JPS63292654A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS63292654A JPS63292654A JP62127085A JP12708587A JPS63292654A JP S63292654 A JPS63292654 A JP S63292654A JP 62127085 A JP62127085 A JP 62127085A JP 12708587 A JP12708587 A JP 12708587A JP S63292654 A JPS63292654 A JP S63292654A
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- Japan
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- semiconductor element
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- Pending
Links
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電流経路に超電導物質を用いた半導体素子
に関するものである。
に関するものである。
第２図は温度センサーを用いた従来の半導体保護回路の
構成を示す概略図である。図において（１）は交流電源
、（２１は半導体素子であって、この半導体素子（２）
は単体の半導体素子でも良いし、或は集積回路中の半導
体素子でも良い。（３）は交流電源（１）と半導体素子
（２）の間に接続されると共に温度センサ（４）にも接
続され、半導体素子（２）の加熱による破損を防止する
ための保護回路である。なお、半導体素子（２１および
温度センサ（４）は収納箱（５）に収納されている。
構成を示す概略図である。図において（１）は交流電源
、（２１は半導体素子であって、この半導体素子（２）
は単体の半導体素子でも良いし、或は集積回路中の半導
体素子でも良い。（３）は交流電源（１）と半導体素子
（２）の間に接続されると共に温度センサ（４）にも接
続され、半導体素子（２）の加熱による破損を防止する
ための保護回路である。なお、半導体素子（２１および
温度センサ（４）は収納箱（５）に収納されている。
従来の半導体保護回路は上述したように構成され、半導
体素子（２）が単体の場合には素子本体からの発熱によ
シ、或は半導体素子（２）が集積回路中の半導体素子の
場合には抵抗等からの発熱によシ、は 収納箱（５）内の温度メ上昇する。この温度上昇は温度
センサ（４）でモニターされている。そして収納箱内温
度がある値を越えると、この情報が温度センサ（４）か
ら保護回路（３）へ伝達され、この保護回路（３）は交
流電源（１）と半導体素子（２）を結ぶ回路を開放し、
半導体素子（２１を加熱による破損から防ぐ。
体素子（２）が単体の場合には素子本体からの発熱によ
シ、或は半導体素子（２）が集積回路中の半導体素子の
場合には抵抗等からの発熱によシ、は 収納箱（５）内の温度メ上昇する。この温度上昇は温度
センサ（４）でモニターされている。そして収納箱内温
度がある値を越えると、この情報が温度センサ（４）か
ら保護回路（３）へ伝達され、この保護回路（３）は交
流電源（１）と半導体素子（２）を結ぶ回路を開放し、
半導体素子（２１を加熱による破損から防ぐ。
従来の半導体保護回路では、半導体素子（２）以外の部
分の占める領域が大きくなるという問題点があった。
分の占める領域が大きくなるという問題点があった。
この発明は上述したような問題点を解決するためになさ
れたもので、温度センサと保護回路の機能を有する半導
体素子を得ることを目的とする。
れたもので、温度センサと保護回路の機能を有する半導
体素子を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体素子は、そのコンタクトおよびこ
のコンタクトに接続された配線の少なくとも一方を超電
導物質で作ったものである。
のコンタクトに接続された配線の少なくとも一方を超電
導物質で作ったものである。
この発明では、配線または半導体素子の発熱によシセラ
ミック系超電導体が絶縁物差の高抵抗になることによシ
配線または素子自体に電流が流れなくなる。
ミック系超電導体が絶縁物差の高抵抗になることによシ
配線または素子自体に電流が流れなくなる。
以下、この発明をＭＯＳＦＥＴに適用した場合の一実施
例について説明する。第１図はこの発明の一実施例の断
面図であシ、（２人）はこの発明の半導体素子、（２１
）は半導体基板、（２２） 、 （２３）は半導体基板
（２１）に拡散されたそれぞれソース拡散層、ドレイン
拡散層、（２４）はこれら半導体基板（２１）、ソース
拡散層（２２）およびドレイン拡散層（２３）上に形成
された酸化膜等の絶縁層、（２５）はこの絶縁層（２４
）中に形成されたゲート電極、（２６）。
例について説明する。第１図はこの発明の一実施例の断
面図であシ、（２人）はこの発明の半導体素子、（２１
）は半導体基板、（２２） 、 （２３）は半導体基板
（２１）に拡散されたそれぞれソース拡散層、ドレイン
拡散層、（２４）はこれら半導体基板（２１）、ソース
拡散層（２２）およびドレイン拡散層（２３）上に形成
された酸化膜等の絶縁層、（２５）はこの絶縁層（２４
）中に形成されたゲート電極、（２６）。
（２７）はそれぞれソース拡散層（２２）、ドレイン拡
散層（２３）から延び出て絶縁層（２４）を覆い、超電
導物質例えばセラミック系超電導体で作られているソー
ス・コンタクト、ドレイン・コンタクトである。（６１
）、（６２）はそれぞれソース・コンタクト（２６）、
ドレイン・コンタクト（２７）に接続され、常電導物質
例えば金属で作られている配線である。
散層（２３）から延び出て絶縁層（２４）を覆い、超電
導物質例えばセラミック系超電導体で作られているソー
ス・コンタクト、ドレイン・コンタクトである。（６１
）、（６２）はそれぞれソース・コンタクト（２６）、
ドレイン・コンタクト（２７）に接続され、常電導物質
例えば金属で作られている配線である。
このように構成された半導体索子（２Ａ）は、例えばゲ
ート電極（２５）と配線（６２）の間に電圧を印加する
と動作する。従って半導体素子（２人）が発熱すると、
熱がソース・コンタクト（２６）およびドレイン・コン
タクト（２７）に直接伝わり、超電導がなくなる。これ
らソース・コンタクト（２６）およびドレイン・コンタ
クト（２７）はセラミック系超電導物質で作られている
ので、超電導がなくなると絶縁物となり、電流を流さな
くなる。
ート電極（２５）と配線（６２）の間に電圧を印加する
と動作する。従って半導体素子（２人）が発熱すると、
熱がソース・コンタクト（２６）およびドレイン・コン
タクト（２７）に直接伝わり、超電導がなくなる。これ
らソース・コンタクト（２６）およびドレイン・コンタ
クト（２７）はセラミック系超電導物質で作られている
ので、超電導がなくなると絶縁物となり、電流を流さな
くなる。
なお、上記実施例では、ソース・コンタクトおよびドレ
イン・コンタクトに超電導物質を用いたが配線も全て超
電導物質で行ってもよい。また、ＭＯＳＦＥＴに限らず
バイポーラ・トランジスタ、化合物半導体素子等にこの
発明を適用しても上記実施例と同様の効果を奏する。
イン・コンタクトに超電導物質を用いたが配線も全て超
電導物質で行ってもよい。また、ＭＯＳＦＥＴに限らず
バイポーラ・トランジスタ、化合物半導体素子等にこの
発明を適用しても上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明は、コンタクトおよびこのコン
タクトに接続された配線の少なくとも一方を超電導物質
にしたので、素子自体の発熱や集積回路中の抵抗の発熱
に対する電源しゃ断効果を持つと共に、同じチップ面積
で自己保護機能を持つという効果を奏する。
タクトに接続された配線の少なくとも一方を超電導物質
にしたので、素子自体の発熱や集積回路中の抵抗の発熱
に対する電源しゃ断効果を持つと共に、同じチップ面積
で自己保護機能を持つという効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来の半導体保護回路の構成を示す概略図である。 図において、（２人）は半導体素子、（２６）はソース
・コンタクト、（２７）はドレイン・コンタクト、（６
１）と（６２）は配線である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第 １ｒ！！Ｊ ２７ニドレイ）コン′７７ト 第 ２ 図
来の半導体保護回路の構成を示す概略図である。 図において、（２人）は半導体素子、（２６）はソース
・コンタクト、（２７）はドレイン・コンタクト、（６
１）と（６２）は配線である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第 １ｒ！！Ｊ ２７ニドレイ）コン′７７ト 第 ２ 図
Claims (2)
- （１）コンタクトおよびこのコンタクトに接続された配
線の少なくとも一方が超電導物質で作られていることを
特徴とする半導体素子。 - （２）コンタクトが素子本体を覆つていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127085A JPS63292654A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127085A JPS63292654A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63292654A true JPS63292654A (ja) | 1988-11-29 |
Family
ID=14951208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62127085A Pending JPS63292654A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63292654A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774463B1 (en) * | 1990-02-01 | 2004-08-10 | International Business Machines Corporation | Superconductor gate semiconductor channel field effect transistor |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP62127085A patent/JPS63292654A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774463B1 (en) * | 1990-02-01 | 2004-08-10 | International Business Machines Corporation | Superconductor gate semiconductor channel field effect transistor |
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