JPS63299130A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63299130A JPS63299130A JP13121187A JP13121187A JPS63299130A JP S63299130 A JPS63299130 A JP S63299130A JP 13121187 A JP13121187 A JP 13121187A JP 13121187 A JP13121187 A JP 13121187A JP S63299130 A JPS63299130 A JP S63299130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- bolt
- section
- semiconductor element
- cylindrical part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 235000005911 diet Nutrition 0.000 description 1
- 230000000378 dietary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係り、特に絶縁性凹状ケース内
に収納された缶型半導体素子とケースを取付は板に固定
する際に用いられるケース内のボルト頭部間の絶縁耐圧
性能向上に好適な半導体装置に関する。
に収納された缶型半導体素子とケースを取付は板に固定
する際に用いられるケース内のボルト頭部間の絶縁耐圧
性能向上に好適な半導体装置に関する。
従来の装置は、第7図に記載のように、複数個の所定の
整流方向を有した缶型半導体素子3をその缶底部分にお
いて金属基板1上にろう材2でろう付した後、絶縁性凹
状ケース4内に収納し、更に両者を接層固定する為エポ
キシ等の絶縁樹脂5を注入硬化後、交流電圧を導く為に
導板(図示していない)で接続する構造となっていた。
整流方向を有した缶型半導体素子3をその缶底部分にお
いて金属基板1上にろう材2でろう付した後、絶縁性凹
状ケース4内に収納し、更に両者を接層固定する為エポ
キシ等の絶縁樹脂5を注入硬化後、交流電圧を導く為に
導板(図示していない)で接続する構造となっていた。
ここで本半導体装置を電源@路装置に取付ける際に使用
する取付けは、上記ケース4の中心部に筒部4aを設け
、筒部4aの貫通穴部にボルト8等を用いて取付は板9
に固定する様になっていた。ボルト8は、取付は板9に
直接螺合される場合もあればナツトを用いて取付は板9
を挾持する場合もある。
する取付けは、上記ケース4の中心部に筒部4aを設け
、筒部4aの貫通穴部にボルト8等を用いて取付は板9
に固定する様になっていた。ボルト8は、取付は板9に
直接螺合される場合もあればナツトを用いて取付は板9
を挾持する場合もある。
実開昭58−162643に記載の装置も構造は異なる
が、絶縁性ケースの筒部形状は前述した装置と同様の方
式をとっていた。
が、絶縁性ケースの筒部形状は前述した装置と同様の方
式をとっていた。
第7図が示すように、従来の半導体装置では、ボルト8
の頭部が缶型半導体素子3に対し、極めて接近していた
。そして、取付は板9が金属製でシャーシであったりす
ると、半導体素子3とボルト8の頭部の間隔りが小さい
ことによって、半導体素子3とボルト8の頭部の間で放
電を起し、半導体装置が正常な出力を出さなくなる問題
があった。即ち上記従来技術は半導体素子3とボルト8
間の沿面距離について配慮されておらず、この間の絶縁
耐圧の点で問題であった。
の頭部が缶型半導体素子3に対し、極めて接近していた
。そして、取付は板9が金属製でシャーシであったりす
ると、半導体素子3とボルト8の頭部の間隔りが小さい
ことによって、半導体素子3とボルト8の頭部の間で放
電を起し、半導体装置が正常な出力を出さなくなる問題
があった。即ち上記従来技術は半導体素子3とボルト8
間の沿面距離について配慮されておらず、この間の絶縁
耐圧の点で問題であった。
本発明の目的は、半導体素子とボルト間の沿面距離を増
し、絶縁耐圧を向上させた半導体装置を提供することに
ある。
し、絶縁耐圧を向上させた半導体装置を提供することに
ある。
上記目的は、筒部内にボルトの鎖部が収まるようにして
、半導体素子とボルト頭部の間の最短距離を増大させる
ことにより達成される。
、半導体素子とボルト頭部の間の最短距離を増大させる
ことにより達成される。
具体的には、筒部は貫通穴内部に段部を有し、この段部
にボルトを締めた時にボルト頭部が係止する様にしてボ
ルト頭部が筒部内に収まるようにしている。
にボルトを締めた時にボルト頭部が係止する様にしてボ
ルト頭部が筒部内に収まるようにしている。
半導体素子とボルト間の絶縁耐圧は両者の最も接近して
いる部分の距離で決まる0本発明では、筒部に段部を設
け、ボルト頭部が筒部内に収まるようにすることで半導
体素子とボルト頭部の間を隔絶し、且つこの間の距離を
長くすることで絶縁耐圧の向上をはかった。
いる部分の距離で決まる0本発明では、筒部に段部を設
け、ボルト頭部が筒部内に収まるようにすることで半導
体素子とボルト頭部の間を隔絶し、且つこの間の距離を
長くすることで絶縁耐圧の向上をはかった。
半導体素子とボルト頭部の間の最短距離は、筒部側壁を
多段とし、その最下段にボルト頭部が、係止するように
する。
多段とし、その最下段にボルト頭部が、係止するように
する。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図は本発明になる半導体装置の上面図、第2図は、
第1図の部分断面正面図、第3図から第6図は第1図に
示す本発明の半導体装置をボルトを用いて取付は板に固
定した時の第1図A−A切断線に沿う断面図である。
第1図の部分断面正面図、第3図から第6図は第1図に
示す本発明の半導体装置をボルトを用いて取付は板に固
定した時の第1図A−A切断線に沿う断面図である。
本発明による半導体装置は、1対の金属基板1にろう材
2などを介して予め製作された缶型半導体素子3が所定
の整流方向を有して2個づつ固着接続され、これらが絶
縁性樹脂を用いて、予め成型された凹状ケース4の所定
の位置に収納された後、エポキシ等の絶縁樹脂5をケー
ス内に注入硬化する1次にろう材6などを用いて半導体
素子3ガラスシ一ル部の上側電極を金属板7で電気的に
接続し単相全波整流ブリッジ回路を形成した構造となっ
ている。第2図〜第6図では、ケース4の底部と金属基
板1の間にレジン5が介在されているが、ケース底部に
金属基板を収納させた時にできる間隙にレジン5が廻り
込んだものでケース底ボルト8の頭部が貫通穴に収まる
様段部Sが設けられ係止するようになっている。
2などを介して予め製作された缶型半導体素子3が所定
の整流方向を有して2個づつ固着接続され、これらが絶
縁性樹脂を用いて、予め成型された凹状ケース4の所定
の位置に収納された後、エポキシ等の絶縁樹脂5をケー
ス内に注入硬化する1次にろう材6などを用いて半導体
素子3ガラスシ一ル部の上側電極を金属板7で電気的に
接続し単相全波整流ブリッジ回路を形成した構造となっ
ている。第2図〜第6図では、ケース4の底部と金属基
板1の間にレジン5が介在されているが、ケース底部に
金属基板を収納させた時にできる間隙にレジン5が廻り
込んだものでケース底ボルト8の頭部が貫通穴に収まる
様段部Sが設けられ係止するようになっている。
以下本発明による半導体装置と第7図に示した如〈従来
装置について、この種半導体装置が電源回路に組み込ま
れる時に用いるボルト8を取付けした時の第3図〜第6
図、第7図を対比して本発明の詳細な説明する。
装置について、この種半導体装置が電源回路に組み込ま
れる時に用いるボルト8を取付けした時の第3図〜第6
図、第7図を対比して本発明の詳細な説明する。
電源回路装置の取付は板9が金属製で接地されていると
ボルト8.取付は板9と同電位にあり。
ボルト8.取付は板9と同電位にあり。
装置の動作時、半導体素子3とボルト8との間にはff
1W’!圧が加わることになる。
1W’!圧が加わることになる。
従って半導体素子3の周端部とボルト8の頭部で最も各
々が接近する部分は絶縁耐圧の面から極力離れているこ
とが望ましぐ、更に導電性異物等の付着などの要因を考
えた場合は尚更である。
々が接近する部分は絶縁耐圧の面から極力離れているこ
とが望ましぐ、更に導電性異物等の付着などの要因を考
えた場合は尚更である。
第7図の従来技術では、半導体素子3とボルト8の頭部
間の直線距離りが最短距離であった。本発明装置では、
第3図に示す筒部内側に成形された凹状溝に沿って最短
距離は増加し、第4図に示す7字溝、第5図に示す多段
としても最短距離がその面に沿って増加する為、最短距
離は大幅に増加している。
間の直線距離りが最短距離であった。本発明装置では、
第3図に示す筒部内側に成形された凹状溝に沿って最短
距離は増加し、第4図に示す7字溝、第5図に示す多段
としても最短距離がその面に沿って増加する為、最短距
離は大幅に増加している。
また、第6図に示すような凹状ケースの筒部4aは、予
め成形されたものでなく、外より筒部周端部に別に成形
されたキャップを直接はめ込むことも可能でそうすると
半導体素子とボルト8頭部の最短距離は向上する。
め成形されたものでなく、外より筒部周端部に別に成形
されたキャップを直接はめ込むことも可能でそうすると
半導体素子とボルト8頭部の最短距離は向上する。
本発明によれば、半導体素子とボルト間の最も接近した
点の距離を大きく出来るので、この間に電圧が印加され
た時、絶縁耐圧向上の効果がある。
点の距離を大きく出来るので、この間に電圧が印加され
た時、絶縁耐圧向上の効果がある。
第1図は本発明の一実施例になる半導体装置の上面図、
第2図は第1図の半導体装置の部分断面正面図、第3図
から第6図は第1図の本発明半導体装置をボルトを用い
て組込んだ時のA−A切断線に沿う断面図、第7図は従
来装置をボルトを用いて組込んだ時の部分的断面図であ
る。 1・・・金属基板、2・・・ろう材、3・・・半導体素
子、4・・・ケース、4a・・・筒部、5・・・絶縁樹
脂、6・・・ろう材、7・・・金属板、8・・・ボルト
、9・・・取付は板、#2面 A −一一うり拐“ クー L4故 第7図 1−食養餉 Z −・−ろン材 3−・−−P外惨象子 4−r!:D杖τ−又 51.−絶縁樹脂 δ ・−Fルト ゾ − 邪イすげ款
第2図は第1図の半導体装置の部分断面正面図、第3図
から第6図は第1図の本発明半導体装置をボルトを用い
て組込んだ時のA−A切断線に沿う断面図、第7図は従
来装置をボルトを用いて組込んだ時の部分的断面図であ
る。 1・・・金属基板、2・・・ろう材、3・・・半導体素
子、4・・・ケース、4a・・・筒部、5・・・絶縁樹
脂、6・・・ろう材、7・・・金属板、8・・・ボルト
、9・・・取付は板、#2面 A −一一うり拐“ クー L4故 第7図 1−食養餉 Z −・−ろン材 3−・−−P外惨象子 4−r!:D杖τ−又 51.−絶縁樹脂 δ ・−Fルト ゾ − 邪イすげ款
Claims (1)
- 1、複数の金属基板の各々に極性を揃えた複数個の缶型
半導体素子がその缶底部分でろう着され、各金属基板が
絶縁性凹状ケースに収納されてレジンで固着され、各半
導体素子のガラスシール部の上側電極が所定回路を形成
するように電気的に接続されており、ケースはその内部
に筒部を有し、この筒部にボルトが貫通され、かつ、ボ
ルト頭部が筒部に係止することによつてケースを金属取
付け板に固定することができる半導体装置において、上
記ボルトの頭部がケースの筒部の貫通穴内に納まり、筒
部壁に凹凸を設けた事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13121187A JPS63299130A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13121187A JPS63299130A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63299130A true JPS63299130A (ja) | 1988-12-06 |
Family
ID=15052635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13121187A Pending JPS63299130A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63299130A (ja) |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP13121187A patent/JPS63299130A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6421244B1 (en) | Power module | |
US5440169A (en) | Resin-packaged semiconductor device with flow prevention dimples | |
JP4535730B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
EP0115386B1 (en) | Rectifier device | |
JPS63299130A (ja) | 半導体装置 | |
JP2002015953A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
US20210183736A1 (en) | Semiconductor device | |
JPS6318653A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5821216Y2 (ja) | 小型圧電振動子の支持構造 | |
JPH09162078A (ja) | 電子部品 | |
US7087990B2 (en) | Power semiconductor device | |
JP2804433B2 (ja) | パワー・トランジスタの固定方法 | |
CN1114990C (zh) | 压电谐振器和包括该压电谐振器的压电元件 | |
JPS6022604Y2 (ja) | ネジ端子型磁器コンデンサ | |
JP2018190579A (ja) | 導電部材の接続構造およびそれを備える電動コンプレッサ | |
JPS62108577A (ja) | 混成集積回路 | |
JPH06132762A (ja) | 圧電発振子 | |
JPS6127909B2 (ja) | ||
JPH0436121Y2 (ja) | ||
JPS6032969B2 (ja) | 発振回路のフレキシブルコンデンサ | |
JPH0122260Y2 (ja) | ||
JPH05335480A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
JPH0349399Y2 (ja) | ||
JPH0817602A (ja) | 面実装部品 | |
JP2563335Y2 (ja) | 半導体装置 |