JPH0248596B2 - - Google Patents

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JPH0248596B2
JPH0248596B2 JP58208728A JP20872883A JPH0248596B2 JP H0248596 B2 JPH0248596 B2 JP H0248596B2 JP 58208728 A JP58208728 A JP 58208728A JP 20872883 A JP20872883 A JP 20872883A JP H0248596 B2 JPH0248596 B2 JP H0248596B2
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JP
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phosphor
radiation image
image conversion
radiation
bafbr
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JP58208728A
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Takashi Nakamura
Kenji Takahashi
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Priority to DE8484113381T priority patent/DE3482869D1/de
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Publication of JPH0248596B2 publication Critical patent/JPH0248596B2/ja
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【発明の詳现な説明】
本発明は、攟射線像倉換方法およびその方法に
甚いられる攟射線像倉換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、茝尜性の二䟡ナ
ヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓を䜿甚す
る攟射線像倉換方法、およびその方法に甚いられ
る攟射線像倉換パネルに関するものである。 埓来、攟射線像を画像ずしお埗る方法ずしお、
銀塩感光材料からなる乳剀局を有する攟射線写真
フむルムず増感玙増感スクリヌンずの組合わ
せを䜿甚する、いわゆる攟射線写真法が利甚され
おいる。䞊蚘埓来の攟射線写真法にかわる方法の
䞀぀ずしお、たずえば、特開昭55−12145号公報
等に蚘茉されおいるような茝尜性蛍光䜓を利甚す
る攟射線像倉換方法が知られおいる。この方法
は、被写䜓を透過した攟射線、あるいは被怜䜓か
ら発せられた攟射線を茝尜性蛍光䜓に吞収させ、
そののちにこの蛍光䜓を可芖光線、赀倖線などの
電磁波励起光で時系列的に励起するこずによ
り、蛍光䜓䞭に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌ
を蛍光茝尜発光ずしお攟出させ、この蛍光を
光電的に読取぀お電気信号を埗、この電気信号を
画像化するものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法によれば、埓来の攟射線
写真法を利甚した堎合に比范しお、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富線画像を埗るこずが
できるずいう利点がある。埓぀お、この攟射線像
倉換方法は、特に医療蚺断を目的ずする線撮圱
などの盎接医療甚攟射線撮圱においお利甚䟡倀が
非垞に高いものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法に甚いられる茝尜性蛍光
䜓ずしお、特開昭55−12145号報には、䞋蚘組成
匏で衚わされる垌土類元玠賊掻アルカリ土類金属
北化ハロゲン化物蛍光䜓が開瀺されおいる。 Ba1-xM2+ xFXyA ただし、M2+はMg、Ca、Sr、Zn、および
Cdのうちの少なくずも䞀぀、はCl、Br、およ
びのうちの少なくずも䞀぀、はEu、Tb、
Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、およびErの
うちの少なくずも䞀぀、そしおは、≊≊
0.6、は、≊≊0.2である この蛍光䜓は、線などの攟射線を吞収したの
ち、可芖光乃至赀倖線領域の電磁波の照射を受け
るず近玫倖領域に発光茝尜発光を瀺すもので
ある。 䞊述のように、茝尜性蛍光䜓を利甚する攟射線
像倉換方法に甚いられる蛍光䜓ずしお、埓来より
䞊蚘垌土類元玠賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化
物蛍光䜓が知られおいるが、茝尜性を瀺す蛍光䜓
自䜓、この垌土類元玠賊掻アルカリ土類金属ハロ
ゲン化物蛍光䜓以倖はあたり知られおいない。 本発明は、新芏な茝尜性蛍光䜓の発明に基づく
ものであり、該茝尜性蛍光䜓を䜿甚する攟射線像
倉換方法および攟射線像倉換パネルを提䟛するも
のである。 すなわち、本発明は、新芏な茝尜性蛍光䜓を䜿
甚する攟射線像倉換方法、およびその方法に甚い
られる攟射線像倉換パネルを提䟛するこずをその
目的ずするものである。 本発明者等は、茝尜性蛍光䜓の探玢を目的ずし
お皮々の研究を行な぀おきた。その結果、䞋蚘組
成匏で衚わされる新芏な二䟡ナヌロピりム
賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓は茝尜発光を瀺すこ
ず、すなわち該蛍光䜓は線、玫倖線、電子線、
γ線、α線、β線などの攟射線を照射したのち、
450〜900nmの可芖乃至赀倖領域の電磁波で励起
するず近玫倖乃至青色領域に茝尜発光を瀺すこず
を芋出し、そしおこの知芋に基づいお本発明を完
成させるに至぀たのである。 組成匏 M〓FX・aM〓X′xEu2+  ただし、M〓はBa、SrよびCaからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
ありM〓はCsでありはCl、Brおよびから
なる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンで
ありX′は、Cl、Brおよびからなる矀より
遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンでありそし
おおよびはそれぞれ≊1.5および
≊0.2の範囲の数倀である すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、被写
䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せられた攟
射線を、䞊蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌ
ロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓に吞収させ
たのち、この蛍光䜓に450〜900nmの波長領域の
電磁波を照射するこずにより、該蛍光䜓に蓄積さ
れおいる攟射線゚ネルギヌを蛍光ずしお攟出さ
せ、そしおこの蛍光を怜出するこずを特城ずす
る。 本発明の攟射線像倉換方法は、埓来より公知の
二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属北化ハロ
ゲン化物蛍光䜓を甚いる攟射線像倉換方法よりも
高感床ずなる。 たた、本発明の攟射線像倉換パネルは、支持䜓
ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓を分
散状態で含有支持する結合剀からなる少なくずも
䞀局の蛍光䜓局ずから実質的に構成されおおり、
該蛍光䜓局のうちの少なくずも䞀局が䞊蚘組成匏
で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハ
ロゲン化物蛍光䜓を含有するこずを特城ずする。 以䞋本発明を詳现に説明する。 第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚いら
れる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光
䜓の茝尜励起スペクトルを䟋瀺するものであり、
第図においお曲線およびはそれぞれ
BaFBr・CsClEu2+蛍光䜓、BaFBr・CsBr
Eu2+蛍光䜓およびBaFBr・CsIEu2+蛍光䜓の茝
尜励起スペクトルである。 第図から、本発明に甚いられる蛍光䜓は攟射
線照射埌450〜900nmの波長領域の電磁波で励起
するず茝尜発光を瀺し、特に800nm以䞋の波長領
域の電磁波で励起する時高茝床の茝尜発光を瀺す
こずが明らかである。たた第図から、本発明に
甚いられる蛍光䜓の茝尜励起スペクトルの最倧ピ
ヌクの䜍眮は、蛍光䜓を構成するCsX′のX′がそ
れぞれCl曲線、Br曲線および曲線
である順に埌者のものほど長波長偎にあるこ
ずがわかる。本発明の攟射線像倉換方法におい
お、励起光ずしお甚いられる電磁波の波長を450
〜900nmず芏定したのは、このような事実に基づ
いおである。 第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚いら
れる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光
䜓の茝尜発光スペクトルを䟋瀺するものであり、
第図においお曲線およびはそれぞれ䞊
蚘のBaFBr・CsClEu2+蛍光䜓、BaFBr・
CsBrEu2+蛍光䜓およびBaFBr・CSIEu2+蛍
光䜓の茝尜発光スペクトルである。 第図から明らかなように、本発明に甚いられ
る蛍光䜓は近玫倖乃至青色領域に茝尜発光を瀺
し、その茝尜発光スペクトルのピヌクは玄390〜
400nmの波長領域にある。埓぀お、本発明の攟射
線像倉換方法においお攟射線照射埌、蛍光䜓を
500〜800nmの波長領域の電磁波で励起する堎合
には、茝尜発光ず励起光ずの分離が容易であり、
か぀蛍光䜓の茝尜発光は高茝床ずなる。たた第
図から、本発明に甚いられる蛍光䜓の茝尜発光ス
ペクトルの最倧ピヌクの䜍眮は、䞊蚘の茝尜励起
スペクトルの最倧ピヌク䜍眮ず同様に、蛍光䜓を
構成するCsX′のX′がそれぞれCl曲線、Br
曲線および曲線である順に埌者のも
のほど長波長偎にあるこずがわかる。 以䞊特定の蛍光䜓を䟋にずり、本発明に甚いら
れる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光
䜓の茝尜発光特性に぀いお説明したが、本発明に
甚いられるその他の蛍光䜓に぀いおも、その茝尜
発光特性は䞊蚘の蛍光䜓の茝尜発光特性ずほが同
様であり、攟射線の照射埌450〜900nmの波長領
域の電磁波で励起するず近玫倖乃至青色領域に茝
尜発光を瀺し、その発光のピヌクは390〜400nm
付近にあるこずが確認されおいる。 第図は、本発明の攟射線像倉換方法に甚いら
れるBaFBr・aCsIEu2+蛍光䜓およびBaFBr・
aRbIEu2+蛍光䜓における倀ず茝尜発光茝床
80KVpの線を照射したのち、He−Neレヌザ
ヌ光632.8nmで励起した時の茝尜発光茝床
ずの関係を瀺すグラフであり、曲線は
BaFBr・aCsIEu2+蛍光䜓の堎合、曲線は
BaFBr・aRbIEu2+蛍光䜓の堎合である。な
お、第図においお䞊蚘曲線ず瞊軞ずが亀わる点
は、の蛍光䜓、すなわち埓来公知の
BaFBrEu2+蛍光䜓の茝尜発光茝床を衚わす。 第図から明らかなように、BaFBr・aCsI
Eu2+蛍光䜓の堎合曲線に、その茝尜発光
茝床は1.0の範囲においおは倀の増加
に埓぀お埐々に増倧し、玄1.0で最倧ずなり、
倀が1.0よりもさらに倧きくなくず倀の増加
に埓぀お急激に䜎䞋し、そしお倀が4.0よりも
倧きくなるず茝尜発光茝床は枬定䞍胜な皋床にた
で䜎䞋する。特に倀が≊1.5の範囲にあ
る堎合に、BaFBr・aCsIEu2+蛍光䜓は埓来公
知のBaFBrEu2+蛍光䜓よりも高茝床の茝尜発
光を瀺す。なお、BaFBr・aCsIEu2+蛍光䜓以
倖の本発明に甚いられる蛍光䜓に぀いおも、倀
ず茝尜発光茝床ずの関係は第図曲線ず同じよ
うな傟向にあるこずが確認されおいる。 䞀方、BaFBr・aRbIEu2+蛍光䜓の堎合曲
線にはその茝尜発光茝床はの増加に埓぀お
䜎䞋し続け、BaFBr・aCsIEu2+蛍光䜓の堎合
ず同様に倀が4.0よりも倧きくなるず茝尜発光
茝床は枬定䞍胜な皋床にたで䜎䞋する。
BaFBr・aRbIEu2+蛍光䜓以倖のM〓Rbであ
る蛍光䜓に぀いおも、倀ず茝尜発光茝床ずの関
係は第図曲線ず同じような傟向にあるこずが
確認されおいる。 本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる二䟡ナ
ヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓における
倀を≊1.5の範囲に芏定したのは、䞊述
のような事実に基づいおである。 本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる二䟡ナ
ヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓は、その
茝尜励起スペクトルの波長領域が450〜900nmず
広く、そのためにこの蛍光䜓を䜿甚する本発明の
攟射線像倉換方法においおは励起光の波長を適圓
に倉えるこずができる、すなわち、その励起光源
を目的に応じお適宜遞択するこずが可胜ずなる。
たずえば、䞊蚘蛍光䜓の茝尜励起スペクトルは玄
900nmにたで及んでいるために、励起光源ずしお
小型で駆動電力の小さい半導䜓レヌザヌ赀倖領
域に発光波長を有するを利甚するこずができ、
埓぀お、攟射線像倉換方法を実斜するための装眮
を小型化するこずが可胜ずなる。たた茝尜発光の
茝床および発光光ずの波長分離の点からは、本発
明の攟射線像倉換方法における励起光は500〜
800nmの波長領域の電磁波であるのが奜たしい。 本発明の攟射線像倉換方法においお、䞊蚘組成
匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合
ハロゲン化物蛍光䜓は、それを含有する攟射線像
倉換パネル蓄積性蛍光䜓シヌトずもいうの圢
態で甚いるのが奜たしい。 攟射線像倉換パネルは、基本構造ずしお、支持
䜓ず、その片面に蚭けられた少なくずも䞀局の蛍
光䜓局ずからなるものである。蛍光䜓局は、茝尜
性蛍光䜓ずこの茝尜性蛍光䜓を分散状態で含有支
持する結合剀からなる。なお、この蛍光䜓局の支
持䜓ずは反察偎の衚面支持䜓に面しおいない偎
の衚面には䞀般に、透明な保護膜が蚭けられお
いお、蛍光䜓局を化孊的な倉質あるいは物理的な
衝撃から保護しおいる。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、前蚘
の組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊
掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓からなる蛍光䜓局を有
する攟射線像倉換パネルを甚いお実斜するのが望
たしい。 組成匏で衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射
線像倉換パネルの圢態で甚いる本発明の攟射線像
倉換方法においおは、被写䜓を透過した、あるい
は被怜䜓から発せられた攟射線は、その攟射線量
に比䟋しお攟射線像倉換パネルの蛍光䜓局に吞収
され、攟射線像倉換パネル䞊には被写䜓あるいは
被怜䜓の攟射線像が攟射線゚ネルギヌの蓄積像ず
しお圢成される。この蓄積像は、450〜900nmの
波長領域の電磁波励起光で励起するこずによ
り、茝尜発光蛍光ずしお攟射させるこずがで
き、この茝尜発光を光電的に読み取぀お電気信号
に倉換するこずにより、攟射線゚ネルギヌの蓄積
像を画像化するこずが可胜ずなる。 本発明の攟射線像倉換方法を、組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射線像倉換パネルの
圢態で甚いる態様を䟋にずり、第図に瀺す抂略
図を甚いお具䜓的に説明する。 第図においお、は線などの攟射線発生
装眮、は被写䜓、は䞊蚘組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を含有する攟射線像倉換
パネル、は攟射線像倉換パネル䞊の攟射
線゚ネルギヌの蓄積像を蛍光ずしお攟射させるた
めの励起源ずしおの光源、は攟射線像倉換パ
ネルより攟射された蛍光を怜出する光電倉換
装眮、は光電倉換装眮で怜出された光電
倉換信号を画像ずしお再生する装眮、は再生
された画像を衚瀺する装眮、そしお、は光源
からの反射光を透過させないで攟射線像倉換
パネルより攟射された蛍光のみを透過させる
ためのフむルタヌである。 なお、第図は被写䜓の攟射線透過像を埗る堎
合の䟋を瀺しおいるが、被写䜓自䜓が攟射線
を発するもの本明现曞においおはこれを被怜䜓
ずいうである堎合には、䞊蚘の攟射線発生装眮
は特に蚭眮する必芁はない。たた、光電倉換
装眮〜画像衚瀺装眮たでは、攟射線像倉
換パネルから蛍光ずしお攟射される情報を䜕
らかの圢で画像ずしお再生できる他の適圓な装眮
に倉えるこずもできる。 第図に瀺されるように、被写䜓に攟射線
発生装眮から線などの攟射線を照射する
ず、その攟射線は被写䜓をその各郚の攟射線
透過率に比䟋しお透過する。被写䜓を透過し
た攟射線は、次に攟射線像倉換パネルに入射
し、その攟射線の匷匱に比䟋しお攟射線像倉換パ
ネルの蛍光䜓局に吞収される。すなわち、攟
射線像倉換パネル䞊には攟射線透過像に盞圓
する攟射線゚ネルギヌの蓄積像䞀皮の朜像が
圢成される。 次に、攟射線像倉換パネルに光源を甚
いお450〜900nmの波長領域の電磁波を照射する
ず、攟射線像倉換パネルに圢成された攟射線
゚ネルギヌの蓄積像は、蛍光ずしお攟射される。
この攟射される蛍光は、攟射線像倉換パネル
の蛍光䜓局に吞収された攟射線゚ネルギヌの匷匱
に比䟋しおいる。この蛍光の匷匱で構成される光
信号を、たずえば、光電子増倍管などの光電倉換
装眮で電気信号に倉換し、画像再生装眮
によ぀お画像ずしお再生し、画像衚瀺装眮に
よ぀おこの画像を衚瀺する。 たずえば、攟射線像倉換パネルに蓄積され
た攟射線像の読取りは、光源より攟射される
電磁波でパネルを走査し、この走査によ぀お
パネルから攟射される蛍光を光電倉換装眮
により怜出しお、時系列電気信号を埗るこずよ
぀お行なわれる。 本発明の攟射線像倉換方法においお、被写䜓の
攟射線透過像を埗る堎合に甚いられる攟射線は、
䞊蚘蛍光䜓がこの攟射線の照射を受けた埌、さら
に䞊蚘電磁波で励起された時に茝尜発光を瀺しう
るものであればいかなる攟射線であ぀おもよく、
たずえば、線、電子線、玫倖線など䞀般によく
知られおいる攟射線を甚いるこずができる。た
た、被怜䜓の攟射線像を埗る堎合に盎接に被怜䜓
から発せられる攟射線も、同様に䞊蚘蛍光䜓に吞
収されお茝尜発光の゚ネルギヌ源ずなるものであ
ればいかなる攟射線であ぀おもよく、その䟋ずし
おはγ線、α線、β線などの攟射線を挙げるこず
ができる。 䞊蚘のようにしお被写䜓もしくは被怜䜓からの
攟射線を吞収した蛍光䜓を励起する電磁波の光源
ずしおは、450〜900nmの波長領域にバンドスペ
クトル分垃をも぀光を攟射する光源のほかに、
Arむオンレヌザヌ、He−Neレヌザヌ、ルビ
ヌ・レヌザヌ、半導䜓レヌザヌ、ガラス・レヌザ
ヌ、YAGレヌザヌ、Krガスむオンレヌザヌ、色
玠レヌザヌ等のレヌザヌおよび発光ダむオヌドな
どの光源を䜿甚するこずができる。これらのうち
でレヌザヌ光は、単䜍面積圓りの゚ネルギヌ密床
の高いレヌザヌビヌムを攟射線像倉換パネルに照
射するこずができるため、本発明においお甚いる
励起甚光源ずしお奜たしい。それらのうちでその
安定性および出力などの点から、奜たしいレヌザ
ヌ光はHe−NeレヌザヌおよびArむオンレヌザ
ヌである。たた、半導䜓レヌザヌは、小型である
こず、駆動電力が小さいこず、盎接倉調が可胜な
ので出力の安定化が簡単にできるこず、などの理
由により励起光源ずしお奜たしい。 次に、本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる
攟射線像倉換パネルに぀いお説明する。 この攟射線像倉換パネルは、前述のように、実
質的に支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた前蚘
組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻
耇合ハロゲン化物蛍光䜓を分散状態で含有支持す
る結合剀からなる少なくずも䞀局の蛍光䜓局ずか
ら構成される。 䞊蚘の構成を有する攟射線像倉換パネルは、た
ずえば、次に述べるような方法により補造するこ
ずができる。 たず、攟射線像倉換パネルに甚いられる䞊蚘組
成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻耇
合ハロゲン化物蛍光䜓぀いお説明する。 この二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍
光䜓は、たえば、以䞋に蚘茉するような補造法よ
り補造するこずができる。 たず、蛍光䜓原料ずしお、  BaF2、SrF2およびCaF2からなる矀より遞ば
れる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属北化
物、  BaCl2、SrCl2、CaCl2、BaBr2、SrBr2、
CaBr2、BaI2、SrI2およびCaI2からなる矀より
遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属ハ
ロゲン化物、  CsF、CsCl、CsBrおよびCsIからなる矀より
遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ金属ハロゲ
ン化物、  ハロゲン化物、酞化物、硝酞塩、硫酞塩など
のナヌロピりムの化合物からなる矀より遞ばれ
る少なくずも䞀皮のナヌロピりム化合物、 を甚意する。堎合によ぀おは、さらにハロゲン化
アンモニりムNH4X″ただし、X″はCl、Brた
たはであるなどをフラツクスずしお䜿甚しお
もよい。 蛍光䜓の補造に際しおは、䞊蚘のアルカリ土
類金属北化物、のアルカリ土類金属ハロゲン化
物、のセシりムハロゲン化物およびのナヌロ
ピりム化合物を甚いお、化孊量論的に、組成匏
 M〓FX・aM〓X′xEu  ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀
より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属
でありM〓はCsでありはCl、Brおよびか
らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
でありX′は、Cl、Brおよびからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンでありそ
しおおよびはそれぞれ≊1.5および
≊0.2の範囲の数倀である に察応する盞察比ずなるように秀量混合しお、蛍
光䜓原料の混合物を調補する。 本発明に甚いられる蛍光䜓の補造法においお、
䞻ずしお茝尜発光茝床の点から、組成匏に
おいおアルカリ土類金属を衚わすM〓はBaである
のが、ハロゲンを衚わすはBrであるのが、同
じくハロゲンを衚わすX′はBrおよびのうちの
少なくずも䞀皮であるのが、たたナヌロピりムの
賊掻量を衚わす倀は10-5≊≊10-2の範囲にあ
るのが奜たしい。 蛍光䜓原料混合物の調補は、 䞊蚘、、およびの蛍光䜓原料を単に
混合するこずによ぀お行な぀おもよく、あるい
は、 たず、䞊蚘、、およびの蛍光䜓原料を
混合し、この混合物を100℃以䞊の枩床で数時
間加熱したのち、埗られた熱凊理物に䞊蚘の
蛍光䜓原料を混合するこずによ぀お行な぀おも
よいし、あるいは、 たず、䞊蚘、およびの蛍光䜓原料を懞
濁液の状態で混合し、この懞濁液を加枩䞋奜
たしくは50〜200℃で枛圧也燥、真空也燥、
噎霧也燥などにより也燥し、しかるのち埗られ
た也燥物に䞊蚘の蛍光䜓原料を混合するこず
によ぀お行な぀おもよい。 なお、䞊蚘の方法の倉法ずしお、䞊蚘、
、およびの蛍光䜓原料を混合し、埗られた
混合物に䞊蚘熱凊理を斜す方法、あるいは䞊蚘
、およびの蛍光䜓原料を混合し、この混合
物に䞊蚘熱凊理を斜し、埗られた熱凊理物に䞊蚘
の蛍光䜓原料を混合する方法を利甚しおもよ
い。たた、䞊蚘の方法の倉法ずしお、䞊蚘、
、およびの蛍光䜓原料を懞濁液の状態で混
合し、この懞濁液を也燥する方法、あるいは䞊蚘
、およびの蛍光䜓原料を懞濁液の状態で混
合し、この懞濁液を也燥したのち埗られた也燥物
に䞊蚘の蛍光䜓原料を混合する方法を利甚しお
もよい。 䞊蚘、およびのいずれの方法のおいお
も、混合には、各皮ミキサヌ、型ブレンダヌ、
ボヌルミル、ロツドミルなどの通垞の混合機が甚
いられる。 次に、䞊蚘のようにしお埗られた蛍光䜓原料混
合物を石英ボヌト、アルミナルツボ、石英ルツボ
などの耐熱性容噚に充填し、電気炉䞭で焌成を行
なう。焌成枩床は500〜1300℃の範囲が適圓であ
り、奜たしくは700〜1000℃の範囲である。焌成
時間は蛍光䜓原料混合物の充填量および焌成枩床
などによ぀おも異なるが、䞀般には0.5〜時間
が適圓である。焌成雰囲気ずしおは、少量の氎玠
ガスを含有する窒玠ガス雰囲気、あるいは、䞀酞
化炭玠を含有する二酞化炭玠雰囲気などの匱還元
性の雰囲気を利甚する。䞀般に䞊蚘の蛍光䜓原
料ずしお、ナヌロピりムの䟡数が䞉䟡のナヌロピ
りム化合物が甚いられるが、その堎合に焌成過皋
においお、䞊蚘匱還元性の雰囲気によ぀お䞉䟡の
ナヌロピりムは二䟡のナヌロピりムに還元され
る。 䞊蚘焌成によ぀お粉末状の蛍光䜓が埗られる。
なお、埗られた粉末状の蛍光䜓に぀いおは、必芁
に応じお、さらに、掗浄、也燥、ふるい分けなど
の蛍光䜓の補造における各皮の䞀般的な操䜜を行
な぀おもよい。 第図は、本発明に甚いられる蛍光䜓の具䜓䟋
であるBaFBr・CsIEu2+蛍光䜓、BaFBr・
CsClEu2+蛍光䜓およびBaFBr・CsBrEu2+蛍
光䜓の線回折パタヌンそれぞれ、および
、䞊びに埓来公知のBaFBrEu2+蛍光䜓およ
びCsIの線回折パタヌンそれぞれおよび
を瀺すものであり、これらの線回折パタヌンは
いずれもCu、Kα〓で枬定したものである。 第図−、およびから、䞊蚘組成匏
におけるX′が互いに異なる本発明に甚いら
れる䞉皮の蛍光䜓は、いずれも同様の結晶構造を
有しおいるこずが明らかである。たた本発明に甚
いられる蛍光䜓は、組成的には埓来公知の
BaFBrEu2+蛍光䜓にCsX′を付加したものであ
が、第図−、およびず第図−ずの比
范から明らかなように、本発明に甚いられる蛍光
䜓の結晶構造はBaFBrEu2+蛍光䜓の結晶構造
ずは党く異なるものである。さらに第図−ず
第図−ずの比范から明らかなように、本発明
に甚いられるBaFBr・CsIEu2+蛍光䜓の結晶構
造は、CsIの結晶構造ずも党く異なるものである。
なお、CsClおよびCsBrはCsIず同様の結晶構造を
有しおおり、埓぀おBaFBr・CsClEu2+蛍光䜓
およびBaFBr・CsBrEu2+蛍光䜓の結晶構造も
たた、それぞれCsClおよびCsBrの結晶構造ずは
党く異なるものである。 なお、第図−、およびに瀺される蛍光
䜓の線回折パタヌンはいずれもCsX′の量を衚
わす倀がの堎合のものであるが、倀の倉化
に䌎な぀お線回折パタヌンはそのピヌク䜍眮が
連続的に倉化するこずが確認されおいる。しかし
ながら、倀がに近づいおもその線回折パタ
ヌン䞭にBaFBrEu2+蛍光䜓特有のピヌクは芋
られず、このような点から本発明に甚いられる蛍
光䜓の結晶構造は、埓来公知のBaFBrEu2+蛍
光䜓の結晶構造ずは異なるものであるずいうこず
ができる。 以䞊、BaFBr・aCsIEu2+蛍光䜓、BaFBr・
aCsClEu2+蛍光䜓およびBaFBr・aCsBrEu2+
蛍光䜓の堎合を䟋にず぀お本発明に甚いられる二
䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓の結
晶構造を説明したが、本発明に甚いられるその他
の蛍光䜓に぀いおもその結晶構造は䞊述ず同様で
あるこずが確認されおいる。 次に、二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓がその䞭に分散せしめられお圢成される蛍
光䜓局の結合剀の䟋ずしおは、れラチン等の蛋癜
質、デキストラン等のポリサツカラむド、たたは
アラビアゎムのような倩然高分子物質および、
ポリビニルブチラヌル、ポリ酢酞ビニル、ニトロ
セルロヌス、゚チルセルロヌス、塩化ビニリデ
ン・塩化ビニルコポリマヌ、ポリアルキルメ
タアクリレヌト、塩化ビニル・酢酞ビニルコポ
リマヌ、ポリりレタン、セルロヌスアセテヌトブ
チレヌト、ポリビニルアルコヌル、線状ポリ゚ス
テルなどのような合成高分子物質などにより代衚
される結合剀を挙げるこずができる。このような
結合剀のなかで特に奜たしいものは、ニトロセル
ロヌス、線状ポリ゚ステル、ポリアルキルメ
タアクリレヌト、ニトロセルロヌスず線状ポリ
゚ステルずの混合物、およびニトロセルロヌスず
ポリアルキルメタアクリレヌトずの混合物で
ある。 蛍光䜓局は、たずえば、次のような方法により
支持䜓䞊に圢成するこずができる。 たず粒子状の茝尜性蛍光䜓ず結合剀ずを適圓な
溶剀に加え、これを充分に混合しお、結合剀溶液
䞭に茝尜性蛍光䜓が均䞀に分散した塗垃液を調敎
する。 塗垃液調補甚の溶剀の䟋ずしおは、メタノヌ
ル、゚タノヌル、−プロパノヌル、−ブタノ
ヌルなどの䜎玚アルコヌルメチレンクロラむ
ド、゚チレンクロラむドなどの塩玠原子含有炭化
氎玠アセトン、メチル゚チルケトン、メチルむ
゜ブチルケトンなどのケトン酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの䜎玚脂肪酞ず䜎玚アル
コヌルずの゚ステルゞオキサン、゚チレングリ
コヌルモノ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌル
モノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテルそしお、そ
れらの混合物を挙げるこずができる。 塗垃液における結合剀ず茝尜性蛍光䜓ずの混合
比は、目的ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍
光䜓の皮類などによ぀お異なるが、䞀般には結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比は、乃至100重
量比の範囲から遞ばれ、そしお特に乃至
40重量比の範囲から遞ぶのが奜たしい。 なお、塗垃液には、該塗垃液䞭における蛍光䜓
の分散性を向䞊させるための分散剀、たた、圢成
埌の蛍光䜓局䞭における結合剀ず蛍光䜓ずの間の
結合力を向䞊させるための可塑剀などの皮々の添
加剀が混合されおいおもよい。そのような目的に
甚いられる分散剀の䟋ずしおは、フタル酞、ステ
アリン酞、カプロン酞、芪油性界面掻性剀などを
挙げるこずができる。そしお可塑剀の䟋ずしお
は、燐酞トリプニル、燐酞トリクレゞル、燐酞
ゞプニルなどの燐酞゚ステルフタル酞ゞ゚チ
ル、フタル酞ゞメトキシ゚チルなどのフタル酞゚
ステルグリコヌル酞゚チルフタリル゚チル、グ
リコヌル酞ブチルフタリルブチルなどのグリコヌ
ル酞゚ステルそしお、トリ゚チレングリコヌル
ずアゞピン酞ずのポリ゚ステル、ゞ゚チレングリ
コヌルずコハク酞ずのポリ゚ステルなどのポリ゚
チレングリコヌルず脂肪族二塩基酞ずのポリ゚ス
テルなどを挙げるこずができる。 䞊蚘のようにしお調補された蛍光䜓ず結合剀ず
を含有する塗垃液を、次に、支持䜓の衚面に均䞀
に塗垃するこずにより塗垃液の塗膜を圢成する。
この塗垃操䜜は、通垞の塗垃手段、たずえば、ド
クタヌブレヌド、ロヌルコヌタヌ、ナむフコヌタ
ヌなどを甚いるこずにより行なうこずができる。 支持䜓ずしおは、埓来の攟射線写真法における
増感玙たたは増感甚スクリヌンの支持䜓ずし
お甚いられおいる各皮の材料、あるいは攟射線像
倉換パネルの支持䜓ずしお公知の材料から任意に
遞ぶこずができる。そのような材料の䟋ずしお
は、セルロヌスアセテヌト、ポリ゚ステル、ポリ
゚チレンテレフタレヌト、ポリアミド、ポリむミ
ド、トリアセテヌト、ポリカヌボネヌトなどのプ
ラスチツク物質のフむルム、アルミニりム箔、ア
ルミニりム合金箔などの金属シヌト、通垞の玙、
バラむタ玙、レゞンコヌト玙、二酞化チタンなど
の顔料を含有するピグメント玙、ポリビニルアル
コヌルなどをサむゞングした玙などを挙げるこず
ができる。 ただし、攟射線像倉換パネルの情報蚘録材料ず
しおの特性および取扱いなどを考慮した堎合、本
発明においお特に奜たしい支持䜓の材料はプラス
チツクフむルムである。このプラスチツクフむル
ムにはカヌボンブラツクなどの光吞収性物質が緎
り蟌たれおいおもよく、あるいは二酞化チタンな
どの光反射性物質が緎り蟌たれおいおもよい。前
者は高鮮鋭床タむプの攟射線像倉換パネルに適し
た支持䜓であり、埌者は高感床タむプの攟射線像
倉換パネルに適した支持䜓である。 公知の攟射線像倉換パネルにおいお、支持䜓ず
蛍光䜓局の結合を匷化するため、あるいは攟射線
像倉換パネルずしおの感床もしくは画質鮮鋭
床、粒状性を向䞊させるために、蛍光䜓局が蚭
けられる偎の支持䜓衚面にれラチンなどの高分子
物質を塗垃しお接着性付䞎局ずしたり、あるいは
二酞化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
局、もしくはカヌボンブラツクなどの光吞収性物
質からなる光吞収局などを蚭けるこずが知られお
いる。本発明においお甚いられる支持䜓に぀いお
も、これらの各皮の局を蚭けるこずができ、それ
らの構成は所望の攟射線像倉換パネル目的、甚途
などに応じお任意に遞択するこずができる。 さらに、本出願人による特願昭57−82431号明
现曞に蚘茉されおいるように、埗られる画像の鮮
鋭床を向䞊させる目的で、支持䜓の蛍光䜓局偎の
衚面支持䜓の蛍光䜓局偎の衚面に接着性付䞎
局、光反射局あるいは光吞収局などが蚭けられお
いる堎合には、その衚面を意味するには埮小の
凹凞が圢成されおいおもよい。 䞊蚘のようにしお支持䜓䞊に塗膜を圢成したの
ち塗膜を也燥しお、支持䜓䞊ぞの茝尜性蛍光䜓局
の圢成を完了する。蛍光䜓局の局厚は、目的ずす
る攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の皮類、結
合剀ず蛍光䜓ずの混合比などによ぀お異なるが、
通垞は20ÎŒm乃至mmずする。ただし、この局厚
は50乃至500ÎŒmずするのが奜たしい。 たた、茝尜性蛍光䜓局は、必ずしも䞊蚘のよう
に支持䜓䞊に塗垃液を盎接塗垃しお圢成する必芁
はなく、たずえば、別に、ガラス板、金属板、プ
ラスチツクシヌトなどのシヌト䞊に塗垃液を塗垃
し也燥するこずにより蛍光䜓局を圢成したのち、
これを、支持䜓䞊に抌圧するか、あるいは接着剀
を甚いるなどしお支持䜓ず蛍光䜓局ずを接合しお
もよい。 茝尜性蛍光䜓局は䞀局だけでもよいが、二局以
䞊を重局しおもよい。重局する堎合にはそのうち
の少なくずも䞀局が組成匏の二䟡ナヌロピ
りム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓を含有する局で
あればよく、パネルの衚面に近い方に向぀お順次
攟射線に察する発光効率が高くなるように耇数の
蛍光䜓局を重局した構成にしおもよい。たた単局
および重局のいずれの堎合も、䞊蚘蛍光䜓ずずも
に公知の茝尜性蛍光䜓を䜵甚するこずができる。 そのような公知の茝尜性蛍光䜓の䟋ずしおは、
前述の蛍光䜓のほかに、特開昭55−12142号公報
に蚘茉されおいるZnSCu、Pb、BaO・
xAl2O3Euただし、0.8≊≊10、およびM〓
・xSiO2ただし、M〓はMg、Ca、Sr、
Zn、Cd、たたはBaであり、はCe、Tb、Eu、
Tm、Pb、Tl、Bi、たたはMnであり、は、0.5
≊≊2.5である、 特開昭55−12143号公報に蚘茉されおいる
Ba1-x-yMgxCayFXaEu2+ただし、
はClおよびBrのうちの少なくずも䞀぀であり、
およびは、≊0.6、か぀xy≠で
あり、は、10-6≊≊×10-2である、およ
び、 特開昭55−12144号公報に蚘茉されおいる
LnOXxAただし、LnはLa、、Gd、および
Luのうちの少なくずも䞀぀、はCIおよびBrの
うちの少なくずも䞀぀、はCeおよびTbのうち
の少なくずも䞀぀、そしお、は、0.1
である、 などを挙げるこずができる。 通垞の攟射線像倉換パネルにおいおは、前述の
ように支持䜓に接する偎ずは反察偎の蛍光䜓局の
衚面に、蛍光䜓局を物理的および化孊的に保護す
るための透明な保護膜が蚭けられおいる。このよ
うな透明保護膜は、本発明の攟射線像倉換パネル
に぀いおも蚭眮するこずが奜たしい。 透明保護膜は、たずえば、酢酞セルロヌス、ニ
トロセルロヌスなどのセルロヌス誘導䜓あるい
はポリメチルメタクリレヌト、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリカヌボネヌ
ト、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニル・酢酞ビニルコ
ポリマヌなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適圓な溶媒に溶解しお調補した溶液を
蛍光䜓局の衚面に塗垃する方法により圢成するこ
ずができる。あるいは、ポリ゚チレンテレフタレ
ヌト、ポリ゚チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別に圢成した透明な薄膜を蛍光䜓
局の衚面に適圓な接着剀を甚いお接着するなどの
方法によ぀お圢成するこずができる。このように
しお圢成する透明保護膜の膜厚は、玄0.1乃至
20ÎŒmずするのが望たしい。 次に本発明の実斜䟋および比范䟋を蚘茉する。
ただし、これらの各䟋は本発明を制限するもので
はない。 実斜䟋  北化バリりムBaF2175.3、臭化バリりム
BaBr2・2H2O333.2、沃化セシりムCsI
519.6、および臭化ナヌロピりムEuBr3
0.783をボヌルミルを甚いお充分に混合した。 次に、埗られた蛍光䜓原料混合物をアルミナル
ツボに充填し、これを高枩電気炉に入れお焌成を
行な぀た。焌成は、䞀酞化炭玠を含む二酞化炭玠
雰囲気䞭にお900℃の枩床で1.5時間かけお行な぀
た。焌成が完了したのち、焌成物を炉倖に取り出
しお冷华した。 このようにしお、粉末状の二䟡ナヌロピりム賊
掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓BaFBr・CsI
0.001Eu2+を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、沃化セシりムの代りに塩化
セシりムCsCl336.8を甚いるこず以倖は実
斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、
粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓BaFBr・CsCl0.001Eu2+を埗た。 実斜䟋  実斜䟋においお、沃化セシりムの代りに臭化
セシりムCsBr425.6を甚いるこず以倖は実
斜䟋の方法ず同様の操䜜を行なうこずにより、
粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物
蛍光䜓BaFBr・CsBr0.001Eu2+を埗た。 次に、実斜䟋〜で埗られた各蛍光䜓に管電
圧80KVpの線を照射したのち、He−Neレヌザ
ヌ光波長632.8nmで励起したずきの茝尜発
光スペクトルを枬定した。埗られた結果を第図
に瀺す。 第図においお、 曲線 BaFBr・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜発光スペクトル 曲線 BaFBr・CsBr0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜発光スペクトル 曲線 BaFBr・CsI0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜発光スペクトル である。 たた、実斜䟋〜で埗られた各蛍光䜓に管電
圧80KVpの線を照射したのち、450〜1000nm
の波長領域の光で励起した時のそれぞれの蛍光䜓
のピヌク発光波長における茝尜励起スペクトルを
枬定した。埗られた結果を第図に瀺す。 第図においお、 曲線 BaFBr・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜励起スペクトル 曲線 BaFBr・CsBr0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜励起スペクトル 曲線 BaFBr・CsI0.001Eu2+蛍光䜓
実斜䟋の茝尜励起スペクトル である。 実斜䟋  実斜䟋〜で埗られた䞉皮の二䟡ナヌロピり
ム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓それぞれを甚いお
以䞋に述べるような方法で攟射線像倉換パネルを
補造した。 たず、蛍光䜓粒子ず線状ポリ゚ステル暹脂ずの
混合物にメチル゚チルケトンを添加し、さらに硝
化床11.5のニトロセルロヌスを添加しお蛍光䜓
を分散状態で含有する分散液を調補した。次に、
この分散液に燐酞トリクレゞル、−ブタノヌ
ル、そしおメチル゚チルケトンを添加した埌、プ
ロペラミキサヌを甚いお充分に撹拌混合しお、蛍
光䜓が均䞀に分散し、か぀結合剀ず蛍光䜓ずの混
合比が10、粘床が25〜35PS25℃の塗垃液
を調補した。 次に、ガラス板䞊に氎平に眮いた二酞化チタン
緎り蟌みポリ゚チレンテレフタレヌトシヌト支
持䜓、厚み250ÎŒmの䞊に塗垃液をドクタヌブ
レヌドを甚いお均䞀に塗垃した。そしお塗垃埌
に、塗膜が圢成された支持䜓を也燥噚内に入れ、
この也燥噚の内郚の枩床を25℃から100℃に埐々
に䞊昇させお、塗膜の也燥を行な぀た。このよう
にしお、支持䜓䞊に局厚が250ÎŒmの蛍光䜓局を圢
成した。 そしお、この蛍光䜓局の䞊にポリ゚テレンテレ
フタレヌトの透明フむルム厚み12ÎŒm、ポリ
゚ステル系接着剀が付䞎されおいるものを接着
剀局偎を䞋に向けお眮いお接着するこずにより、
透明保護膜を圢成し、支持䜓、蛍光䜓局、および
透明保護膜から構成された攟射線像倉換パネルを
埗た。 次に、実斜䟋で埗られた各攟射線像倉換パネ
ルに、管電圧80KVpの線を照射した埌He−Ne
レヌザヌ光で励起しお、パネルの感床茝尜発光
茝床を枬定した。その結果を、埓来の
BaFBr0.001Eu2+蛍光䜓を甚いお実斜䟋ず党
く同様にしお補造した攟射線像倉換パネルに぀い
お、同䞀条件䞋においお枬定した感床ず比范しお
第衚に瀺す。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋においお、臭化ナヌロピりムの量を
0.392にする以倖は実斜䟋ず同様の操䜜を行
なうこずにより、粉末状の二䟡ナヌロピりム賊掻
耇合ハロゲン化物蛍光䜓BaFBr・CsBr×
10-4Eu2+を埗た。 比范䟋  実斜䟋においお、臭化セシりムの代りに臭化
リチりムLiBr173.6を甚いるこず以倖は実
斜䟋ず同様の操䜜を行なうこずにより、粉末状
の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓
BaFBr・LiBr×10-4Eu2+を埗た。 比范䟋  実斜䟋においお、臭化セシりムの代りに臭化
ナトリりムNaBr205.8を甚いるこず以倖は
実斜䟋ず同様の操䜜を行なうこずにより、粉末
状の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光
䜓BaFBr・NaBr×10-4Eu2+を埗た。 比范䟋  実斜䟋においお、臭化セシりムの代りに臭化
カリりムKBr238.0を甚いるこず以倖は実
斜䟋ず同様の操䜜を行なうこずにより、粉末状
の二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓
BaFBr・KBr×10-4Eu2+を埗た。 瞬時発光の残光および茝尜発光茝床の枬定 䞊蚘のようにしお埗た実斜䟋および比范䟋
〜の蛍光䜓に぀いお、瞬時発光の残光ず茝尜発
光茝床の枬定を行な぀た。 瞬時発光の残光の枬定は、各蛍光䜓に管電圧
80KVpの線を照射したのち10秒埌に、この
線の励起によ぀お発光した瞬時発光の残光の匷床
を枬定するこずで行な぀た。たた、さらに䞊蚘の
線照射の20秒埌にHe−Neレヌザヌ光
632.8nmで励起しお茝尜発光茝床を枬定した。 枬定結果を第衚に瀺す。ただし、残光の匷床
および茝尜発光茝床の数倀は実斜䟋の蛍光䜓の
数倀を100した盞察倀で瀺した。
【衚】 【図面の簡単な説明】
第図は、本発明に甚いられる二䟡ナヌロピり
ム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓の具䜓䟋である
BaFBr・CsCl0.001Eu2+蛍光䜓、BaFBr・
CsBr0.001Eu2+蛍光䜓およびBaFBr・CsI
0.001Eu2+蛍光䜓の茝尜励起スペクトルそれぞ
れ曲線およびである。第図は、本発
明に甚いられる二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲ
ン化物蛍光䜓の具䜓䟋であるBaFBr・CsCl
0.001Eu2+蛍光䜓、BaFBr・CsBr0.001Eu2+蛍
光䜓およびBaFBr・CsI0.001Eu2+蛍光䜓の茝
尜発光スペクトルそれぞれ曲線および
である。第図は、本発明に甚いられる
BaFBr・aCsI0.001Eu2+蛍光䜓ずBaFBr・
aRbI0.001Eu2+蛍光䜓における倀ず茝尜発光
茝床ずの関係を瀺すグラフであり、曲線は
BaFBr・aCsI0.001Eu2+蛍光䜓の堎合、曲線
はBaFBr・aRbI0.001Eu2+蛍光䜓の堎合であ
る。 第図は、本発明に甚いられる攟射線像倉換方
法を説明する抂略図である。 攟射線発生装眮、被写䜓、
攟射線像倉換パネル、光源、光電倉
換装眮、画像再生装眮、画像衚瀺装
眮、フむルタヌ。 第図は、本発明に甚いられる二䟡ナヌロピり
ム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓の具䜓䟋である
BaFBr・CsI0.001Eu2+蛍光䜓、BaFBr・
CsCl0.001Eu2+蛍光䜓およびBaFBr・CsBr
0.001Eu2+蛍光䜓の線回折パタヌンそれぞれ
、および、䞊びに埓来公知のBaFBr
0.001Eu2+蛍光䜓およびCsIの線回折パタヌン
それぞれおよびを瀺す図である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  被写䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せ
    られた攟射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる
    二䟡ナヌロピりム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓に
    吞収させたのち、この蛍光䜓に450〜900nmの波
    長領域の電磁波を照射するこずにより、該蛍光䜓
    に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌを蛍光ずしお
    攟出させ、そしおこの蛍光を怜出するこずを特城
    ずする攟射線像倉換方法。 組成匏 M〓FX・aM〓X′xEu2+  ただし、M〓はBa、SrよびCaからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
    ありM〓はCsでありはCl、Brおよびから
    なる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンで
    ありX′は、Cl、Brおよびからなる矀より
    遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンでありそし
    おおよびはそれぞれ≊1.5および
    ≊0.2の範囲の数倀である  組成匏におけるがであるこずを特
    城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線倉換
    方法。  組成匏におけるがBrであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像
    倉換方法。  組成匏におけるX′がBrおよびのう
    ちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるM〓がBaであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像
    倉換方法。  組成匏におけるが10-5≊≊10-2の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波が500〜800nmの波長領域の電磁
    波であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波がレヌザヌ光であるこずを特城ず
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方
    法。  支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性
    蛍光䜓を分散状態で含有支持する結合剀からなる
    少なくずも䞀局の蛍光䜓局ずから実質的に構成さ
    れおおり、該蛍光䜓局のうちの少なくずも䞀局
    が、䞋蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピ
    りム賊掻耇合ハロゲン化物蛍光䜓を含有するこず
    を特城ずする攟射線像倉換パネル。 組成匏 M〓FX・aM〓X′xEu2+  ただし、M〓はBaSrおよびCaからなる矀
    より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属
    でありM〓はCsでありはClBrおよびか
    らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
    でありX′はClBrおよびからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンでありそ
    しおおよびはそれぞれ≊1.5および
    ≊0.2の範囲の数倀である  組成匏におけるがであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像
    倉換パネル。  組成匏におけるがBrであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線
    像倉換パネル。  組成匏におけるX′がBrおよびの
    うちの少なくずも䞀皮であるこずを特城ずする特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるM〓がBaであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線
    像倉換パネル。  組成匏におけるが10-5≊≊10-2
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。
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