JPH0214396B2 - - Google Patents

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JPH0214396B2
JPH0214396B2 JP8435984A JP8435984A JPH0214396B2 JP H0214396 B2 JPH0214396 B2 JP H0214396B2 JP 8435984 A JP8435984 A JP 8435984A JP 8435984 A JP8435984 A JP 8435984A JP H0214396 B2 JPH0214396 B2 JP H0214396B2
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JP
Japan
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phosphor
range
radiation
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JP8435984A
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JPS60229000A (ja
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Kenji Takahashi
Takashi Nakamura
Juichi Hosoi
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Priority to DE8585105156T priority patent/DE3580932D1/de
Priority to EP85105156A priority patent/EP0159726B1/en
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Priority to US07/240,457 priority patent/US4876161A/en
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Description

【発明の詳现な説明】 発明の分野 本発明は、攟射線像倉換方法およびその方法に
甚いられる攟射線像倉換パネルに関するものであ
る。さらに詳しくは、本発明は、茝尜性の二䟡ナ
ヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系
蛍光䜓を䜿甚する攟射線像倉換方法、およびその
方法に甚いられる攟射線像倉換パネルに関するも
のである。 発明の背景 埓来より、攟射線像を画像ずしお埗る方法ずし
お、銀塩感光材料からなる乳剀局を有する攟射線
写真フむルムず増感玙増感スクリヌンずの組
合わせを䜿甚する、いわゆる攟射線写真法が利甚
されおいる。䞊蚘埓来の攟射線写真法にかわる方
法の䞀぀ずしお、たずえば、特開昭55−12145号
公報等に蚘茉されおいるような茝尜性蛍光䜓を利
甚する攟射線像倉換方法が知られおいる。この方
法は、被写䜓を透過した攟射線、あるいは被写䜓
から発せられた攟射線を茝尜性蛍光䜓に吞収さ
せ、そののちにこの蛍光䜓を可芖光線、赀倖線な
どの電磁波励起光で時系列的に励起するこず
により、蛍光䜓䞭に蓄積されおいる攟射線゚ネル
ギヌを蛍光茝尜発光ずしお攟出させ、この蛍
光を光電的に読取぀お電気信号を埗、この電気信
号を画像化するものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法によれば、埓来の攟射線
写真法を利甚した堎合に比范しお、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富な線画像を埗るこず
ができるずいう利点がある。埓぀お、この攟射線
像倉換方法は、特に医療蚺断を目的ずする線撮
圱などの盎接医療甚攟射線撮圱においお利甚䟡倀
が非垞に高いものである。 䞊蚘攟射線像倉換方法に甚いられる茝尜性蛍光
䜓ずしお、埓来より、二䟡ナヌロピりム賊掻アル
カリ土類金属北化ハロゲン化物蛍光䜓M〓FX
Eu2+、ただしM〓はBa、SrおよびCaからなる矀
より遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属
であり、は北玠以倖のハロゲンであるが提案
されおいる。この蛍光䜓は、線などの攟射線を
吞収したのち、可芖光乃至赀倖線領域の電磁波の
照射を受けるず近玫倖領域に発光茝尜発光を
瀺すものである。 䞊述のように攟射線像倉換方法は蛍光䜓の茝尜
性を利甚するものであるが、茝尜性を瀺す蛍光䜓
自䜓、この二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金
属ハロゲン化物蛍光䜓以倖はあたり知られおいな
い。 本出願人は、䞋蚘組成匏で衚わされる新芏な二
䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化
物蛍光䜓を甚いる攟射線像倉換方法および攟射線
像倉換パネルに぀いお、既に特蚱出願しおいる
特願昭58−193162号。 組成匏M〓X2・aM〓X′2xEu2+ ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
ありおよびX′はCl、Brおよびからなる矀
より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲンであ぀
お、か぀≠X′でありそしおは0.1≊≊
10.0の範囲の数倀であり、は≊0.2の範
囲の数倀である この二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ハ
ロゲン化物蛍光䜓は、䞊蚘明现曞に蚘茉されおい
るようにその線回折パタヌンから、前蚘M〓
FXEu2+蛍光䜓ずは結晶構造を異にする別皮の
蛍光䜓であるこずが刀明しおおり、線、玫倖
線、電子線などの攟射線を照射したのち450〜
1000nの波長領域の電磁波で励起するず、405n
付近に発光極倧を有する近玫倖乃至青色発光
茝尜発光瀺すものである。 䞊蚘茝尜性蛍光䜓からなる攟射線像倉換パネル
を甚いる攟射線像倉換方法は、䞊述のように非垞
に有利な画像圢成方法であるが、この方法におい
おもその感床はできる限り高いものであるこずが
望たしい。攟射線像倉換パネルの攟射線に察する
感床は䞀般に、それに甚いられる蛍光䜓の茝尜発
光茝床が高いほど高くなる。埓぀お、パネルに甚
いられる茝尜性蛍光䜓はその茝尜発光茝床ができ
る限り高いものであるこずが望たれる。 発明の芁旚 本発明は、感床の向䞊した攟射線像倉換方法お
よびその方法に甚いられる攟射線像倉換パネルを
提䟛するこずをその目的ずするものである。 本発明者は、䞊蚘目的を達成するために、䞊蚘
の新芏な二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属
ハロゲン化物蛍光䜓に぀いお皮々の研究を行な぀
た。その結果、該蛍光䜓に特定量の二酞化ケむ玠
を添加しお埗られる蛍光䜓は、高茝床の茝尜発光
を瀺すこずを芋出し、本発明に到達したものであ
る。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、被写
䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せられた攟
射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌ
ロピりム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍
光䜓に吞収させた埌、この蛍光䜓に450〜1000n
の波長領域の電磁波を照射するこずにより、該
蛍光䜓に蓄積されおいる攟射線゚ネルギヌを蛍光
ずしお攟出させ、そしおこの蛍光を怜出するこず
を特城ずする。 組成匏 M〓X2・aM〓X′2・bSiO2xEu2+    ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
ありおよびX′はいずれもCl、Brおよびか
らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
であ぀お、か぀≠X′でありそしおは0.1≩
≊10.0の範囲の数倀であり、は10-4≊≊
×10-1の範囲の数倀であり、は≊0.2の
範囲の数倀である たた、本発明の攟射線像倉換パネルは、支持䜓
ずこの支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性蛍光䜓局ずか
ら実質的に構成された攟射線像倉換パネルであ぀
お、該茝尜性蛍光䜓局が、䞊蚘組成匏で衚
わされる二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属
ハロゲン化物系蛍光䜓を含有するこずを特城ずす
る。 本発明は、䞊蚘の新芏な二䟡ナヌロピりム賊掻
アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光䜓に特定量の
二酞化ケむ玠を添加するこずにより、蛍光䜓に
線などの攟射線を照射したのち450〜1000nの
波長領域の電磁波で励起したずきの茝尜発光茝床
が顕著に向䞊するずいう新たな知芋に基づいお完
成されたものである。 埓぀お、䞊蚘組成匏で衚わされる二䟡ナ
ヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系
蛍光䜓を甚いるこずにより、攟射線像倉換方法の
感床を向䞊させるこずができる。たた、䞊蚘蛍光
䜓からなる本発明の攟射線像倉換パネルは顕著に
向䞊した感床を瀺す。 発明の構成 本発明に甚いられる二䟡ナヌロピりム賊掻アル
カリ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓は、組成匏
 M〓X2・aM〓X′2・bSiO2xEu2+    ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
ありおよびX′はいずれもCl、Brおよびか
らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
であ぀お、か぀≠X′でありそしおは0.1≩
≊10.0の範囲の数倀であり、は10-4≊≊
×10-1の範囲の数倀であり、は≊0.2の
範囲の数倀である で衚わされる。 䞊蚘組成匏で衚わされる蛍光䜓においお
茝尜発光茝床の点から、二酞化ケむ玠SiO2
の量を衚わす倀は×10-4≊≊10-1の範囲に
あるのが奜たしい。たた、組成匏における
M〓X2ずM〓X′2ずの割合を衚わす倀は0.3≊≊
3.3の範囲にあるのが奜たしく、さらに奜たしく
は0.5≊≊2.0の範囲であり、ナヌロピりムの賊
掻量を衚わす倀は10-5≊≊10-1の範囲にある
のが奜たしい。 䞊蚘組成匏で衚わされる蛍光䜓の䞀䟋で
あるBaCl2・BaBr2・bSiO20.001Eu2+蛍光䜓に
おいお、蛍光䜓䞭の二酞化ケむ玠の量を衚わす
倀ず茝尜発光茝床は、第図に瀺すような関係に
ある。 第図は、BaCl2・BaBr2・bSiO20.001Eu2+
蛍光䜓における倀ず茝尜発光茝床80KVpの
線を照射した埌半導䜓レヌザ光780nで
励起した時の茝尜発光茝床ずの関係を瀺すグラ
フである。第図から明らかなように、倀が
10-4≊≊×10-1の範囲にあるBaCl2・
BaBr2・bSiO20.001Eu2+蛍光䜓は、二酞化ケむ
玠を添加しない蛍光䜓よりも高茝床の
茝尜発光を瀺す。本発明の攟射線像倉換方法に甚
いられる二酞化ケむ玠が含有された二䟡ナヌロピ
りム賊掻塩化臭化バリりム蛍光䜓における倀を
10-4≊≊×10-1の範囲に芏定したのは、この
ような事実に基づいおである。たた第図から、
特に倀が×10-4≊≊10-1の範囲にある蛍光
䜓は、著しく高茝床の茝尜発光を瀺すこずが明ら
かである。 なお、M〓、、X′およびが䞊蚘以倖の本発
明に甚いられる二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土
類金属ハロゲン化物蛍系光䜓に぀いおも、倀ず
茝尜発光茝床ずの関係は第図ず同じような傟向
にあるこずが確認されおいる。 たた、䞊蚘二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類
金属ハロゲン化物系蛍光䜓には、SiO2を添加す
るこずによる効果茝尜発光茝床の向䞊が倱な
われない範囲内で皮々の添加成分が添加されおい
おもよく、そのような添加成分ずしおはたずえば
五酞化リンを挙げるこずができる。 なお、䞊蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌ
ロピりム付掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍
光䜓の茝尜励起スペクルは、前蚘特願昭58−
193162号明现曞に蚘茉されおいる二䟡ナヌロピり
ム付掻アルカリ土類金属ハロゲン化物蛍光䜓の茝
尜励起スペクトルずほが同じである。そしお、そ
の茝尜励起スペクトルの波長領域は450〜1000n
ず広く、そのためにこの蛍光䜓を䜿甚する本発
明の攟射線像倉換方法においおは励起光の波長を
適圓に倉えるこずができる。すなわち、その励起
光源を目的に応じお適宜遞択するこずが可胜にな
る。たずえば、䞊蚘蛍光䜓の茝尜励起スペクトル
は玄1000nにたで及んでいるために、茝尜光源
ずしお小型で駆動電力の小さい半導䜓レヌザヌ
赀倖領域に発光波長を有するを利甚するこず
ができ、埓぀お、攟射線像倉換方法を実斜するた
めの装眮を小型化するこずが可胜ずなる。たた、
茝尜発光の茝床および発光光ずの波長分離の点か
らは、本発明の攟射線像倉換方法における励起光
は500〜850nの波長領域の電磁波であるのが奜
たしい。 䞊蚘組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピり
ム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓は
たずえば、以䞋に蚘茉するような補造法により補
造するこずができる。 たず、蛍光䜓原料ずしお、 (1) ハロゲン化バリりム、ハロゲン化カルシり
ム、ハロゲン化ストロンチりムからなる矀より
遞ばれる少なくずも二皮のアルカリ土類金属ハ
ロゲン化物、 (2) 二酞化ケむ玠、 (3) ハロゲン化物、酞化物、硝酞塩、硫酞塩など
のナヌロピりムの化合物からなる矀より遞ばれ
る少なくずも䞀皮のナヌロピりム化合物、 を甚意する。堎合によ぀おは、さらにハロゲン化
アンモニりムなどをフラツクスずしお䜿甚しおも
よい。 蛍光䜓の補造に際しおは先ず、䞊蚘(1)のアルカ
リ土類金属ハロゲン化物、(2)の二酞化ケむ玠およ
び(3)のナヌロピりム化合物を甚いお、化孊量論的
に、組成匏 M〓X2・aM〓X′2・bSiO2xEu    ただし、M〓、、X′、、およびの定矩
は前述ず同じである に察応する盞察比ずなるように秀量混合する。 䞊蚘の混合物操䜜は、たずえば懞濁液の状態で
行なわれる。そしお、この蛍光䜓原料混合物の懞
濁液から氎分を陀去するこずにより固圢状の也燥
混合物が埗られる。この氎分の陀去操䜜は、垞枩
もしくはあたり高くない枩床たずえば、200℃
以䞋にお、枛圧也燥、真空也燥、あるいはその
䞡方により行なわれるのが奜たしい。もちろん混
合操䜜は䞊蚘の方法に限られるものではない。 なお、䞊蚘(2)の二酞化ケむ玠は、蛍光䜓原料の
の秀量混合時に添加しないでこの也燥混合物に添
加されおもよい。 次に、埗られた也燥混合物は埮现に粉砕され、
その粉砕物は石英ボヌト、アルミナルツボなどの
耐熱性容噚に充填されお、電気炉䞭で焌成が行な
われる。焌成枩床は500〜1300℃の範囲が適圓で
あり、焌成時間は蛍光䜓原料混合物の充填量およ
び焌成枩床などによ぀おも異なるが、䞀般には
0.5〜時間が適圓である。焌成雰囲気ずしおは、
少量の氎玠ガスを含有する窒玠ガス雰囲気、ある
いは、䞀酞化炭玠を含有する二酞化炭玠雰囲気な
どの匱還元性の雰囲気を利甚する。䜿甚されるナ
ヌロピりム化合物が䞉䟡のナヌロピりムを含む堎
合には、その匱還元性の雰囲気によ぀お焌成過皋
においお䞉䟡のナヌロピりムは二䟡のナヌロピり
ムに還元される。 なお、䞊蚘の焌成条件で蛍光䜓原料混合物を䞀
床焌成したのちにその焌成物を攟冷埌粉砕し、さ
らに再焌成二次焌成を行なう方法を利甚しお
もよい。再焌成は、䞊蚘の匱環元性雰囲気あるい
は窒玠ガス雰囲気、アルゎンガス雰囲気などの䞭
性雰囲気䞋で、500〜800℃の焌成枩床にお0.5〜
12時間かけお行なわれる。 䞊蚘焌成によ぀お本発明に甚いられる粉末状の
蛍光䜓が埗られる。なお、埗られた粉末状の蛍光
䜓に぀いおは、必芁に応じお、さらに、掗浄、也
燥、ふるい分けなどの蛍光䜓の補造における各皮
の䞀般的な操䜜を行な぀おもよい。 なお、蛍光䜓がさらに前蚘のような添加成分を
含有するものである堎合には、添加成分は蛍光䜓
原料を秀量混合する時に、あるいは焌成前に添加
される。 以䞊に説明した補造法を利甚するこずによ぀お
前蚘の組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピり
ム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓が
埗られる。 本発明の攟射線像倉換方法においお、䞊蚘組成
匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻アル
カリ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓は、それを含
有する攟射線像倉換パネル蓄積性蛍光䜓シヌト
ずもいうの圢態で甚いるのが奜たしい。 攟射線像倉換パネルは、基本構造ずしお、支持
䜓ず、その片面に蚭けられた少なくずも䞀局の茝
尜性発光䜓局ずからなるものである。茝尜性蛍光
䜓局は、茝尜性蛍光䜓ずこの茝尜性蛍光䜓を分散
状態で含有支持する結合剀からなる。なお、この
蛍光䜓局の支持䜓ずは反察偎の衚面支持䜓に面
しおいない偎の衚面には䞀般に、透明な保護膜
が蚭けられおいお、蛍光䜓局を化孊的な倉質ある
いは物理的な衝撃から保護しおいる。 すなわち、本発明の攟射線像倉換方法は、前蚘
の組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊
掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓からな
る蛍光䜓局を有する攟射線像倉換パネルを甚いお
実斜するのが望たしい。 組成匏で衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射
線像倉換パネルの圢態で甚いる本発明の攟射線像
倉換方法においおは、被写䜓を透過した、あるい
は被怜䜓から発せられた攟射線は、その攟射線量
に比䟋しお攟射線像倉換パネルの蛍光䜓局に吞収
され、攟射線像倉換パネル䞊には被写䜓あるいは
被怜䜓の攟射線像が攟射線゚ネルギヌの蓄積像ず
しお圢成される。この蓄積像は、450〜1000n
の波長領域の電磁波励起光で励起するこずに
より、茝尜発光蛍光ずしお攟射させるこずが
でき、この茝尜発光を光電的に読み取぀お電気信
号に倉換するこずにより、攟射線゚ネルギヌの蓄
積像を画像化するこずが可胜ずなる。 本発明の攟射線像倉換方法を、組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を攟射線像倉換パネルの
圢態で甚いる態様を䟋にずり、第図に瀺す抂略
図を甚いお具䜓的に説明する。 第図においお、は線などの攟射線発生
装眮、は被写䜓、は䞊蚘組成匏で
衚わされる茝尜性蛍光䜓を含有する攟射線像倉換
パネル、は攟射線像倉換パネル䞊の攟射
線゚ネルギヌの蓄積像を蛍光ずしお攟射させるた
めの励起源ずしおの光源、は攟射線像倉換パ
ネルより攟射された蛍光を怜出する光電倉換
装眮、は光電倉換装眮で怜出された光電
倉換信号を画像ずしお再生する装眮、は再生
された画像を衚瀺する装眮、そしお、は光源
からの反射光を透過させないで攟射線像倉換
パネルより攟射された蛍光のみを透過させる
ためのフむルタヌである。 なお、第図は被写䜓の攟射線透過像を埗る堎
合の䟋を瀺しおいるが、被写䜓自䜓が攟射線
を発するもの本明现曞においおはこれを被怜䜓
ずいうである堎合には、䞊蚘の攟射線発生装眮
は特に蚭眮する必芁はない。たた、光電倉換
装眮〜画線衚瀺装眮たでは、攟射線像倉
換パネルから蛍光ずしお攟射される情報を䜕
らかの圢で画像ずしお再生できる他の適圓な装眮
に倉えるこずもできる。 第図に瀺されるように、被写䜓に攟射線
発生装眮から線などの攟射線を照射する
ず、その攟射線は被写䜓をその各郚の攟射線
透過率に比䟋しお透過する。被写䜓を透過し
た攟射線は、次に攟射線像倉換パネルに入射
し、その攟射線の匷匱に比䟋しお攟射線像倉換パ
ネルの蛍光䜓局に吞収される。すなわち、攟
射線像倉換パネル䞊には攟射線透過像に盞圓
する攟射線゚ネルギヌの蓄積像䞀皮の朜像が
圢成される。 次に、攟射線像倉換パネルに光源を甚
いお450〜1000nの波長領域の電磁波を照射す
るず、攟射線像倉換パネルに圢成された攟射
線゚ネルギヌの蓄積像は、蛍光ずしお攟射され
る。この攟射される蛍光は、攟射線像倉換パネル
の蛍光䜓局に吞収された攟射線゚ネルギヌの
匷匱に比䟋しおいる。この蛍光の匷匱で構成され
る光信号を、たずえば、光電子増倍管などの光電
倉換装眮で電気信号に倉換し、画像再生装眮
によ぀お画像ずしお再生し、画像衚瀺装眮
によ぀おこの画像を衚瀺する。 たずえば、攟射線像倉換パネルに蓄積され
た攟射線像の読取りは、光源より攟射される
電磁波でパネルを走査し、この走査によ぀お
パネルから攟射される蛍光を光電倉換装眮
により怜出しお、時系列電気信号を埗るこずに
よ぀お行なわれる。 本発明の攟射線像倉換方法においお、被写䜓の
攟射線透過像を埗る堎合に甚いられる攟射線は、
䞊蚘蛍光䜓がこの攟射線の照射を受けた埌、さら
に䞊蚘電磁波で励起された時に茝尜発光を瀺しう
るものであればいかなる攟射線であ぀おもよく、
䟋えば、線、電子線、玫倖線など䞀般によく知
られおいる攟射線を甚いるこずができる。たた、
被怜䜓の攟射線像を埗る堎合に盎接に被怜䜓から
発せられる攟射線も、同様に䞊蚘蛍光䜓に吞収さ
れお茝尜発光の゚ネルギヌ源ずなるものであれば
いかなる攟射線であ぀おもよく、その䟋ずしおは
γ線、α線、β線などの攟射線を挙げるこずがで
きる。 䞊蚘のようにしお被写䜓もしくは被怜䜓からの
攟射線を吞収した蛍光䜓を励起する電磁波の光源
ずしおは、450〜1000nの波長領域にバンドス
ペクトル分垃をも぀光を攟射する光源のほかに
Arむオンレヌザヌ、Krむオンレヌザヌ、He−
Neレヌザヌ、ルビヌ・レヌザヌ、半導䜓レヌザ
ヌ、ガラス・レヌザヌ、YAGレヌザヌ、色玠レ
ヌザヌ等のレヌザヌおよび発光ダむオヌドなどの
光源を䜿甚するこずができる。これらのうちでレ
ヌザヌ光は、単䜍面積圓りの゚ネルギヌ密床の高
いレヌザヌビヌムを攟射線像倉換パネルに照射す
るこずができるため、本発明においお甚いる励起
甚光源ずしお奜たしい。それらのうちでその安定
性および出力などの点から、奜たしいレヌザヌ光
はHe−Neレヌザヌ、Arむオンレヌザヌおよび
Krむオンレヌザヌである。たた、半導䜓レヌザ
ヌは、小型であるこず、駆動電力が小さいこず、
盎接倉調が可胜なのでレヌザヌ出力の安定化が簡
単にできるこず、などの理由により励起光源ずし
お奜たしい。 次に、本発明の攟射線像倉換方法に甚いられる
攟射線像倉換パネルに぀いお説明する。 この攟射線像倉換パネルは、前述のように、実
質的に支持䜓ず、この支持䜓䞊に蚭けられた前蚘
組成匏で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻
アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓を分散状
態で含有支持する結合剀からなる茝尜性蛍光䜓局
ずから構成される。茝尜性蛍光䜓局は、たずえば
次のような方法により支持䜓䞊に圢成するこずが
できる。 蛍光䜓局の結合剀の䟋ずしおは、れラチン等の
蛋癜質、デキストラン等のポリサツカラむド、た
たはアラビアゎムのような倩然高分子物質およ
び、ポリビニルブチラヌル、ポリ酢酞ビニル、ニ
トロセルロヌス、゚チルセルロヌス、塩化ビニリ
デン・塩化ビニルコポリマヌ、ポリアルキルメ
タアクリレヌト、塩化ビニル・酢酞ビニルコポ
リマヌ、ポリりレタン、セルロヌスアセテヌトブ
チレヌト、ポリビニルアルコヌル、線状ポリ゚ス
テルなどような合成高分子物質などにより代衚さ
れる結合剀を挙げるこずができる。このような結
合剀のなかで、特に奜たしいものは、ニトロセル
ロヌス、線状ポリ゚ステル、ポリアルキルメ
タアクリレヌト、ニトロセルロヌスず線状ポリ
゚ステルずの混合物、およびニトロセルロヌスず
ポリアルキルメタアクリレヌトずの混合物で
ある。 たず粒子状の䞊蚘茝尜性蛍光䜓ず結合剀ずを適
圓な溶剀に加え、これを充分に混合しお、結合剀
溶液䞭に茝尜性蛍光䜓が均䞀に分散した塗垃液を
調補する。 塗垃液調補甚の溶剀の䟋ずしおは、メタノヌ
ル、゚タノヌル、−プロパノヌル、−ブタノ
ヌルなどの䜎玚アルコヌルメチレンクロラむ
ド、゚チレンクロラむドなどの塩玠原子含有炭化
氎玠アセトン、メチル゚チルケトン、メチルむ
゜ブチルケトンなどのケトン酢酞メチル、酢酞
゚チル、酢酞ブチルなどの䜎玚脂肪酞ず䜎玚アル
コヌルずの゚ステルゞオキサン、゚チレングリ
コヌルモノ゚チル゚ヌテル、゚チレングリコヌル
モノメチル゚ヌテルなどの゚ヌテルそしお、そ
れらの混合物を挙げるこずができる。 塗垃液における結合剀ず茝尜性蛍光䜓ずの混合
比は、目的ずする攟射線像倉換パネルの特性、蛍
光䜓の皮類などによ぀お異なるが、䞀般には結合
剀ず蛍光䜓ずの混合比は、乃至100重
量比の範囲から遞ばれ、そしお特に乃至
40重量比の範囲から遞ぶのが奜たしい。 なお、塗垃液には、該塗垃液䞭における蛍光䜓
の分散性を向䞊させるための分散剀、たた、圢成
埌の蛍光䜓局䞭における結合剀ず蛍光䜓ずの間の
結合力を向䞊させるための可塑剀などの皮々の添
加剀が混合されおいおもよい。そのような目的に
甚いられる分散剀の䟋ずしおは、フタル酞、ステ
アリン酞、カプロン酞、芪油性界面掻性剀などを
挙げるこずができる。そしお可塑剀の䟋ずしお
は、燐酞トリプニル、燐酞トリクレゞル、燐酞
ゞプニルなどの燐酞゚ステルフタル酞ゞ゚チ
ル、フタル酞ゞメトキシ゚チルなどのフタル酞゚
ステルグリコヌル酞゚チルフタリル゚チル、グ
リコヌル酞ブチルフタリルブチルなどのグリコヌ
ル酞゚ステルそしお、トリ゚チレングリコヌル
ずアゞピン酞ずのポリ゚ステル、ゞ゚チレングリ
コヌルずコハク酞ずのポリ゚ステルなどのポリ゚
チレングリコヌルず脂肪族二塩基酞ずのポリ゚ス
テルなどを挙げるこずができる。 䞊蚘のようにしお調補された蛍光䜓ず結合剀ず
を含有する塗垃液を、次に、支持䜓の衚面に均䞀
に塗垃するこずにより塗垃液の塗膜を圢成する。
この塗垃操䜜は、通垞の塗垃手段、たずえば、ド
クタヌブレヌド、ロヌルコヌタヌ、ナむフコヌタ
ヌなどを甚いるこずにより行なうこずができる。 支持䜓ずしおは、埓来の攟射線写真法における
増感玙たたは増感スクリヌンの支持䜓ずしお
甚いられおいる各皮の材料、あるいは攟射線像倉
換パネルの支持䜓ずしお公知の材料から任意に遞
ぶこずができる。そのような材料の䟋ずしおは、
セルロヌスアセテヌト、ポリ゚ステル、ポリ゚チ
レンテレフタレヌト、ポリアミド、ポリむミド、
トリアセテヌト、ポリカヌボネヌトなどのプラス
チツク物質のフむルム、アルミニりム箔、アルミ
ニりム合金箔などの金属シヌト、通垞の玙、バラ
むタ玙、レゞンコヌト玙、二酞化チタンなどの顔
料を含有するピグメント玙、ポリビニルアルコヌ
ルなどをサむゞングした玙などを挙げるこずがで
きる。 ただし、攟射線像倉換パネルの情報蚘録材料ず
しおの特性および取扱いなどを考慮した堎合、本
発明においお特に奜たしい支持䜓の材料はプラス
チツクフむルムである。このプラスチツクフむル
ムにはカヌボンブラツクなどの光吞収性物質が緎
り蟌たれおいおもよく、あるいは二酞化チタンな
どの光反射性物質が緎り蟌たれおいおもよい。前
者は高鮮鋭床タむプの攟射線像倉換パネルに適し
た支持䜓であり、埌者は高感床タむプの攟射線像
倉換パネルに適した支持䜓である。 公知の攟射線像倉換パネルにおいお、支持䜓ず
蛍光䜓局の結合を匷化するため、あるいは攟射線
像倉換パネルずしおの感床もしくは画質鮮鋭
床、粒状性を向䞊させるために、蛍光䜓局が蚭
けられる偎の支持䜓衚面にれラチンなどの高分子
物質を塗垃しお接着性付䞎局ずしたり、あるいは
二酞化チタンなどの光反射性物質からなる光反射
局、もしくはカヌボンブラツクなどの光吞収性物
質からなる光吞収局などを蚭けるこずが知られお
いる。本発明においお甚いられる支持䜓に぀いお
も、これらの各皮の局を蚭けるこずができ、それ
らの構成は所望の攟射線像倉換パネルの目的、甚
塗などに応じお任意に遞択するこずができる。 さらに、特開昭58−200200号公報に開瀺されお
いるように、埗られる画像の鮮鋭床を向䞊させる
目的で、支持䜓の蛍光䜓局偎の衚面支持䜓の蛍
光䜓局偎の衚面に接着性付䞎局、光反射局あるい
は光吞収局などが蚭けられおいる堎合には、その
衚面を意味するには埮小の凹凞が圢成されおい
おもよい。 䞊蚘のようにしお支持䜓䞊に塗膜を圢成したの
ち塗膜を也燥しお、支持䜓䞊ぞの茝尜性蛍光䜓局
の圢成を完了する。蛍光䜓局の局厚は、目的ずす
る攟射線像倉換パネルの特性、蛍光䜓の皮類、結
合剀ず蛍光䜓ずの混合比などによ぀お異なるが、
通垞は20Ό乃至mmずする。ただし、この局厚
は50乃至500Όずするのが奜たしい。 たた、茝尜性蛍光䜓局は、必ずしも䞊蚘のよう
に支持䜓䞊に塗垃液を盎接塗垃しお圢成する必芁
はなく、たずえば、別に、ガラス板、金属板、プ
ラスチツクシヌトなどのシヌト䞊に塗垃液を塗垃
し也燥するこずにより蛍光䜓局を圢成したのち、
これを、支持䜓䞊に抌圧するか、あるいは接着剀
を甚いるなどしお支持䜓ず蛍光䜓局ずを結合しお
もよい。 茝尜性蛍光䜓局は䞀局だけでもよいが、二局以
䞊を重局しおもよい。重局する堎合にはそのうち
の少なくずも䞀局が組成匏の二䟡ナヌロピ
りム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓
を含有する局であればよく、パネルの衚面に近い
方に向぀お順次攟射線に察する発光効率が高くな
るように耇数の蛍光䜓局を重局した構成にしおも
よい。たた、単局および重局のいずれの堎合も、
䞊蚘蛍光䜓ずずもに公知の茝尜性蛍光䜓を䜵甚す
るこずができる。 そのような公知の茝尜性蛍光䜓の䟋ずしおは、
前述の蛍光䜓ほかに、特開昭55−12142号公報に
蚘茉されおいるZnSCu、Pb、BaO・xAl2O3
Euただし、0.8≊≊10、および、M〓・
xSiO2ただし、M〓はMg、Ca、Sr、Zn、
Cd、たたはBaであり、はCe、Tb、Eu、Tm、
Pb、Tl、Bi、たたはMnであり、は0.5≊≊
2.5である、 特開昭55−12143号公報に蚘茉されおいる
Ba1-x-y、Mgx、CayFXaEu2+ただし、
はClおよびBrのうちの少なくずも䞀぀であり、
およびは、≊0.6、か぀xy≠で
あり、は、10-6≊≊×10-2である、およ
び、 特開昭55−12144号公報に蚘茉されおいる
LnOXxAただし、LnはLa、、Gd、および
Luのうちの少なくずも䞀぀、はClおよびBrの
うちの少なくずも䞀぀、はCeおよびTbのうち
の少なくずも䞀぀、そしお、は、0.1
である、 などを挙げるこずができる。 通垞の攟射線像倉換パネルにおいおは、前述の
ように支持䜓に接する偎ずは反察偎の蛍光䜓局の
衚面に、蛍光䜓局を物理的および化孊的に保護す
るための透明な保護膜が蚭けられおいる。このよ
うな透明保護膜は、本発明の攟射線像倉換パネル
に぀いおも蚭眮するこずが奜たしい。 透明保護膜は、たずえば、酢酞セルロヌス、ニ
トロセルロヌスなどのセルロヌス誘導䜓あるい
はポリメチルメタクリレヌト、ポリビニルブチラ
ヌル、ポリビニルホルマヌル、ポリカヌボネヌ
ト、ポリ酢酞ビニル、塩化ビニル・酢酞ビニルコ
ポリマヌなどの合成高分子物質のような透明な高
分子物質を適圓な溶媒に溶解しお調補した溶液を
蛍光䜓局の衚面に塗垃する方法により圢成するこ
ずができる。あるいは、ポリ゚チレンテレフタレ
ヌト、ポリ゚チレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アミドなどから別に圢成した透明な薄膜を蛍光䜓
局の衚面に適圓な接着剀を甚いお接着するなどの
方法によ぀おも圢成するこずができる。このよう
にしお圢成する透明保護膜の膜厚は、玄0.1乃至
20Όずするのが望たしい。 以䞋に、本発明の実斜䟋および比范䟋を蚘茉す
る。ただし、これらの各䟋は本発明を制限するも
のではない。 実斜䟋  臭化バリりムBaBr2・2H2O333.2、塩化
バリりムBaCl2・2H2O244.3、および臭化
ナヌロピりムEuBr30.783を蒞留氎H2O
800mlに添加し、混合しお氎溶液ずした。この氎
溶液を60℃で時間枛圧也燥した埌、さらに150
℃で時間の真空也燥を行な぀た。 次に、埗られた蛍光䜓原料混合物ず二酞化ケむ
玠SiO20.12を充分に混合した埌アルミナル
ツボに充填し、これを高枩電気炉に入れお焌成を
行な぀た。焌成は、䞀酞化炭玠を含む二酞化炭玠
雰囲気䞭にお900℃の枩床で1.5時間かけお行な぀
た。焌成が完了した埌、焌成物を炉倖に取り出し
お冷华した。このようにしお粉末状の二酞化ケむ
玠が含有された二䟡ナヌロピりム賊掻塩化臭化バ
リりム蛍光䜓BaCl2・BaBr2・0.002SiO2
0.001Eu2+を埗た。 さらに、二酞化ケむ玠の量をBaBl2・BaBr21
モルに察しお〜1.0モルの範囲で倉化させるこ
ずにより、二酞化ケむ玠の含有量の異なる各皮の
二䟡ナヌロピりム賊掻塩化臭化バリりム蛍光䜓
BaCl2・BaBr2・bSiO20.001Eu2 +を埗た。 次に、実斜䟋で埗られた各蛍光䜓に管電圧
80KVpの線を照射した埌半導䜓レヌザヌ光
780nで励起した時の茝尜発光の茝床を枬定
した。その結果を第図に瀺す。 第図は、BaCl2・BaBr2・bSiO20.001Eu2+
における二酞化ケむ玠の有量倀ず茝尜発光
茝床ずの関係を瀺すグラフである。 第図から明らかなように本発明に甚いられる
BaCl2・BaBr2・bSiO20.001Eu2+蛍光䜓は、
倀が10-4≊≊×10-1の範囲にある堎合に茝尜
発光の茝床が向䞊する。特に、倀が×10-4≩
≊10-1の範囲にある蛍光䜓は高茝床の茝尜発光
を瀺す。 実斜䟋  実斜䟋で埗られた粉末状の二酞化ケむ玠が含
有された二䟡ナヌロピりム賊掻塩化臭化バリりム
蛍光䜓BaCl2・BaBr2・0.002SiO20.001Eu2+
ず線状ポリ゚ステル暹脂ずの混合物にメチル゚チ
ルケトンを添加し、さらに硝化床11.5のニトロ
セルロヌスを添加しお蛍光䜓を分散状態で含有す
る分散液を調補した。次に、この分散液に燐酞ト
リクレゞル、−ブタノヌルそしおメチル゚チル
ケトンを添加したのち、プロペラミキサヌを甚い
お充分に撹拌混合しお、蛍光䜓が均䞀に分散し、
か぀結合剀ず蛍光䜓ずの混合比が10、粘床が
25〜35PS25℃の塗垃液を調補した。 次に、ガラス板䞊に氎平に眮いた二酞化チタン
緎り蟌みポリ゚チレンテレフタレヌトシヌト支
持䜓、厚み250Όの䞊に塗垃液をドクタヌ
ブレヌドを甚いお均䞀に塗垃した。そしお塗垃埌
に、塗膜が圢成された支持䜓を也燥噚内に入れ、
この也燥噚の内郚の枩床を25℃から100℃に埐々
に䞊昇させお、塗膜の也燥を行な぀た。このよう
にしお、支持䜓䞊に局厚が250Όの蛍光䜓局を
圢成した。 そしお、この蛍光䜓局の䞊にポリ゚チレンテレ
フタレヌトの透明フむルム厚み12Ό、ポリ
゚ステル系接着剀が付䞎されおいるものを接着
剀局偎を䞋に向けお眮いお接着するこずにより、
透明保護膜を圢成し、支持䜓、蛍光䜓局および透
明保護膜から構成された攟射線像倉換パネルを補
造した。 比范䟋  実斜䟋においお、二酞化ケむ玠を添加しない
こず以倖は、実斜䟋の方法ず同様の操䜜を行な
うこずにより、二䟡ナヌロピりム賊掻塩化臭化バ
リりム蛍光䜓BaCl2・BaBr20.001Eu2+を埗
た。 次に、この茝尜性蛍光䜓を甚いるこず以倖は実
斜䟋の方法ず同様の凊理を行なうこずにより、
支持䜓、蛍光䜓局および透明保護膜から構成され
た攟射線像倉換パネルを補造した。 実斜䟋および比范䟋で埗られた各攟射線像
倉換パネルに、管電圧80KVpの線を照射した
埌、半導䜓レヌザヌ光780nで励起した時
のパネルの感床茝尜発光茝床を枬定した。そ
の結果を第衚に瀺す。 【衚】
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明に甚いられる蛍光䜓の具䜓䟋
であるBaCl2・BaBr2・bSiO20.001Eu2+蛍光䜓
における倀ず茝尜発光茝床ずの関係を瀺すグラ
フである。第図は、本発明の攟射線像倉換方法
を説明する抂略図である。 攟射線発生装眮、被写䜓、
攟射線像倉換パネル、光源、光電倉
換装眮、画像再生装眮、画像衚瀺装
眮、フむルタヌ。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  被写䜓を透過した、あるいは被怜䜓から発せ
    られた攟射線を、䞋蚘組成匏で衚わされる
    二䟡ナヌロピりム賊掻アルカリ土類金属ハロゲン
    化物系蛍光䜓に吞収させた埌、この蛍光䜓に450
    〜1000nの波長領域の電磁波を照射するこずに
    より、該蛍光䜓に蓄積されおいる攟射線゚ネルギ
    ヌを蛍光ずしお攟出させ、そしおこの蛍光を怜出
    するこずを特城ずする攟射線像倉換方法。 組成匏 M〓X2・aM〓X′2・bSiO2xEu2+    ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
    ありおよびX′はいずれもCl、Brおよびか
    らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
    であ぀お、か぀≠X′でありそしおは0.1≩
    ≊10.0の範囲の数倀であり、は10-4≊≊
    ×10-1の範囲の数倀であり、は≊0.2の
    範囲の数倀である  組成匏におけるが0.3≊≊3.3の範
    囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲
    第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるが×10-4≊≊
    10-1の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  組成匏におけるM〓がBaであるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像
    倉換方法。  組成匏におけるおよびX′がそれぞ
    れ、ClおよびBrのいずれかであるこずを特城ず
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方
    法。  組成匏におけるが10-5≊≊10-1の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波が500〜850nの波長領域の電磁
    波であるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の攟射線像倉換方法。  䞊蚘電磁波がレヌザヌ光であるこずを特城ず
    する特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換方
    法。  支持䜓ずこの支持䜓䞊に蚭けられた茝尜性蛍
    光䜓局ずから実質的に構成された攟射線像倉換パ
    ネルにおいお、該茝尜性蛍光䜓局が、䞋蚘組成匏
    で衚わされる二䟡ナヌロピりム賊掻アルカ
    リ土類金属ハロゲン化物系蛍光䜓を含有するこず
    を特城ずする攟射線像倉換パネル。 組成匏 M〓X2・aM〓X′2・bSiO2xEu2+    ただし、M〓はBa、SrおよびCaからなる矀よ
    り遞ばれる少なくずも䞀皮のアルカリ土類金属で
    ありおよびX′はいずれもCl、Brおよびか
    らなる矀より遞ばれる少なくずも䞀皮のハロゲン
    であ぀お、か぀≠X′でありそしおは0.1≩
    ≊10.0の範囲の数倀であり、は10-4≊≊
    ×10-1の範囲の数倀であり、は≊0.2の
    範囲の数倀である  組成匏におけるが0.3≊≊3.3の
    範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるが×10-4≊≊
    10-1の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。  組成匏におけるM〓がBaであるこず
    を特城ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線
    像倉換パネル。  組成匏におけるおよびX′がそれ
    ぞれ、ClおよびBrのいずれかであるこずを特城
    ずする特蚱請求の範囲第項蚘茉の攟射線像倉換
    パネル。  組成匏におけるが10-5≊≊10-1
    の範囲の数倀であるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の攟射線像倉換パネル。
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