JP2614890B2 - フタロシアニン化合物 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電磁スペクトルの近赤外域、例えば700〜1
500nmで、特に750〜1100nmで吸収する若干のポリ(置
換)フタロシアニン化合物に関する。
500nmで、特に750〜1100nmで吸収する若干のポリ(置
換)フタロシアニン化合物に関する。
発明の構成 本発明によれば、式: [式中、Pcはフタロシアニン核であり;各Rは独立し
て、置換されていてもよいフェニルであり(ただし置換
基はNHVであってはならない);mは4〜12であり;VはH
又はC1〜C4アルキルであり;Aは、置換されていてもよい
フェニレン又はナフチレンであり;nは2〜6である]で
示されるフタロシアニン化合物[ただし、 (式中Mは、酸化バナジウムである)の化合物を除く]
が提供される。
て、置換されていてもよいフェニルであり(ただし置換
基はNHVであってはならない);mは4〜12であり;VはH
又はC1〜C4アルキルであり;Aは、置換されていてもよい
フェニレン又はナフチレンであり;nは2〜6である]で
示されるフタロシアニン化合物[ただし、 (式中Mは、酸化バナジウムである)の化合物を除く]
が提供される。
フタロシアニン核(Pc)のコアーは、金属不含である
かまたはコアー内で錯化されうる任意の金属またはオキ
シ金属を含有していてもよい。適当な金属またはオキシ
金属の例はマグネシウム、パラジウム、ガラニル、バナ
ジル、ゲルマニウム、インジウムであり、さらに特別に
は銅、特に銅(III)、ニツケル、コバルト、鉄、亜
鉛、鉛およびカドミウムである。本明細書では適当な場
合には、金属不含フタロシアニンはH2Pcと表わされ、銅
(III)フタロシアニンのような金属化フタロシアニン
はCu(II)Pcと表わされる。
かまたはコアー内で錯化されうる任意の金属またはオキ
シ金属を含有していてもよい。適当な金属またはオキシ
金属の例はマグネシウム、パラジウム、ガラニル、バナ
ジル、ゲルマニウム、インジウムであり、さらに特別に
は銅、特に銅(III)、ニツケル、コバルト、鉄、亜
鉛、鉛およびカドミウムである。本明細書では適当な場
合には、金属不含フタロシアニンはH2Pcと表わされ、銅
(III)フタロシアニンのような金属化フタロシアニン
はCu(II)Pcと表わされる。
S原子およびN−V基は、好ましくはフタロシアニン
核の隣接炭素原子に、特に4,5位で結合されて、Aをフ
タロシアニン核に結合する6員の複素環、つまり を形成する。
核の隣接炭素原子に、特に4,5位で結合されて、Aをフ
タロシアニン核に結合する6員の複素環、つまり を形成する。
Rは未置換であるかまたは次下から選択された1〜3
個、特に1または2個の基によつて、好ましくは硫黄原
子に関してオルトおよび/パラ位で置換されているのが
好ましい:前記基は、C1〜10−アルキル、特にC
1〜4−アルキル;O−C1〜10−アルコキシ、特にO−
C1〜4−アルコキシ;S−C1〜10−アルキル、特にS
−C1〜4−アルキル;ハロゲン、フエニルおよびアシ
ル、すなわちCOOH、COT1、CONT1T2、SO2T1およびSO2NT1
T2(T1およびT2は、H、アルキル、特にC1〜4−アル
キル;アリール、特にフエニルおよびアラルキル、特に
ベンジルからそれぞれ独立的に選択される)から選択さ
れる。また、mの平均値が6〜10、特に7〜9であるの
が好ましい。Rがナフチル基を表わし、Rが2個の置換
基を有する場合には、これらの置換基は結合されて第二
の縮合環、特にベンゼン環を形成してもよい。
個、特に1または2個の基によつて、好ましくは硫黄原
子に関してオルトおよび/パラ位で置換されているのが
好ましい:前記基は、C1〜10−アルキル、特にC
1〜4−アルキル;O−C1〜10−アルコキシ、特にO−
C1〜4−アルコキシ;S−C1〜10−アルキル、特にS
−C1〜4−アルキル;ハロゲン、フエニルおよびアシ
ル、すなわちCOOH、COT1、CONT1T2、SO2T1およびSO2NT1
T2(T1およびT2は、H、アルキル、特にC1〜4−アル
キル;アリール、特にフエニルおよびアラルキル、特に
ベンジルからそれぞれ独立的に選択される)から選択さ
れる。また、mの平均値が6〜10、特に7〜9であるの
が好ましい。Rがナフチル基を表わし、Rが2個の置換
基を有する場合には、これらの置換基は結合されて第二
の縮合環、特にベンゼン環を形成してもよい。
好ましくは、Aは、Rに関する上記の任意の置換基か
ら選択された基によつて置換されたフエニ−1,2−イレ
ンまたはナフチ−2,3−イレンまたはフエニ−1,2−イレ
ンまたはナフチ−1,2−イレンである。Aの好ましい置
換基はハロゲン及びC1〜10−アルキルである。また好
ましくは、nの平均値は3〜5、特に3.5〜4.5である。
ら選択された基によつて置換されたフエニ−1,2−イレ
ンまたはナフチ−2,3−イレンまたはフエニ−1,2−イレ
ンまたはナフチ−1,2−イレンである。Aの好ましい置
換基はハロゲン及びC1〜10−アルキルである。また好
ましくは、nの平均値は3〜5、特に3.5〜4.5である。
2n+mは13〜16、特に14または15であるのが好まし
い。フタロシアニン核上の残りの置換可能の位置は、好
ましくはH、OH、C1〜4−アルコキシ、特にアミロキ
シおよび/またはハロゲン原子によつて占められる。
い。フタロシアニン核上の残りの置換可能の位置は、好
ましくはH、OH、C1〜4−アルコキシ、特にアミロキ
シおよび/またはハロゲン原子によつて占められる。
本発明の化合物の好ましい形は次式: を有する。上記式中、Cu(II)Pc、R、V、mおよびn
は前記のものを表わし、W、X、YおよびZはそれぞれ
独立的に、H、ハロゲンおよびC1〜10−アルキル、特
にC1〜4−アルキルから選択され、W、X、Yおよび
Zの任意の隣接対は、置換基を有しないかまたはW、
X、YおよびZによつて表わされる任意の個々の基によ
つて置換されていてもよい縮合ベンゼン環を表わす。
は前記のものを表わし、W、X、YおよびZはそれぞれ
独立的に、H、ハロゲンおよびC1〜10−アルキル、特
にC1〜4−アルキルから選択され、W、X、Yおよび
Zの任意の隣接対は、置換基を有しないかまたはW、
X、YおよびZによつて表わされる任意の個々の基によ
つて置換されていてもよい縮合ベンゼン環を表わす。
特に好ましい式IIIの化合物の場合には、Rはフエニ
ル、4−(C1〜4−アルキル)フエニルまたは4−
(C1〜4−アルコキシ)フエニルであり;mは7または
8であり;nは4であり;V、W、X、YおよびはHであ
り;PcはCu(II)Pcである。
ル、4−(C1〜4−アルキル)フエニルまたは4−
(C1〜4−アルコキシ)フエニルであり;mは7または
8であり;nは4であり;V、W、X、YおよびはHであ
り;PcはCu(II)Pcである。
式IおよびIIIの化合物は、ポリ(ハロ)フタロシア
ニン、好ましくはハロゲン原子13〜16を有するものを、
チオールR−SHとチオアミンHS−R1−NVHとの混合物
(所望の分子割合)と、100℃以上の温度で酸結合剤、
つまりアルカリ金属水酸化物、例えばKOHの存在で場合
によつては有機媒体中で反応させることによつて製造す
ることができる。チオールとアミノチオールとの混合物
を使用することが重要である、それというのもアミノチ
オールより前にチオールを導入すると、置換されたチオ
基のみを有するフタロシアニン(式IまたはIIIの分子
内混合生成物よりも劣る深色性を有する)の割合が著し
くなるからである。
ニン、好ましくはハロゲン原子13〜16を有するものを、
チオールR−SHとチオアミンHS−R1−NVHとの混合物
(所望の分子割合)と、100℃以上の温度で酸結合剤、
つまりアルカリ金属水酸化物、例えばKOHの存在で場合
によつては有機媒体中で反応させることによつて製造す
ることができる。チオールとアミノチオールとの混合物
を使用することが重要である、それというのもアミノチ
オールより前にチオールを導入すると、置換されたチオ
基のみを有するフタロシアニン(式IまたはIIIの分子
内混合生成物よりも劣る深色性を有する)の割合が著し
くなるからである。
また、置換されたフタロシアニンは、式 を有する適当に置換されたフタロニトリルまたはこのも
のと、未置換フタロニトリルまたは置換フタロニトリル
(若干の置換基が水素および/またはハロゲン原子によ
つて置換されている)との混合物から製造することがで
きる。式IVのフタロニトリルは、ポリ(ハロ)フタロシ
アニンから式Iの化合物を製造するために用いた条件と
同様な条件下で、テトラハロフタロニトリルを、1当量
のアミノチオール(HS−R1−NVH)および2当量のチオ
ール(R−SH)と順次に反応させることによつて製造す
ることができる。
のと、未置換フタロニトリルまたは置換フタロニトリル
(若干の置換基が水素および/またはハロゲン原子によ
つて置換されている)との混合物から製造することがで
きる。式IVのフタロニトリルは、ポリ(ハロ)フタロシ
アニンから式Iの化合物を製造するために用いた条件と
同様な条件下で、テトラハロフタロニトリルを、1当量
のアミノチオール(HS−R1−NVH)および2当量のチオ
ール(R−SH)と順次に反応させることによつて製造す
ることができる。
本発明による化合物は、電磁スペクトルの近赤外域、
つまり700〜1500nm中に延びる顕著な吸収帯を有し、従
つて赤外線を吸収することが必要であるかまたは望まし
い用途で使用される。適当な用途は、太陽および溶接ス
クリーン;エレクトロニクス、すなわち導波管、ビデオ
デイスク、液晶デイスプレー等;広範囲のレーザー誘導
およびレーザー走査系、すなわち印刷光学的文字認識
(OCR)および安全系用インキ、例えばコンピユーター
制御ロツクおよびアラーム;および通貨、小切手、クレ
ジツドカード等の安全特徴の形成である。
つまり700〜1500nm中に延びる顕著な吸収帯を有し、従
つて赤外線を吸収することが必要であるかまたは望まし
い用途で使用される。適当な用途は、太陽および溶接ス
クリーン;エレクトロニクス、すなわち導波管、ビデオ
デイスク、液晶デイスプレー等;広範囲のレーザー誘導
およびレーザー走査系、すなわち印刷光学的文字認識
(OCR)および安全系用インキ、例えばコンピユーター
制御ロツクおよびアラーム;および通貨、小切手、クレ
ジツドカード等の安全特徴の形成である。
式IおよびIIIの化合物は、非極性有機液、特に印刷
用に使用されるもの、すなわちケトン、例えばメチルエ
チルケトン(MEK)、芳香族炭化水素、例えばトルエン
および塩素化ベンゼン;脂肪族炭化水素、例えば白ガソ
リン、石油留分および塩素化脂肪族炭化水素、例えばジ
クロロメタン中で良好な溶解度を有する。従つてこれら
の化合物は、光学的文字認識(OCR)装置によつて近赤
外域で読取られうるテキストの製造用印刷インキ中で使
用するのに適している。
用に使用されるもの、すなわちケトン、例えばメチルエ
チルケトン(MEK)、芳香族炭化水素、例えばトルエン
および塩素化ベンゼン;脂肪族炭化水素、例えば白ガソ
リン、石油留分および塩素化脂肪族炭化水素、例えばジ
クロロメタン中で良好な溶解度を有する。従つてこれら
の化合物は、光学的文字認識(OCR)装置によつて近赤
外域で読取られうるテキストの製造用印刷インキ中で使
用するのに適している。
次に本発明を実施例により説明するが、他に指示がな
ければ、例中すべての「部」および「%」は「重量部」
および「重量%」である。
ければ、例中すべての「部」および「%」は「重量部」
および「重量%」である。
例 1 2−アミノチオフエノール(58.4g、0.42mol)、4−
メチルフエニルチオール(99.2g、0.08mol)および水酸
化カリウム(105.6g、1.6mol)をDMF(800ml)中で120
〜130℃で40分間撹拌した。この混合物に商業的ブロモ
テトラデカクロロフタロシアニン〔ビナモーン・グリー
ン(VYNAMON green)2GFW、113.9g、0.10mol〕を30分間
滴下し、この混合物を125℃で2時間撹拌した。80℃に
冷却した後この撹拌物質にエタノール(1600ml)を加え
て生成物を沈殿させた。沈殿物を濾取し、エタノールお
よび水で洗浄した。このペーストを水中で懸濁し、撹拌
し、濾取し、水およびエタノールで洗浄した。湿潤固体
を真空炉で40℃で20mバールで乾燥した。
メチルフエニルチオール(99.2g、0.08mol)および水酸
化カリウム(105.6g、1.6mol)をDMF(800ml)中で120
〜130℃で40分間撹拌した。この混合物に商業的ブロモ
テトラデカクロロフタロシアニン〔ビナモーン・グリー
ン(VYNAMON green)2GFW、113.9g、0.10mol〕を30分間
滴下し、この混合物を125℃で2時間撹拌した。80℃に
冷却した後この撹拌物質にエタノール(1600ml)を加え
て生成物を沈殿させた。沈殿物を濾取し、エタノールお
よび水で洗浄した。このペーストを水中で懸濁し、撹拌
し、濾取し、水およびエタノールで洗浄した。湿潤固体
を真空炉で40℃で20mバールで乾燥した。
収量:86g(理論値の42%) WLmax:890nm(CHCl3中) ECmax:46,000(CHCl3中) 溶解度:>10%(MEK中) 〔WLmaxは最大吸収の波長であり;ECmaxは最大吸収時の
吸光係数である〕 例 2 HTCPCをMEKに溶かして4%インキを製造した。同イン
キをグラビヤ印刷によつて紙に適用した。生じる印刷物
は750〜900nmの範囲で極めて低い反射率(つまり高い吸
収率)を示し、この範囲に亘つて高い印刷コントラスト
率を与えた。これは、前記インキ、つまり化合物HTCPC
のOCR使用適性を立証している。
吸光係数である〕 例 2 HTCPCをMEKに溶かして4%インキを製造した。同イン
キをグラビヤ印刷によつて紙に適用した。生じる印刷物
は750〜900nmの範囲で極めて低い反射率(つまり高い吸
収率)を示し、この範囲に亘つて高い印刷コントラスト
率を与えた。これは、前記インキ、つまり化合物HTCPC
のOCR使用適性を立証している。
Claims (6)
- 【請求項1】式: [式中、Pcはフタロシアニン核であり;各Rは独立し
て、置換されていてもよいフェニルであり(ただし置換
基はNHVであってはならない);mは4〜12であり;VはH
又はC1〜C4アルキルであり;Aは、置換されていてもよい
フェニレン又はナフチレンであり;nは2〜6である]で
示されるフタロシアニン化合物[ただし、 (式中Mは、酸化バナジウムである)の化合物を除
く]。 - 【請求項2】PcがCu(II)Pcである請求項1記載の化合
物。 - 【請求項3】Rがフェニル、4−(C1〜C4アルキル)フ
ェニル又は4−(C1〜C4アルコキシフェニル)である請
求項1記載の化合物。 - 【請求項4】mが6〜10であり、nが3〜5であり、2n
+mが13〜16である請求項1記載の化合物。 - 【請求項5】式: [式中、Pcはフタロシアニン核であり;各Rは独立し
て、置換されていてもよいフェニルであり(ただし置換
基はNHVであってはならない);mは4〜12であり;VはH
又はC1〜C4アルキルであり;nは2〜6であり;W、X、Y
及びZはそれぞれ独立して、H、ハロゲン及びC1〜C10
アルキルから選択されているか又はW、X、Y及びZの
任意の隣接対は未置換かハロゲン又はC1〜C10アルキル
によって置換された縮合ベンゼン環を表す]で示される
化合物[ただし、 (式中Mは酸化バナジウムである)の化合物を除く]。 - 【請求項6】Rがフェニル、4−(C1〜C4アルキル)フ
ェニル又は4−(C1〜C4アルコキシ)フェニルであり;m
は7又は8であり;nは4であり;V、W、X、Y及びZは
Hであり;PcはCu(II)Pcである請求項5記載の化合
物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB878705576A GB8705576D0 (en) | 1987-03-10 | 1987-03-10 | Substituted phthalocyanine |
GB8705576 | 1987-03-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63308073A JPS63308073A (ja) | 1988-12-15 |
JP2614890B2 true JP2614890B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=10613645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63055091A Expired - Fee Related JP2614890B2 (ja) | 1987-03-10 | 1988-03-10 | フタロシアニン化合物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0282181B1 (ja) |
JP (1) | JP2614890B2 (ja) |
KR (1) | KR960001062B1 (ja) |
AT (1) | ATE113978T1 (ja) |
AU (1) | AU1212788A (ja) |
CA (1) | CA1330435C (ja) |
DE (1) | DE3852050T2 (ja) |
GB (2) | GB8705576D0 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8915961D0 (en) * | 1989-07-12 | 1989-08-31 | Ici Plc | Substituted phthalocyanines |
DE69230121T2 (de) * | 1991-07-15 | 2000-04-20 | Nippon Catalytic Chem Ind | Neue Phthalocyaninverbindungen, deren Herstellungsverfahren und im nahen Infrarot absorbierende Materialien die sie enthalten |
DE4308635A1 (de) * | 1993-03-18 | 1994-09-22 | Basf Ag | Farbbänder, enthaltend im IR-Bereich absorbierende Verbindungen |
ES2070760B1 (es) * | 1993-06-10 | 1996-03-01 | Nacional Moneda Timbre | Procedimiento de autentificacion para documentos de seguridad. |
EP0718375B1 (en) * | 1994-12-21 | 2000-07-05 | Mitsui Chemicals, Inc. | Near infrared absorber, preparation process thereof and use thereof |
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