JPH059713A - 合金蒸着方法 - Google Patents
合金蒸着方法Info
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- JPH059713A JPH059713A JP16692491A JP16692491A JPH059713A JP H059713 A JPH059713 A JP H059713A JP 16692491 A JP16692491 A JP 16692491A JP 16692491 A JP16692491 A JP 16692491A JP H059713 A JPH059713 A JP H059713A
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- Japan
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- vapor deposition
- composition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 合金蒸着方法に関し、蒸着レートの制御等を
必要とせずに簡単な方法で蒸着圧の差、多元系でも目的
の組成の合金はんだバンプを形成することを目的とす
る。 【構成】 蒸着用るつぼ中に、予め所望の組成及び膜厚
の合金膜が得られるように調整した組成及び量の母合金
を用意し、この母合金を蒸発し切ることによって基板上
に目的の合金膜を得ることを特徴とする合金蒸着方法。
Ｓn −Ｐb 系、Ｉn −Ｓn 系、Ｉn −Ｐb 系等の合金は
んだバンプの形成に好適に利用される。
必要とせずに簡単な方法で蒸着圧の差、多元系でも目的
の組成の合金はんだバンプを形成することを目的とす
る。 【構成】 蒸着用るつぼ中に、予め所望の組成及び膜厚
の合金膜が得られるように調整した組成及び量の母合金
を用意し、この母合金を蒸発し切ることによって基板上
に目的の合金膜を得ることを特徴とする合金蒸着方法。
Ｓn −Ｐb 系、Ｉn −Ｓn 系、Ｉn −Ｐb 系等の合金は
んだバンプの形成に好適に利用される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は合金蒸着方法に係り、特
に、半導体素子、回路配線基板等、とりわけフリップチ
ップ接合等に用いるはんだバンプの形成方法に関する。
に、半導体素子、回路配線基板等、とりわけフリップチ
ップ接合等に用いるはんだバンプの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータを高速動作させるために、
実装構造の高密度化、多様化が進み、はんだ接合温度の
階層化が求められている。つまり、様々な接合温度を持
つはんだ材料、ならびに、それらのバンプ形成技術が必
要であり、単一の金属のはんだのみでは対応することは
できない状況になっている。
実装構造の高密度化、多様化が進み、はんだ接合温度の
階層化が求められている。つまり、様々な接合温度を持
つはんだ材料、ならびに、それらのバンプ形成技術が必
要であり、単一の金属のはんだのみでは対応することは
できない状況になっている。
【０００３】そこで、Ｉn,Ｐb,Ｓn 等の金属を用いた合
金はんだが、その接合温度の多様性、良好なはんだ付け
性から現在多く用いられている。しかしながら、はんだ
バンプは膜厚が大きいために、蒸着法によって合金のは
んだバンプを形成するのは困難であった。まず単一のる
つぼで合金はんだバンプを形成する場合、各成分金属の
蒸気圧の違いから、蒸気圧の高い金属が優先的に蒸着さ
れるため、るつぼ中の母合金組成に関わらず、蒸気圧の
高い金属がリッチな組成のはんだバンプしか得ることが
出来ない。複数のるつぼを用いて各組成の金属を別々に
蒸着してはんだバンプを形成する方法では、各成分金属
ごとに蒸着レートをモニターし、これをフィードバック
して蒸着パワーを随時変えながら蒸着する必要がある。
はんだバンプのような厚膜では、蒸着レートのモニター
が困難であること、多元系になればなるほど各成分金属
ごとのモニター、制御は困難であり、目的の組成の合金
のはんだバンプを得ることは困難である。
金はんだが、その接合温度の多様性、良好なはんだ付け
性から現在多く用いられている。しかしながら、はんだ
バンプは膜厚が大きいために、蒸着法によって合金のは
んだバンプを形成するのは困難であった。まず単一のる
つぼで合金はんだバンプを形成する場合、各成分金属の
蒸気圧の違いから、蒸気圧の高い金属が優先的に蒸着さ
れるため、るつぼ中の母合金組成に関わらず、蒸気圧の
高い金属がリッチな組成のはんだバンプしか得ることが
出来ない。複数のるつぼを用いて各組成の金属を別々に
蒸着してはんだバンプを形成する方法では、各成分金属
ごとに蒸着レートをモニターし、これをフィードバック
して蒸着パワーを随時変えながら蒸着する必要がある。
はんだバンプのような厚膜では、蒸着レートのモニター
が困難であること、多元系になればなるほど各成分金属
ごとのモニター、制御は困難であり、目的の組成の合金
のはんだバンプを得ることは困難である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、蒸
着レートの制御等を必要とせずに、簡単な方法を用いる
ことによって、蒸気圧の差、多元系であるかどうかに関
わらず、目的の組成の合金はんだバンプを形成する方法
を提供することを目的とする。
着レートの制御等を必要とせずに、簡単な方法を用いる
ことによって、蒸気圧の差、多元系であるかどうかに関
わらず、目的の組成の合金はんだバンプを形成する方法
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、蒸着用るつぼ中に、予め所望の組成及び
膜厚の合金膜が得られるように調整した組成及び量の母
合金を用意し、この母合金を蒸発し切ることによって基
板上に目的の合金膜を得ることを特徴とする合金蒸着方
法を提供する。
成するために、蒸着用るつぼ中に、予め所望の組成及び
膜厚の合金膜が得られるように調整した組成及び量の母
合金を用意し、この母合金を蒸発し切ることによって基
板上に目的の合金膜を得ることを特徴とする合金蒸着方
法を提供する。
【０００６】すなわち、本発明では、目的の組成の合金
を蒸着するための母合金組成を予め求めおくことによっ
て、任意の組成の合金の蒸着膜を得る。
を蒸着するための母合金組成を予め求めおくことによっ
て、任意の組成の合金の蒸着膜を得る。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の原理説明図である。図中、
１はるつぼ、２は成分金属Ａ、３は成分金属Ｂである。
このはんだ合金をすべて蒸着しつくすことによって、目
的とする組成のはんだバンプを得ることができる。るつ
ぼ１中の成分金属２，３は合金として存在してもよく、
また成分金属ごとに異なるるつぼを用いてもよい。
１はるつぼ、２は成分金属Ａ、３は成分金属Ｂである。
このはんだ合金をすべて蒸着しつくすことによって、目
的とする組成のはんだバンプを得ることができる。るつ
ぼ１中の成分金属２，３は合金として存在してもよく、
また成分金属ごとに異なるるつぼを用いてもよい。
【０００８】図２はＩn −Ｐb 系合金のるつぼ中の組成
とこれを蒸発し尽くした場合に得られる蒸着膜の組成と
の関係を求めた補正曲線である。この図から、例えば、
Ｉn−50％Ｐb の合金を蒸着するためには、るつぼ中に
Ｉn −44％Ｐb の組成に相当するＩn とＰb を用意し、
これを蒸着し尽くせばよいことがわかる。本発明が３元
以上の合金にも好適に適用できることは明らかである。
とこれを蒸発し尽くした場合に得られる蒸着膜の組成と
の関係を求めた補正曲線である。この図から、例えば、
Ｉn−50％Ｐb の合金を蒸着するためには、るつぼ中に
Ｉn −44％Ｐb の組成に相当するＩn とＰb を用意し、
これを蒸着し尽くせばよいことがわかる。本発明が３元
以上の合金にも好適に適用できることは明らかである。
【０００９】図２の補正曲線にもとづいて、Ｉn −50wt
％Ｐbの合金はんだバンプを作成するために、Ｉn 181
ｇとＰb 142 ｇをるつぼ中に入れ、これを蒸着し尽くす
ことにより、シリコン基板上にＩn −Ｐb 合金を厚さ 1
00μｍに蒸着した。この合金をＩＣＰ発光分析法で組成
分析したところ、Ｉn −50wt％Ｐb であった。
％Ｐbの合金はんだバンプを作成するために、Ｉn 181
ｇとＰb 142 ｇをるつぼ中に入れ、これを蒸着し尽くす
ことにより、シリコン基板上にＩn −Ｐb 合金を厚さ 1
00μｍに蒸着した。この合金をＩＣＰ発光分析法で組成
分析したところ、Ｉn −50wt％Ｐb であった。
【００１０】その他、Ｓb −Ｐb 系合金はんだ、Ｉn −
Ｓn 系合金はんだでも同様のことが確認された。
Ｓn 系合金はんだでも同様のことが確認された。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、合金を厚く蒸着する際
にも組成の制御が容易である。したがって、任意の組成
のはんだバンプを形成することができ、実装構造をより
多様化することが可能である。
にも組成の制御が容易である。したがって、任意の組成
のはんだバンプを形成することができ、実装構造をより
多様化することが可能である。
【図１】発明の原理説明図である。
【図２】Ｉn −Ｐb 系合金の蒸着用補正曲線である。
１…るつぼ
２…成分金属Ａ
３…成分金属Ｂ
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸着用るつぼ中に、予め所望の組成及び
膜厚の合金膜が得られるように調整した組成及び量の母
合金を用意し、この母合金を蒸発し切ることによって基
板上に目的の合金膜を得ることを特徴とする合金蒸着方
法。 - 【請求項２】 前記合金膜がＳn −Ｐb 系合金はんだ、
Ｉn −Ｓn 系合金はんだ、又はＩn −Ｐb 系合金はんだ
である請求項１記載の合金蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16692491A JP3347342B2 (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 合金はんだバンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16692491A JP3347342B2 (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 合金はんだバンプの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH059713A true JPH059713A (ja) | 1993-01-19 |
| JP3347342B2 JP3347342B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=15840186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16692491A Expired - Fee Related JP3347342B2 (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 合金はんだバンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3347342B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005086218A1 (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 半導体モジュールの製造方法 |
| EP1734570A1 (en) * | 2004-03-02 | 2006-12-20 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Method for packaging electronic component |
| US7670879B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-03-02 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor module including solid-liquid diffusion joining steps |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16692491A patent/JP3347342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670879B2 (en) | 2002-08-30 | 2010-03-02 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor module including solid-liquid diffusion joining steps |
| WO2005086218A1 (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 半導体モジュールの製造方法 |
| EP1734569A1 (en) * | 2004-03-02 | 2006-12-20 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Process for producing semiconductor module |
| EP1734570A1 (en) * | 2004-03-02 | 2006-12-20 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Method for packaging electronic component |
| EP1734569A4 (en) * | 2004-03-02 | 2008-02-27 | Fuji Electric Holdings | PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR MODULE |
| EP1734570A4 (en) * | 2004-03-02 | 2008-03-05 | Fuji Electric Holdings | PACKAGING METHOD FOR ELECTRONIC COMPONENT |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3347342B2 (ja) | 2002-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000509 |
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