JPS63295578A - フタロシアニン化合物 - Google Patents
フタロシアニン化合物Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
- C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
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-
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-
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- C09B47/08—Preparation from other phthalocyanine compounds, e.g. cobaltphthalocyanineamine complex
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電磁スペクトルの近赤外域、例えば700〜
1SO0nm、特に7SO〜1100 nmで吸収する
若干の置換されたチオ−フタロシアニンスルホネートに
関する。
1SO0nm、特に7SO〜1100 nmで吸収する
若干の置換されたチオ−フタロシアニンスルホネートに
関する。
発明の構成
本発明によれば、式:
%式%
〔式中Pcはフタロシアニン核(Pc )であり;各R
は独立的に、XによってPc核の周辺炭素原子に結合さ
れた一価芳香族基であり;Xは51SeおよびTeから
選択され;mは4〜16であり;各R1は独立的に、Y
およびZによってPc核の2個の隣接周辺炭素原子に結
合された二価の芳香族基であり;Yは51NT、Seお
よびTeから選択され;ZはS、Se、Te、NTおよ
び0から選択され;TはH1アルキルおよびアリールか
ら選択され;nは0〜7であり;MはH1金属または場
合によっては置換されたアンモニウムであり;pは1〜
16である〕で示されるフタロシアニン化合物が提供さ
れる。
は独立的に、XによってPc核の周辺炭素原子に結合さ
れた一価芳香族基であり;Xは51SeおよびTeから
選択され;mは4〜16であり;各R1は独立的に、Y
およびZによってPc核の2個の隣接周辺炭素原子に結
合された二価の芳香族基であり;Yは51NT、Seお
よびTeから選択され;ZはS、Se、Te、NTおよ
び0から選択され;TはH1アルキルおよびアリールか
ら選択され;nは0〜7であり;MはH1金属または場
合によっては置換されたアンモニウムであり;pは1〜
16である〕で示されるフタロシアニン化合物が提供さ
れる。
フタロシアニン(Pc )核のコアーは金属を有しない
かまたはコアー内で錯化されつる任意の金属またはオキ
シ金属を含有していてもよい。
かまたはコアー内で錯化されつる任意の金属またはオキ
シ金属を含有していてもよい。
適当な金属およびオキシ金属の例は、マグネ7ウム、パ
ラジウム、ガラニル、バナジル、デルマニウム、インジ
ウム、さら番こ特別には銅、特に銅(■)、ニッケル、
コバルト、亜鉛、鉛およ。
ラジウム、ガラニル、バナジル、デルマニウム、インジ
ウム、さら番こ特別には銅、特に銅(■)、ニッケル、
コバルト、亜鉛、鉛およ。
びカドミウムである。本明細書では、金属不含のフタロ
シアニンはH2POと表わされ、金属化フタロシアニン
、例えば鋼(n)フタロシアニンはCu(11)Pcと
表わされる。
シアニンはH2POと表わされ、金属化フタロシアニン
、例えば鋼(n)フタロシアニンはCu(11)Pcと
表わされる。
各Rは好ましくは、場合により置換された単また二環式
アリールまたはヘテロアリールであメチル、チェニル、
フリル、ピリル、チアゾリル、イソチアゾリル、キノリ
ル、インドリル、ビリゾル、ベンゾイミダゾリルおよび
ベンゾチアゾリルから選択される。Rがフェニルである
な置換基は、01〜20−アルキル、特にC1〜4−ア
ルキル; O−C,〜20−アルコキシ、特に0−C1
〜4−アルコキシ; 5−01〜20−アルキル、特に
5−C1〜4−アルキル;アリール、特にフェニル;S
−アリール、特にS−フェニル;ハロゲン、特に塩素ま
たは臭素;ニトロ;シアノ:第三アミノ、すなわちジ−
N−アルキル−1N−アルキル−N−アリールおよびジ
−N−アリールアミノ、特にジー(C1〜4−アルキル
)アミノ、N−01〜4−アルキル−N−フェニルアミ
ノおよびジ−フェニルアミノ; −COOHおよびアシ
ルおよびアシルアミノ、すなわちC0Tl、C’ON’
rlT2、SO2’rlおよび5o2NT1T2(Tl
およびT2は、H1アルキル、特に01〜4−アルキル
;アリール、特にフェニルおよびアラルキル、特にベン
ジルである)から選択される。
アリールまたはヘテロアリールであメチル、チェニル、
フリル、ピリル、チアゾリル、イソチアゾリル、キノリ
ル、インドリル、ビリゾル、ベンゾイミダゾリルおよび
ベンゾチアゾリルから選択される。Rがフェニルである
な置換基は、01〜20−アルキル、特にC1〜4−ア
ルキル; O−C,〜20−アルコキシ、特に0−C1
〜4−アルコキシ; 5−01〜20−アルキル、特に
5−C1〜4−アルキル;アリール、特にフェニル;S
−アリール、特にS−フェニル;ハロゲン、特に塩素ま
たは臭素;ニトロ;シアノ:第三アミノ、すなわちジ−
N−アルキル−1N−アルキル−N−アリールおよびジ
−N−アリールアミノ、特にジー(C1〜4−アルキル
)アミノ、N−01〜4−アルキル−N−フェニルアミ
ノおよびジ−フェニルアミノ; −COOHおよびアシ
ルおよびアシルアミノ、すなわちC0Tl、C’ON’
rlT2、SO2’rlおよび5o2NT1T2(Tl
およびT2は、H1アルキル、特に01〜4−アルキル
;アリール、特にフェニルおよびアラルキル、特にベン
ジルである)から選択される。
mの平均値は6〜16、さらに特別には8〜16である
のが好ましい。
のが好ましい。
各R1は好ましくは、Rに関する前記の任意の置換基か
ら選択された基によって置換されたフエニ−1,2−イ
レンまたは−6,4−イレンまたはフエニ−1,2−イ
レンまたはナフチ−6,4−イレンである。R1が未置
換であるかまたはハロゲンまたはC1〜1o−アルキル
、特に01〜4−アルキルによって置換されているのが
有利である。またnの平均値は0〜5であるのが有利で
ある。
ら選択された基によって置換されたフエニ−1,2−イ
レンまたは−6,4−イレンまたはフエニ−1,2−イ
レンまたはナフチ−6,4−イレンである。R1が未置
換であるかまたはハロゲンまたはC1〜1o−アルキル
、特に01〜4−アルキルによって置換されているのが
有利である。またnの平均値は0〜5であるのが有利で
ある。
XばSであり、またYも8才たはNTであり、またZは
SまたはNTであるのが有利である。特にYはSであり
、Z&′!、NTであるのが有利である。TはHX01
〜.−アルキル、特にメチル、またはフェニルであるの
が有利である。
SまたはNTであるのが有利である。特にYはSであり
、Z&′!、NTであるのが有利である。TはHX01
〜.−アルキル、特にメチル、またはフェニルであるの
が有利である。
2n+mは16〜16であり、好ましくは14.15ま
たは16であるのが有利である。
たは16であるのが有利である。
フタロンアニン核上の残っている周辺炭素原子は好まし
くはH、ハロゲン、特に塩素または臭素、OH,アルコ
キシ、好ましくは01〜4−アルコキノ、特にイソ−ア
ミルオキシ、またはこれらの基の組合せを有する。
くはH、ハロゲン、特に塩素または臭素、OH,アルコ
キシ、好ましくは01〜4−アルコキノ、特にイソ−ア
ミルオキシ、またはこれらの基の組合せを有する。
スルホネート基−803Mは好ましくは周辺芳香族基R
およびR1上に配置されている。基Mの性質に依存して
、水溶解度は一般lこスルホネート基の数と共に増大し
、これは、スルホン化度を増大または減少させることに
よって改良して任意の特定の用途に適合させることがで
きる。
およびR1上に配置されている。基Mの性質に依存して
、水溶解度は一般lこスルホネート基の数と共に増大し
、これは、スルホン化度を増大または減少させることに
よって改良して任意の特定の用途に適合させることがで
きる。
該化合物は10個以上のスルホネート基を有してもよい
が、適度の水溶解度のためには、平均して1分子当り少
なくとも3個、さらに好ましくは少なくとも5個のスル
ホネート基が存在するのが有利である。比較的高い溶解
度が要求される場合には、芳香族基RおよびR1は、全
体として、少なくとも5個、もつと好ましくは少なくと
も8個、特に10〜15個のスルホネート基を収容する
のに十分な遊離の無障害炭素原子を有することが所望さ
れる。
が、適度の水溶解度のためには、平均して1分子当り少
なくとも3個、さらに好ましくは少なくとも5個のスル
ホネート基が存在するのが有利である。比較的高い溶解
度が要求される場合には、芳香族基RおよびR1は、全
体として、少なくとも5個、もつと好ましくは少なくと
も8個、特に10〜15個のスルホネート基を収容する
のに十分な遊離の無障害炭素原子を有することが所望さ
れる。
特定数のスルホネート基に関しては、高極性媒体、すな
わち水および水を基剤とした系中の溶解度は、Mがアル
カリ金属、未置換アンモニウムまたはアンモニウムを有
する親水性置換基である場合に増大される。つまり水を
基剤とした系中で使用するための式Iの好ましい化合物
の場合には、Mはアルカリ金属、特にナトリウム、カリ
ウムまたはリチウム、または未置換アンモニウムである
。「水を基剤とした系」という用語は、主要量、好まし
くは少なくともSO重量%の水および場合によっては他
の水混和性液体つまり単純グリコール、例えばエチレン
グリコールまたは低級脂肪族アルコール、例えばメタノ
ールから成る媒体を包含する。
わち水および水を基剤とした系中の溶解度は、Mがアル
カリ金属、未置換アンモニウムまたはアンモニウムを有
する親水性置換基である場合に増大される。つまり水を
基剤とした系中で使用するための式Iの好ましい化合物
の場合には、Mはアルカリ金属、特にナトリウム、カリ
ウムまたはリチウム、または未置換アンモニウムである
。「水を基剤とした系」という用語は、主要量、好まし
くは少なくともSO重量%の水および場合によっては他
の水混和性液体つまり単純グリコール、例えばエチレン
グリコールまたは低級脂肪族アルコール、例えばメタノ
ールから成る媒体を包含する。
しかし、少量、特に25−未満の水から成るかまたは極
性有機液体、すなわちグリコール、例エバエチレングリ
コール、ジエチレングリコールおよびポリ(アルキレン
グリコール)およびアルコール、例えばメタノール、エ
タノール、プロパツールおよびブタノールのみから成る
低極性媒体中の溶解度は、Mが少なくとも1個の脂肪族
基、特にC1〜20−アルキル又は01〜20−アルケ
ニルを有する置換アンモニウムであるかまたはアリール
グアニジウム、特lこジアリールグアニジウム、例えば
ジフェニルグアニジウムおよびジー2−トルイルグアニ
ジウムである場合に増大されることが判明した。
性有機液体、すなわちグリコール、例エバエチレングリ
コール、ジエチレングリコールおよびポリ(アルキレン
グリコール)およびアルコール、例えばメタノール、エ
タノール、プロパツールおよびブタノールのみから成る
低極性媒体中の溶解度は、Mが少なくとも1個の脂肪族
基、特にC1〜20−アルキル又は01〜20−アルケ
ニルを有する置換アンモニウムであるかまたはアリール
グアニジウム、特lこジアリールグアニジウム、例えば
ジフェニルグアニジウムおよびジー2−トルイルグアニ
ジウムである場合に増大されることが判明した。
置換アンモニウム基は、好ましくは式NQ4を有してお
り、式中少なくとも1個のQは脂肪族基であるかまたは
2個のQは、N原子と一緒にヘテロ脂環式またはヘテロ
芳香族基、例えばピリジン、ピペリジノまたはモルホリ
ノを形成する。また、他の2個または6個のQがそれぞ
れ独立的にH,01〜4−アルキル、フェニルまたはベ
ンジルを表わすのも有利である。特に、Qによって表わ
される基の少なくとも1個、より有利には6個がHであ
るのが有利である。
り、式中少なくとも1個のQは脂肪族基であるかまたは
2個のQは、N原子と一緒にヘテロ脂環式またはヘテロ
芳香族基、例えばピリジン、ピペリジノまたはモルホリ
ノを形成する。また、他の2個または6個のQがそれぞ
れ独立的にH,01〜4−アルキル、フェニルまたはベ
ンジルを表わすのも有利である。特に、Qによって表わ
される基の少なくとも1個、より有利には6個がHであ
るのが有利である。
Qによって表わされる脂肪族基は好ましくは炭素原子6
〜10個、より好ましくは7〜10個、特に好ましくは
8または9個を有する。有利な脂肪族基はアルキルおよ
びアルケニルであり、特に炭素鎖が少なくとも1個の枝
、特に2〜4個の枝を含むような基である。炭素原子8
または9個を有するQによって表わされる有利なアルキ
ル基は、3,5.5−トリメチルヘキシル、1,1,5
,3−テトラメチルブチルおよび2−エチルヘキシルで
ある。他の脂肪族鎖の例は、1〜エチル−6−メチルペ
ンチル、1゜5−ジメチルヘキシル、1〜メチルへ−I
fル、オクチル、ノニル、1,4−ジメチルヘプチル、
1.2.2−トリメチルゾロビル、2−エチルブチル、
1〜プロビルブチル、1,2−ジメチルテチル、2−メ
チルペンチル、1〜エチルペンチル、1,4−ジメチル
ペンチル、ヘキシル、1〜メチルヘキシル、6−メチル
ヘキシル、ヘプチル、1,3.5−トリメチルブチル、
1〜メチルノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペ
ンタデシル、ヘキサデシルおよびオクタデシルである。
〜10個、より好ましくは7〜10個、特に好ましくは
8または9個を有する。有利な脂肪族基はアルキルおよ
びアルケニルであり、特に炭素鎖が少なくとも1個の枝
、特に2〜4個の枝を含むような基である。炭素原子8
または9個を有するQによって表わされる有利なアルキ
ル基は、3,5.5−トリメチルヘキシル、1,1,5
,3−テトラメチルブチルおよび2−エチルヘキシルで
ある。他の脂肪族鎖の例は、1〜エチル−6−メチルペ
ンチル、1゜5−ジメチルヘキシル、1〜メチルへ−I
fル、オクチル、ノニル、1,4−ジメチルヘプチル、
1.2.2−トリメチルゾロビル、2−エチルブチル、
1〜プロビルブチル、1,2−ジメチルテチル、2−メ
チルペンチル、1〜エチルペンチル、1,4−ジメチル
ペンチル、ヘキシル、1〜メチルヘキシル、6−メチル
ヘキシル、ヘプチル、1,3.5−トリメチルブチル、
1〜メチルノニル、デシル、ドデシル、トリデシル、ペ
ンタデシル、ヘキサデシルおよびオクタデシルである。
置換アンモニウムは好ましくは前記のような脂肪族アル
キル基を有し、残りの基は好ましくはH,C1〜4−ア
ルキル、特にメチルまたはアラルキル、特にベンジルで
ある。しかしQによって表わされる残りの基の少なくと
も1個、好ましくは6個すべてがHであるのが有利であ
る。適当なアンモニウム基は2−エチルヘキシルアンモ
ニウム、1,1,3,3−テトラメチルブチルアンモニ
ウム、3,5.5−トリメチルヘキシルアンモニウム、
ラウリルトリメチルアンモニウム、ラウリルベンジルジ
メチルアンモニウム、オクタデシルトリメチルアンモニ
ウム、特にセチルビリゾニウムおよびセチルトリメチル
アンモニウムである。
キル基を有し、残りの基は好ましくはH,C1〜4−ア
ルキル、特にメチルまたはアラルキル、特にベンジルで
ある。しかしQによって表わされる残りの基の少なくと
も1個、好ましくは6個すべてがHであるのが有利であ
る。適当なアンモニウム基は2−エチルヘキシルアンモ
ニウム、1,1,3,3−テトラメチルブチルアンモニ
ウム、3,5.5−トリメチルヘキシルアンモニウム、
ラウリルトリメチルアンモニウム、ラウリルベンジルジ
メチルアンモニウム、オクタデシルトリメチルアンモニ
ウム、特にセチルビリゾニウムおよびセチルトリメチル
アンモニウムである。
アリールグアニジウム基は好ましくは式=T3−NH−
C(NHT4)−NH−T3〔式中各T3は独立的に場
合によっては置換されたフェニル基、特にフェニルまた
はC1〜4−あるのが有利であり、例はフェニルおよび
2−トルイルである。
C(NHT4)−NH−T3〔式中各T3は独立的に場
合によっては置換されたフェニル基、特にフェニルまた
はC1〜4−あるのが有利であり、例はフェニルおよび
2−トルイルである。
式Iの特に有利な化合物の場合には、PcはCu(II
)Pcであり;Rはフェニル、c1+4−アルキルフ
ェニルまたは01〜4−アルコキシフェニルであり;X
はSであり;mは8〜16であり;R1はフエ二−1,
2−イレン、ナフチ−1,2−イレンまたはナフチ−2
,6−イレンであり;YはSであり;nは0〜4であり
;2はNT XSまたは0であり、TはHまたはC1〜
4−アルキルであり;MはH1アルカリ金属(特にNa
)、NH,、NH3Q1およびジアリールグアニジウ
ムであり、Qlは前記のものと同じであり、特に1〜4
個の枝を有する08〜9−アルキルである。
)Pcであり;Rはフェニル、c1+4−アルキルフ
ェニルまたは01〜4−アルコキシフェニルであり;X
はSであり;mは8〜16であり;R1はフエ二−1,
2−イレン、ナフチ−1,2−イレンまたはナフチ−2
,6−イレンであり;YはSであり;nは0〜4であり
;2はNT XSまたは0であり、TはHまたはC1〜
4−アルキルであり;MはH1アルカリ金属(特にNa
)、NH,、NH3Q1およびジアリールグアニジウ
ムであり、Qlは前記のものと同じであり、特に1〜4
個の枝を有する08〜9−アルキルである。
式■の化合物は、式■においてp=oである化合物の直
接的スルホ/化lこよって製造することができる。スル
ホン化の条件は、当該分子に導入することが所望される
スルホネート基の数に依存する。しかし周囲温度で10
0%硫酸を使用して最高15または16個のスルボネー
ト基を導入することもできる。p=0の式■の化合物お
よびその製造はヨーロッパ特許出願公開第15578C
1号に記載されている。
接的スルホ/化lこよって製造することができる。スル
ホン化の条件は、当該分子に導入することが所望される
スルホネート基の数に依存する。しかし周囲温度で10
0%硫酸を使用して最高15または16個のスルボネー
ト基を導入することもできる。p=0の式■の化合物お
よびその製造はヨーロッパ特許出願公開第15578C
1号に記載されている。
本発明による化合物は、電磁スペクトルの近赤外域で、
つまり700〜1SO0 nmで顕著な吸収帯を有する
。光学的文字認R(OCR)および例えばレーデ−光線
から熱へのエネルギー変換にとっては7SO〜1l10
0nの範囲が特に重要である。多くのOCR系は、一般
に780〜830 nmで放射する、放射源としての固
体半導体レーデ−およびピーク感度約900 nmを有
する、珪素を基材とするフォトダイオード検出器を使用
する。エネルギー変換用に広く使用される強力なYA(
)レーデ−は1060 nmで放射する。n = 0で
ある式Iの化合物は一般に、7SO〜8SO nm域の
可成り狭い吸収帯を有しているが、n〉0の式lの化合
物は800〜9SO nm域のより広い吸収帯を有する
。
つまり700〜1SO0 nmで顕著な吸収帯を有する
。光学的文字認R(OCR)および例えばレーデ−光線
から熱へのエネルギー変換にとっては7SO〜1l10
0nの範囲が特に重要である。多くのOCR系は、一般
に780〜830 nmで放射する、放射源としての固
体半導体レーデ−およびピーク感度約900 nmを有
する、珪素を基材とするフォトダイオード検出器を使用
する。エネルギー変換用に広く使用される強力なYA(
)レーデ−は1060 nmで放射する。n = 0で
ある式Iの化合物は一般に、7SO〜8SO nm域の
可成り狭い吸収帯を有しているが、n〉0の式lの化合
物は800〜9SO nm域のより広い吸収帯を有する
。
式lにおいて、n = 0、m=15〜16およびR−
X&’X、アリールチオ、特に4(C1〜4−アルキル
)フェニルチオである化合物は、約7SO〜800 n
mを中心をした、極めて高い吸光係数(代表的には約1
05)を有する極めて狭い吸収曲線を示し、固体レーデ
−に適合しつる。
X&’X、アリールチオ、特に4(C1〜4−アルキル
)フェニルチオである化合物は、約7SO〜800 n
mを中心をした、極めて高い吸光係数(代表的には約1
05)を有する極めて狭い吸収曲線を示し、固体レーデ
−に適合しつる。
C(7)化合物は、可視域(400〜700nm)では
わずかじか吸収しないので殆ど無色であり、これは安全
印刷のような用途における極めて望ましい特性である。
わずかじか吸収しないので殆ど無色であり、これは安全
印刷のような用途における極めて望ましい特性である。
式■において、n = 4、m=7または8の化合物、
特jこY=s、Z=NHXR1&!7に−1゜2−イレ
ンおよびRはアリールチオである化合物は、800〜9
00 nmを中心とした極めて広い吸収帯および低い吸
光係数(代表曲番こは6あるが、Yへ〇レーデ−にはあ
まり適合しない。
特jこY=s、Z=NHXR1&!7に−1゜2−イレ
ンおよびRはアリールチオである化合物は、800〜9
00 nmを中心とした極めて広い吸収帯および低い吸
光係数(代表曲番こは6あるが、Yへ〇レーデ−にはあ
まり適合しない。
スルホン化は通常有機分子の吸収性に殆ど効果がないか
または全熱効果がない。従って、ヨーロッパ特許出願公
開第155780.号に記載された化合物のスルホン化
がこれらの化合物のスペクトルに著しい変化を生じるこ
とは意外である。式Iの未スルホン化同族体(RX =
4−メチルフェニルチオ、m=15または16、Pc
m Cu(II)Pc 、 n = p = O)は約
685 nm iこ肩を有する狭い帯スペクトルを有す
る。式Iのスルホン化合物(p=12.5、M=Na)
は、同じ位置で685 nmに顕著な肩を有しない広い
帯スペクトルを有する。
または全熱効果がない。従って、ヨーロッパ特許出願公
開第155780.号に記載された化合物のスルホン化
がこれらの化合物のスペクトルに著しい変化を生じるこ
とは意外である。式Iの未スルホン化同族体(RX =
4−メチルフェニルチオ、m=15または16、Pc
m Cu(II)Pc 、 n = p = O)は約
685 nm iこ肩を有する狭い帯スペクトルを有す
る。式Iのスルホン化合物(p=12.5、M=Na)
は、同じ位置で685 nmに顕著な肩を有しない広い
帯スペクトルを有する。
式■の未スルホン化同族体(RX = 4−メチルフェ
ニルチオ、m=8、Y=S、R1=−1゜2−フェニレ
ン、Z=NH,n=4、p=o )は、890 nmで
の最大吸収量(CH3CJ中)および270 nmの中
帯域幅を有する。式Iのスルホン化化合物(p=10、
M = Na )は865nmでの最大吸収量(水中)
および360nmの中帯域幅を有する。つまりスルホン
化化合物は意外に広い吸収帯を有し、これによって未ス
ルホン化同族体よりも半導体レーデ(780〜830
nmでシャープエミツンヨン)およびシリコン検出器に
一層適合可能番こなる。
ニルチオ、m=8、Y=S、R1=−1゜2−フェニレ
ン、Z=NH,n=4、p=o )は、890 nmで
の最大吸収量(CH3CJ中)および270 nmの中
帯域幅を有する。式Iのスルホン化化合物(p=10、
M = Na )は865nmでの最大吸収量(水中)
および360nmの中帯域幅を有する。つまりスルホン
化化合物は意外に広い吸収帯を有し、これによって未ス
ルホン化同族体よりも半導体レーデ(780〜830
nmでシャープエミツンヨン)およびシリコン検出器に
一層適合可能番こなる。
本発明による化合物の種々の用途は、特に印刷インキに
関しては、異なる極性を有する溶剤中に可溶な生成物を
要求する。主要な要求は、水溶性生成物(水および水−
アルコールまたは水−グリコール混合物)、アルコール
(代表的にはメタノール、エタノールおよびプロパツー
ル)およびグリコール(代表的にはエチレングリコール
およびジエチレングリコール)溶解性生成物およびケト
ン(代表的にはMEK )溶解性生成物に対してである
。スルホン化生成物およびそのアルカリ金属およびアン
モニウム塩、特に8〜16個のスルホネート基を有する
ものは、水、水/グリコールおよび水/アルコール混合
物中で高溶解性である。これらのスルホン化生成物の脂
肪性アンモニウムおよびジアリールグアニジニウム塩は
、極性有機媒体、すなわち低級アルコール例えばエタノ
ール、およびグリコール例えばジエチレングリコール中
で艮好な溶解度を呈する。
関しては、異なる極性を有する溶剤中に可溶な生成物を
要求する。主要な要求は、水溶性生成物(水および水−
アルコールまたは水−グリコール混合物)、アルコール
(代表的にはメタノール、エタノールおよびプロパツー
ル)およびグリコール(代表的にはエチレングリコール
およびジエチレングリコール)溶解性生成物およびケト
ン(代表的にはMEK )溶解性生成物に対してである
。スルホン化生成物およびそのアルカリ金属およびアン
モニウム塩、特に8〜16個のスルホネート基を有する
ものは、水、水/グリコールおよび水/アルコール混合
物中で高溶解性である。これらのスルホン化生成物の脂
肪性アンモニウムおよびジアリールグアニジニウム塩は
、極性有機媒体、すなわち低級アルコール例えばエタノ
ール、およびグリコール例えばジエチレングリコール中
で艮好な溶解度を呈する。
低極性を有する溶剤、すなわちケト/、炭化水素および
塩素化炭化水素、つまりMEK、トルエンおよびジクロ
ロメタンを基剤とするインキの場合には、式Iの化合物
の未スルホン化変種、つまりp=Qのものが特に適当で
あり、このような化合物はヨーロッパ特許出願公開 第155,780号および本願の英国同時係属出願第8
705576号に記載されている。
塩素化炭化水素、つまりMEK、トルエンおよびジクロ
ロメタンを基剤とするインキの場合には、式Iの化合物
の未スルホン化変種、つまりp=Qのものが特に適当で
あり、このような化合物はヨーロッパ特許出願公開 第155,780号および本願の英国同時係属出願第8
705576号に記載されている。
6種類内の化合物の混合物は、吸収帯幅および溶解度に
関して中間的効果をあげるために使用することができる
。
関して中間的効果をあげるために使用することができる
。
特にn = 0の化合物の高い吸光係数は、極めて高い
印刷コントラスト率(PCR) (OCR装置での有効
正確な読取りに関しては一般に>60%、若干の場合に
は>75%)を有する印刷物の製造を許す。
印刷コントラスト率(PCR) (OCR装置での有効
正確な読取りに関しては一般に>60%、若干の場合に
は>75%)を有する印刷物の製造を許す。
他の用途には、(1)例えば赤外ランプからの放射エネ
ルギーの吸収および放射エネルギーの熱への変換の改良
により印刷の際の乾燥率がより加速されつる場合のイン
キの乾燥、(11)電子複写法におけるトナーのフラッ
シュ融合および(iii)電子複写法における電荷調節
剤が包含される。
ルギーの吸収および放射エネルギーの熱への変換の改良
により印刷の際の乾燥率がより加速されつる場合のイン
キの乾燥、(11)電子複写法におけるトナーのフラッ
シュ融合および(iii)電子複写法における電荷調節
剤が包含される。
式1の化合物は、熱および光に対する高堅牢性を含む艮
好な耐久性を示す。特に耐光性は、他の公知種類の赤外
吸収剤、すなわちシアニン、トリフェニルメタン、ジチ
オール、オキサチオールおよびアリールイミニウムの錯
ニッケル塩およびジイミニウム化合物の場合よりも可成
り大きい。
好な耐久性を示す。特に耐光性は、他の公知種類の赤外
吸収剤、すなわちシアニン、トリフェニルメタン、ジチ
オール、オキサチオールおよびアリールイミニウムの錯
ニッケル塩およびジイミニウム化合物の場合よりも可成
り大きい。
次に本発明を実施例により説明するが、例中の「部」お
よび「%」は他に指摘がなければ「重量部」および「重
量%」である。
よび「%」は他に指摘がなければ「重量部」および「重
量%」である。
例 1
(a)2−アミノチオフェノール(58,4g、0.4
2 mol )、4−メチルフェニルチオール(99,
2g、0.08 mol )、および水酸化カリウム(
105,6g、1.6 mol )をDMF’(800
ゴ)中で120〜160℃で40分間攪拌した。この混
合物に、商業的ブロモテトラデカりロローCuPC(ビ
ナモーン・グリ−7(vyNAMoNGrren )
2 GPw、 115.99.0.10m01 )を3
0分間滴加し、この混合物を125℃で2時間攪拌した
。80℃に冷却した後、この攪拌反応物質にエタノール
(1600ml )を加えて生成物を沈殿させた。沈殿
物を濾取し、エタノールおよび水で洗浄した。このペー
ストを水中で懸濁し、攪拌し、濾過し、水およびエタノ
ールで洗浄した。湿潤固体を真空炉で40℃、20mバ
ールで乾燥した。
2 mol )、4−メチルフェニルチオール(99,
2g、0.08 mol )、および水酸化カリウム(
105,6g、1.6 mol )をDMF’(800
ゴ)中で120〜160℃で40分間攪拌した。この混
合物に、商業的ブロモテトラデカりロローCuPC(ビ
ナモーン・グリ−7(vyNAMoNGrren )
2 GPw、 115.99.0.10m01 )を3
0分間滴加し、この混合物を125℃で2時間攪拌した
。80℃に冷却した後、この攪拌反応物質にエタノール
(1600ml )を加えて生成物を沈殿させた。沈殿
物を濾取し、エタノールおよび水で洗浄した。このペー
ストを水中で懸濁し、攪拌し、濾過し、水およびエタノ
ールで洗浄した。湿潤固体を真空炉で40℃、20mバ
ールで乾燥した。
収量:86g(理論値の42チ)
W′Lmax : 890 nm(CH2Cl中)E
Cmax : 46.000 (MEK中)溶解度:1
0チ(MEK中、25°C)〔WLma工は最大吸収の
波長であり、ECma工は最大吸収時の吸光係数である
〕 生成物は、平均式を有する置換チオ−CuPc。
Cmax : 46.000 (MEK中)溶解度:1
0チ(MEK中、25°C)〔WLma工は最大吸収の
波長であり、ECma工は最大吸収時の吸光係数である
〕 生成物は、平均式を有する置換チオ−CuPc。
ヘゾタ(4−メチルフェニルチオ)−テトラ(1〜アミ
ノ−2−チオーフエニ−1,2−イレン) −CuPc
(0TCPC)の混合物から成っていた。
ノ−2−チオーフエニ−1,2−イレン) −CuPc
(0TCPC)の混合物から成っていた。
(b) 発煙硫酸(sp、 qr、 1.92.52
0 ml )を、攪拌しながら水(20aj)&こ加え
た。このものに0TCPC(1001)を、攪拌しなが
ら20分間加え、同時に温度を水浴で10〜20℃に保
った。混合物を室温で2/2時間攪拌し、次に氷(1,
51)上に注ぎ、沈殿によって固体を分離した。同固体
をエタノール(11)に溶かし、この溶液を氷酸化ナト
リウムの62%水性溶液で中和した。冷却後、無機塩を
濾過によって除去し、濾液を蒸発乾固した。粗生成物を
ヴイスキング管(Viskingtubing )によ
る透析によって精製した。この生成物の分析によって、
各分子は平均10個のスルホネート基を有することが判
った。
0 ml )を、攪拌しながら水(20aj)&こ加え
た。このものに0TCPC(1001)を、攪拌しなが
ら20分間加え、同時に温度を水浴で10〜20℃に保
った。混合物を室温で2/2時間攪拌し、次に氷(1,
51)上に注ぎ、沈殿によって固体を分離した。同固体
をエタノール(11)に溶かし、この溶液を氷酸化ナト
リウムの62%水性溶液で中和した。冷却後、無機塩を
濾過によって除去し、濾液を蒸発乾固した。粗生成物を
ヴイスキング管(Viskingtubing )によ
る透析によって精製した。この生成物の分析によって、
各分子は平均10個のスルホネート基を有することが判
った。
収量:135g
WLma)(: 833 nm (II2O中)ECm
&X: 30.000 (II2O中、四約3057溶
解度:〉10チ(II2O中、25°C)列 2 列1(b)の寸法を反復した、但し0TCPCを当量の
ペンタデカ(4−メチル−フェニルチオ)−CuPcと
代えた。生成物は1分子当り平均12.5スルホネート
基を有しており、次の特性を有していた: WLmaxニア65nm(II2O中 )EC,lax: 51,000 (II2O中)溶解
度:〉10%(II2O中、25°C)列 6 列1(b)の方法を反復した、但し0TCPCを当量の
ペンタ(2−アミノフェニルチオ)−ぺ/ター(1〜ア
ミ7−2−チオフェン−1,2−イレン) −CuPc
と代えた。生成物は平均して、1分子当り9.5スルホ
ネート基を含有しており、次の特性を有していた: WLmax : 900 nm (広いピーク、H2O
中)例 4 例1bからの生成物(15g)を水(1SO扉l)に溶
かした(溶液A) 1.1,3,5−テトラメチルブチルアミン(16,6
,9)を水(136mJ)に加え、65チHCjを加え
て、生じる溶液がコンゴーレツr(Congo Red
)試験紙に対して酸性になるまで攪拌しながら溶かし
た(溶液B)。
&X: 30.000 (II2O中、四約3057溶
解度:〉10チ(II2O中、25°C)列 2 列1(b)の寸法を反復した、但し0TCPCを当量の
ペンタデカ(4−メチル−フェニルチオ)−CuPcと
代えた。生成物は1分子当り平均12.5スルホネート
基を有しており、次の特性を有していた: WLmaxニア65nm(II2O中 )EC,lax: 51,000 (II2O中)溶解
度:〉10%(II2O中、25°C)列 6 列1(b)の方法を反復した、但し0TCPCを当量の
ペンタ(2−アミノフェニルチオ)−ぺ/ター(1〜ア
ミ7−2−チオフェン−1,2−イレン) −CuPc
と代えた。生成物は平均して、1分子当り9.5スルホ
ネート基を含有しており、次の特性を有していた: WLmax : 900 nm (広いピーク、H2O
中)例 4 例1bからの生成物(15g)を水(1SO扉l)に溶
かした(溶液A) 1.1,3,5−テトラメチルブチルアミン(16,6
,9)を水(136mJ)に加え、65チHCjを加え
て、生じる溶液がコンゴーレツr(Congo Red
)試験紙に対して酸性になるまで攪拌しながら溶かし
た(溶液B)。
溶液Bを、室温で十分に攪拌しながら溶液Aに滴加し、
一方向時に32 % NaOH溶液を滴加して−を約8
に保った。この滴加後に、生成物の沈殿が完成するまで
攪拌を続けた。生成物を濾過によって回収し、SO℃で
乾燥した。
一方向時に32 % NaOH溶液を滴加して−を約8
に保った。この滴加後に、生成物の沈殿が完成するまで
攪拌を続けた。生成物を濾過によって回収し、SO℃で
乾燥した。
収量=19g
溶解度:〉10%(エタノール中、25°C)溶解度:
>10%(エチレングリコール中、25°C) 列 5 列4からの生成物を、場合により公知法により、例えば
エタノール中に溶かし、濾過して微細固体を除去で標準
インクジェット規格に精製した後、公知インキ添加剤を
加えてインキにした。このインキは、公知法によって例
えば紙に適用した後、830nmにWLエエを有する反
射スペクトルおよび7SO〜1000 nmc7)全ス
ペクトル範囲一こ亘る良好な印刷コントラスト率を与え
る広い吸収を有する印刷物を与えた。
>10%(エチレングリコール中、25°C) 列 5 列4からの生成物を、場合により公知法により、例えば
エタノール中に溶かし、濾過して微細固体を除去で標準
インクジェット規格に精製した後、公知インキ添加剤を
加えてインキにした。このインキは、公知法によって例
えば紙に適用した後、830nmにWLエエを有する反
射スペクトルおよび7SO〜1000 nmc7)全ス
ペクトル範囲一こ亘る良好な印刷コントラスト率を与え
る広い吸収を有する印刷物を与えた。
列 6
列2からの生成物(2,5g)をpi−110で溶液中
で攪拌し、1,6−ジー2−トリルグアニジン(2,5
g)を加えた。この混合物を室温で攪拌し、−をオルト
燐酸で調節して5にした。室温でpH5で2時間攪拌し
た後、濾過によって固体を分離し、少量の水で洗浄した
。湿潤固体を電気炉で80°Cで乾燥した。
で攪拌し、1,6−ジー2−トリルグアニジン(2,5
g)を加えた。この混合物を室温で攪拌し、−をオルト
燐酸で調節して5にした。室温でpH5で2時間攪拌し
た後、濾過によって固体を分離し、少量の水で洗浄した
。湿潤固体を電気炉で80°Cで乾燥した。
収量: 3.0 g
WLmax : 770 nm (1り/−ル中)EC
max:91,000(エタノール中)溶解度:〉10
%(エタノール中、25°C)列 7 列1(b)からの生成物(4,0,9)を、水(45a
t )中に溶かした(溶液A)。溶液Aに6,5゜5−
トリメチルヘキシルアミン(2,21、!i’ ) ヲ
加え、5分間の攪拌後に−を88%H3P0.で4.5
に調節した。生成物を濾過番こよって回収し、SO℃で
乾燥して4.5gの生成物が得られた。
max:91,000(エタノール中)溶解度:〉10
%(エタノール中、25°C)列 7 列1(b)からの生成物(4,0,9)を、水(45a
t )中に溶かした(溶液A)。溶液Aに6,5゜5−
トリメチルヘキシルアミン(2,21、!i’ ) ヲ
加え、5分間の攪拌後に−を88%H3P0.で4.5
に調節した。生成物を濾過番こよって回収し、SO℃で
乾燥して4.5gの生成物が得られた。
生成物はエタノールおよびジエチレングリコール中で艮
好な溶解度を有していた。
好な溶解度を有していた。
列 8
ダ11 (b)からの生成物C15,2g)を水(1S
O扉l)中に溶かした(溶液B)。
O扉l)中に溶かした(溶液B)。
2−エチレンヘキシルアミンC6,6g>2F−水製
(66d)に加え、簿塩酸を攪拌しながら加えて生じる
溶液がコンゴーレッド試験紙に対して酸性になるまで溶
かした。この溶液を水を加えて希釈してioom/とじ
た(溶液C)。
溶液がコンゴーレッド試験紙に対して酸性になるまで溶
かした。この溶液を水を加えて希釈してioom/とじ
た(溶液C)。
溶液Cを、周囲温度で攪拌しながら溶液Aに60分間滴
加滴加この際同時に62%NaOH溶液を加えて−を6
〜8番こ保った。さらに1時間攪拌した後、沈殿生成物
を濾取し、少量の水で洗浄し、SO℃で乾燥して18.
3.!i’の生成物を得た。同生成物は25℃でエタノ
ール中で艮好な溶液度を有していた。
加滴加この際同時に62%NaOH溶液を加えて−を6
〜8番こ保った。さらに1時間攪拌した後、沈殿生成物
を濾取し、少量の水で洗浄し、SO℃で乾燥して18.
3.!i’の生成物を得た。同生成物は25℃でエタノ
ール中で艮好な溶液度を有していた。
列 9
レリ4の生成物6部および列6の生成物1部をメタノー
ル62.6部中で混合して6チイ/キをつくった。同イ
ンキは、グラビヤ印刷によって紙に適用した後、700
〜1000 nmに亘る広い吸収を有する反射スペクト
ルおよび同範囲に亘る良好な印刷コントラスト率を有す
る印刷物を与えた。
ル62.6部中で混合して6チイ/キをつくった。同イ
ンキは、グラビヤ印刷によって紙に適用した後、700
〜1000 nmに亘る広い吸収を有する反射スペクト
ルおよび同範囲に亘る良好な印刷コントラスト率を有す
る印刷物を与えた。
列10
[111(b)の生成物(3,0g)を周囲温度で水(
SOm)中で溶かした(溶液A)。塩化セチルピリジニ
ウム(5,6g)を攪拌しながら溶液Aに満願した。沈
殿した固体を濾取し、水で洗浄し、SO℃で乾燥した。
SOm)中で溶かした(溶液A)。塩化セチルピリジニ
ウム(5,6g)を攪拌しながら溶液Aに満願した。沈
殿した固体を濾取し、水で洗浄し、SO℃で乾燥した。
この生成物は25°Cでエタノール中で良好な溶解度を
有していた°。
有していた°。
列11
列10の方法を反復した。但し塩化セチルピリジニウム
を当量の塩化セチルトリメチルアンモニウムと代えた。
を当量の塩化セチルトリメチルアンモニウムと代えた。
生じる生成物は25℃で艮好な溶解度を有していた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、式: (R−X−)_mPC(−Y−R^1−Z−)_n(−
SO_3M)_p I 〔式中、 Pcはフタロシアニン核(Pc)であり; 各Rは独立的に、XによつてPc核の周辺炭素原子に結
合された一価芳香族基であり; XはS、SeおよびTeから選択されており;mは4〜
16であり; 各R^1は独立的に、YおよびZによつてPc核の2個
の隣接周辺炭素原子に結合された二価芳香族基であり; YはS、NT、SeおよびTeから選択されており; ZはS、Se、Te、NTおよびOから選択されており
; TはH、アルキルおよびアリールから選択されており; nは0〜7であり; MはH、金属または場合により置換されたアンモニウム
であり; pは1〜16である〕で示されるフタロシアニン化合物
。 2、PcがCu(II)Pcである請求項1記載の化合物
。 3、Rがフェニル、ナフチル、チエニル、フリル、ピリ
ル、チアゾリル、イソチアゾリル、キノリル、インドリ
ル、ピリジル、ベンゾイミダゾリルおよびベンゾチアゾ
リルから選択され、これらのそれぞれは未置換であるか
またはC_1_〜_2_0−アルキル、O−C_1_〜
_2_0−アルコキシ、S−C_1_〜_2_0−アル
キル、アリールS−アリール、ハロゲン、ニトロ、シア
ノ、ジアルキル−、N−アルキル−N−アリール−およ
びジアリールアミノ、−COOH、アシルおよびアシル
アミノ、SO_2T^1およびSO_2NT^1T^2
から選択された3個までの置換基によつて置換されてい
る請求項1記載の化合物。 4、R^1がフェニレンまたはナフチレンから選択され
ており、これらのそれぞれが未置換であるかまたはC_
1_〜_2_0−アルキル、O−C_1_〜_2_0−
アルコキシ、S−C_1_〜_2_0−アルキル、アリ
ールS−アリール、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ジアル
キル−、N−アルキルN−アリール−およびジアリール
アミノ、−COOH、アシルおよびアシルアミノ、SO
_2T^1およびSO_2NT^1T^2から選択され
た3個までの置換置によつて置換されている請求項1記
載の化合物。 5、YがS、SeまたはTeである請求項1記載の化合
物。 6、置換されたアンモニウム基が式NQ_4を有し、同
式中少なくとも1個のQは脂肪族基であるかまたは2個
のQがN原子と一緒にピリジノ、ピペリジノおよびモル
ホリノから選択されたヘテロ脂環式またはヘテロ芳香族
基を形成する請求項1または請求項5記載の化合物。 7、Qによつて表わされる脂肪族基がC_6_〜_2_
0−アルキルである請求項6記載の化合物。 8、Qが3,5,5−トリメチルヘキシル、2−エチル
ヘキシル、1,1,3,3−テトラメチルブチル、1,
2,2−トリメチルプロピル、2−エチルブチル、1−
プロピルブチル、1,2−ジメチルブチル、2−メチル
ペンチル、1−エチルペンチル、1,4−ジメチルペン
チル、1−エチル−3−メチルペンチル、ヘキシル、1
−メチルヘキシル、3−メチルヘキシル、1,3,3−
トリメチルブチル、1,5−ジメチルヘキシル、ヘプチ
ル、1−メチルヘプチル、1,4−ジメチルヘプチル、
オクチル、ノニル、1−メチルノニル、デシル、ドデシ
ル、トリデシル、ペンタデシル、ヘキサデシルおよびオ
クタデシルから選択される請求項7記載の化合物。 9、QがC_8_〜_9−アルキルであり、他の3個の
QがHである請求項6記載の化合物。 10、PcがCu(II)Pcであり;Rがフェニル、C
_1_〜_4−アルキルフェニルまたはC_1_〜_4
−アルコキシフェニルであり;XがSであり;mが8〜
16であり;R^1がフエニ−1,2−イレン、ナフチ
−1,2−イレンまたはナフチ−2,3−イレンであり
:YがSであり;nが0〜4であり:ZがNT、Sまた
はOであり;TがHまたはC_1_〜_4−アルキルで
あり;MがH、アルカリ金属、NH_4、NH_3Qお
よびジアリールグアニジニウムから選択され、QがC_
8_〜_9−アルキルである請求項1記載の化合物。
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