JPH06318662A - セラミックパッケージ用リードフレーム - Google Patents
セラミックパッケージ用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH06318662A JPH06318662A JP10712993A JP10712993A JPH06318662A JP H06318662 A JPH06318662 A JP H06318662A JP 10712993 A JP10712993 A JP 10712993A JP 10712993 A JP10712993 A JP 10712993A JP H06318662 A JPH06318662 A JP H06318662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- ceramic package
- thickness
- vapor deposition
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＩＣの高集積化に必要な放熱の優れた、かつワ
イヤーボンディング性と併せてリード半田付性について
信頼性のあるリードフレームを提供する。 【構成】Ｃｕ系リードフレーム１（ＫＬＦ−１）の表裏
全面にＳｎ／Ｎｉめっき２を０．２μｍ行い、さらにイ
ンナーリードエリア３には下地としてＴｉの蒸着膜４を
０．３μｍ行った後、Ａｌ蒸着５を２．４μｍ行ったも
のである。Ｓｎ／Ｎｉめっき厚の範囲およびＴｉ、Ａｌ
の蒸着膜厚の範囲は、下記の条件範囲では特に効果が顕
緒に認められた。（Ｔｉ＝０．１μｍ〜０．５μｍ、Ａ
ｌ＝１．０μｍ〜５．０μｍ） また、ＴｉおよびＡｌは蒸着法またはイオンプレーテン
グ法でも同様な効果がある。
イヤーボンディング性と併せてリード半田付性について
信頼性のあるリードフレームを提供する。 【構成】Ｃｕ系リードフレーム１（ＫＬＦ−１）の表裏
全面にＳｎ／Ｎｉめっき２を０．２μｍ行い、さらにイ
ンナーリードエリア３には下地としてＴｉの蒸着膜４を
０．３μｍ行った後、Ａｌ蒸着５を２．４μｍ行ったも
のである。Ｓｎ／Ｎｉめっき厚の範囲およびＴｉ、Ａｌ
の蒸着膜厚の範囲は、下記の条件範囲では特に効果が顕
緒に認められた。（Ｔｉ＝０．１μｍ〜０．５μｍ、Ａ
ｌ＝１．０μｍ〜５．０μｍ） また、ＴｉおよびＡｌは蒸着法またはイオンプレーテン
グ法でも同様な効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックパッケージ用
リードフレームに関するものである。
リードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＩＣセラミックパッケージ用リー
ドフレームは、リードフレームとして４２アロイやコバ
ール材等の鉄系合金材料を用い、ワイヤーボンデングを
行なうインナーリードエリアにアルミニウム蒸着を施し
たものが使用されてきた。
ドフレームは、リードフレームとして４２アロイやコバ
ール材等の鉄系合金材料を用い、ワイヤーボンデングを
行なうインナーリードエリアにアルミニウム蒸着を施し
たものが使用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩＣセラミックパッケ
ージ用リードフレームは様々な品質特性が要求され、Ｉ
Ｃの高集積化に伴う高発熱化から、放熱性について強い
要求があるが、従来のＦｅ系材料によるリードフレーム
では放熱性が悪いために、様々な構造的工夫がなされて
きた。一方通信機器やコンピュータは増々高機能化指向
にあり、このため必然的に放熱性の優れたリードフレー
ム材料が求められてきた。更に、外観寸法の小型化の制
約がより大きくなってきた今日、構造的工夫では限界と
なってきた。又、加熱後におけるワイヤーボンディング
性と合わせて、リードの半田付性については高い信頼性
が求められている。
ージ用リードフレームは様々な品質特性が要求され、Ｉ
Ｃの高集積化に伴う高発熱化から、放熱性について強い
要求があるが、従来のＦｅ系材料によるリードフレーム
では放熱性が悪いために、様々な構造的工夫がなされて
きた。一方通信機器やコンピュータは増々高機能化指向
にあり、このため必然的に放熱性の優れたリードフレー
ム材料が求められてきた。更に、外観寸法の小型化の制
約がより大きくなってきた今日、構造的工夫では限界と
なってきた。又、加熱後におけるワイヤーボンディング
性と合わせて、リードの半田付性については高い信頼性
が求められている。
【０００４】本発明の目的は、前述した従来技術の欠点
を解消し、ＩＣの高集積化に必要な放熱の優れた、かつ
ワイヤーボンディング性と併せてリード半田付性につい
て信頼性のあるリードフレームを提供することにある。
を解消し、ＩＣの高集積化に必要な放熱の優れた、かつ
ワイヤーボンディング性と併せてリード半田付性につい
て信頼性のあるリードフレームを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の要旨
は、セラミックパッケージ用として放熱性の優れた銅
（Ｃｕ）系リードフレームを用い、加熱後半田付性の良
いめっきと、ワイヤボンデングのためのＡｌ蒸着を組合
せ、それによってＩＣの高集積化を図れるようにしたも
のである。
は、セラミックパッケージ用として放熱性の優れた銅
（Ｃｕ）系リードフレームを用い、加熱後半田付性の良
いめっきと、ワイヤボンデングのためのＡｌ蒸着を組合
せ、それによってＩＣの高集積化を図れるようにしたも
のである。
【０００６】即ち本発明の上記目的は銅（Ｃｕ）系リー
ドフレームの表裏全面に錫／ニッケル（Ｓｎ／Ｎｉ）め
っきを施し、さらにワイヤーボンディングを行うインナ
ーリードエリアに下地としてチタン蒸着膜を介してアル
ミニウム（Ａｌ）蒸着を施したことを特徴とするセラミ
ックパッケージ用リードフレームによって達成される。
ドフレームの表裏全面に錫／ニッケル（Ｓｎ／Ｎｉ）め
っきを施し、さらにワイヤーボンディングを行うインナ
ーリードエリアに下地としてチタン蒸着膜を介してアル
ミニウム（Ａｌ）蒸着を施したことを特徴とするセラミ
ックパッケージ用リードフレームによって達成される。
【０００７】本発明におけるＣｕ系リードフレームと
は、Ｃｕ及びＣｕ合金からなるリードフレームを意味す
る。Ｃｕ系リードフレームの表裏全面に施すめっきは、
Ｓｎ／Ｎｉのほか、Ａｇめっき等耐熱半田付性の優れた
様々なめっき金属も用いることができる。
は、Ｃｕ及びＣｕ合金からなるリードフレームを意味す
る。Ｃｕ系リードフレームの表裏全面に施すめっきは、
Ｓｎ／Ｎｉのほか、Ａｇめっき等耐熱半田付性の優れた
様々なめっき金属も用いることができる。
【０００８】インナーリードエリアに施すＡｌ蒸着につ
いて、下地としてＴｉ蒸着膜を施すことにより、Ｃｕの
Ａｌ面への拡散を防止することが出来、それによってＡ
ｌ蒸着膜はワイヤーボンディング性について高い信頼性
をもつことができる。
いて、下地としてＴｉ蒸着膜を施すことにより、Ｃｕの
Ａｌ面への拡散を防止することが出来、それによってＡ
ｌ蒸着膜はワイヤーボンディング性について高い信頼性
をもつことができる。
【０００９】
【実施例】図１に本発明のセラミックパッケージ用リー
ドフレームの一実施例を示す。Ｃｕ系リードフレーム１
（ＫＬＦ−１）の表裏全面にＳｎ／Ｎｉめっき２を０．
２μｍ行い、さらにインナーリードエリア３にはＴｉの
下地蒸着膜４を０．３μｍ行った後、Ａｌ蒸着膜５を
２．４μｍ行ったものである。Ｓｎ／Ｎｉめっき厚の範
囲およびＴｉ、Ａｌの蒸着膜厚の範囲は下記の条件範囲
では特に効果が顕緒に認められた。（Ｔｉ＝０．１μｍ
〜０．５μｍ、Ａｌ＝１．０μｍ〜５．０μｍ）。
ドフレームの一実施例を示す。Ｃｕ系リードフレーム１
（ＫＬＦ−１）の表裏全面にＳｎ／Ｎｉめっき２を０．
２μｍ行い、さらにインナーリードエリア３にはＴｉの
下地蒸着膜４を０．３μｍ行った後、Ａｌ蒸着膜５を
２．４μｍ行ったものである。Ｓｎ／Ｎｉめっき厚の範
囲およびＴｉ、Ａｌの蒸着膜厚の範囲は下記の条件範囲
では特に効果が顕緒に認められた。（Ｔｉ＝０．１μｍ
〜０．５μｍ、Ａｌ＝１．０μｍ〜５．０μｍ）。
【００１０】また、ＴｉおよびＡｌは蒸着法またはイオ
ンプレーテング法でも同様な効果がある。
ンプレーテング法でも同様な効果がある。
【００１１】
【発明の効果】本発明のセラミックパッケージ用リード
フレームは放熱性の良いＣｕ系リードフレームによりＦ
ｅ系材料に代りＩＣの高集積化発熱に応えるものであ
り、またＳｎ／Ｎｉめっきは熱履歴によって酸化しやす
いＣｕ材を保護するとともに、十分な半田付性を備えて
いる。さらに、Ａｌ蒸着については下地のＴｉ蒸着膜は
ＣｕのＡｌ面への拡散を防止するバリアとして機能し、
Ａｌ蒸着膜はワイヤーボンディング性について高い信頼
性をもつものである。
フレームは放熱性の良いＣｕ系リードフレームによりＦ
ｅ系材料に代りＩＣの高集積化発熱に応えるものであ
り、またＳｎ／Ｎｉめっきは熱履歴によって酸化しやす
いＣｕ材を保護するとともに、十分な半田付性を備えて
いる。さらに、Ａｌ蒸着については下地のＴｉ蒸着膜は
ＣｕのＡｌ面への拡散を防止するバリアとして機能し、
Ａｌ蒸着膜はワイヤーボンディング性について高い信頼
性をもつものである。
【図１】本発明ＩＣセラミックパッケージ用Ｃｕ系リー
ドフレームの１実施構造例を示す平面図（Ａ）、側面図
（Ｂ）。
ドフレームの１実施構造例を示す平面図（Ａ）、側面図
（Ｂ）。
１ Ｃｕ系リードフレーム ２ Ｓｎ／Ｎｉめっき ３ インナーリードエリア ４ Ｔｉ蒸着膜 ５ Ａｌ蒸着膜
Claims (1)
- 【請求項１】銅系リードフレームの表裏全面に錫／ニッ
ケルめっきを施し、さらにワイヤーボンデングを行なう
インナーリードエリアに下地としてチタン蒸着膜を介し
てアルミニウム蒸着を施したことを特徴とするセラミッ
クパッケージ用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10712993A JPH06318662A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | セラミックパッケージ用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10712993A JPH06318662A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | セラミックパッケージ用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318662A true JPH06318662A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14451241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10712993A Pending JPH06318662A (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | セラミックパッケージ用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06318662A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691337B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-03-12 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 국부 도금을 이용한 반도체 장치 제조용 리드 프레임 |
| KR100691338B1 (ko) * | 2005-04-12 | 2007-03-12 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 반도체장치 제조용 리드프레임 |
-
1993
- 1993-05-10 JP JP10712993A patent/JPH06318662A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691338B1 (ko) * | 2005-04-12 | 2007-03-12 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 반도체장치 제조용 리드프레임 |
| KR100691337B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-03-12 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 국부 도금을 이용한 반도체 장치 제조용 리드 프레임 |
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