍｆｆ１のテトラヒドロフラン
に溶かした溶液を２．５時間を要して滴下した。室温で
１時間攪拌した後、メタノールで水素化アルミニウムリ
チウムを分解し、水６００ｍｊｌを加えて希釈し、エー
テルで抽出した。

エーテル層は水洗、乾燥、濃縮して１３９ｇの粗生成物
を得た。これをヘプタンにて再結晶して、融点４３〜４
４℃の２−（４−ベンジルオキシフェノキシ）プロピル
アルコール９７ｇを得た。このアルコール８５ｇを取り
、テトラヒドロフラン２１０ｍｆに溶かし、窒素ガスを
通しながら水素化ナトリウム１７ｇを懸濁させ、６６．
７ｇの沃化エチルを滴下した。液温を５０〜６０℃に保
ちながら２時間反応させた後、テトラヒドロフランを留
去した。水３００ｍＡ＋を加え、ベンゼンで抽出し、ベ
ンゼン層を水洗。

乾燥後、減圧下にｍ縮して９２ｇの２−（４−ベンジル
オキシフェノキシ）プロピルエチルエーテルを得た。こ
のエーテル４８ｇを取り、メタノール４００ｍＲに溶解
し、１０％のパラジウム炭素４ｇを懸濁させて常圧下５
０℃付近で６時間水添した。触媒を炉別後、減圧濃縮し
て３２ｇの粗２−（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピ
ルエチルエーテルを得た。これを６００ｇのシリカゲル
を用いてカラムクロマトオ青製し、２−（４−ヒドロキ
シフェノキシ）プロピルエチルエーテル２４ｇ（理論収
率１６．４％）を得た。このもののガスクロ純度は９９
％であった。

実施例７４−［４’−（デシルオキシビフェニル）カルボオキシ
］フェニル（１−メチル−２−エトキシ）エチルエーテ
ルの合成実施例６で得た２−（４−ヒドロキシフェノキシ）プロ
ピルエチルエーテル３．９２ｇをトルエン３０ｍｊ）に
溶解し、ピリジン２．３７　ｇを加えた液に１０ｍｆｆ
のトルエンに７．４ｇの４−デシルオキシビフェニルカ
ルボン酸クロライドを溶かした溶液を加え、８０〜９０
℃で３時間反応せしめた。反応終了後、水に投入し、炉
別し、有機層を水洗、乾燥してから減圧濃縮して粗製の
目的化合物１０．６ｇを得た。これをシリカゲル３０ｇ
を用いてクロマト精製し、さらにエタノールにて再結晶
を行い融点５６℃の精製４−［４’−（デシルオキシビ
フェニル）カルボオキシ］フェニル（１−メチル−２−
エトキシ）エチルエーテル６．１ｇ　（理論収率５７．
３％）（例示化合物１４）を得た。

以下に本化合物の分析値を記す。

Ｍ、：　５３２　（Ｍ”）ＮＭＲ：　０．９１　（３Ｈ，ｔ、Ｊ−８，７Ｈｚ）　
、　１．４８　（２２Ｈ，ｍ）　。

１．８２（２Ｈ，ａ＋）、　３．０８（４）１．ｍ）、
　３．９８（２Ｈ，ｍ）。

４．５３（ＩＨ，ｍ）、　６．９７（４Ｈ，ｍ）、　７
．１３（２）１．ｍ）。

７．５７（２）１．ｌ１１）、　　７．７０（２）１．
ｍ）、　　８．２２（２Ｈ，ａ）実施例８４＝［４’−（オクチルオキシビフェニル）カルボオキ
シ］フェニル（１−メチル−２−エトキシ）エチルエー
テルの合成４−デシルオキシビフェニルカルボン酸クロライドの代
わりに４−オクチルオキシビフェニルカルボン酸クロラ
イド６．８７ｇを用いたほかは、実施例７と同様に操作
して、融点６４℃の４−［４’−（オクチルオキシビフ
ェニル）カルボオキシコフェニル（１−メチル−２−エ
トキシ）エチルエーテル７．２ｇ　（理論収率７１．４
％）（例示化合物１３）を得た。

以下に本化合物の分析値を記す。

Ｍ、：　５０４　（Ｍ”）Ｎ、ＭＲ：　０．９１　（３）１．ｔ、Ｊ−７，０Ｈｘ
）　、　１．３６　（１８Ｈ，ｍ）　。

１’、８２　（２Ｈ，ｍ）　、　３．５０　（４）１．
ｍ）　、　４．０２　（２）１．ｍ）　。

４．５３（ＩＨ，ｍ）、　６．９８（４Ｈ，ｍ）、　７
．１３（２０，ｍ）。

７．５８　（２Ｈ，ｍ）　、７．６７　（２Ｈ，、ｍ）
　、８．２３　（２Ｈ，ｍ）実施例９４−［４’−（ヘキシルオキシビフェニル）カルボオキ
シコフェニル（１−メチル−３−ブトキシ）プロピルエ
ーテルの合成出発物質である乳酸エステルの代わりに３−ヒドロキシ
酪酸メチルを用いて実施例５と同様に操作して３−［４
−（ベンジルオキシ）フェノキシ］酪酸メチルとなし、
水素化アルミニウムリチウムにて処理してブタノール誘
導体を得た。次いで、沃化エチルに代えて沃化ブチルを
、４−デシルオキシビフェニルカルボン酸クロライドに
代えて、４−ヘキシルオキシビフェニルカルボン酸クロ
ライドを用いたほかは、実施例６および７と同様に操作
して融点８５℃の４−［４’−（ヘキシルオキシビフェ
ニル）カルボオキシ］フェニル（１−メチル−３−ブト
キシ）プロピルエーテル（例示化合物２１）を得た。

実施例１０４−　［４’−（オクチルオキシビフェニル）カルボオ
キシコフェニル（１−メチル−３−ブトキシ）プロピル
エーテルの合成出発物質である乳酸エステルの代わりに３−ヒドロキシ
醋酸メチルを用いて実施例５と同様に操作して３−［４
−（ベンジルオキシ）フェノキシ］酪酸メチルとなし、
水素化アルミニウムリチウムにて処理してブタノール誘
導体を得た。次いで、４−デシルオキシビフェニルカル
ボン酸クロライドに代えて４−オクチルオキシビフェニ
ルカルボン酸クロライドを用いたほかは、実施例６およ
び７と同様に操作して、カラム精製後、エタノールにて
再結晶して融点４５℃の４−［４’−（オクチルオキシ
ビフェニル）カルボオキシ］フェニル（１−メチル−３
−エトキシ）プロピルエーテル（例示化合物１９）を得
た（理論収率４４．６％）。

以下に本化合物の分析値を示す。

比旋光度：　［α］　２４＝−１７，７３゜実施例１１実施例３で得た４−（４’−ｎ−オクチルオキシビフェ
ニル−４−カルボニルオキシ）安息香酸（１−メチル−
３−エトキシ）プロピルエステルについて液晶特性を測
定した。

ガラス板上に透明電極を設け、さらにその上にポリマー
をコーティングし、それを一定方向にラビングした後、
２枚の基板のラビング方向が平行になるようにして、ス
ペーサーを用いて一定の厚さに組み立てたものを液晶セ
ルとした。セルの厚みは３繞ｍである。

このセルに本化合物を注入してヘリウム−ネオンレーザ
−及び光電子増倍管を用い、±２０Ｖの方形波の交流を
印加し、液晶の電気光学効果を観察したところ、明確な
コントラストがあり、かつ高速応答が確認され、液晶表
示素子として使用可能の材料であることが認められた。

一方、相転移温度は示差走査熱量計と偏光顕微鏡とによ
る観察で求めた。なお、Ｓｌは未判定の液晶相である。

これらの測定結果を表−１に示した。

実施例１２〜１８本発明化合物につき相転移温度および各種の特性値を実
施例１１と同様にして測定した。その結果を表−１に示
した。

比較例１．２Ｄ、　Ｍ、　Ｗａｌｂａらによって（Ｊ、八、Ｃ，Ｓ、
、１０８．５２１０゜１９８６）報告された化合物であ
って、本発明の液晶−性化合物と比較的類似した化学構
造を持った以下の化合物を比較例として、実施例１１と
同様にして相転移温度および各種の特性値を測定した。

その結果を表−１に示した。

比較化合物−１比較化合物−２これらの化合物は、比較的低い温度でＳＣ”相が現れる
が自発分極は小さく、応答速度もあまり速くない。これ
に対し、本発明の液晶性化合物はＳＣ″相の８現温度は
やや高いが、自発分極、応答速度については優れたもの
である。

表−１液晶性化合表−１（続き）応用例１〜３表示装置において、実際の使用温度のより広い範囲にわ
たって高速応答性を示す液晶組成物を得るため、各種の
液晶性化合物を混合し、その性能を調べた。また、実施
例により得た液晶性化合物を用いて、液晶表示素子とし
ての応答特性を評価した。測定方法は実施例１１と同様
にして行った。

その代表例を表−２に示した。

［発明の効果］本発明の液晶性化合物は、画像表示に於ける高速な応答
性を示し、かつ広い温度範囲で強話電性を示すので、今
後の高密度で大型のディスプレーへのニーズに応えるこ
とのできるものである。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中、Ｒ＿１は炭素数６〜１２のアルキル基を、Ｒ＾
＊＿２は炭素数３〜５の不斉炭素を有する光学活性基を
、Ｒ＿３は炭素数１〜６のアルキル基を示し、ｎは０ま
たは１を示す。）で表わされる液晶性化合物。