JPH038114B2 - - Google Patents
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- JPH038114B2 JPH038114B2 JP59160152A JP16015284A JPH038114B2 JP H038114 B2 JPH038114 B2 JP H038114B2 JP 59160152 A JP59160152 A JP 59160152A JP 16015284 A JP16015284 A JP 16015284A JP H038114 B2 JPH038114 B2 JP H038114B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体用セラミツクパツケージのリ
ード取付け方法に関する。
ード取付け方法に関する。
第２図は、従来の半導体セラミツクパツケージ
のリード取付け方法を説明するための断面図であ
る。この図において、１はセラミツク基板であ
り、２はニツケルメツキ３を施されたメタライズ
面である。６はFe（鉄）−Ni（ニツケル）合金また
はFe−Ni−Co（コバルト）合金のリードである。
のリード取付け方法を説明するための断面図であ
る。この図において、１はセラミツク基板であ
り、２はニツケルメツキ３を施されたメタライズ
面である。６はFe（鉄）−Ni（ニツケル）合金また
はFe−Ni−Co（コバルト）合金のリードである。
従来は一般に、銀ロウ材４、即ちCu（銅）−Ag
（銀）共晶合金を用いて、セラミツク基板１のメ
タライズ面２にリード６をロウ付けすることによ
りリード６をセラミツク基板１に取り付けてい
る。
（銀）共晶合金を用いて、セラミツク基板１のメ
タライズ面２にリード６をロウ付けすることによ
りリード６をセラミツク基板１に取り付けてい
る。
さて、上記リード６の材質は、その粒界に銀ロ
ウが拡散しやすい。そのため、リード６をロウ付
けする際に、Cu−Ag共晶合金である銀ロウ材４
がリード６に拡散し、リード６の強度劣化を招く
ことが知られている。この強度劣化は、リード６
が微細化するに従い無視できなくなりつゝある。
特に、リード６の厚さが薄くなると、拡散面積が
大きくなり、拡散深さは一定であるから、リード
６の強度劣化は顕著になる。
ウが拡散しやすい。そのため、リード６をロウ付
けする際に、Cu−Ag共晶合金である銀ロウ材４
がリード６に拡散し、リード６の強度劣化を招く
ことが知られている。この強度劣化は、リード６
が微細化するに従い無視できなくなりつゝある。
特に、リード６の厚さが薄くなると、拡散面積が
大きくなり、拡散深さは一定であるから、リード
６の強度劣化は顕著になる。
この問題に対処するために、リードやロウ材の
材質を工夫することが考えられるが、そのような
目的に合致し、かつその他の条件が満たす実用的
な材質は未だ得られていない。
材質を工夫することが考えられるが、そのような
目的に合致し、かつその他の条件が満たす実用的
な材質は未だ得られていない。
なお、文献「エレクトロニクス実装技術便覧」
（日本マイクロエレクトロニクス協会編）の284ペ
ージで、コバールのリードをロウ付けする際に、
リードに銀ロウの粒界浸透による亀裂が生じるこ
とを言及している。しかし、その対策には触れて
いない。
（日本マイクロエレクトロニクス協会編）の284ペ
ージで、コバールのリードをロウ付けする際に、
リードに銀ロウの粒界浸透による亀裂が生じるこ
とを言及している。しかし、その対策には触れて
いない。
本発明の目的は、上述のCu−Ag共晶合金であ
る銀ロウ材の拡散によるリードの強度劣化を防止
できるリード取付け方法を提供することにある。
る銀ロウ材の拡散によるリードの強度劣化を防止
できるリード取付け方法を提供することにある。
本発明は、ロウ付けに先立つて、リードの少な
くとも銀ロウ材で濡れる部分にニツケルを主体と
した被膜を形成し、この被膜により、ロウ付け時
のリードへの銀ロウ材の拡散を防止することを特
徴とするものである。
くとも銀ロウ材で濡れる部分にニツケルを主体と
した被膜を形成し、この被膜により、ロウ付け時
のリードへの銀ロウ材の拡散を防止することを特
徴とするものである。
第１図の断面図を参照して、本発明の一実施例
につき説明する。
につき説明する。
第１図において、１１はセラミツク基板であ
り、１２はニツケルメツキ１３を施されたメタラ
イズ面である。１６はFe−Ni合金またはFe−Ni
−Co合金のリードであり、その厚さは0.15μｍで
ある。
り、１２はニツケルメツキ１３を施されたメタラ
イズ面である。１６はFe−Ni合金またはFe−Ni
−Co合金のリードであり、その厚さは0.15μｍで
ある。
リード１６は、Cu−Ag共晶合金である銀ロウ
材１４により、セラミツク基板１１のメタライズ
面１２にロウ付けされるが、そのロウ付けに先立
つて、リード１６の少なくとも銀ロウ材１４で濡
れる部分に、メツキ法によりニツケルの被膜１５
が形成されている。この被膜１５の厚さは0.5μｍ
である。
材１４により、セラミツク基板１１のメタライズ
面１２にロウ付けされるが、そのロウ付けに先立
つて、リード１６の少なくとも銀ロウ材１４で濡
れる部分に、メツキ法によりニツケルの被膜１５
が形成されている。この被膜１５の厚さは0.5μｍ
である。
本実施例によれば、850℃でリード１６をロウ
付けしても、リード１６の破断は生じなかつた。
一方被膜１５を形成しないで同様条件でロウ付け
した場合、リード１６の破断が発生した。このこ
とは、被膜１５によりロウ材１４のリード１６へ
の拡散を十分防止できることを示している。
付けしても、リード１６の破断は生じなかつた。
一方被膜１５を形成しないで同様条件でロウ付け
した場合、リード１６の破断が発生した。このこ
とは、被膜１５によりロウ材１４のリード１６へ
の拡散を十分防止できることを示している。
なお、被膜１５はメツキ法以外の蒸着法、クラ
ツド法、デイツプ法等で形成してもよい。また、
被膜１５の材質は、ニツケルの他に燐または硼素
等を15％程度まで含んでいても一般に差し仕えな
い。十分は銀ロウ材拡散防止効果を得るには、一
般に被膜１５の厚さを0.5μｍ以上とするとよい。
ツド法、デイツプ法等で形成してもよい。また、
被膜１５の材質は、ニツケルの他に燐または硼素
等を15％程度まで含んでいても一般に差し仕えな
い。十分は銀ロウ材拡散防止効果を得るには、一
般に被膜１５の厚さを0.5μｍ以上とするとよい。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、Cu−Ag共晶合金の銀ロウ材を用いてセラミ
ツク基板のメタライズ面にリードをロウ付けする
際、リードの粒界にCu−Ag共晶合金が拡散する
のを防止できるため、従来、該Cu−Ag共晶合金
の拡散により生じていたリードの強度劣化が解消
される。しかも、在来のリードにニツケル被膜を
形成するだけであるから、リード取付けコストは
格別上昇しない。
ば、Cu−Ag共晶合金の銀ロウ材を用いてセラミ
ツク基板のメタライズ面にリードをロウ付けする
際、リードの粒界にCu−Ag共晶合金が拡散する
のを防止できるため、従来、該Cu−Ag共晶合金
の拡散により生じていたリードの強度劣化が解消
される。しかも、在来のリードにニツケル被膜を
形成するだけであるから、リード取付けコストは
格別上昇しない。
第１図は本発明の一実施例を説明するための断
面図、第２図は従来のリード取付け方法を説明す
るための断面図である。 １１……セラミツク基板、１２……メタライズ
面、１４……銀ロウ材、１５……被膜、１６……
リード。
面図、第２図は従来のリード取付け方法を説明す
るための断面図である。 １１……セラミツク基板、１２……メタライズ
面、１４……銀ロウ材、１５……被膜、１６……
リード。
Claims (1)
- １ Cu−Ag共晶合金の銀ロウ材を用いて、Fe−
Ni合金またはFe−Ni−Co合金材等のリードをセ
ラミツク基板にロウ付けするリード取付け方法に
おいて、ロウ付けに先立つてリードの少なくとも
銀ロウ材で濡れる部分にニツケルを主体とした被
膜を形成しておくことを特徴とするリード取付け
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16015284A JPS6139560A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | リ−ド取付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16015284A JPS6139560A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | リ−ド取付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139560A JPS6139560A (ja) | 1986-02-25 |
| JPH038114B2 true JPH038114B2 (ja) | 1991-02-05 |
Family
ID=15708997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16015284A Granted JPS6139560A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | リ−ド取付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139560A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0698604A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-12 | Tokai Gokin Kogyo Kk | 芝生管理機のエアレーション用タイン |
| CN107481989A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-12-15 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种高弯曲疲劳强度陶瓷封装外引线及制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923578A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-03-02 | ||
| JPS52117066A (en) * | 1976-03-27 | 1977-10-01 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5611807A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-05 | Nippon Mining Co | Ironnbase alloy for lead wire material |
| JPS58123744A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Fujitsu Ltd | リ−ドフレ−ム及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512518Y2 (ja) * | 1971-04-17 | 1976-01-24 | ||
| JPS5066573U (ja) * | 1973-10-19 | 1975-06-14 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP16015284A patent/JPS6139560A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4923578A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-03-02 | ||
| JPS52117066A (en) * | 1976-03-27 | 1977-10-01 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5611807A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-05 | Nippon Mining Co | Ironnbase alloy for lead wire material |
| JPS58123744A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-23 | Fujitsu Ltd | リ−ドフレ−ム及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6139560A (ja) | 1986-02-25 |
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