JPS63293855A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63293855A JPS63293855A JP13018587A JP13018587A JPS63293855A JP S63293855 A JPS63293855 A JP S63293855A JP 13018587 A JP13018587 A JP 13018587A JP 13018587 A JP13018587 A JP 13018587A JP S63293855 A JPS63293855 A JP S63293855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- power supplying
- power supply
- grounding
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に高密度に集積回路化さ
れた半導体装置に関する。
れた半導体装置に関する。
一４ｉに半導体装置は、その半導体チップ上に作られる
トランジスタ間の電気的接続のために、アルミニウム配
線が多く用いられているが、アルミニウム配線は半導体
装置が動作する際に発生する熱によって熱膨張する。
トランジスタ間の電気的接続のために、アルミニウム配
線が多く用いられているが、アルミニウム配線は半導体
装置が動作する際に発生する熱によって熱膨張する。
この熱膨張によってアルミニウム配線の配線幅は太くな
り、配線長は長くなる。この熱ｌ１ｉｉｊｆＩｉによる
アルミニウム配線の幅及び長さの増加分はそのアルミニ
ウム配線の幅及び長さに比例するために、半導体装置に
おいて最も太くかつ再も長い配線を必要とする電源供給
線及び接地線として用いられるアルミニウム配線の幅及
び長さの増加分が最も大きくなる。
り、配線長は長くなる。この熱ｌ１ｉｉｊｆＩｉによる
アルミニウム配線の幅及び長さの増加分はそのアルミニ
ウム配線の幅及び長さに比例するために、半導体装置に
おいて最も太くかつ再も長い配線を必要とする電源供給
線及び接地線として用いられるアルミニウム配線の幅及
び長さの増加分が最も大きくなる。
このため、電源供給線及び接地線の近傍にトランジスタ
間の入出力を接続するなめに用いられる、電源供給線及
び接地線に比べてずっと細いアルミニウム配線、即ち、
熱膨張による配線幅の変化を無視できる様なアルミニウ
ム配線（以下、標準アルミニウム配線と記す）を配置す
る場合でも、標準アルミニウム配線同志を電気的に分離
するために必要な配線間隔（以下、標準アルミニウム配
線間隔と記す）以上の間隔が必要になる。
間の入出力を接続するなめに用いられる、電源供給線及
び接地線に比べてずっと細いアルミニウム配線、即ち、
熱膨張による配線幅の変化を無視できる様なアルミニウ
ム配線（以下、標準アルミニウム配線と記す）を配置す
る場合でも、標準アルミニウム配線同志を電気的に分離
するために必要な配線間隔（以下、標準アルミニウム配
線間隔と記す）以上の間隔が必要になる。
又、第２図に示すように、電源供給線２１及び接地線２
２は熱膨張による自身の破壊を軽減する為にスリット２
２を設けるようにしてきた。
２は熱膨張による自身の破壊を軽減する為にスリット２
２を設けるようにしてきた。
上述した従来の半導体装置は、幅の広い電源供給線及び
接地線は、熱膨張によってその近傍に標ン總アルミニウ
ム配線を標準アルミニウム配線間隔で配置できないので
半導体チップ面積の増大をまねき、更に、自身の破壊を
さけるなめにスリットを設けたりしなければならないが
、熱膨張を繰返すとスリットの端に集中する応力のため
に、その部分から破壊することがあるという欠点がある
。
接地線は、熱膨張によってその近傍に標ン總アルミニウ
ム配線を標準アルミニウム配線間隔で配置できないので
半導体チップ面積の増大をまねき、更に、自身の破壊を
さけるなめにスリットを設けたりしなければならないが
、熱膨張を繰返すとスリットの端に集中する応力のため
に、その部分から破壊することがあるという欠点がある
。
本発明の目的は、半導体チップ面積を小さくしなから熱
膨張による電源供給線及び接地線の破壊を防止すること
のできる半導体装置を提供することにある。
膨張による電源供給線及び接地線の破壊を防止すること
のできる半導体装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段Ｊ
本発明の半導体装置は、同一の半導体チップ上に形成さ
れた少くとも２個のトランジスタと、それぞれの該トラ
ンジスタが接続される前記半導体チップ上に形成された
電源供給線と接地線とを備える半導体装置において、前
記電源供給線と接地線はそれぞれ相互に分離されかつそ
れぞれ少くとも２本の導電層から成る。
れた少くとも２個のトランジスタと、それぞれの該トラ
ンジスタが接続される前記半導体チップ上に形成された
電源供給線と接地線とを備える半導体装置において、前
記電源供給線と接地線はそれぞれ相互に分離されかつそ
れぞれ少くとも２本の導電層から成る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の
平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
第１図（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体チップ１
１上に形成された絶縁膜１４上にアルミニウム配線の電
源供給線１２が２本に分割されて形成され、さらにその
上に形成された絶縁ｆｉｌｓ上にアルミニウム配線の接
・地線１３が２本に分割されて形成されている。
１上に形成された絶縁膜１４上にアルミニウム配線の電
源供給線１２が２本に分割されて形成され、さらにその
上に形成された絶縁ｆｉｌｓ上にアルミニウム配線の接
・地線１３が２本に分割されて形成されている。
このように、電源供給線１２と接地線１３とを相互に立
体的に分離することにより、半導体チップ面積を小さく
しながら電源供給線１２及び接地トを設ける必要がなく
なる。
体的に分離することにより、半導体チップ面積を小さく
しながら電源供給線１２及び接地トを設ける必要がなく
なる。
更に、電源供給線１２及び接地線１３を分割することで
、細かくして熱膨張によるアルミニウム配線幅の増加分
も小さくできる。従って、熱膨張によって応力の集中す
る電源供給線１２及び接地線１３の角の部分においても
アルミニウム配線幅を細かくした分だけ応力が減少する
為、スリットを設けることなく破壊を防止することが可
能となる。
、細かくして熱膨張によるアルミニウム配線幅の増加分
も小さくできる。従って、熱膨張によって応力の集中す
る電源供給線１２及び接地線１３の角の部分においても
アルミニウム配線幅を細かくした分だけ応力が減少する
為、スリットを設けることなく破壊を防止することが可
能となる。
又、分割した２本の電源供給線１２及び接地線１３の間
はそれぞれ少くとも２箇所でアルミニウム配線により接
続することで、一方の接続点で切断障害が発生しても断
線事故になることを防止で＼き、半導体装置の信頼性を
向上できる。
はそれぞれ少くとも２箇所でアルミニウム配線により接
続することで、一方の接続点で切断障害が発生しても断
線事故になることを防止で＼き、半導体装置の信頼性を
向上できる。
以上説明したように本発明の半導体装置は、熱膨張によ
る電源供給線及び接地線の破壊を防止し、かつ、半導体
チップ面積を小さくできる効果がある。
る電源供給線及び接地線の破壊を防止し、かつ、半導体
チップ面積を小さくできる効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の
平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）
はそれぞれ従来の半導体装置の一例の平面図及びＢ−Ｂ
’線断面図である。 １１、ｌｌａ・・・半導体チップ、２・・・電源供給線
、１３・・・接地線、１４．１５・・・絶縁膜、２１・
・・電源供給線、２２・・・接地線、２３・・・スリッ
ト、２４・・・絶縁膜。
平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）
はそれぞれ従来の半導体装置の一例の平面図及びＢ−Ｂ
’線断面図である。 １１、ｌｌａ・・・半導体チップ、２・・・電源供給線
、１３・・・接地線、１４．１５・・・絶縁膜、２１・
・・電源供給線、２２・・・接地線、２３・・・スリッ
ト、２４・・・絶縁膜。
Claims (1)
- 同一の半導体チップ上に形成された少くとも２個のトラ
ンジスタと、それぞれの該トランジスタが接続される前
記半導体チップ上に形成された電源供給線と接地線とを
備える半導体装置において、前記電源供給線と接地線は
それぞれ相互に分離されかつそれぞれ少くとも２本の導
電層から成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13018587A JPS63293855A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13018587A JPS63293855A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63293855A true JPS63293855A (ja) | 1988-11-30 |
Family
ID=15028108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13018587A Pending JPS63293855A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63293855A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5225585A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-25 | Hitachi Ltd | Semiconductor device of multilayer distribution structure |
| JPS5772349A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-06 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS61158162A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP13018587A patent/JPS63293855A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5225585A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-25 | Hitachi Ltd | Semiconductor device of multilayer distribution structure |
| JPS5772349A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-06 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS61158162A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
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