JPS63308329A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents

半導体装置の封止方法

Info

Publication number
JPS63308329A
JPS63308329A JP14582687A JP14582687A JPS63308329A JP S63308329 A JPS63308329 A JP S63308329A JP 14582687 A JP14582687 A JP 14582687A JP 14582687 A JP14582687 A JP 14582687A JP S63308329 A JPS63308329 A JP S63308329A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing
electrode
semiconductor chip
protective member
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14582687A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Tanaka
博司 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP14582687A priority Critical patent/JPS63308329A/ja
Publication of JPS63308329A publication Critical patent/JPS63308329A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置の封止方法に関し、さらに詳し
くは、表面上に電極を形成した半導体チップを有し、こ
の半導体チップの電極の一部もしくは全部を外部に露出
させた状態で、樹脂などの封止材料により封1h成形し
て構成する半導体装置の封止方法の改良に係るものであ
る。
〔従来の技術〕
従来例によるこの種の半導体?tこの封止方法を第3図
に示す。
すなわち、この第3図において、符号1は表面部上に電
極2を形成した半導体チップ、3はこの一半導体チツブ
1を固定支持するグイポンドパッドであり、また、4は
キャビティの内面部に電極2の露出面を押止する突出部
4aを形成した封止成形用の上金型、5は封止成形用の
下金型、Bはこれらの両全型の何れか一方、こ−では下
金型5に形成されて、キャビティ内に溶融された封止材
料を導入する。ランナ一部、7は固化された封止材料で
ある。
しかして、この従来例装置における封止手順としては、
まず、半導体チップ1を固定支持したダイポンドバッド
3を、封止成形用下金型5のキャビテイ内を含む所定位
置に配設させると共に、封止成形用上金型4により、半
導体チップ1を内包するようにしてグイポンドバッド3
の周端部を挟み込むと共に、そのキャビティ内面部に突
出形成した突出部4aによって、半導体チップlの電極
2面の爾後に露出される一部、もしくは全部を押止させ
、この状態で、ランナ一部6からキャビティ内に溶融さ
れた封止材料を導入し、所定のプロセスを経た後、封止
材料7を固化させて、目的とする半導体チップlの封1
Fを完了するのである。
そしてこの場合、突出部4aで押止された電極2面には
、封止材料7が廻らず、このために同電極2面が、固化
された封止材料7面から露出されることになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、このようにして構成される従来の封止型
半導体装置の場合には、封止成形用上金型4の突出部4
aによる半導体チップlの電極2面の押止が、所定圧で
完全になされていないと、同電極2面に封止材料7の薄
い膜が形成されることがあって支障を生じ、また、封正
に適用する上。
下金型3,4についても、特に上金型4のキャビティ内
面部に、突出部4aを形成するのは、岡知のように金型
加工上、極めて困難であり、しかも半導体チップ1での
電極2の配lパターンが異なるものについて、それぞれ
に各別の金型を用意しなければならず、高価な金型を多
数必要とし、電極2の配lパターンが変る度毎に行なう
必要のある封止機に対する金型の取替え交換も容易でな
いなどの種々の問題点を有するものであった。
従って、この発明の目的とするところは、従来例装置で
のこのような問題点に鑑み、金型自体の加工製造が容易
であって、電極の配置パターンが異なるものについても
共通の金型を使用でき、また、露出される電極面に封止
材料が流れ込む惧れのない、この種の半導体装置の封止
方法を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
前記目的を達成させるために、この発明に係る半導体装
置の封止方法は、半導体チップの封止後に露出される電
極面の一部もしくは全部に対し、保護部材を剥離可能に
付着させた状態で、この半導体チップを對止金型内に装
着させ、これを封止部材により保護部材の付着部分を除
いて封止させたのち、保護部材を剥離させるようにした
ものである。
〔作   用〕
すなわち、この発明においては、半導体チップの電極露
出面に保護部材を剥離可能に付着させ、この状態のま−
でその保護部材の付着部分を除いて封止させるようにし
たから、封止金型に関しては、従来のように電極露出面
を押止する突出部を必要とせず、金型自体の加工製造が
極めて容易になり、かつどのような電極の配置パターン
にも共通に適用でき、また、半導体装2に関しては、露
出される電極面に封止材料が流れ込む惧れを解消し得る
のである。
〔実 施 例〕
以下、この発明に係る半導体装置の封止方法の実施例に
つき、第1図および第2図を参照して詳細に説明する。
第1図および第2図はこの発明方法の各別の″実施例を
適用した封止状態を示すそれぞれ断面図である。
すなわち、これらの第1図、第2図に示す各実施例にお
いても、符号11は封止対象となる半導体チップであっ
て、表面部上には、適宜に所定位置を占めて電極12が
形成されると共に、グイポンドパッド13kに固定支持
されている。また、14および15は前記半導体チップ
11を封止する封止成形用の上金型および下金型であり
、その接合面内部には、所期のキャビティを有し、かつ
このキャビティ内に溶融された封止材料を導入するラン
ナ一部16を形成しである。さらに、17は前記半導体
チップ11の封止後に露出される所定の電極12面の二
部もしく伏全部に対して剥離可能に付着させる保護部材
である。なお、I8は固化された封1F材料である。
しかして、これらの各実施個装δにおける封止手順とし
ては、第1図実施例の場合、まず、半導体チップ11で
の封止後に露出される所定の電極12面の一部もしくは
全部に対し、その各電極12毎にそれぞれ各別に保護部
材17を剥離可能に付着させておき、その後、半導体チ
ップ11を固定支持したグイポンドパッド13を、封止
成形用下金型15のキャビティ内を含む所定位置に配設
させると共に、封止成形用上金型!4により、半導体チ
ー、プ11を内包するようにしてグイポンドパッド13
の周端部を挟み込んでセットする。従って、このように
セットされた状態では、電極12の露出される面に付着
された保護部材17が、この場合、上金型14の対応す
るキャビティ内面に当接されることになる。
ついで、ランナ一部16から上下両金型14,15のキ
ャビティ内に溶融された封止材料を導入し、所定のプロ
セスを経た後、封止材料17を固化させることにより、
目的とする半導体チップ11の封止を完了するのである
。そして、このように半導体チップ11を封止すると、
封止材料17の表面には、保護部材17で覆われた電極
12が現われ、この保護部材17を剥離させることで、
同部分に該当する電極12が所期通り外部に露出される
のである。
また、第2図実施例の場合には、各電極12に共通に保
護部材17を付着させ、かつ同保護部材17側を下向き
にして上、下金型14.15間のキャビティ内を含む所
定位置に配設させ、前例と同様に封止させるもので、こ
−でも同様な作用、効果が得られる。
なお、前記各実施例においては、共に一個宛の半導体チ
ップを個々に封止させる場合について述べたが、それぞ
れに独立した複数の半導体チップを同時に封止させる場
合、また、各半導体チップに跨って保護部材を共通使用
する場合のそれぞれについても適用でき、同様な作用、
効果が得られることは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、この発明方法によれば、半導体チ
ップの封LI:後に露出される電極面の一部もしくは全
部に対して、保護部材を剥離可能に付着させた状態で、
これを封止金型内に装着させ、封止部材により保護部材
の付着部分を除いて封止させたのち、保護部材を剥離さ
せるようにしたから、封止金型に従来のような電極露出
面を押止する突出部を必要とせず、従って、金型自体の
加工製造が極めて容易になると共に、しかも一つの金型
をどのような配置パターンの電極をもつ半導体チップの
封1hにも共通に適用できて、電極配置パターンにそれ
ぞれに対応した封止金型を個別に準備しなくて済み、ま
た、封止される半導体チップについても、その露出され
る電極面に封1F材料が流れ込む惧れがなく、この種の
半導体装置に対する封止を容易かつ適確に行ない得るな
どの優れた特長を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図はこの発明に係る半導体装置の封止
方法の各別の実施例を適用した封止状態を示すそれぞれ
要部断面図であり、また、第3図は従来例方法による同
上封止状態を示す要部断面図である。 !1・・・・半導体チップ、12・・・・半導体チップ
の電極、13・・・・グイポンドパッド、14・・・・
上金型、15・・・・下金型、18・・・・金型のラン
ナ一部、17・・・・保護部材、18・・・・封止材料

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表面部上に電極を形成した半導体チップを有し、
    この半導体チップの電極面の一部もしくは全部を外部に
    露出させた状態で封止成形する半導体装置の封止方法で
    あつて、封止後に露出される電極面の一部もしくは全部
    に対し、保護部材を剥離可能に付着させた状態で、半導
    体チップを封止金型内に装着させ、封止部材により保護
    部材の付着部分を除いて封止させたのち、保護部材を剥
    離させることを特徴とする半導体装置の封止方法。
  2. (2)保護部材が弾性材であることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項に記載の半導体装置の封止方法。
JP14582687A 1987-06-10 1987-06-10 半導体装置の封止方法 Pending JPS63308329A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14582687A JPS63308329A (ja) 1987-06-10 1987-06-10 半導体装置の封止方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14582687A JPS63308329A (ja) 1987-06-10 1987-06-10 半導体装置の封止方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63308329A true JPS63308329A (ja) 1988-12-15

Family

ID=15394015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14582687A Pending JPS63308329A (ja) 1987-06-10 1987-06-10 半導体装置の封止方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63308329A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5139969A (en) * 1990-05-30 1992-08-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making resin molded semiconductor device
US5373190A (en) * 1991-08-12 1994-12-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device
US6881611B1 (en) 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
JP2007184615A (ja) * 2006-01-09 2007-07-19 Mediana Electronic Co Ltd 複合波長の光を発生する発光ダイオード素子
JP2010245515A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Visera Technologies Co Ltd 白色光発光ダイオードチップ及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5139969A (en) * 1990-05-30 1992-08-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making resin molded semiconductor device
US5373190A (en) * 1991-08-12 1994-12-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device
US6881611B1 (en) 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
JP2007184615A (ja) * 2006-01-09 2007-07-19 Mediana Electronic Co Ltd 複合波長の光を発生する発光ダイオード素子
JP2010245515A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Visera Technologies Co Ltd 白色光発光ダイオードチップ及びその製造方法
EP2237335B1 (en) * 2009-04-02 2016-03-23 VisEra Technologies Company Limited Method for fabricating a white-light emitting light emitting diode chip

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001267482A (ja) リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法
JPH11121507A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0590319A (ja) 半導体デバイスを封止する方法および装置
JPS63308329A (ja) 半導体装置の封止方法
KR100847320B1 (ko) 성형금형 클리닝용 시트 및 그것을 이용한 반도체장치의제조방법
JPH02129933A (ja) Icカード用のモジュールの製造方法
JPH1092856A (ja) チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置
JPH0246134B2 (ja)
JP3499269B2 (ja) カバーフレームと樹脂封止方法
JP3499266B2 (ja) キャリアフレームと樹脂封止方法
JPS596549A (ja) 半導体装置の製造用金型
JPS6214451A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS61156845A (ja) 樹脂封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPS61285730A (ja) 半導体装置の製造方法及びこれに用いる樹脂封止部材
JPH04164356A (ja) リードフレーム
JPS59117222A (ja) ダミ−リ−ドフレ−ム
JPH05211187A (ja) Icパッケージ用のモールド金型
JPH0225061A (ja) 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム
JPH02172241A (ja) 樹脂封止半導体用モールド金型
JPH02133949A (ja) リードフレームのスポットめっき方法
JPH06163620A (ja) トランスファモールド装置
JPS63216350A (ja) 電子部品の樹脂封止法
JPH04186740A (ja) 半導体封止金型
JPH01191459A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0329353A (ja) 半導体装置の製造方法