JPS6318653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6318653A JPS6318653A JP16187986A JP16187986A JPS6318653A JP S6318653 A JPS6318653 A JP S6318653A JP 16187986 A JP16187986 A JP 16187986A JP 16187986 A JP16187986 A JP 16187986A JP S6318653 A JPS6318653 A JP S6318653A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に絶縁性凹状ケース内に
収納された缶型半導体素子とケースを取付は板に固定す
る際用いられるケース内のボルト頭部間の絶縁耐圧性能
向上に好適な半導体装置に関する。
収納された缶型半導体素子とケースを取付は板に固定す
る際用いられるケース内のボルト頭部間の絶縁耐圧性能
向上に好適な半導体装置に関する。
従来の装置は、第４図に記載のように、複数個の所定の
整流方向を有した缶型半導体素子３をその缶底部分にお
いて金属基板１上にろう材２でろう付した後、絶縁性凹
状ケース４内に収納し、更に間者を接着固定する為エポ
キシ等の絶縁樹脂５を注入硬化後、交流電圧を導く為に
図示していない導板で接続する構造となっていた。ここ
で本半導体装置を電源回路装置に取付ける際に使用する
取付けは、上記ケース４の中心部に筒部４ａを設け、筒
部４ａの貫通穴部にボルト８等を用いて取付は板９に固
定する様になっていた。
整流方向を有した缶型半導体素子３をその缶底部分にお
いて金属基板１上にろう材２でろう付した後、絶縁性凹
状ケース４内に収納し、更に間者を接着固定する為エポ
キシ等の絶縁樹脂５を注入硬化後、交流電圧を導く為に
図示していない導板で接続する構造となっていた。ここ
で本半導体装置を電源回路装置に取付ける際に使用する
取付けは、上記ケース４の中心部に筒部４ａを設け、筒
部４ａの貫通穴部にボルト８等を用いて取付は板９に固
定する様になっていた。
ボルト８は、取付は板９に直接螺合される場合もあれば
、ナツトを用いて取付は板９を挾持する場合もある６ 尚、上記の従来装置は、実開昭５８−１６２６４３号公
報に開示されている。
、ナツトを用いて取付は板９を挾持する場合もある６ 尚、上記の従来装置は、実開昭５８−１６２６４３号公
報に開示されている。
第４図が示すように、従来の半導体装置では、ボルト８
の頭部が缶型半導体素子３に対し、極めて接近していた
。そして、取付は板９が金ｍ製でシャーシであったりす
ると、半導体素子３とボルト８の頭部の間隔りが小さい
ことによって、半導体素子３とボルト８の頭部の間で放
電を起し、半導体装置が正常な出力を出さなくなる問題
があった。即ち、上記従来技術は半導体素子３とボルト
８間の沿面距離について配慮されておらず、この間の絶
縁耐圧の点で問題があった。
の頭部が缶型半導体素子３に対し、極めて接近していた
。そして、取付は板９が金ｍ製でシャーシであったりす
ると、半導体素子３とボルト８の頭部の間隔りが小さい
ことによって、半導体素子３とボルト８の頭部の間で放
電を起し、半導体装置が正常な出力を出さなくなる問題
があった。即ち、上記従来技術は半導体素子３とボルト
８間の沿面距離について配慮されておらず、この間の絶
縁耐圧の点で問題があった。
本発明の目的は、半導体素子とボルト間の沿面距離を増
し、絶縁耐圧を向上させた半導体装置を提供することに
ある。
し、絶縁耐圧を向上させた半導体装置を提供することに
ある。
上記目的は、筒部内にボルトの頭部が収まるようにして
、半導体素子とボルト頭部の間の最短距離を増大させる
ことにより達成される。
、半導体素子とボルト頭部の間の最短距離を増大させる
ことにより達成される。
具体的には、筒部は貫通穴内部に段部を有し。
この段部にボルトを締めた時にボルト頭部が係止する様
にしてボルト頭部が筒部内に収まるようにしている。
にしてボルト頭部が筒部内に収まるようにしている。
半導体素子とボルト間の絶縁耐圧は、両者の最も接近し
ている部分の距離で決まる。本発明では、筒部に段部を
設け、ボルト頭部が筒部内に収まるようにすることで半
導体素子とボルト頭部の間を隔絶し、且つこの間の距離
を長くすることで絶縁耐圧の向上をはかった。
ている部分の距離で決まる。本発明では、筒部に段部を
設け、ボルト頭部が筒部内に収まるようにすることで半
導体素子とボルト頭部の間を隔絶し、且つこの間の距離
を長くすることで絶縁耐圧の向上をはかった。
半導体素子とボルト頭部の間の最短距離は、筒部の内側
を多段とし、その最下段にボルト頭部が係止するように
すれば、−層増大する。
を多段とし、その最下段にボルト頭部が係止するように
すれば、−層増大する。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明になる半導体装置の上面図、第２図は第
２図の部分断面正面図、第３図は第１図に示す本発明の
半導体装置をボルトを用いて取付は板に固定した時の第
１図Ａ−Ａ切断線に沿う断面図である。
２図の部分断面正面図、第３図は第１図に示す本発明の
半導体装置をボルトを用いて取付は板に固定した時の第
１図Ａ−Ａ切断線に沿う断面図である。
本発明による半導体装置は１対の金属基板１にろう材２
などを介して予じめ製作された缶型半導体素子３が所定
の整流方向を有して２個づつ固着接続され、これらが絶
縁性樹脂を用いて、予じめ成型された凹状ケース４の所
定の位置に収納された後、エポキシ等の絶縁樹脂５をケ
ース内に注入硬化する。次にろう材６などを用いて半導
体素子３ガラスシ一ル部の上側電極３ａを金属板７で電
気的に接続し、単相全波整流ブリッジ回路を形成した構
造となっている。
などを介して予じめ製作された缶型半導体素子３が所定
の整流方向を有して２個づつ固着接続され、これらが絶
縁性樹脂を用いて、予じめ成型された凹状ケース４の所
定の位置に収納された後、エポキシ等の絶縁樹脂５をケ
ース内に注入硬化する。次にろう材６などを用いて半導
体素子３ガラスシ一ル部の上側電極３ａを金属板７で電
気的に接続し、単相全波整流ブリッジ回路を形成した構
造となっている。
第２図、第３図ではケース４の底部と金属基板１の間に
レジン５が介在されているが、ケース底部に金属基板１
を収納させた時にできる間隙にレジン５がまわりこんだ
もので、ケース底部と金属基板は接触していてもさしつ
かえない。
レジン５が介在されているが、ケース底部に金属基板１
を収納させた時にできる間隙にレジン５がまわりこんだ
もので、ケース底部と金属基板は接触していてもさしつ
かえない。
ここでケース４の中心部に位置する筒部４ａはボルト８
の頭部が貫通穴に収まるよう段部Ｓが設けられ段部にボ
ルト８の頭部が係止するようになっている。
の頭部が貫通穴に収まるよう段部Ｓが設けられ段部にボ
ルト８の頭部が係止するようになっている。
以下本発明による半導体装置と第４図に示した如〈従来
装置について、この種半導体装置が電源回路に組み込ま
れる時に用いるボルト８を取付けた時の第３図、第４図
を対比して本発明の詳細な説明する。
装置について、この種半導体装置が電源回路に組み込ま
れる時に用いるボルト８を取付けた時の第３図、第４図
を対比して本発明の詳細な説明する。
電源回圧装置の取付は板９が金属製で接地されていると
ボルト８は取付は板９と同電位にあり、装置の動作時、
半導体素子３とボルト８との間には電源電圧が加わるこ
とになる。
ボルト８は取付は板９と同電位にあり、装置の動作時、
半導体素子３とボルト８との間には電源電圧が加わるこ
とになる。
従って半導体素子３の周端部とボルト８の頭部で最も各
々が接近する部分は絶縁耐圧の面から極力前れているこ
とが望ましく、更に導電性異物等の付着などの要因を考
えた場合は向夏である。
々が接近する部分は絶縁耐圧の面から極力前れているこ
とが望ましく、更に導電性異物等の付着などの要因を考
えた場合は向夏である。
第４図の従来技術では、半導体素子３とボルト８の頭部
間の直線距離りが最短距離であったが、本発明装置では
第３図に示すＬ１＋Ｌ２が最短距離となるため、最短距
離は大幅に増加している。
間の直線距離りが最短距離であったが、本発明装置では
第３図に示すＬ１＋Ｌ２が最短距離となるため、最短距
離は大幅に増加している。
ボルト８の頭部は筒部４ａの貫通穴内部にあるから筒部
４ａ上端をダムとして貫通穴内部にボルト締め後に、レ
ジンを注入硬化させることも可能で。
４ａ上端をダムとして貫通穴内部にボルト締め後に、レ
ジンを注入硬化させることも可能で。
そうすると−層絶縁耐力は向上する。
本発明によれば、半導体素子とボルト間の最も接近した
点の距離を大きく出来るので、この間に電圧が印加され
た時の絶縁耐圧向上の効果がある。
点の距離を大きく出来るので、この間に電圧が印加され
た時の絶縁耐圧向上の効果がある。
第１図は本発明の一実施例になる半導体装置の上面図、
第２図は第１図の半導体装置の部分断面正面図、第３図
は第１図の本発明半導体装置をボルトを用いて組込んだ
時のＡ−Ａ切断線に沿う断面図、第４図は従来装置をボ
ルトを用いて組込んだ時の部分的断面図である。 １・・・金属基板、２・・・ろう材、３・・・半導体素
子、４・・・ケース、４ａ・・・筒部、５・・・絶縁樹
脂、６・・・ろう材、７・・・金属板、８・・・ボルト
、９・・・取付は板。
第２図は第１図の半導体装置の部分断面正面図、第３図
は第１図の本発明半導体装置をボルトを用いて組込んだ
時のＡ−Ａ切断線に沿う断面図、第４図は従来装置をボ
ルトを用いて組込んだ時の部分的断面図である。 １・・・金属基板、２・・・ろう材、３・・・半導体素
子、４・・・ケース、４ａ・・・筒部、５・・・絶縁樹
脂、６・・・ろう材、７・・・金属板、８・・・ボルト
、９・・・取付は板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の金属基板の各々に極性を揃えた複数個の缶型
半導体素子がその缶底部分でろう着され、各金属基板が
絶縁性凹状ケースに収納されてレジンで固着され、各半
導体素子のガラスシール部の上側電極が所定回路を形成
するように電気的に接続されており、ケースはその内部
に筒部を有し、この筒部にボルトが貫通され、かつ、ボ
ルト頭部が筒部に係止することによつてケースを金属取
付け板に固定することができる半導体装置において、上
記ボルトの頭部はケースの筒部の貫通穴内に収まるよう
に筒部に係止することを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、筒部は貫通穴内部
に段部を有し、この段部にボルト頭部が係止することを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16187986A JPS6318653A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16187986A JPS6318653A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318653A true JPS6318653A (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=15743720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16187986A Pending JPS6318653A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318653A (ja) |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP16187986A patent/JPS6318653A/ja active Pending
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