JPS6139560A - リ−ド取付け方法

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(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、半導体用セラミックパッケージのリード取付
は方法に関する。

〔発明の背景〕

第２図は、従来の半導体用セラミックパッケージのリー
ド取付は方法を説明するための断面図である。、二の図
において、■はセラミック基板であり、２はニッケルメ
ッキ３を施されたメタライズ面である。６はＦｅ（鉄）
−Ｎｉにニッケル）合金またはＦｃ−Ｎ１−Ｇｏ（コバ
ルト）合金のリードである。

従来は一般に、銀ロウ材４．即ちＣｕ（Ｉｉ４）　−Ａ
ｇ（銀）共晶合金を用いて、セラミック基板ｌのメタラ
イズ面２にリード６をロウ付けすることにより、リード
６をセラミック基板１に取り付けている。

さて、上記リード６の材質は、その粒界に銀ロウが拡散
しやすい。そのため、リード６をロウ付けする際に、銀
ロウ材４がリード６中に拡散し。

リード６の強度劣化を招くことが知°られている。

この強度劣化は、リード６が微細化するに従い無視でき
な（なりつＮある。特に、リード６の厚さが薄くなると
、拡散面積が大きくなり、拡散深さは一定であるから、
リード６の強度劣化は顕著になる。

この問題に対処するために、リードやロウ材の材質を工
夫することが考えられるが、そのような目的に合致し、
かつその他の条件が満たす実用的な材質は未だ得られて
いない。

なお１文献「エレクトロニクス実装技術便覧」（日本マ
イクロエレクトロニクス協会編）の２８４ページで、コ
バールのリードをロウ付けする際に、リードに銀ロウの
粒界浸透による亀裂が生じることを言及している。しか
し、その対策には触れていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上述の銀ロウ材の拡散によるリードの
強度劣化を防止できるリード取付は方法を提供すること
にある。

〔発明の概要〕

本発明は、ロウ付けに先立って、リードの少なくとも銀
ロウ材で濡れる部分にニッケルを主体とした被膜を形成
し、この被膜により、ロウ付は時のリードへの銀ロウ材
の拡散を防止することを特徴とするものである。

〔発明の実施例〕

第１図の断面図を参照して１本発明の一実施例につき説
明する。

第１図において、１１はセラミック基板であり。

１２はニッケルメッキ１３を施されたメタライズ面であ
る。１６はＦｅ−Ｎｉ合金またはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金
のリードであり、その厚さは０．１５μｍである。

リード１６は、銀ロウ材１４により、セラミック基板１
１のメタライズ面１２にロウ付けされるが、その日つ付
けに先立って、リード１６の少なくとも銀ロウ材１６で
濡れる部分に、メッキ法によりニッケルの被膜１５が形
成されている。この被膜１５の厚さは０．５μｍである
。

本実、施例によれば、８５０℃でリード１６をロウ付け
しても、リード１６の破断は生じなかった。

一方、被膜１５を形成しないで同様条件でロウ付けした
場合、リード１６の破断が発生した。このこ−とは、被
膜１５によりロウ材１４のリード−１６−への拡散を十
分防止できることを示している。

なお、被膜１５はメッキ法以外の蒸着法、クラッド法、
ディップ法等で形成してもよい、また。

被膜１５の材質は、ニッケルの他に燐または硼素等を１
５％程度まで含んでいても一般に差し仕えない。十分な
銀ロウ材拡散防止効果を得るには。

一般に被膜１５の厚さを０．５μｍ以上とするとよい。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように１本発明によれば、銀ロ
ウ材のリードへの拡散と、それによるリードの強度劣化
を防止でき、しかも在来のリードにニッケル被膜を形成
するだけであるから、リード取付はコストは格別上昇し
ない等の効果を得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための断面図、第
２図は従来のリード取付は方法を説明するための断面図
である。１１・・・セラミック基板、　　　１２・・・メタライ
ズ面。１４・・・銀ロウ材、　　１５・・・被膜、　　１Ｇ・
・す・−ド。第１図

【特許請求の範囲】

（１）銀ロウ材を用いて、リードをセラミック基板にロ
ウ付けするリード取付け方法において、ロウ付けに先立
ってリードの少なくとも銀ロウ材で濡れる部分にニッケ
ルを主体とした被膜を形成しておくことを特徴とするリ
ード取付け方法。