JP2001085588A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及び半導体装置Info
- Publication number
- JP2001085588A JP2001085588A JP25644499A JP25644499A JP2001085588A JP 2001085588 A JP2001085588 A JP 2001085588A JP 25644499 A JP25644499 A JP 25644499A JP 25644499 A JP25644499 A JP 25644499A JP 2001085588 A JP2001085588 A JP 2001085588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- current line
- lead frame
- chip
- die pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームにおける大電流ラインと小電
流ラインを分離することにより、放熱用フィンを用いた
グランド接続の配線の自由度を高める。 【解決手段】 タブにスリットを設け、タブをＩＣチッ
プの接地端子と第１の放熱用フィンとの間に形成される
大電流ライン領域と、第１の放熱用フィンと第２の放熱
用フィンとの間に形成される小電流ライン領域とに分離
する。
流ラインを分離することにより、放熱用フィンを用いた
グランド接続の配線の自由度を高める。 【解決手段】 タブにスリットを設け、タブをＩＣチッ
プの接地端子と第１の放熱用フィンとの間に形成される
大電流ライン領域と、第１の放熱用フィンと第２の放熱
用フィンとの間に形成される小電流ライン領域とに分離
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム及
び半導体装置に関し、特に、コーナ部に放熱用フィンを
設け、このフィンをグランド端子として使用するリード
フレーム及び半導体装置に関する。
び半導体装置に関し、特に、コーナ部に放熱用フィンを
設け、このフィンをグランド端子として使用するリード
フレーム及び半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高許容損失のＩＣ装置において、リード
フレームのコーナ部に放熱用フィンを設けて熱伝導率を
高め、これによりＩＣ装置内部での発熱、熱損失を抑制
する手法が知られている。このような放熱用フィンを備
えるリードフレームの一例を図３に示す。
フレームのコーナ部に放熱用フィンを設けて熱伝導率を
高め、これによりＩＣ装置内部での発熱、熱損失を抑制
する手法が知られている。このような放熱用フィンを備
えるリードフレームの一例を図３に示す。
【０００３】図３に示すリードフレーム２０は、このリ
ードフレーム２０の略中央に位置し、ＩＣチップ２１が
設置されるダイパッド２２と、ダイパッド２２を保持す
るタブ２３と、リードフレーム２０のそれぞれのコーナ
部に設けられた放熱用フィン２４と、ダイパッド２２に
対向して連設された複数のリード２５とを備える。ま
た、タブ２３の中途部には、貫通孔２６が開設されてい
る。
ードフレーム２０の略中央に位置し、ＩＣチップ２１が
設置されるダイパッド２２と、ダイパッド２２を保持す
るタブ２３と、リードフレーム２０のそれぞれのコーナ
部に設けられた放熱用フィン２４と、ダイパッド２２に
対向して連設された複数のリード２５とを備える。ま
た、タブ２３の中途部には、貫通孔２６が開設されてい
る。
【０００４】図３において、点線で示す領域は、リード
フレーム２０にＩＣチップ２１を搭載し、ＩＣチップ２
１の接続端子と所定のリード２５とをワイヤにより接続
した後、パッケージング樹脂により封止される領域であ
る。これにより、リード２５の外端と、放熱用フィン２
４がパッケージの外に露出することとなる。このとき、
貫通孔２６は、パッケージング樹脂の密着度を高める役
割を果たす。
フレーム２０にＩＣチップ２１を搭載し、ＩＣチップ２
１の接続端子と所定のリード２５とをワイヤにより接続
した後、パッケージング樹脂により封止される領域であ
る。これにより、リード２５の外端と、放熱用フィン２
４がパッケージの外に露出することとなる。このとき、
貫通孔２６は、パッケージング樹脂の密着度を高める役
割を果たす。
【０００５】このようなリードフレーム２０を備えるＩ
Ｃ装置では、リードフレーム２０の電位をグランド電位
として利用する。すなわち、ＩＣチップ２１のグランド
端子は、所定のワイヤを介してタブ２３に接続されてい
る。また、大電流ラインを形成する第１のグランド用リ
ード２５ａは、交流成分をバイパスする第１のバイパス
コンデンサＣ３を介して放熱用フィン２４ａに電気的に
接続されている。また、小電流信号用の第２のグランド
用リード２５ｂは、同様に第２のバイパスコンデンサＣ
４を介して放熱用フィン２４ａに電気的に接続されてい
る。
Ｃ装置では、リードフレーム２０の電位をグランド電位
として利用する。すなわち、ＩＣチップ２１のグランド
端子は、所定のワイヤを介してタブ２３に接続されてい
る。また、大電流ラインを形成する第１のグランド用リ
ード２５ａは、交流成分をバイパスする第１のバイパス
コンデンサＣ３を介して放熱用フィン２４ａに電気的に
接続されている。また、小電流信号用の第２のグランド
用リード２５ｂは、同様に第２のバイパスコンデンサＣ
４を介して放熱用フィン２４ａに電気的に接続されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、従来のＩＣ装
置では、図３に示すように１つの放熱用フィン２４ａに
全てのグランド用リードを接続していた。これは、リー
ドフレーム２０自体が内部抵抗を有しており、大電流ラ
インに用いられる放熱用フィン２４ａでは、この内部抵
抗による電圧降下が著しく、このため放熱用フィン２４
ａと他の放熱用フィン２４との間に電位差が生じてしま
うためである。すなわち、この例では、第１のグランド
端子と第２のグランド端子を別々の放熱用フィン２４に
接続した場合、同等なグランド電位が得られないという
問題が生じてしまうため、単一の放熱用フィン２４ａに
すべてのグランド用リードを接続している。
置では、図３に示すように１つの放熱用フィン２４ａに
全てのグランド用リードを接続していた。これは、リー
ドフレーム２０自体が内部抵抗を有しており、大電流ラ
インに用いられる放熱用フィン２４ａでは、この内部抵
抗による電圧降下が著しく、このため放熱用フィン２４
ａと他の放熱用フィン２４との間に電位差が生じてしま
うためである。すなわち、この例では、第１のグランド
端子と第２のグランド端子を別々の放熱用フィン２４に
接続した場合、同等なグランド電位が得られないという
問題が生じてしまうため、単一の放熱用フィン２４ａに
すべてのグランド用リードを接続している。
【０００７】しかしながら、単一の放熱用フィン２４ａ
のみを用いて全てのグランド接続を行おうとすると、配
線が一カ所に集中してしまい、いわゆるたこ足配線状態
となり、配線に制限が生じてしまう。
のみを用いて全てのグランド接続を行おうとすると、配
線が一カ所に集中してしまい、いわゆるたこ足配線状態
となり、配線に制限が生じてしまう。
【０００８】そこで、本発明は上述の課題に鑑みてなさ
れたものであり、リードフレーム内の電流ラインを大電
流ラインと小電流ラインに分け、これにより配線の自由
度を高めたリードフレーム及びＩＣチップを提供するこ
とを目的とする。
れたものであり、リードフレーム内の電流ラインを大電
流ラインと小電流ラインに分け、これにより配線の自由
度を高めたリードフレーム及びＩＣチップを提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係るリードフレームは、ＩＣチップが設
置されるダイパッドと、上記ダイパッドを保持するタブ
と、上記ＩＣチップの複数の端子に接続される複数のリ
ードと、上記タブのコーナ部に設けられた第１及び第２
の放熱用フィンとを備え、上記タブを、上記ＩＣチップ
の接地端子と上記第１の放熱用フィンとの間に形成され
る大電流ライン領域と、上記第１の放熱用フィンと第２
の放熱用フィンとの間に形成される小電流ライン領域と
に分離するスリットを設けたことを特徴とする。
めに、本発明に係るリードフレームは、ＩＣチップが設
置されるダイパッドと、上記ダイパッドを保持するタブ
と、上記ＩＣチップの複数の端子に接続される複数のリ
ードと、上記タブのコーナ部に設けられた第１及び第２
の放熱用フィンとを備え、上記タブを、上記ＩＣチップ
の接地端子と上記第１の放熱用フィンとの間に形成され
る大電流ライン領域と、上記第１の放熱用フィンと第２
の放熱用フィンとの間に形成される小電流ライン領域と
に分離するスリットを設けたことを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係るリードフレームは、上
記小電流ライン領域の一部が上記大電流ライン領域の上
方又は下方に重なるように、上記スリットを介して上記
小電流ライン領域を上記ダイパッド側に屈曲させたこと
を特徴とする。
記小電流ライン領域の一部が上記大電流ライン領域の上
方又は下方に重なるように、上記スリットを介して上記
小電流ライン領域を上記ダイパッド側に屈曲させたこと
を特徴とする。
【００１１】また、上述の課題を解決するために、本発
明に係るＩＣ装置は、上述したリードフレームと、上記
ダイパッドに設置されたＩＣチップと、上記第１及び第
２の放熱用フィン及び上記リードフレームの外端が露出
するように上記リードフレーム及び上記ＩＣチップを封
止する樹脂パッケージとを備える。
明に係るＩＣ装置は、上述したリードフレームと、上記
ダイパッドに設置されたＩＣチップと、上記第１及び第
２の放熱用フィン及び上記リードフレームの外端が露出
するように上記リードフレーム及び上記ＩＣチップを封
止する樹脂パッケージとを備える。
【００１２】本発明に係るリードフレーム及びＩＣ装置
において、タブは、スリットにより、ＩＣチップの接地
端子と第１の放熱用フィンとの間に形成される大電流ラ
イン領域と、第１の放熱用フィンと第２の放熱用フィン
との間に形成される小電流ライン領域とに分離されてい
る。小電流ライン領域における電圧降下は微少であり、
したがって、第１の放熱用フィンと第２の放熱用フィン
とは、同電位であるみなすことができる。これにより、
グランド接続を大電流用グランド接続と小電流用グラン
ド接続に分けて行うことができ、すなわち、１つの放熱
用フィンにグランド接続を集中させる必要がなくなり、
配線の引き回しの自由度が高まる。
において、タブは、スリットにより、ＩＣチップの接地
端子と第１の放熱用フィンとの間に形成される大電流ラ
イン領域と、第１の放熱用フィンと第２の放熱用フィン
との間に形成される小電流ライン領域とに分離されてい
る。小電流ライン領域における電圧降下は微少であり、
したがって、第１の放熱用フィンと第２の放熱用フィン
とは、同電位であるみなすことができる。これにより、
グランド接続を大電流用グランド接続と小電流用グラン
ド接続に分けて行うことができ、すなわち、１つの放熱
用フィンにグランド接続を集中させる必要がなくなり、
配線の引き回しの自由度が高まる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るリードフレー
ム及びＩＣ装置について図面を参照して詳細に説明す
る。
ム及びＩＣ装置について図面を参照して詳細に説明す
る。
【００１４】図１は、本発明の実施の形態として示すリ
ードフレーム１を示す図である。このリードフレーム１
は、ＩＣチップ２が設置されるダイパッド３と、ダイパ
ッド３を保持するタブ４とタブ４のコーナ部に設けられ
た放熱用フィン５と、ダイパッド３に対向して連設され
たリード６と、後に詳細に説明するように、タブ４を大
電流ライン用の第１のタブ領域４ａと小電流ライン用の
第２のタブ領域４ｂに分離するスリット７とを備えてい
る。
ードフレーム１を示す図である。このリードフレーム１
は、ＩＣチップ２が設置されるダイパッド３と、ダイパ
ッド３を保持するタブ４とタブ４のコーナ部に設けられ
た放熱用フィン５と、ダイパッド３に対向して連設され
たリード６と、後に詳細に説明するように、タブ４を大
電流ライン用の第１のタブ領域４ａと小電流ライン用の
第２のタブ領域４ｂに分離するスリット７とを備えてい
る。
【００１５】なお、図１において、点線で示す領域は、
リードフレーム１にＩＣチップ２の接続端子と所定のリ
ード６とをワイヤにより接続した後、パッケージング樹
脂により封止される領域である。これにより、リード６
の外端と、放熱用フィン５がパッケージの外に露出す
る。このようにして形成されたＩＣ装置において、内部
で発生した熱は、放熱用フィン５により放熱され、これ
によりＩＣ装置本体の温度上昇、及びこれに伴う熱損失
が抑制される。
リードフレーム１にＩＣチップ２の接続端子と所定のリ
ード６とをワイヤにより接続した後、パッケージング樹
脂により封止される領域である。これにより、リード６
の外端と、放熱用フィン５がパッケージの外に露出す
る。このようにして形成されたＩＣ装置において、内部
で発生した熱は、放熱用フィン５により放熱され、これ
によりＩＣ装置本体の温度上昇、及びこれに伴う熱損失
が抑制される。
【００１６】このようなリードフレーム１を備えるＩＣ
装置では、リードフレーム１の電位をグランド電位とし
て利用する。すなわち、ＩＣチップ２のグランド端子８
は、ワイヤ９を介してタブ４に接続されている。また、
大電流ラインを形成する第１のグランド用リード６ａ
は、交流成分をバイパスする第１のバイパスコンデンサ
Ｃ１を介して第１の放熱用フィン５ａに接続される。こ
れにより、第１の放熱用フィン５ａとＩＣチップのグラ
ンド端子８とを結ぶ第１のタブ領域４ａに大電流ライン
が形成される。
装置では、リードフレーム１の電位をグランド電位とし
て利用する。すなわち、ＩＣチップ２のグランド端子８
は、ワイヤ９を介してタブ４に接続されている。また、
大電流ラインを形成する第１のグランド用リード６ａ
は、交流成分をバイパスする第１のバイパスコンデンサ
Ｃ１を介して第１の放熱用フィン５ａに接続される。こ
れにより、第１の放熱用フィン５ａとＩＣチップのグラ
ンド端子８とを結ぶ第１のタブ領域４ａに大電流ライン
が形成される。
【００１７】また、小電流信号に対応する第２のグラン
ド用リード６ｂは、同様に第２のバイパスコンデンサＣ
２を介して第２の放熱用フィン５ｂに接続されている。
これにより、第２の放熱用フィン５ｂと第１の放熱用フ
ィン５ａとを結ぶ第２のタブ領域４ｂに小電流ラインが
形成される。この小電流ラインに流れる電流は微少であ
り、したがってタブ領域４ｂの内部抵抗により生じる電
圧降下は無視できる程度に小さい。したがって、第１の
放熱用フィン５ａと第２の放熱用フィン５ｂの電位は略
々等しいとみなすことができる。
ド用リード６ｂは、同様に第２のバイパスコンデンサＣ
２を介して第２の放熱用フィン５ｂに接続されている。
これにより、第２の放熱用フィン５ｂと第１の放熱用フ
ィン５ａとを結ぶ第２のタブ領域４ｂに小電流ラインが
形成される。この小電流ラインに流れる電流は微少であ
り、したがってタブ領域４ｂの内部抵抗により生じる電
圧降下は無視できる程度に小さい。したがって、第１の
放熱用フィン５ａと第２の放熱用フィン５ｂの電位は略
々等しいとみなすことができる。
【００１８】このように、タブ４にスリット７を設けて
タブ４を第１のタブ領域４ａと、第２のタブ領域４ｂに
分割し、ＩＣチップ２のグランド端子８と第１の放熱用
フィン５ａとを結ぶ第１のタブ領域４ａに大電流ライン
を形成し、第１の放熱用フィン５ａと第２の放熱用フィ
ン５ｂとを結ぶ第２のタブ領域４ｂに小電流ラインを形
成することにより、第１の放熱用フィン５ａと第２の放
熱用フィン５ｂとの電位差を無視できる程度の大きさと
することができる。したがって、従来のように全てのグ
ランド配線を１つの放熱用フィンに集中させる必要はな
く、大電流用のグランド接続及び小電流用のグランド接
続をそれぞれ第１及び第２の放熱用ファン５ａ、５ｂに
分割して行うことができる。したがって、配線の集中を
避けることができ、配線の引き回しの自由度を高めるこ
とができる。
タブ４を第１のタブ領域４ａと、第２のタブ領域４ｂに
分割し、ＩＣチップ２のグランド端子８と第１の放熱用
フィン５ａとを結ぶ第１のタブ領域４ａに大電流ライン
を形成し、第１の放熱用フィン５ａと第２の放熱用フィ
ン５ｂとを結ぶ第２のタブ領域４ｂに小電流ラインを形
成することにより、第１の放熱用フィン５ａと第２の放
熱用フィン５ｂとの電位差を無視できる程度の大きさと
することができる。したがって、従来のように全てのグ
ランド配線を１つの放熱用フィンに集中させる必要はな
く、大電流用のグランド接続及び小電流用のグランド接
続をそれぞれ第１及び第２の放熱用ファン５ａ、５ｂに
分割して行うことができる。したがって、配線の集中を
避けることができ、配線の引き回しの自由度を高めるこ
とができる。
【００１９】ここで、本発明の変形実施例を図２に示
す。図２に示すリードフレーム１０は、ＩＣチップ１１
が設置されたダイパッド１２と、ダイパッド１２を保持
するタブ１３と、タブ１３のコーナ部に設けられた放熱
用フィン１４と、ダイパッド１３に対向して連設された
リード１５と、タブ１３を大電流ライン用の第１のタブ
領域１３ａと小電流ライン用の第２のタブ領域１３ｂに
分離するスリット１６とを備えている。さらに、このリ
ードフレーム１０では、スリット１６により第１のタブ
領域１３ａから分離された第２のタブ領域１３ｂを第１
のタブ領域１３ａ側に屈曲し、第２のタブ領域１３ｂの
一部が第１のタブ領域１３ａに重なるような形状として
いる。
す。図２に示すリードフレーム１０は、ＩＣチップ１１
が設置されたダイパッド１２と、ダイパッド１２を保持
するタブ１３と、タブ１３のコーナ部に設けられた放熱
用フィン１４と、ダイパッド１３に対向して連設された
リード１５と、タブ１３を大電流ライン用の第１のタブ
領域１３ａと小電流ライン用の第２のタブ領域１３ｂに
分離するスリット１６とを備えている。さらに、このリ
ードフレーム１０では、スリット１６により第１のタブ
領域１３ａから分離された第２のタブ領域１３ｂを第１
のタブ領域１３ａ側に屈曲し、第２のタブ領域１３ｂの
一部が第１のタブ領域１３ａに重なるような形状として
いる。
【００２０】このリードフレーム１０において、スリッ
ト１６によりタブ１３を第１のタブ領域１３ａと第２の
タブ領域１３ｂとに分割する効果については、図１に示
し、また上述したリードフレーム１の場合と同様である
ので、詳細な説明は省略する。また、このように、第２
のタブ領域１３ｂを屈曲してＩＣチップ１１に近付ける
ことにより、第２のタブ領域１３ｂをヒートスプレッダ
として利用することができ、すなわち、第２のタブ領域
１３ｂの熱伝導率を高め、ＰＤ値（Power Dissipatio
n）を向上させることができる。
ト１６によりタブ１３を第１のタブ領域１３ａと第２の
タブ領域１３ｂとに分割する効果については、図１に示
し、また上述したリードフレーム１の場合と同様である
ので、詳細な説明は省略する。また、このように、第２
のタブ領域１３ｂを屈曲してＩＣチップ１１に近付ける
ことにより、第２のタブ領域１３ｂをヒートスプレッダ
として利用することができ、すなわち、第２のタブ領域
１３ｂの熱伝導率を高め、ＰＤ値（Power Dissipatio
n）を向上させることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るリードフレ
ーム及びＩＣ装置では、ＩＣチップが設置されるダイパ
ッドを保持するタブを、スリットにより大電流ライン領
域と小電流ライン領域に分割するので、大電流ライン用
のグランド接続と小電流ライン用のグランド接続をそれ
ぞれ異なる放熱用フィンを用いて実現することができ
る。すなわち、本発明によれば、従来のように１つの放
熱用フィンに全てのグランド接続を集中させる必要がな
くなり、したがって配線の自由度が高まり、配線の引き
回しが容易になる。さらに、スリットにより隔てられた
小電流ライン領域を屈曲し、小電流ライン領域の一部が
大電流ライン領域に重なるようにすることにより、小電
流ライン領域の熱伝導率を高めることができ、ＩＣ装置
のＰＤ値を向上させることができる。
ーム及びＩＣ装置では、ＩＣチップが設置されるダイパ
ッドを保持するタブを、スリットにより大電流ライン領
域と小電流ライン領域に分割するので、大電流ライン用
のグランド接続と小電流ライン用のグランド接続をそれ
ぞれ異なる放熱用フィンを用いて実現することができ
る。すなわち、本発明によれば、従来のように１つの放
熱用フィンに全てのグランド接続を集中させる必要がな
くなり、したがって配線の自由度が高まり、配線の引き
回しが容易になる。さらに、スリットにより隔てられた
小電流ライン領域を屈曲し、小電流ライン領域の一部が
大電流ライン領域に重なるようにすることにより、小電
流ライン領域の熱伝導率を高めることができ、ＩＣ装置
のＰＤ値を向上させることができる。
【図１】本発明を適用したリードフレームの平面図であ
る。
る。
【図２】本発明を適用したリードフレームの変形例を示
す図である。
す図である。
【図３】従来のリードフレームの平面図である。
１ リードフレーム ２ ＩＣチップ ３ ダイパッド ４ タブ ４ａ 第１のタブ領域 ４ｂ 第２のタブ領域 ５ 放熱用フィン ６ リード ７ スリット
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩＣチップが設置されるダイパッドと、
上記ダイパッドを保持するタブと、上記ＩＣチップの複
数の端子に接続される複数のリードと、上記タブのコー
ナ部に設けられた第１及び第２の放熱用フィンとを備え
るリードフレームにおいて、 上記タブを、上記ＩＣチップの接地端子と上記第１の放
熱用フィンとの間に形成される大電流ライン領域と、上
記第１の放熱用フィンと第２の放熱用フィンとの間に形
成される小電流ライン領域とに分離するスリットを設け
たことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 上記小電流ライン領域の一部が上記大電
流ライン領域の上方又は下方に重なるように、上記スリ
ットを介して上記小電流ライン領域を上記ダイパッド側
に屈曲させたことを特徴とする請求項１記載のリードフ
レーム。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のリードフレーム
と、上記ダイパッドに設置されたＩＣチップと、上記第
１及び第２の放熱用フィン及び上記リードフレームの外
端が露出するように上記リードフレーム及び上記ＩＣチ
ップを封止する樹脂パッケージとを備える半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25644499A JP2001085588A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25644499A JP2001085588A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085588A true JP2001085588A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17292747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25644499A Pending JP2001085588A (ja) | 1999-09-10 | 1999-09-10 | リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305671A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
-
1999
- 1999-09-10 JP JP25644499A patent/JP2001085588A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007305671A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
| JP4705881B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2011-06-22 | パナソニック株式会社 | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6559525B2 (en) | Semiconductor package having heat sink at the outer surface | |
| USRE41869E1 (en) | Semiconductor device | |
| JP2537014B2 (ja) | 電子素子用リ―ドフレ―ム・パッケ―ジ | |
| JP2992814B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| US6566164B1 (en) | Exposed copper strap in a semiconductor package | |
| US4684975A (en) | Molded semiconductor package having improved heat dissipation | |
| JPH02306656A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US5796159A (en) | Thermally efficient integrated circuit package | |
| JPH05109972A (ja) | リードフレーム及び集積回路チツプのパツケージ・アセンブリ | |
| JPH0878595A (ja) | 改善された熱放散を備えたｉｃパッケージ | |
| JP2000058735A (ja) | リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US5309017A (en) | Assembly lead frame with common lead arrangement for semiconductor devices | |
| JP4250191B2 (ja) | Ｄｃ／ｄｃコンバータ用半導体装置 | |
| JPS58190051A (ja) | 放熱効果を改善した集積回路用リ−ドフレ−ム | |
| JPH02201949A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001085588A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH0322544A (ja) | 半導体装置 | |
| US10490489B2 (en) | Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages | |
| JP2008053748A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007157801A (ja) | 半導体モジュールとその製造方法 | |
| JPH0357248A (ja) | テープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2002110889A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09139444A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP4250193B2 (ja) | Ｄｃ／ｄｃコンバータ用半導体装置 | |
| JP3450465B2 (ja) | 高周波パワーモジュール |