JPS63306634A - 二元系合金のバンプ形成法 - Google Patents
二元系合金のバンプ形成法Info
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- JPS63306634A JPS63306634A JP14231887A JP14231887A JPS63306634A JP S63306634 A JPS63306634 A JP S63306634A JP 14231887 A JP14231887 A JP 14231887A JP 14231887 A JP14231887 A JP 14231887A JP S63306634 A JPS63306634 A JP S63306634A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体素子および回路配線基板のバンプ位置に、二元系
合金を形成すべき成分金属のバンプをそれぞれ蒸着し、
これらのバンプを相互に突き合わせ、加熱してリフロー
することにより、成分金属を合金化する二元系合金はん
だバンプの形成方法。
合金を形成すべき成分金属のバンプをそれぞれ蒸着し、
これらのバンプを相互に突き合わせ、加熱してリフロー
することにより、成分金属を合金化する二元系合金はん
だバンプの形成方法。
大規模集積回路の実装方法として、半導体素子を回路基
板に直接はんだ付けするフリップチップ方式が注目され
ている。このフリップチップ接合に使用するはんだバン
プは蒸着によって形成することができる。現在、半導体
素子および回路基板の、それぞれに、同種のはんだ合金
バンプを形成するには、第２図に示すように、（ａ）ま
ず二元系合金の１つの成分金属を蒸着した上に、他の成
分金属を蒸着した後に、（ｂ）これを熔融して合金化す
る方法が考えられている。
板に直接はんだ付けするフリップチップ方式が注目され
ている。このフリップチップ接合に使用するはんだバン
プは蒸着によって形成することができる。現在、半導体
素子および回路基板の、それぞれに、同種のはんだ合金
バンプを形成するには、第２図に示すように、（ａ）ま
ず二元系合金の１つの成分金属を蒸着した上に、他の成
分金属を蒸着した後に、（ｂ）これを熔融して合金化す
る方法が考えられている。
上記蒸着方法は、作業が二重の蒸着工程になるばかりで
なく、下層の台形金属の上に形成する上層の金属は、形
状が椀状であって体積を定めることが難しく、合金組成
の制御ができない。
なく、下層の台形金属の上に形成する上層の金属は、形
状が椀状であって体積を定めることが難しく、合金組成
の制御ができない。
上記問題点は、半導体素子と回路配線基板とをフリップ
接合する二元系合金はんだバンプの形成方法であって、
半導体素子および回路配線基板のバンプ位置に、二元系
合金を形成すべき成分金属のバンプをそれぞれ蒸着し、
これらのバンプを相互に突き合わせ、加熱してリフロー
することにより、成分金属を合金化することを特徴とす
る方法によって解決することができる。
接合する二元系合金はんだバンプの形成方法であって、
半導体素子および回路配線基板のバンプ位置に、二元系
合金を形成すべき成分金属のバンプをそれぞれ蒸着し、
これらのバンプを相互に突き合わせ、加熱してリフロー
することにより、成分金属を合金化することを特徴とす
る方法によって解決することができる。
第１図の（ａ）および（ｂ）に示すように、回路配線基
板ｌのバンプ形成位置に、直径２００μｍ、厚み５０μ
ｍのＩｎを蒸着し、他方、半導体素子２のバンプ形成位
置にこれと同形のＳｎを蒸着して、はんだ合金を形成す
べき成分金属のバンプ３，４をそれぞれ形成した。（ｃ
）これらのバンプ３．４の表面に水溶性フラックスを塗
布した後に、突き合均せ、（ｄ） ２５０℃のホット
プレート上で１５秒間加熱して、成分金属のＩｎおよび
Ｓｎをリフローさせて、Ｉｎ−Ｓｎ合金はんだバンプ５
を形成した。
板ｌのバンプ形成位置に、直径２００μｍ、厚み５０μ
ｍのＩｎを蒸着し、他方、半導体素子２のバンプ形成位
置にこれと同形のＳｎを蒸着して、はんだ合金を形成す
べき成分金属のバンプ３，４をそれぞれ形成した。（ｃ
）これらのバンプ３．４の表面に水溶性フラックスを塗
布した後に、突き合均せ、（ｄ） ２５０℃のホット
プレート上で１５秒間加熱して、成分金属のＩｎおよび
Ｓｎをリフローさせて、Ｉｎ−Ｓｎ合金はんだバンプ５
を形成した。
第３図の（ａ）および（ｂ）は、こうして形成したＩｎ
−Ｓｎ合金バンプをＸ線マイクロアナライザによって撮
影した特性Ｘ線像であり、（ａ）はＳｎの特性Ｘ線像、
（ｂ）はＩｎの特性Ｘ線像を示す。
−Ｓｎ合金バンプをＸ線マイクロアナライザによって撮
影した特性Ｘ線像であり、（ａ）はＳｎの特性Ｘ線像、
（ｂ）はＩｎの特性Ｘ線像を示す。
本発明によって、二元系合金バンプ形成の工程が半減し
、しかも合金組成の制御が容易にできる。
、しかも合金組成の制御が容易にできる。
第１図は、本発明の二元系合金バンプ形成工程図であり
、 第２図は、従来の二元系合金バンプ形成工程図であり、 第３図は、本発明によって形成した合金バンプの（ａ）
Ｓｎおよび（ｂ）［ｎの特性Ｘ線像である。 ■・・・回路配線基板、 ２・・・半導体素子、
３．４・・・成分金属、 ５・・・合金。 第１回 （ａ） 従来のバンプ合金形成工程 第２Ｔ：！Ｊ
、 第２図は、従来の二元系合金バンプ形成工程図であり、 第３図は、本発明によって形成した合金バンプの（ａ）
Ｓｎおよび（ｂ）［ｎの特性Ｘ線像である。 ■・・・回路配線基板、 ２・・・半導体素子、
３．４・・・成分金属、 ５・・・合金。 第１回 （ａ） 従来のバンプ合金形成工程 第２Ｔ：！Ｊ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と回路配線基板とをフリップ接合する二
元系合金はんだパンプの形成方法であって、 半導体素子および回路配線基板のバンプ位置に、二元系
合金を形成すべき成分金属のバンプをそれぞれ蒸着し、 これらのバンプを相互に突き合わせ、加熱してリフロー
することにより、成分金属を合金化することを特徴とす
る方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142318A JPH0795555B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 二元系合金のバンプ形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62142318A JPH0795555B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 二元系合金のバンプ形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63306634A true JPS63306634A (ja) | 1988-12-14 |
| JPH0795555B2 JPH0795555B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=15312567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62142318A Expired - Lifetime JPH0795555B2 (ja) | 1987-06-09 | 1987-06-09 | 二元系合金のバンプ形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795555B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071787A (en) * | 1989-03-14 | 1991-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device utilizing a face-down bonding and a method for manufacturing the same |
| US5611481A (en) * | 1994-07-20 | 1997-03-18 | Fujitsu Limited | Integrated electronic device having flip-chip connection with circuit board and fabrication method thereof |
| WO2010061428A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 富士通株式会社 | 電子装置の製造方法、電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181338A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | フリツプチツプのボンデイング方法 |
-
1987
- 1987-06-09 JP JP62142318A patent/JPH0795555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181338A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Hitachi Ltd | フリツプチツプのボンデイング方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5071787A (en) * | 1989-03-14 | 1991-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device utilizing a face-down bonding and a method for manufacturing the same |
| US5611481A (en) * | 1994-07-20 | 1997-03-18 | Fujitsu Limited | Integrated electronic device having flip-chip connection with circuit board and fabrication method thereof |
| WO2010061428A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 富士通株式会社 | 電子装置の製造方法、電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
| US8556157B2 (en) | 2008-11-28 | 2013-10-15 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing electronic apparatus, electronic component-mounting board, and method of manufacturing the same |
| KR101332532B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2013-11-22 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 전자 장치의 제조 방법, 전자 부품 탑재용 기판 및 반도체 소자 탑재용 기판의 제조 방법 |
| US8740047B2 (en) | 2008-11-28 | 2014-06-03 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing electronic apparatus, electronic component-mounting board, and method of manufacturing the same |
| JP5533665B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-06-25 | 富士通株式会社 | 電子装置の製造方法、電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0795555B2 (ja) | 1995-10-11 |
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