JPS62213191A - 光半導体用ステム - Google Patents
光半導体用ステムInfo
- Publication number
- JPS62213191A JPS62213191A JP5666486A JP5666486A JPS62213191A JP S62213191 A JPS62213191 A JP S62213191A JP 5666486 A JP5666486 A JP 5666486A JP 5666486 A JP5666486 A JP 5666486A JP S62213191 A JPS62213191 A JP S62213191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- thermal conductivity
- copper
- optical semiconductor
- composite material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 33
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical group C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光半導体素子をダイボンドする光半導体用ス
テムの構造に関するものである。
テムの構造に関するものである。
〈発明の概要〉
本発明は、光半導体素子をボンディングするための光半
導体用ステムの材料に、鉄、コバール等の熱伝導性の悪
い金属と、銅、銀等の熱伝導性の良い金属とを合わせた
複合材を用いることにより、光半導体素子の熱抵抗の減
少を図シ、信頼性を向上するものである。
導体用ステムの材料に、鉄、コバール等の熱伝導性の悪
い金属と、銅、銀等の熱伝導性の良い金属とを合わせた
複合材を用いることにより、光半導体素子の熱抵抗の減
少を図シ、信頼性を向上するものである。
〈従来の技術〉
光半導体素子、特に半導体レーザ素子は素子内部で発生
した熱をすばやく効率的に外部に放散させる必要があシ
、もしそうしなければ発熱により光出力が低下し劣化が
促進されてしまう。よって第５図の様忙、光半導体素子
１は通常ステム２の上にＩｎやＡｕＳｉ等のろう材３を
用いてボンディングされている。ステム材料としては熱
伝導性の良いものが良く、銀や銅等が用いられてきたが
、銀は価格が高く、また銅は硬度が小さいため加工の際
ばシ等が出るという加工の難点があり、最近では鉄材が
価格が安く加工の際にもばりが出にくいという点でよく
用いられて来ている。
した熱をすばやく効率的に外部に放散させる必要があシ
、もしそうしなければ発熱により光出力が低下し劣化が
促進されてしまう。よって第５図の様忙、光半導体素子
１は通常ステム２の上にＩｎやＡｕＳｉ等のろう材３を
用いてボンディングされている。ステム材料としては熱
伝導性の良いものが良く、銀や銅等が用いられてきたが
、銀は価格が高く、また銅は硬度が小さいため加工の際
ばシ等が出るという加工の難点があり、最近では鉄材が
価格が安く加工の際にもばりが出にくいという点でよく
用いられて来ている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、鉄材は熱伝導率が悪く、例えば銅に比べて５分
の１程度の値しかなく、この熱伝導率の悪さは素子の熱
抵抗の上昇をもたらし、ひいては素子の熱上昇となシ信
頼性の低下へと連なる。
の１程度の値しかなく、この熱伝導率の悪さは素子の熱
抵抗の上昇をもたらし、ひいては素子の熱上昇となシ信
頼性の低下へと連なる。
本発明は、上記欠点を解消できる光半導体用ステムを提
供することを目的とする。
供することを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
上記ステムを熱伝導性の悪い材料と熱伝導性の良い材料
とを合；ｂせた複合材にょシ構成される。
とを合；ｂせた複合材にょシ構成される。
〈作用〉
上記構造により、表面の熱伝導性の良い物質を介して熱
が放散されることとなシ、熱伝導性を良くし素子の熱抵
抗を低下させることができる。
が放散されることとなシ、熱伝導性を良くし素子の熱抵
抗を低下させることができる。
〈実施例〉
以下、図面を用いて本発明の一実施例を詳細に説明する
。
。
第２図は鉄材１１と銅材１２とを合わせた複合材１３で
ある。また、第３図のように鉄材１１に鋼材１２．１２
をサンドインチ状に合わせることもできる。なお鉄材１
１の他にコバール等の熱伝導性の悪い材料からなるもの
でもよく、また銅材１１は銀等の熱伝導性の良い材料か
らなるものでもよい。
ある。また、第３図のように鉄材１１に鋼材１２．１２
をサンドインチ状に合わせることもできる。なお鉄材１
１の他にコバール等の熱伝導性の悪い材料からなるもの
でもよく、また銅材１１は銀等の熱伝導性の良い材料か
らなるものでもよい。
この複合材１３をプレス等の圧縮による塑性加工を加え
ることにより第４図の様なステム１４になる。このステ
ム１４の素子ダイボンド部１５は第２図の複合材１３を
用いるために第１図に示す様な表面が銅材１１の断面形
状となシ、前記素子ダイボンド部１５にボンディングし
た半導体レーザ素子で発生した熱は表面の銅材１２（熱
伝導性の良い物質）を介して効率良く放散し、素子の熱
抵抗を下げることとなる。
ることにより第４図の様なステム１４になる。このステ
ム１４の素子ダイボンド部１５は第２図の複合材１３を
用いるために第１図に示す様な表面が銅材１１の断面形
状となシ、前記素子ダイボンド部１５にボンディングし
た半導体レーザ素子で発生した熱は表面の銅材１２（熱
伝導性の良い物質）を介して効率良く放散し、素子の熱
抵抗を下げることとなる。
また、本例では光半導体素子１のダイボンド部１５とス
テム１４の台座部１６（第４図参照）とを同時に形成し
ているので、光半導体素子１の位置精度が良く製造も簡
単である。
テム１４の台座部１６（第４図参照）とを同時に形成し
ているので、光半導体素子１の位置精度が良く製造も簡
単である。
なお、ダイボンド部１５と台座部１６とを別々に形成し
、後から銀ろうなどによりろう付けすることも可能であ
る。
、後から銀ろうなどによりろう付けすることも可能であ
る。
〈発明の効果〉
以上本発明によれば、鉄、コバール等の熱伝導の良くな
い材料と銅、銀等の熱伝導の良い材料とを合わせた複合
材を用いてステムを作ることにより安価で、光半導体素
子から発生した熱を効率良く放散し、素子の熱抵抗を下
げ信頼性の向上を図れる有用なステムが提供できる。
い材料と銅、銀等の熱伝導の良い材料とを合わせた複合
材を用いてステムを作ることにより安価で、光半導体素
子から発生した熱を効率良く放散し、素子の熱抵抗を下
げ信頼性の向上を図れる有用なステムが提供できる。
第１図は本発明の一実施例を示すステムの要部断面図、
第２図は同材料の断面図、
第３図は同地の材料の断面図、
第４図は同ステムの斜視図、
第５図は従来例を示す断面図である。
１１・・・鉄材、 １２・・・銅材、 １３・
・複合材、 １４・・・ステム。 代理人 弁理士 杉 山 般 至（他１名）第３図 第４ 図
・複合材、 １４・・・ステム。 代理人 弁理士 杉 山 般 至（他１名）第３図 第４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光半導体素子をボンディングするための光半導体用
ステムにおいて、前記ステムを熱伝導性の悪い金属と熱
伝導性の良い金属とを合わせた複合材により構成したこ
とを特徴とする光半導体用ステム。 ２、前記熱伝導性の悪い金属を鉄、熱伝導性の良い金属
を銅としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光半導体用ステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5666486A JPS62213191A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 光半導体用ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5666486A JPS62213191A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 光半導体用ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213191A true JPS62213191A (ja) | 1987-09-19 |
Family
ID=13033663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5666486A Pending JPS62213191A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 光半導体用ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62213191A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415980A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0428282A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH06291224A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-10-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
| JPH07193336A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Xerox Corp | レーザダイオード後面放射モニタリング装置及びレーザダイオードアレイ構成方法 |
| JPH07193340A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Xerox Corp | 正確に位置決めされたダイオード・レーザーの非モノリシック・アレイ |
| JP2005019973A (ja) * | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP5666486A patent/JPS62213191A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0415980A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-21 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH0428282A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH06291224A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-10-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体パッケージ用ステムの製造方法 |
| JPH07193336A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Xerox Corp | レーザダイオード後面放射モニタリング装置及びレーザダイオードアレイ構成方法 |
| JPH07193340A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Xerox Corp | 正確に位置決めされたダイオード・レーザーの非モノリシック・アレイ |
| JP2005019973A (ja) * | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 光半導体素子用ステムの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2002049108A8 (en) | Semiconductor device package and lead frame with die overhanging lead frame pad | |
| US7042103B2 (en) | Low stress semiconductor die attach | |
| JPS62213191A (ja) | 光半導体用ステム | |
| JPH02125651A (ja) | リードフレーム | |
| JPS60193365A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH04236434A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03105950A (ja) | 半導体集積回路のパッケージ | |
| JPS62232951A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01111360A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01125941A (ja) | 半導体装置のリードフレーム | |
| JPS62115796A (ja) | 光半導体用ヒ−トシンクの電極構造 | |
| JPH0526744Y2 (ja) | ||
| JP2687678B2 (ja) | 半導体用セラミックスパッケージ | |
| JPH11186469A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0476504B2 (ja) | ||
| JPH0621237Y2 (ja) | セラミツクパツケ−ジ | |
| JPH02187058A (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
| JPH04348538A (ja) | ワイヤーボンディング構造 | |
| JPH08125076A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH09298248A (ja) | 光半導体素子用パッケージ | |
| JPH02163943A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05267358A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5834931A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03227535A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0429360A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 |