JP2007162107A - ハンダ膜及びその形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Au−Sn合金10を基板20に蒸着してハンダ膜1を形成するに際し、Au−Sn合金10を構成するAuを50〜80〔重量%〕含むとともに、AuとSnを二つの蒸発源31x,31yからそれぞれ同時に蒸発させて蒸着を行うことによりAu−Sn合金10を形成し、Au−Sn合金10を構成するAuとSnの結晶成分として、少なくとも、Au5Sn,AuSn及びAuSn2を含有するハンダ膜1を形成する。
【選択図】 図1
Description
10 Au−Sn合金
20 基板
31x… 蒸発源
32 基板回転ドーム
10a… 薄膜層
10u 最上層
Tb 温度(制限温度)
Vj 蒸着速度
Vd 回転速度
Claims (13)
- Au−Sn合金を基板に蒸着して形成したハンダ膜において、前記Au−Sn合金を構成するAuを50〜80〔重量%〕含み、かつ前記Au−Sn合金を構成するAuとSnの結晶成分として、少なくとも、Au5Sn,AuSn及びAuSn2を含有することを特徴とするハンダ膜。
- 前記Au−Sn合金は、複数の薄膜層を積層して形成することを特徴とする請求項1記載のハンダ膜。
- 前記薄膜層は、厚みを0.5〔μm〕以下に選定することを特徴とする請求項2記載のハンダ膜。
- 前記Au−Sn合金は、最上層にAu層を設けることを特徴とする請求項2記載のハンダ膜。
- 前記Au−Sn合金は、前記複数の薄膜層における一部の中間層にAu層を設けることを特徴とする請求項2記載のハンダ膜。
- Au−Sn合金を基板に蒸着してハンダ膜を形成するハンダ膜の形成方法において、前記Au−Sn合金を構成するAuを50〜80〔重量%〕含むとともに、AuとSnを二つの蒸発源からそれぞれ同時に蒸発させて蒸着を行うことにより前記Au−Sn合金を形成し、前記Au−Sn合金を構成するAuとSnの結晶成分として、少なくとも、Au5Sn,AuSn及びAuSn2を含有するハンダ膜を形成することを特徴とするハンダ膜の形成方法。
- AuとSnを基板に蒸着する際の物理的条件を、少なくとも、前記基板の温度を所定温度以下に制限するとともに、AuとSnの蒸着速度を所定速度範囲に設定することを特徴とする請求項6記載のハンダ膜の形成方法。
- 前記基板の温度は、90〔℃〕以下に制限することを特徴とする請求項7記載のハンダ膜の形成方法。
- 前記蒸着速度は、1〜10〔Å/sec〕の範囲に設定することを特徴とする請求項7記載のハンダ膜の形成方法。
- 前記基板を、基板回転ドームに取付けるとともに、この基板回転ドームを回転させる回転速度を、所定回転速度範囲に設定することを特徴とする請求項6記載のハンダ膜の形成方法。
- 前記回転速度は、10〜100〔rpm〕の範囲に設定することを特徴とする請求項10記載のハンダ膜の形成方法。
- 前記Au−Sn合金は、複数回に分けた蒸着を行うことにより、複数の薄膜層を積層して形成することを特徴とする請求項5記載のハンダ膜の形成方法。
- 前記薄膜層は、厚みを0.5〔μm〕以下に選定することを特徴とする請求項12記載のハンダ膜の形成方法。
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