JPS6327844A - フオトレジスト膜現像方法及びその装置 - Google Patents

フオトレジスト膜現像方法及びその装置

Info

Publication number
JPS6327844A
JPS6327844A JP17087286A JP17087286A JPS6327844A JP S6327844 A JPS6327844 A JP S6327844A JP 17087286 A JP17087286 A JP 17087286A JP 17087286 A JP17087286 A JP 17087286A JP S6327844 A JPS6327844 A JP S6327844A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist film
light
substrate
reflected light
developer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17087286A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Murata
敬 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP17087286A priority Critical patent/JPS6327844A/ja
Publication of JPS6327844A publication Critical patent/JPS6327844A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、例えば光学又は静電容量再生方式で再生され
る情報信号記録円盤の製作の為に用いられるフすトレジ
ストM’!lにおけるフォトレジスト膜の現像方法及び
その装置に関するものである。
【従来技術とその間厘点】
光学又は静電容量再生方式で再生されるピッ)・と称さ
れる微小な四部が渦巻状に形成されている情報信号記録
円盤は、フォトレジスト膜に対して同様なビットが渦巻
状に形成されたフォトレジスト 程を経て複製される。 この情報信号記録円盤の複製の為に用いられるフォトレ
ジスト原盤は、ガラス等の透明な基板の表面に、例えば
2000人厚程度のフォトレジスト膜を設け、このフォ
トレジスト膜に対してレーザ光を照射してフォトレジス
ト膜を所定のパターンで露光し、この所定のパターンに
露光されたフォト・レジスト膜に現像液を供給して現像
し、この現像液で溶解したフォトレジスト膜の部分を除
去し、この溶解除去された部分がピットとして形成され
るものである。゛ そして、このビットがそもそも情報信号であるから、こ
のピットの形成精度は高いものでなければならない、従
って、レーザ光の照射によって露光されたフォトレジス
ト膜の現像処理は高精度に行なわれなければならない。 このフォトレジスト膜の現像処理を高精度に行なう為の
大きな条件として、露光されたフォトレジスト膜に対し
て供給する現像液の制御が挙げられており、このような
観点から従来より現像液供給i/I御方決方法々提案さ
れてきている。 例えば、特開昭58−14343号公報で提案されてい
るように、露光済のフォトレジスト膜の表面に現像液を
流し、露光済のフォトレジスト膜の部分が溶解除去され
てピットが形成される現像工程において、このフォトレ
ジスト膜の上側がらレーザ光を入射させ、そしてフォト
レジスト膜及びガラス基板の下側に配置されたフォトダ
イオードで回折光と0次光とを検出し、この回折光と0
次光との強度比を求め、この強度比が所定の値に至った
場合にフォトレジスト膜の表面に供給する現像液をスト
ップし、現像終了とする方法がある。 しかし、この提案のものでも充分でないことが。 次第に判ってきた。 すなわち、この現像方法における一I御システムにあっ
ては、現像の進行と共に形成されるビットによって現わ
れる回折光を利用しているものであり、形成するビット
形状により回折光はフォトレジスト膜表面に流れている
現像液によってゆらぐのみならず、この回折光の強度の
大きさがそもそも小さいことにより、少しのゆらぎが及
ぼす影響は必然的に大きなものとなり、従ってこの回折
光を利用しての現像液供給の制御は精度が゛悪く、現像
不足になったり、現像過多になったりする欠点がある。
【問題点を解決する為の手段】
本発明は前記の問題点に濫みてなされたものであり、基
板上のフォトレジスト膜に対して現像液を供給してこの
フォトレジスト膜を現像する工程において、フォトレジ
スト膜と反対側の基板面側から光と入射させ、この入射
させた光のフォトレジスト膜の界面からの反射光を検出
することにより現像液の供給を制御するフォトレジスト
膜現像方法を提供するものである。 又、このフォトレジスト膜現像方法を実施する為、フォ
トレジスト膜を設けた基板の保持手段と、この保持手段
によって保持された基板上のフォトレジスト膜の側に設
けられた現像液供給手段と、前記保持手段によって保持
された基板の基板面側に設けられた光照射手段と、この
光照射手段によって前記保持手段に保持された基板に照
射された光の反射光を検出する検出手段と、この検出手
段の出力信号によって前記現像液供給手段を制御する制
御手段とを備えたフォトレジスト膜現像装置を提供する
ものである。
【実施例】
図面は、本発明に係るフォトレジスト膜現像方法を実施
するための装置の1実施例の概略図である。 同図中、1はフォトレジスト原盤を構成するガラス等か
らなる透明な基板、2はこの基板1上に所定厚設けられ
たフォトレジスト膜であり、このフォトレジストrg4
2は、所定の露光手段によってレーザ光が照射され、所
定のパターンで露光されたものである。 3は、上記基板1をa!置することによって保持するこ
とになる保持手段としてのターンテーブル、4はこのタ
ーンテーブル3を回転させるためのモータである。 5は、上記ターンテーブル3上に置がれな基板1上のフ
ォトレジスト膜2の内周部位置の上側に設けられたノズ
ル、6はこのノズル5に供給される現像液のタンク、7
はノズル5に供給されるイオン交換水のタンクである。 8は、ターンテーブル3上に置がれな基板1の基板下面
より下側でその外周部より外側に1がれたレーザ光源、
9は、このレーザ光源8より入射し、そしてフォトレジ
ストWi2の界面で反射される反射光を検出する検出手
段としてのフォトダイオードである。 尚、10は、例えば基板1の下面で反射される光のよう
に、フォトレジスト膜2の界面以外の部分で反射される
余計な反射光と遮蔽し、フォトレジスト膜2の界面での
反射光をフォトダイオード9に導くためのスリットであ
る・ Illは、レーザ光源8よりのレーザ光がフ才)・レジ
スト膜2の界面で反射され、そしてこの反射光を受けた
フォトダイオード9からの出力信号が所定のものに至っ
たか否かを比較する比較回路である。 12は、この比較回路11からの出力信号、すなわち反
射光が所定の強度に至ったことな受けることによりタン
ク6からノズル5に供給される現像液の供給を制御する
制御回路である。 上記のようにフォトレジスト膜現像装置を構成させると
、フォトレジスト原盤の現像は次のようにして行なわれ
る。 まず、フォトレジスト膜2が露光済のフォトレジスト原
盤の基板1側をターンテーブル3上に置き、そしてこれ
をモータ4で低速にて回転させつつ、イオン交換水をノ
ルズ5からフォトレジスト膜2上に流し込み、イオン交
換水を全面に行き渡らせてフ才)・レジスl−v、2表
面3濡らし、その後タンク6からノルズ5に現像液を徐
々に供給するに反比例してイオン交換水の供給を停止し
、 そして現像液をフォトレジスト膜2表面に流して、
フォトルジスト[2の現像を行なう。 この現像工程に際して、レーザ光源8よりレーザ光を基
板1に対して斜口に入射させ、フオトレジスl−III
 2の界面で反射される反射光を)才l・ダイオード9
で検出する。 このフォトダイオード9による反射光の検出に際して、
フォトレジスト 1・レジスト膜2の溶解除去によってビットが形成され
るにつれ、フォトレジスト膜2表面での反射光は散乱し
、反射光は徐々に減少するようになる。 従って、このフォトダイオードって検出される反射光の
強さが基準値に至った時点において、所定の寸法のビッ
トが形成されたことになるから、現像液の供給を停止し
て現像を中止すれば、現像不足や現像過多になることな
く、フォトレジスト膜2の現像が行なわれる。 すなわち、フォトダイオード9で検出される反射光の強
さが基準値に至ると、比較回路11より所定の信号が出
力され、これによって制御回路12が作動し、制御回路
12の出力信号によって現像液のタンク6からノズル5
に供給される現像液の供給が停止され、それと共にイオ
ン交換水のタンク7からノズル5にイオン交換水が供給
され、表面が綺麗に洗浄され、ビットが正確に形成され
たフォトレジスト原盤が得られるようになる。 このようにして得られたフォトレジスト原磐のビット寸
法が正確な理由は、次のような点に基ずいている。 ■ 現像液供給の制御が反射光を利用するものであるか
らによる。 すなわち、反射光の光量は回折光に比べると約1桁程度
多いものであり、従って光量にゆらぎがあるとしても、
反射光の絶対量は回折光の絶対ユより大きいことから、
このゆらぎユは回折光を利用する場合よりも相対的に小
さく、よってゆらぎに基すいて起きる大きな欠点(現像
不足又は現像過多)が大巾に解決される。 ■ フォトレジスト膜上にある現像液表面でのレーザ光
の反射属は、現実には極めて小さく、無視できる程度の
ものであり、従って現像液の表面に波があっても、これ
による悪影響はほとんど起きない。
【効果】
本発明に係るフォトレジスト膜現像方法は、基板上のフ
ォトレジスト膜に対して現像液を供給してこのフォトレ
ジスl−膜を現像する工程においてフォトレジスト膜と
反対側の基板面側から光を入射させ、この入射させた光
のフォトレジスト界面からの反射光を検出することによ
り現像液の供給を制御するので、例えば回折光を利用し
て現像液の供給を制御する場合よりもその制御を高精度
に行なえ、現像不足及び現像過多といった欠点を大巾に
解決できるようになり、又、この反射光の量は回折光の
量より多いことから検出自体も容易になる特長を有する
。 又、本発明に係るフォトレジスト膜現像装置は、フォト
レジスト膜を設けた基板の保持手段と、この保持手段に
よって保持された基板上のフォトレジスト膜の側に設け
られた現像液供給手段と、前記保持手段によって保持さ
れた基板の基板面側に設けられた光照射手段と、この光
照射手段によって前記保持手段に保持された基板に照射
された光の反射光を検出する検出手段と、この検出手段
の出力信号によって前記現像液供給手段を制御する制御
手段とを備えたので、現像液の制御を高精度に行なえ、
従って現像不足及び現像過多といった欠点を大巾に解決
でき、又、反射光の検出自体も容易であるから検出手段
自体に極めて高性能なものを必要としなくてもすみ、従
ってそれだけ低コストで提供できるものであり、又、従
来の装置と比べて複雑になるものでもなく、簡単に提供
できる等の特長を有する。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明に係るフォトレジスト膜現像方法を実施
するための装置の1実施例を示す概略図である。 1・・・基板、2・・・フォトレジスト膜、3・・・タ
ーンテーブル、4・・・モータ、5・・・ノズル、6・
・・現像液のタンク、7・・・イオン交換水のタンク、
8・・・レーザ光源、9・・・フォトダイオード、1o
・・・スリッI・、11・・・比較回路、12・・・制
御回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上のフォト・レジスト膜に対して現像液を供
    給してこのフォトレジスト膜を現像する工程において、
    フォトレジスト膜と反対側の基板面側から光を入射させ
    、この入射させた光のフォトレジスト膜の界面からの反
    射光を検出することにより現像液の供給を制御すること
    を特徴とするフォトレジスト膜現像方法。
  2. (2)フオトレジスト膜を設けた基板の保持手段と、こ
    の保持手段によつて保持された基板上のフォトレジスト
    膜の側に設けられた現像液供給手段と、前記保持手段に
    よって保持された基板の基板面側に設けられた光照射手
    段と、この光照射手段によって前記保持手段に保持され
    た基板に照射された光の反射光を検出する検出手段と、
    この検出手段の出力信号によって前記現像液供給手段を
    制御する制御手段とを備えたことを特徴とするフォトレ
    ジスト膜現像装置。
JP17087286A 1986-07-22 1986-07-22 フオトレジスト膜現像方法及びその装置 Pending JPS6327844A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17087286A JPS6327844A (ja) 1986-07-22 1986-07-22 フオトレジスト膜現像方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17087286A JPS6327844A (ja) 1986-07-22 1986-07-22 フオトレジスト膜現像方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6327844A true JPS6327844A (ja) 1988-02-05

Family

ID=15912877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17087286A Pending JPS6327844A (ja) 1986-07-22 1986-07-22 フオトレジスト膜現像方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6327844A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100248442B1 (ko) 광디스크의 제조방법
JPH0238283Y2 (ja)
ATE1462T1 (de) Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
JPS6346973B2 (ja)
WO2006036543A1 (en) Portable conformable deep ultraviolet master mask
JPS6356830A (ja) 案内溝付光デイスクの製造方法
JPS6327844A (ja) フオトレジスト膜現像方法及びその装置
JP2002025883A5 (ja)
JP2603935B2 (ja) レジストパターン形成方法
JPS627481B2 (ja)
JPH08235645A (ja) 光記録媒体用現像方法及び光記録媒体用現像装置
JP2861073B2 (ja) 現像装置
JP3341453B2 (ja) 現像制御装置
JP2544161B2 (ja) 現像方法
JPH0990644A (ja) 現像装置及び現像方法
JPS6384027A (ja) レジスト現像方法及びその装置
JPS59103336A (ja) マスク検査修正装置
JPH04141840A (ja) フォトレジスト自動現像装置
JPS6258654B2 (ja)
JPS5841765B2 (ja) フオトマスク材の傷修復方法
JPH0442449A (ja) ディスクの現像装置
JP2550863B2 (ja) 光ディスク原盤観察装置
KR100700245B1 (ko) 광디스크의 제조방법과 이에 의해 제조된 광디스크
JPH0612705A (ja) 光記録ディスク原盤のピット現像方法
JPS59213043A (ja) 光デイスク原盤の型製造方法