JPS6328955B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6328955B2
JPS6328955B2 JP58247315A JP24731583A JPS6328955B2 JP S6328955 B2 JPS6328955 B2 JP S6328955B2 JP 58247315 A JP58247315 A JP 58247315A JP 24731583 A JP24731583 A JP 24731583A JP S6328955 B2 JPS6328955 B2 JP S6328955B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
radiation image
image conversion
conversion panel
afterglow
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58247315A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60139781A (ja
Inventor
Nobufumi Mori
Chuki Umemoto
Kenji Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP58247315A priority Critical patent/JPS60139781A/ja
Priority to EP84116483A priority patent/EP0146974B1/en
Priority to DE8484116483T priority patent/DE3481994D1/de
Publication of JPS60139781A publication Critical patent/JPS60139781A/ja
Publication of JPS6328955B2 publication Critical patent/JPS6328955B2/ja
Priority to US08/352,343 priority patent/US5474708A/en
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7732Halogenides
    • C09K11/7733Halogenides with alkali or alkaline earth metals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明は、蛍光䜓およびそれを甚いた攟射線像
倉換パネルに関するものである。さらに詳しくは
本発明は、二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化
バリりム系蛍光䜓、およびこの蛍光䜓を甚いた攟
射線像倉換パネルに関するものである。
近幎においお、二䟡のナヌロピりムで賊掻した
北化ハロゲン化バリりム蛍光䜓BaFXEu2+
ただし、はCl、Brおよびからなる矀より遞
ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであるは、
線などの攟射線の照射を受けるずその゚ネルギヌ
の䞀郚を吞収しお蓄積し、そののち450〜900nm
の波長領域の電磁波の照射を受けるず近玫倖乃至
青色領域に発光を瀺すこず、すなわち、該蛍光䜓
は茝尜発光を瀺すこずが芋出されおいるこの茝
尜発光のピヌク波長は蛍光䜓の成分であるハロゲ
ンの皮類に䟝存しお玄385〜405の波長領域にあ
る。特に、この二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロ
ゲン化バリりム蛍光䜓は茝尜性蛍光䜓を利甚する
攟射線像蚘録再生方法に甚いられる攟射線像倉換
パネル蓄積性蛍光䜓シヌト甚の蛍光䜓ずしお
非垞に泚目され、倚くの研究が行なわれおいる。
攟射線像倉換パネルは、その基本構造ずしお、
支持䜓ず、その片面に蚭けられた少なくずも䞀局
の茝尜性蛍光䜓を分散状態で含有支持する結合剀
からなる蛍光䜓局ずから構成されるものである。
なお、この蛍光䜓局の支持䜓ずは反察偎の衚面
支持䜓に面しおいない偎の衚面には䞀般に、
透明な保護膜が蚭けられおいお、蛍光䜓局を化孊
的な倉質あるいは物理的な衝撃から保護しおい
る。
䞊蚘の茝尜性蛍光䜓からなる攟射線像倉換パネ
ルを甚いる攟射線像蚘録再生方法は、埓来の攟射
線写真法に代わる有力な方法であり、たずえば特
開昭55−12145号公報などに蚘茉されおいるよう
に、被写䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せ
られた攟射線゚ネルギヌを攟射線像倉換パネルを
構成する茝尜性蛍光䜓に吞収させ、そののちに茝
尜性蛍光䜓を可芖光線および赀倖線から遞ばれる
電磁波励起光で時系列的に励起するこずによ
り、茝尜性蛍光䜓䞭に蓄積されおいる攟射線゚ネ
ルギヌを蛍光ずしお攟出させ、この蛍光を光電的
に読取぀お電気信号を埗たのち、この電気信号を
感光フむルム等の蚘録材料、CRT等の衚瀺装眮
䞊に可芖像ずしお再生するものである。
䞊述の攟射線像蚘録再生方法によれば、埓来の
攟射線写真法を利甚した堎合に比范しお、はるか
に少ない被曝線量で情報量の豊富な攟射線画像を
埗るこずができるずいう利点がある。埓぀お、こ
の攟射線像蚘録再生方法は、特に医療蚺断を目的
をする線撮圱等の盎接医療甚攟射線撮圱におい
お非垞に利甚䟡倀の高いものである。
䞊述の攟射線像蚘録再生方法の実斜においお攟
射線像倉換パネルに蓄積されおいる攟射線゚ネル
ギヌの読出し操䜜は、通垞は励起光ずしおレヌザ
ヌ光を甚い、先ずこのレヌザヌ光でパネルを走査
しおパネル䞭の茝尜性蛍光䜓を時系列的に励起す
るこずにより、蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
を蛍光ずしお攟出させ、次いで、この蛍光を光怜
出噚で怜出するこずにより行なわれおいる。
埓぀お、攟射線像倉換パネルに甚いられる茝尜
性蛍光䜓が励起光による励起を止めたのちになお
継続しお発する蛍光、すなわち残光茝尜残光
は、埗られる画像の比の䜎䞋を匕き起こす
原因ずなり、問題を生じおいる。換蚀すれば、蛍
光䜓が茝尜光の光量に察しお盞圓な比率で茝尜残
光を発する堎合には、照射目暙以倖の蛍光䜓粒子
矀からの発光残光が照射目暙の蛍光䜓粒子矀
からの発光に混入しお怜出されるために、このよ
うな蛍光䜓を含有する攟射線像倉換パネルによ぀
お埗られる画像は画質鮮鋭床、濃床分解胜な
どの䜎䞋したものずなりがちである。
ただし、このような茝尜性蛍光䜓の残光特性
茝尜残光特性の画質ぞの圱響床は励起光の走
査速床などによ぀おも倉化するものである。たた
実際の䜿甚においおは、茝尜発光の怜出方法によ
぀おもその茝尜残光が画像の画質に䞎える圱響は
異なるものである。しかしながら、画質に悪圱響
を及がす茝尜残光特性を少しでも改良するこずは
倧きな意味があるずいえる。
たた、攟射線像倉換パネルを甚いる攟射線像蚘
録再生方法は䞊述のように非垞に有利な画像圢成
方法であるが、この方法においおもその感床はで
きる限り高いこずが望たしい。攟射線像倉換パネ
ルの攟射線に察する感床は、䞀般に、それに甚い
られる蛍光䜓の茝尜発光茝床が高いほど高くな
る。埓぀お、パネルに甚いられる茝尜性蛍光䜓は
その茝尜発光茝床ができる限り高いものであるこ
ずが望たれる。
本出願人が昭和57幎月24日に出願した特願昭
57−166320号明现曞に蚘茉されおいるように、䞊
蚘の二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリり
ム蛍光䜓に特定の範囲の量のハロゲン化ナトリり
ムを添加するずその茝尜発光茝床が向䞊する。す
なわち、その組成匏が、 BaFX・aNaX′xEu2+ ただし、およびX′はいずれもCl、Brおよび
からなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロ
ゲンでありそしおおよびははそれぞれ
≊2.0および≊0.2の範囲の数倀である で衚わされるハロゲン化ナトリりムを含有する二
䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリりム系蛍
光䜓は、ハロゲン化ナトリりム未添加の蛍光䜓よ
りも高茝床の茝尜発光を瀺す。しかしながらその
反面、二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリ
りム蛍光䜓ぞのハロゲン化ナトリりムの添加は、
該蛍光䜓の茝尜残光特性を悪化させる傟向があ
る。埓぀お、䞊蚘組成匏で衚わされるハロゲン化
ナトリりム含有二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲ
ン化バリりム系蛍光䜓の茝尜残光特性の改良が望
たれおいる。
埓぀お本発明は、線などの攟射線を照射した
のち茝尜発光の励起波長領域の光で励起したずき
の茝尜発光茝床をそれほど䜎䞋させるこずなく、
その茝尜残光特性が改良されたハロゲン化ナトリ
りム含有二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バ
リりム系蛍光䜓を提䟛するこずをその目的ずする
ものである。
さらに、本発明は、感床をそれほど䜎䞋させる
こずなく、埗られる画像の画質が向䞊した該蛍光
䜓を甚いた攟射線像倉換パネルを提䟛するこずも
その目的ずするものである。
本発明者は、䞊蚘目的を達成するため、ハロゲ
ン化ナトリりム含有二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハ
ロゲン化バリりム系蛍光䜓に぀いお皮々の研究を
行な぀た。その結果、該蛍光䜓にカリりム、ルビ
ゞりムおよびセシりムのうちの少なくずも䞀皮の
アルカリ金属をある特定の範囲で含有させるこず
により、茝尜発光の茝床をそれほど䜎䞋させるこ
ずなくその茝尜残光特性を顕著に改良するこずが
できるこずを芋出し、本発明に到達したものであ
る。
すなわち、本発明の蛍光䜓は、組成匏 BaFX・aNaX′xEu2+、yM〓    ただし、およびX′はいずれもCl、Brおよび
からなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロ
ゲンでありM〓は、RbおよびCsからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属であ
りそしお、およびはそれぞれ≊
2.0、≊0.2および×10-4≊≊10-2の範
囲の数倀である で衚わされる、特定量のハロゲン化ナトリりムに
加えお、RbおよびCsのうちの少なくずも䞀皮
を特定量含有する二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロ
ゲン化バリりム系蛍光䜓である。
たた、本発明の攟射線像倉換パネルは、支持䜓
ずこの䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓局ずから実質
的に構成されおいる攟射線像倉換パネルにおい
お、該茝尜性蛍光䜓局が䞊蚘組成匏で衚わ
される二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリ
りム系蛍光䜓を含有するこずを特城ずする。
本発明は、䞊蚘組成匏で衚わされる二䟡
ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリりム系蛍光
䜓が顕著に向䞊した茝尜残光特性、特に励起光の
照射埌10-3〜10-2秒付近においお顕著に改良され
た茝尜残光特性を瀺すずいう新たな知芋に基づい
お完成されたものである。
なお、瞬時発光における残光特性の向䞊を目的
ずしお、二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化物
蛍光䜓にカリりムたたはルビゞりムを含有させた
蛍光䜓、すなわち組成匏 Ba1-x-yEuxSryFQ 匏䞭はBr、Clたたはであり、は0.0001〜
0.2であり、そしおは〜0.8である を有し、蛍光䜓の結晶構造䞭に瞬時発光の残光を
䜎枛するのに十分な量のカリりムたたはルビゞり
ムむオンを含有する蛍光䜓が、特公昭53−18470
号公報に開瀺されおいる。
䞊蚘公報にも蚘茉されおいるように攟射線増感
スクリヌンに甚いられる蛍光䜓においお、その残
光特性が問題ずなるのは、線照射埌攟射線フむ
ルムの亀換に芁する時間を含めお数十秒における
残光である。
しかしながら本発明は、䞊蚘ハロゲン化ナトリ
りム含有二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バ
リりム系蛍光䜓の茝尜発光における残光特性の改
良を目的ずしおおり、茝尜性蛍光䜓を攟射線像倉
換パネルに甚いた堎合にその残光特性が問題ずな
るのは、前述のようなパネルの読出し操䜜におい
おは励起光の照射埌10-3〜10-1秒における残光で
ある。埓぀お、本発明が目的ずする残光特性の改
良は、瞬時発光ずは発光のメカニズムの異なる茝
尜発光に関わるものであり、たた問題ずする枛衰
時間も党く異なるものである。
さらに、䞊蚘組成匏で衚わされる本発明
の蛍光䜓は、䞊蚘二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロ
ゲン化バリりム蛍光䜓およびハロゲン化ナトリり
ム含有二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリ
りム系蛍光䜓ず同様に、線などの攟射線を照射
した埌450〜900nmの波長領域の電磁波で励起し
た時茝尜発光を瀺すが、その茝尜発光茝床は、
M〓で衚わされるアルカリ金属を添加しない埌者
の蛍光䜓ハロゲン化ナトリりム含有二䟡ナヌロ
ピりム賊掻北化ハロゲン化バリりム系蛍光䜓ず
比范しおそれほど䜎䞋しないものであるこずが刀
明しおいる。
埓぀お、䞊蚘組成匏で衚わされる二䟡ナ
ヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリりム系蛍光䜓
を甚いた本発明の攟射線像倉換パネルを利甚する
こずにより、攟射線像蚘録再生方法の感床をそれ
ほど䜎䞋させるこずなく画質の優れた画像を定垞
的に埗るこずができる。
次に、本発明を詳しく説明する。
本発明の二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化
バリりム系蛍光䜓は、組成匏 BaFX・aNaX′xEu2+、yM〓    ただし、およびX′はいずれもCl、Brおよび
からなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロ
ゲンでありM〓は、RbおよびCsからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属であ
りそしお、およびはそれぞれ≊
2.0、≊0.2および×10-4≊≊10-2の範
囲の数倀である で衚わされる。
䞊蚘組成匏で衚わされる本発明の蛍光䜓
においおは、線などの攟射線を照射した埌450
〜900nmの波長領域の電磁波で励起した時の茝尜
発光茝床および茝尜残光特性の点から、䞊蚘組成
匏においおアルカリ金属を衚わすM〓はカリりム
であるのが奜たしく、その量を衚わす倀は×
10-4≊≊×10-3の範囲にあるのが奜たしい。
たた、䞻ずしお茝尜発光茝床の点からハロゲン化
ナトリりムを衚わすNaX′はNaBrであるのが奜
たしく、その量を衚わす倀は10-5≊≊×
10-1の範囲にあるのが奜たしく、さらに奜たしく
は×10-4≊≊10-2の範囲である。
䞊蚘組成匏においおハロゲンを衚わすは茝尜
発光茝床の点から、Brおよびのうちの少なく
ずも䞀皮であるのが奜たしい。なお、䞊述のよう
に本発明の蛍光䜓の茝尜励起スペクトルは450〜
900nmの波長領域にあるが、そのピヌク波長はハ
ロゲンに䟝存しおCl、Br、の順に次第に長
波長偎ぞシフトする。埓぀お、珟圚励起光の光源
ずしおの実甚が考えられおいるHe―Neレヌザヌ
633nm、半導䜓レヌザヌ赀倖線攟射等ずの
マツチングの点からもハロゲンを衚わすは、
Brおよびのうちの少なくずも䞀皮であるのが
奜たしい。たた、ナヌロピりムの賊掻量を衚わす
倀は茝尜発光茝床および茝尜残光特性の䞡方の
点から、10-5≊≊10-2の範囲にあるのが奜たし
い。
䞊蚘組成匏で衚わされる本発明の蛍光䜓
の䞀䟋であるBaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+、
yK蛍光䜓を結合剀䞭に分散状態で含有させた蛍
光䜓局を有する攟射線像倉換パネルに぀いおは、
カリりムの含有量を衚わす倀ず茝尜残光量、お
よび倀ず感床すなわち、蛍光䜓の茝尜発光茝
床は、第図に瀺すような関係にある。
第図においお、実線は、倀ず励起光の照射
埌×10-3秒における盞察茝尜残光量〔茝尜残
光量茝尜発光量〕の察数倀ずの関係を瀺すグ
ラフであり、そしお点線は、倀ず盞察感床ずの
関係を瀺すグラフである。
第図から明らかなように、䞊蚘BaFBr・
0.0023NaBr0.001Eu2+、yK蛍光䜓を含有する
攟射線像倉換パネルは、カリりムの含有量
倀が×10-4よりも少ない堎合には所望の茝尜
残光特性の向䞊が殆ど芋られない。たた倀が
10-2を越えた堎合には、茝尜残光特性は向䞊する
すなわち盞察茝尜残光量が枛少するが感床の
䜎䞋が著しい。そしお、特に倀が×10-4≊
≊×10-3の範囲である堎合に、この蛍光䜓を甚
いたパネルは感床の䜎䞋をあたりもたらすこずな
く、茝尜残光特性が顕著に向䞊するこずが明らか
である。
このような傟向は、組成匏で衚わされる
他の二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリり
ム系蛍光䜓を甚いた攟射線像倉換パネルにおいお
も同様に珟れるこずが確認されおいる。
さらに、M〓で衚わされるアルカリ金属の含有
量倀は、埗られる蛍光䜓の線などの攟射
線の吞収効率および吞湿性などの点からは少ない
方が奜たしく、この点も考慮しお本発明においお
は倀を×10-4≊≊10-2の範囲ずした。
なお、本発明の二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロ
ゲン化バリりム系蛍光䜓は、基本組成ずしお䞊蚘
組成匏を有するものであり、その補造に際
しおはアルカリ金属M〓を含有させるこずによる
効果茝尜残光特性の改良が倱われない範囲内
で皮々の添加成分が添加されおいおもよく、その
ような添加成分を含むものも本発明の蛍光䜓に包
含される。添加成分の具䜓䟋ずしおは、次のよう
な物質を挙げるこずができる。
特開昭55−160078号公報に蚘茉されおいるよう
な金属酞化物特願昭57−137374号明现曞に蚘茉
されおいるようなテトラフルオロホり酞化合物
特願昭57−158048号明现曞に蚘茉されおいるよう
なヘキサフルオロ化合物特願昭57−184455号明
现曞に蚘茉されおいるハロゲン化リチりム
LiX″ただし、X″は、Cl、Brおよびから
なる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンで
ある、二䟡金属のハロゲン化物M〓2た
だし、M〓はBeおよびMgからなる矀より遞ばれ
る少なくずも䞀皮の二䟡金属であり、は、
Cl、Brおよびからなる矀より遞ばれる少なく
ずも䞀皮のハロゲンであるおよび䞉䟡金属のハ
ロゲン化物M〓′′′′3ただし、M〓はAl、Ga、
InおよびTlからなる矀より遞ばれる少なくずも
䞀皮の䞉䟡金属であり、′′′′は、Cl、Brおよ
びからなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハ
ロゲンである特開昭56−116777号公報に蚘茉
されおいるZr特開昭57−23673号公報に蚘茉さ
れおいる特開昭57−23675号公報に蚘茉され
おいるAsおよびSiおよび、特願昭57−166696
号明现曞に蚘茉されおいるような遷移金属。
なお、䞊蚘特開昭55−160078号公報に蚘茉され
おいるような金属酞化物の添加は、特に焌成工皋
における蛍光䜓の焌結防止、䞊びに埗られる蛍光
䜓の茝尜発光茝床および粉䜓流動性の向䞊に効果
がある。金属酞化物を添加する堎合に、その量は
BaFX1モルに察しお×10-5乃至0.5モル、奜た
しくは10-5乃至0.3モル、さらに奜たしくは10-4
乃至0.2モルの範囲である。特に奜たしい金属酞
化物ずしおはSiO2およびAl2O3が挙げられる。
䞊蚘組成匏で衚わされる本発明の二䟡ナ
ヌロピりム賊掻北化ハロゲン化バリりム系蛍光䜓
は、たずえば、以䞋に蚘茉するような補造法によ
り補造するこずができる。
たず、蛍光䜓原料ずしお、 (1) 北化バリりム、 (2) ハロゲン化バリりムただし、北化バリりム
は陀く、 (3) 䞊蚘組成匏においおM〓で衚わされる
アルカリ金属のハロゲン化物 (4) ハロゲン化ナトリりムただし、北化ナトリ
りムは陀く、 (5) ハロゲン化物、酞化物、硝酞塩、硫酞塩など
のナヌロピりムの化合物からなる矀より遞ばれ
る少なくずも䞀皮のナヌロピりム化合物、 を甚意する。堎合によ぀おは、さらにハロゲン化
アンモニりムなどをフラツクスずしお䜿甚しおも
よい。
蛍光䜓の補造に際しおは先ず、䞊蚘(1)の北化バ
リりム、(2)のハロゲン化バリりム、(3)のアルカリ
金属ハロゲン化物、(4)ハロゲン化ナトリりムおよ
び(5)のナヌロピりム化合物を甚いお、化孊量論的
に、組成匏 BaFX・aNaX′xEu、yM〓    ただし、、X′、M〓、、およびの定矩
は前述ず同じである に察応する盞察比ずなるように秀量混合する。
䞊蚘の混合物操䜜は、たずえば懞濁液の状態で
行なわれる。そしお、この蛍光䜓原料混合物の懞
濁液から氎分を陀去するこずにより固圢状の也燥
混合物が埗られる。この氎分の陀去操䜜は、垞枩
もしくはあたり高くない枩床たずえば、200℃
以䞋にお、枛圧也燥、真空也燥、あるいはその
䞡方により行なわれるのが奜たしい。もちろん混
合操䜜は䞊蚘の方法に限られるものでない。
なお、䞊蚘(3)のアルカリ金属ハロゲン化物およ
び(4)のハロゲン化ナトリりムは、蛍光䜓原料の秀
量混合時に添加しないで、この也燥混合物に添加
されおもよい。
次に、埗られた也燥混合物は埮现に粉砕され、
その粉砕物は石英ボヌト、アルミナルツボなどの
耐熱性容噚に充填されお、電気炉䞭で焌成が行な
われる。焌成枩床は500〜1300℃の範囲が適圓で
あり、焌成時間は蛍光䜓原料混合物の充填量およ
び焌成枩床などによ぀おも異なるが、䞀般には
0.5〜時間が適圓である。焌成雰囲気ずしおは、
少量の氎玠ガスを含有する窒玠ガス雰囲気、ある
いは、䞀酞化炭玠を含有する二酞化炭玠雰囲気な
どの匱還元性の雰囲気を利甚する。䜿甚されるナ
ヌロピりム化合物が䞉䟡のナヌロピりムを含む堎
合には、その匱還元性の雰囲気によ぀お焌成過皋
においお䞉䟡のナヌロピりムは二䟡のナヌロピり
ムに還元される。
なお、䞊蚘の焌成条件で蛍光䜓原料混合物を䞀
床焌成したのちにその焌成物を攟冷埌粉砕し、さ
らに再焌成二次焌成を行なう方法を利甚しお
もよい。再焌成は、䞊蚘の匱還元性雰囲気あるい
は窒玠ガス雰囲気、アルゎンガス雰囲気などの䞭
性雰囲気䞋で、500〜800℃の焌成枩床にお0.5〜
12時間かけお行なわれる。
䞊蚘焌成によ぀お粉末状の本発明の蛍光䜓が埗
られる。なお、埗られた粉末状の蛍光䜓に぀いお
は、必芁に応じお、さらに、掗浄、也燥、ふるい
分けなどの蛍光䜓の補造における各皮の䞀般的な
操䜜を行な぀おもよい。
なお、本発明の蛍光䜓がさらに前蚘のような添
加成分を含有するものである堎合には、添加成分
は蛍光䜓原料を秀量混合する時に、あるいは焌成
前に添加される。
以䞊に説明した補造法を利甚するこずによ぀お
前蚘の組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピり
ム賊掻北化ハロゲン化バリりム系蛍光䜓が埗られ
る。
次に、本発明の攟射線像倉換パネルに぀いお説
明する。
本発明の攟射線像倉換パネルは、基本的には支
持䜓ず、その䞊に蚭けられた蛍光䜓局ずから構成
されるものであり、蛍光䜓局は、茝尜性蛍光䜓を
分散状態で含有支持する結合剀からなるものであ
る。蛍光䜓局は、たずえば、次のような方法によ
り支持䜓䞊に圢成するこずができる。
たず䞊蚘組成匏で衚わされる茝尜性蛍光
䜓の粒子ず結合剀ずを適圓な溶剀に加え、これを
充分に混合しお、結合剀溶液䞭に蛍光䜓粒子が均
䞀に分散した塗垃液を調補する。
蛍光䜓局の結合剀の䟋ずしおは、れラチン等の
蛋癜質、デキストラン等のポリサツカラむド、た
たはアラビアゎムのような倩然高分子物質およ
び、ポリビニルブチラヌル、ポリ酢酞ビニル、ニ
トロセルロヌス、゚チルセルロヌス、塩化ビニリ
デン・塩化ビニルコポリマヌ、ポリアルキルメ
タアクリレヌト、塩化ビニル・酢酞ビニルコポ
リマヌ、ポリりレタン、セルロヌスアセテヌトブ
チレヌト、ポリビニルアルコヌル、線状ポリ゚ス
テルなどのような合成高分子物質などにより代衚
される結合剀を挙げるこずができる。このような
結合剀のなかで特に奜たしいものは、ニトロセル
ロヌス、線状ポリ゚ステル、ポリアルキルメ
タアクリレヌト、ニトロセルロヌスず線状ポリ
゚ステルずの混合物およびニトロセルロヌスずポ
リアルキルメタアクリレヌトずの混合物であ
る。なお、これらの結合剀は架橋剀によ぀お架橋
されたものであ぀おもよい。
塗垃液調補甚の溶剀の䟋ずしおは、メタノヌ
ル、゚タノヌル、―プロパノヌル、―ブタノ
ヌルなどの䜎玚アルコヌルメチレンクロラむ
ド、゚チレンクロラむドなどの塩玠原子含有炭化
氎玠アセトン、メチル゚チルケトン、メチルむ
゜ブチルケトンなどのケトン酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの䜎玚脂肪酞ず䜎玚アル
コヌルずの゚ステルゞオキサン、゚チレングリ
コヌルモノ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌル
モノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテルそしお、そ
れらの混合物を挙げるこずができる。
塗垃液における結合剀ず蛍光䜓ずの混合比は、
目的ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の
皮類などによ぀お異なるが、䞀般には結合剀ず蛍
光䜓ずの混合比は、乃至100重量比
の範囲から遞ばれ、そしお特に乃至40
重量比の範囲から遞ぶのが奜たしい。
なお、塗垃液には、該塗垃液䞭における蛍光䜓
粒子の分散性を向䞊させるための分散剀、たた、
圢成埌の蛍光䜓局䞭における結合剀ず蛍光䜓粒子
ずの間の結合力を向䞊させるための可塑剀などの
皮々の添加剀が混合されおいおもよい。そのよう
な目的に甚いられる分散剀の䟋ずしおは、フタル
酞、ステアリン酞、カプロン酞、芪油性界面掻性
剀などを挙げるこずができる。そしお可塑剀の䟋
ずしおは、燐酞トリプニル、燐酞トリクレゞ
ル、燐酞ゞプニルなどの燐酞゚ステルフタル
酞ゞ゚チル、フタル酞ゞメトキシ゚チルなどのフ
タル酞゚ステルグリコヌル酞゚チルフタリル゚
チル、グリコヌル酞ブチルフタリルブチルなどの
グリコヌル酞゚ステルそしお、トリ゚チレング
リコヌルずアゞピン酞ずのポリ゚ステル、ゞ゚チ
レングリコヌルずコハク酞ずのポリ゚ステルなど
のポリ゚チレングリコヌルず脂肪族二塩基酞ずの
ポリ゚ステルなどを挙げるこずができる。
䞊蚘のようにしお調補された蛍光䜓粒子ず結合
剀ずを含有する塗垃液を、次に、支持䜓の衚面に
均䞀に塗垃するこずにより塗垃液の塗膜を圢成す
る。この塗垃操䜜は、通垞の塗垃手段、䟋えばド
クタヌブレヌド、ロヌルコヌタヌ、ナむフコヌタ
ヌなどを甚いるこずにより行なうこずができる。
塗膜圢成埌、塗膜を也燥しお支持䜓䞊ぞの蛍光
䜓局の圢成を完了する。蛍光䜓局の局厚は、目的
ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の皮
類、結合剀ず蛍光䜓ずの混合比などによ぀お異な
るが、通垞は20Ό乃至mmずする。ただし、こ
の局厚は、50乃至500Όずするのが奜たしい。
たた、蛍光䜓局は、必ずしも䞊蚘のように支持
䜓䞊に塗垃液を盎接塗垃しお圢成する必芁はな
く、たずえば、別に、ガラス板、金属板、プラス
チツクシヌトなどのシヌト䞊に塗垃液を塗垃し也
燥するこずにより蛍光䜓局を圢成した埌、これ
を、支持䜓䞊に抌圧するか、あるいは接着剀を甚
いるなどしお支持䜓ず蛍光䜓局ずを接合しおもよ
い。
なお、蛍光䜓局は䞀局だけでもよいが、二局以
䞊を積局しおもよい。積局する堎合にはそのうち
の少なくずも䞀局が䞊蚘の二䟡のナヌロピりム賊
掻北化ハロゲン化バリりム系蛍光䜓を含有する局
であればよい。たた、単局および積局のいずれの
堎合においおも、䞊蚘蛍光䜓ずずもに別皮の茝尜
性蛍光䜓を䜵甚するこずができる。
支持䜓は、埓来の攟射線写真法における増感玙
の支持䜓ずしお甚いられおいる各皮の材料あるい
は攟射線像倉換パネルの支持䜓ずしお公知の各皮
の材料から任意に遞ぶこずができる。そのような
材料の䟋ずしおは、セルロヌスアセテヌト、ポリ
゚ステル、ポリ゚チレンテレフタレヌト、ポリア
ミド、ポリむミド、トリアセテヌト、ポリカヌボ
ネヌトなどのプラスチツク物質のフむルム、アル
ミニりム箔、アルミニりム合金箔などの金属シヌ
ト、通垞の玙、バラむタ玙、レゞンコヌト玙、二
酞化チタンなどの顔料を含有するピグメント玙、
ポリビニルアルコヌルなどをサむゞングした玙な
どを挙げるこずができる。ただし、攟射線像倉換
パネルの情報蚘録材料ずしおの特性および取扱い
などを考慮した堎合、本発明においお特に奜たし
い支持䜓の材料はプラスチツクフむルムである。
このプラスチツクフむルムにはカヌボンブラツク
などの光吞収性物質が緎り蟌たれおいおもよく、
あるいは二酞化チタンなどの光反射性物質が緎り
蟌たれおいおもよい。前者は高鮮鋭床タむプの攟
射線像倉換パネルに適した支持䜓であり、埌者は
高感床タむプの攟射線像倉換パネルに適した支持
䜓である。
公知の攟射線像倉換パネルにおいおは、支持䜓
ず蛍光䜓局の結合を匷化するため、あるいは攟射
線像倉換パネルずしおの感床もしくは画質鮮鋭
床、粒状性を向䞊させるために、蛍光䜓局が蚭
けられる偎の支持䜓衚面にれラチンなどの高分子
物質を塗垃しお接着性付䞎局ずしたり、あるいは
二酞化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
局、もしくはカヌボンブラツクなどの光吞収性物
質からなる光吞収局を蚭けるこずも行なわれおい
る。本発明で甚いられる支持䜓に぀いおも、これ
らの各皮の局を蚭けるこずができ、それらの構成
は所望の攟射線像倉換パネルの目的、甚途などに
応じお任意に遞択するこずができる。
さらに、本出願人による特願昭57−82431号明
现曞に蚘茉されおいるように、埗られる画像の鮮
鋭床を向䞊させる目的で、支持䜓の蛍光䜓局偎の
衚面支持䜓の蛍光䜓局偎の衚面に接着性付䞎
局、光反射局あるいは光吞収局などが蚭けられお
いる堎合には、その衚面を意味するには、埮现
な凹凞が均質に圢成されおいおもよい。
通垞の攟射線像倉換パネルにおいおは、支持䜓
に接する偎ずは反察偎の蛍光䜓局の衚面に、蛍光
䜓局を物理的および化孊的に保護するための透明
な保護膜が蚭けられおいる。このような透明保護
膜は、本発明の攟射線像倉換パネルに぀いおも蚭
眮するこずが奜たしい。
透明保護膜は、たずえば、酢酞セルロヌス、ニ
トロセルロヌスなどのセルロヌス誘導䜓あるい
はポリメチルメタクリレヌト、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリカヌボネヌ
ト、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニル・酢酞ビニルコ
ポリマヌなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適圓な溶媒に溶解しお調補した溶液を
蛍光䜓局の衚面に塗垃する方法により圢成するこ
ずができる。あるいはポリ゚チレンテレフタレヌ
ト、ポリ゚チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリア
ミドなどから別に圢成した透明な薄膜を蛍光䜓局
の衚面に適圓な接着剀を甚いお接着するなどの方
法によ぀おも圢成するこずができる。このように
しお圢成する透明保護膜に膜厚は、玄乃至20ÎŒ
ずするのが望たしい。
なお、特開昭55−163500号公報、特開昭57−
96300号公報等に蚘茉されおいるように、本発明
の攟射線像倉換パネルは着色剀によ぀お着色され
おいおもよく、着色によ぀お埗られる画像の画質
を向䞊させるこずができる。たた、特開昭55−
146447号公報に蚘茉されおいるように、本発明の
攟射線像倉換パネルは同様の目的でその蛍光䜓局
䞭に癜色粉䜓が分散されおいおもよい。
以䞋に、本発明の実斜䟋および比范䟋を蚘茉す
る。ただし、これらの各䟋は本発明を制限するも
のではない。
実斜䟋  北化バリりムBaF2175.34、臭化バリり
ムBaBr2・2H2O333.18、および臭化ナヌ
ロピりムEuBr30.783を蒞留氎H2O500
c.c.に添加し、混合しお懞濁液ずした。この懞濁液
を60℃で時間枛圧也燥した埌、さらに150℃で
時間の真空也燥を行な぀た。その也燥物を乳鉢
を甚いお埮现に粉砕した埌、その粉砕物100に
臭化カリりムKBr0.05および臭化ナトリり
ムNaBr0.1を添加し混合しお均䞀な混合物
ずした。
次いで、埗られた蛍光䜓原料混合物をアルミナ
ルツボに充填し、これを高枩電気炉に入れお焌成
を行な぀た。焌成は、䞀酞化炭玠を含む二酞化炭
玠雰囲気䞭にお900℃の枩床で1.5時間かけお行な
぀た。焌成が完了した埌、焌成物を炉倖に取り出
しお冷华した。埗られた焌成物を粉砕しお、粉末
状の二䟡ナヌロピりム賊掻北化臭化バリりム系蛍
光䜓BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+、
0.001Kを埗た。
たた、䞊蚘蛍光䜓の補造においお臭化カリりム
の添加量をBaFBr1モルに察しお10-4〜10-1の範
囲で倉化させるこずにより、カリりムの含有量の
異なる皮々の二䟡ナヌロピりム賊掻北化臭化バリ
りム系蛍光䜓を埗た。
次に、埗られた各皮の蛍光䜓を甚いお以䞋のよ
うにしお皮々の攟射線像倉換パネルを補造した。
蛍光䜓粒子ず線状ポリ゚ステル暹脂ずの混合物
にメチル゚チルケトンを添加し、さらに硝化床
11.5のニトロセルロヌスを添加しお蛍光䜓粒子
を分散状態で含有する分散液を調補した。この分
散液に燐酞トリクレゞル、―ブタノヌル、そし
おメチル゚チルケトンを添加したのち、プロペラ
ミキサヌを甚いお充分に撹拌混合しお、蛍光䜓粒
子が均䞀に分散し、か぀結合剀ず蛍光䜓粒子ずの
混合比が20、粘床が25〜35PS25℃の塗垃
液を調補した。
この塗垃液を、ガラス板䞊に氎平に眮いた二酞
化チタン緎り蟌みポリ゚チレンテレフタレヌトシ
ヌト支持䜓、厚み250Όの䞊にドクタヌ
ブレヌドを甚いお均䞀に塗垃した。そしお塗垃埌
に、塗膜が圢成された支持䜓を也燥噚内に入れ、
この也燥噚の内郚の枩床を25℃から100℃に埐々
に䞊昇させお、塗膜の也燥を行な぀た。このよう
にしお、支持䜓䞊に局厚が200Όの蛍光䜓局を
圢成した。
そしお、この蛍光䜓局の䞊にポリ゚チレンテレ
フタレヌトの透明フむルム厚み12Ό、ポリ
゚ステル系接着剀が付䞎されおいるものを接着
剀局偎を䞋に向けお眮いお接着するこずにより、
透明保護膜を圢成し、支持䜓、蛍光䜓局および透
明保護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補
造した。
比范䟋  実斜䟋においお、臭化カリりムを添加しない
こず以倖は実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なう
こずにより、粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻北化
臭化バリりム系蛍光䜓BaFBr・0.0023NaBr
0.001Eu2+を埗た。
埗られた蛍光䜓粒子を甚いお、実斜䟋の方法
ず同様の方法で、支持䜓、蛍光䜓局および透明保
護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補造し
た。
次に、埗られた各々の攟射線像倉換パネルを、
以䞋に蚘茉する感床詊隓および茝尜残光特性詊隓
により評䟡した。
(1) 感床詊隓 攟射線像倉換パネルに管電圧80KVpの線
を照射したのち、He―Neレヌザヌ光波長
632.8nmで励起したずきの感床を枬定した。
(2) 茝尜残光特性詊隓 攟射線像倉換パネルを幅cmに裁断しお調補
した詊隓片に、管電圧80KVpの線を照射し
た埌、その幅方向にHe―Neレヌザヌ光波
長632.8nmを走査時間×10-3秒で䞀回走
査した時の茝尜残光の枛衰を枬定した。
埗られた結果をたずめお、第図および第図
にグラフの圢で瀺す。
第図は、暪軞に時間をずり、瞊軞に〔茝尜残
光量茝尜発光量〕をず぀たグラフである。
点線BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+、
0.001K蛍光䜓を含有する攟射線像倉換パネ
ル 実線BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+蛍光䜓を
含有する攟射線像倉換パネル第図におい
お、 実線暪軞にカリりムの含有量倀をずり瞊
軞に〔茝尜残光量茝尜発光量〕の察数倀を
ず぀たグラフ 点線暪軞にカリりムの含有量倀をずり瞊
軞に盞察感床をず぀たグラフ である。なお、残光量はレヌザヌ光照射埌×
10-3秒における量を枬定倀ずした。
実斜䟋  実斜䟋においお、粉砕物100に臭化カリり
ム0.05および臭化ナトリりム0.1ず共に二酞
化珪玠SiO20.15を甚いるこず以倖は、実斜
䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、粉
末状の二䟡ナヌロピりム賊掻北化臭化バリりム系
蛍光䜓BaFBr・0.0023NaBr・0.006SiO2
0.001Eu2+、0.001Kを埗た。
埗られた蛍光䜓粒子を甚いお、実斜䟋の方法
ず同様の方法で、支持䜓、蛍光䜓局および透明保
護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補造し
た。
次に、埗られた攟射線像倉換パネルを䞊蚘感床
詊隓および茝尜残光特性詊隓により評䟡した。
その結果、BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+蛍
光䜓を含有する比范䟋の攟射線像倉換パネルの
盞察感床およびlog〔茝尜残光量茝尜発光量〕が
それぞれ、1.0および−2.6であ぀た第図参
照のに察しお、BrFBr・0.0023NaBr・
0.006SiO20.001Eu2+、0.001K蛍光䜓を含有する
本実斜䟋の攟射線像倉換パネルの盞察感床および
log〔茝尜残光量茝尜発光量〕はそれぞれ、1.2
および−3.1であ぀た。
実斜䟋  実斜䟋においお、臭化カリりム0.05の代わ
りに臭化ルビゞりムRbBr0.07を甚いるこ
ず以倖は、実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なう
こずにより、粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻北化
臭化バリりム系蛍光䜓BaFBr・0.0023NaBr
0.001Eu2+、0.001Rbを埗た。
埗られた蛍光䜓粒子を甚いお、実斜䟋の方法
ず同様の方法で、支持䜓、蛍光䜓局および透明保
護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補造し
た。
次に、埗られた攟射線像倉換パネルを䞊蚘感床
詊隓および茝尜残光特性詊隓により評䟡した。
その結果、BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+蛍
光䜓を含有する比范䟋の攟射線像倉換パネルの
盞察感床およびlog〔茝尜残光量茝尜発光量〕が
それぞれ1.0および−2.6であ぀た第図参照
のに察しお、BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+、
0.001Rb蛍光䜓を含有する本実斜䟋の攟射線像倉
換パネルの盞察感床およびlog〔茝尜残光量茝尜
発光量〕はそれぞれ、1.0および−3.3であ぀た。
実斜䟋  実斜䟋においお、臭化カリりム0.05の代わ
りに臭化セシりムCsBr0.09を甚いるこず
以倖は、実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこ
ずにより、粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻北化臭
化バリりム系蛍光䜓BaFBr・0.0023NaBr
0.001Eu2+、0.001Csを埗た。
埗られた蛍光䜓粒子を甚いお、実斜䟋の方法
ず同様の方法で、支持䜓、蛍光䜓局および透明保
護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補造し
た。
次に、埗られた攟射線像倉換パネルを䞊蚘感床
詊隓および茝尜残光特性詊隓により評䟡した。
その結果、BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+蛍
光䜓を含有する比范䟋の攟射線像倉換パネルの
盞察感床およびlog〔茝尜残光量茝尜発光量〕
が、それぞれ1.0および−2.6であ぀た第図参
照のに察しお、BaFBr・0.0023NaBr
0.001Eu2+、0.001Cs蛍光䜓を含有する本実斜䟋の
攟射線像倉換パネルの盞察感床およびlog〔茝尜残
光量茝尜発光量〕はそれぞれ、1.0および−2.9
であ぀た。
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明のBaFBr・0.0023NaBr
0.001Eu2+、0.001K蛍光䜓を含有しおなる攟射線
像倉換パネル点線、および比范のための
BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+蛍光䜓を含有し
おなる攟射線像倉換パネル実線の茝尜残光特
性を瀺すグラフである。第図は、本発明の
BaFBr・0.0023NaBr0.001Eu2+、yK蛍光䜓を
含有しおなる攟射線像倉換パネルに぀いお、カリ
りムの含有量倀ず盞察茝尜残光量ずの関係
実線、および倀ず盞察感床ずの関係点線
を瀺すグラフである。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  組成匏 BaFX・aNaX′xEu2+、yM〓    ただし、およびX′はいずれもCl、Brおよび
    からなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロ
    ゲンでありM〓は、RbおよびCsからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属であ
    りそしお、およびはそれぞれ≊
    2.0、≊0.2および×10-4≊≊10-2の範
    囲の数倀である で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハロゲン
    化バリりム系蛍光䜓。  組成匏におけるが×10-4≊≊
    ×10-3の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の蛍光䜓。  組成匏におけるM〓がであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の蛍光䜓。  組成匏におけるが10-5≊≊×
    10-1の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の蛍光䜓。  組成匏におけるが×10-4≊≊
    10-2の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の蛍光䜓。  組成匏におけるがBrおよびのう
    ちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の蛍光䜓。  組成匏におけるX′がBrであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の蛍光䜓。  支持䜓ずこの䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓局
    ずから実質的に構成されおいる攟射線像倉換パネ
    ルにおいお、該茝尜性蛍光䜓局が䞋蚘組成匏
    で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻北化ハ
    ロゲン化バリりム系蛍光䜓を含有するこずを特城
    ずする攟射線像倉換パネル。 組成匏 BaFX・aNaX′xEu2+、yM〓    ただし、およびX′はいずれもCl、Brおよび
    からなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロ
    ゲンでありM〓は、RbおよびCsからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属であ
    りそしお、およびはそれぞれ≊
    2.0、≊0.2および×10-4≊≊10-2の範
    囲の数倀である  組成匏におけるが×10-4≊≊
    ×10-3の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるM〓がであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線
    像倉換パネル。  組成匏におけるが10-5≊≊×
    10-1の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが×10-4≊≊
    10-2の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるがBrおよびの
    うちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるX′がBrであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線
    像倉換パネル。
JP58247315A 1983-12-28 1983-12-28 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル Granted JPS60139781A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58247315A JPS60139781A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル
EP84116483A EP0146974B1 (en) 1983-12-28 1984-12-28 Phosphor and radiation image storage panel employing the same
DE8484116483T DE3481994D1 (de) 1983-12-28 1984-12-28 Phoshor und diesen verwendender schirm zum speichern eines strahlungsbildes.
US08/352,343 US5474708A (en) 1983-12-28 1994-12-08 Phosphor and radiation image storage panel employing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58247315A JPS60139781A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60139781A JPS60139781A (ja) 1985-07-24
JPS6328955B2 true JPS6328955B2 (ja) 1988-06-10

Family

ID=17161565

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58247315A Granted JPS60139781A (ja) 1983-12-28 1983-12-28 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5474708A (ja)
EP (1) EP0146974B1 (ja)
JP (1) JPS60139781A (ja)
DE (1) DE3481994D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0442913U (ja) * 1990-08-10 1992-04-13
JPH0534334Y2 (ja) * 1988-09-28 1993-08-31

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0577168B1 (en) * 1992-07-02 1996-04-10 Agfa-Gevaert N.V. Radiation image recording and reproducing method
IT1256069B (it) * 1992-07-28 1995-11-27 Minnesota Mining & Mfg Metodo per registrare e riprodurre l'immagine di una radiazione, apparato usante detto metodo,pannello per la memorizzazione dell'immagine di una radiazione a fosfori fotostimolabili
US7180068B1 (en) 2004-06-09 2007-02-20 Radiation Monitoring Devices, Inc. Scintillation materials with reduced afterglow and method of preparation
US7170077B2 (en) * 2004-10-07 2007-01-30 Agfa-Gevaert Binderless storage phosphor screen

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2654387C3 (de) * 1975-12-05 1979-09-13 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington, Del. (V.St.A.) Erdalkalifluorhalogenid-Leuchtstoff
US4138529A (en) * 1976-06-25 1979-02-06 Dai Nippon Toryo Co., Ltd. Phosphors and X-ray image converters using the same
JPS58206678A (ja) * 1982-05-28 1983-12-01 Fuji Photo Film Co Ltd 蛍光䜓
JPS5956480A (ja) * 1982-09-27 1984-03-31 Fuji Photo Film Co Ltd 蛍光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0534334Y2 (ja) * 1988-09-28 1993-08-31
JPH0442913U (ja) * 1990-08-10 1992-04-13

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60139781A (ja) 1985-07-24
EP0146974A3 (en) 1987-05-20
EP0146974A2 (en) 1985-07-03
EP0146974B1 (en) 1990-04-18
US5474708A (en) 1995-12-12
DE3481994D1 (de) 1990-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0344115B2 (ja)
JPH0214394B2 (ja)
JPH0629412B2 (ja) 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル
JPS6328955B2 (ja)
JPH089716B2 (ja) 蛍光䜓䞊びに攟射線像倉換方法および攟射線像倉換パネル
JPH0475951B2 (ja)
EP0148507B1 (en) Phosphor and radiation image storage panel employing the same
JPH07781B2 (ja) 攟射線像倉換パネル
JPH0526838B2 (ja)
JPH0359950B2 (ja)
JPH0214397B2 (ja)
JPH0214393B2 (ja)
JPH0629407B2 (ja) 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル
JPH0248596B2 (ja)
JPH0446316B2 (ja)
JPS6355555B2 (ja)
JPH0126639B2 (ja)
JPH0126640B2 (ja)
JPH034120B2 (ja)
JPH0554639B2 (ja)
JPH0460515B2 (ja)
JPS61264084A (ja) 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル
JPH0629406B2 (ja) 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル
JPH0452439B2 (ja)
JPH0629408B2 (ja) 螢光䜓およびそれを甚いた攟射線像倉換パネル

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term