JPS62115796A - 光半導体用ヒ−トシンクの電極構造 - Google Patents

光半導体用ヒ−トシンクの電極構造

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JPS62115796A
JPS62115796A JP60257487A JP25748785A JPS62115796A JP S62115796 A JPS62115796 A JP S62115796A JP 60257487 A JP60257487 A JP 60257487A JP 25748785 A JP25748785 A JP 25748785A JP S62115796 A JPS62115796 A JP S62115796A
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JP
Japan
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heat sink
copper
optical semiconductor
coated
iron
Prior art date
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Pending
Application number
JP60257487A
Other languages
English (en)
Inventor
Naotaka Otsuka
尚孝 大塚
Yozo Fukukawa
福川　洋三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS62115796A publication Critical patent/JPS62115796A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は光半導体素子をグイボンドするヒートシンクの
電極構造に関するものである。
〈発明の概要〉 鉄、コバール等の熱伝導性の良（ない材料からなる光半
導体用ヒートシンクにおいて、表面に銅。
銀等の熱伝導性の良い物質層を被覆し、光半導体素子の
熱抵抗の減少を図り、信頼性を向上させるものである。
〈従来の技術〉 光半導体素子、特に半導体レーザ素子は素子内部で発生
した熱をすばやく効率的に外部に放散させる必要があり
、もしそうしなければ発熱により光出力が低下し劣化が
促進されてしまう。よ・）で第２図の様に、光半導体素
子１は通常ヒートシンク２の上にＩｎやＡｕＳｉ等のろ
う材３を用いられてボンディングされている。ヒートシ
ンク材料としては熱伝導性の良いものが良く、ダイヤモ
ンドや銅等が用いられてきたが、ダイヤモンドは価格が
高く、また銅は硬度が小さいため加工の際ぼり等が出る
という加工の難点があり、最近では鉄材が価格が安く加
工の際にもばりが出にくいという点でよく用いられて来
ている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、鉄材は熱伝導率が悪く、例えば銅に比べて５分
の１程度の値しかなく、この熱伝導率の悪さは素子の熱
抵抗の上昇をもたらし、ひいては素子の熱上昇となり信
頼性の低下へと連なる。
本発明は、鉄、コバルト等の熱伝導性の良くない材料か
らなるヒートシンクを利用して、上記従来の欠点を解消
した光半導体ヒートシンクの電極構造を提供するもので
ある。
〈問題点を解決するための手段〉 上記のヒートシンクの表面に銅、銀等の熱伝導性の良い
物質層を被覆する。
〈作用〉 上記構造により、被覆した物質層を介して熱が放される
こととなり、熱伝導性を良し素子の熱抵抗を低下させる
ことができる。
〈実施例〉 第１図に本発明の一実施例を示す。
図において鉄ヒートシンク１１の上に銅１２が考えらる
。なお、ヒートシンクは鉄の他銀等の熱伝導性の悪い材
料からなるものでもよく、また鋼部 はｔ−呻＋等も使用可能である。半導体レーザ素子等の
光半導体素子ｌは、上記のようなヒートシンク１１の上
にＩｎやＡｕＳｉ等のろう材料３を用いてボンデングさ
れる。
銅１１又はコバルト等の熱伝導性のよい物質の被覆は、
厚みが厚いほど熱抵抗が小さくなる。
〈発明の効果〉 以上本発明１こよれば、鉄、コバール等の熱伝導の良く
ない材料よりなるヒートシンクの上に、銅や銀等の熱伝
導の良い物質層を被覆することによって、安価で、光半
導体素子から発生した熱を効率良く放散し、素子の熱抵
抗を下げ信頼性の向上を図れる有用な電極構造が提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例を示す断面図である′。 ｌ・・・光半導体素子、３・・・ろう材、１１・・・鉄
ヒートシンク、１２・・・銅。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、熱伝導性の良くない材料からなるヒートシンクにお
    いて、その表面に熱伝導性の良い物質層を被覆したこと
    を特徴とする光半導体用ヒートシンクの電極構造。
JP60257487A 1985-11-14 1985-11-14 光半導体用ヒ−トシンクの電極構造 Pending JPS62115796A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008147556A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2008186855A (ja) * 2007-01-26 2008-08-14 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置及びその製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60165744A (ja) * 1984-02-09 1985-08-28 Toshiba Corp 半導体整流素子

Patent Citations (1)

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