JPS63278260A - 電子回路配置 - Google Patents

電子回路配置

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JPS63278260A
JPS63278260A JP62310762A JP31076287A JPS63278260A JP S63278260 A JPS63278260 A JP S63278260A JP 62310762 A JP62310762 A JP 62310762A JP 31076287 A JP31076287 A JP 31076287A JP S63278260 A JPS63278260 A JP S63278260A
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circuit
electronic circuit
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heat generating
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JP62310762A
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ラリー・イー・エクレストン
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John Fluke Manufacturing Co Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は電気回路に関するものであり、特に回路の構
成要素に対する動作特性に依存する精密に制御可能な温
度を与えるために、制御された温度で電気回路を維持す
るための配置に関するものである。
背景技術 ディスクリートなものであれ集積されたものであれ、回
路構成要素の電気特性がしばしば温度に対し感応性があ
りかつ温度に伴って可変であることは公知である。した
がって、回路に対し比較的一定の周囲温度を維持しよう
と試みることにより電子回路の動作特性および電気パラ
メータを安定化しようと試みることは先行技術では公知
である。
典型的には、抵抗器のような回路構成要素の電気パラメ
ータは公知の一定の温度で測定されかつ実質的にその温
度で一定を保つ。予め定められた温度で回路を動作して
それの電気特性を固定値で維持することは公知である。
しかしながら、温度制御および安定化は、付加的な回路
が必要であり、それゆえ増加される空間が要件であるた
めに、以前は実現するのに費用がかかった。
温度が安定した動作を達成するための先行技術の努力の
うちに遭遇された困難は、周囲温度を制御するための装
置とともに安定化されるような電子回路の配置を得るこ
とにしばしば関連があった。
さらに、特に所望の動作温度を与えるために、制御され
る回路を特殊な加熱装置と組合わせることは困難であっ
た。
したがって、先行技術ではオーブン構造内に回路を包囲
することにより回路の周囲温度を制御することが受は入
れられるようになっている。
しかしながら、そのような先行技術のアプローチは費用
がかかり、したがって所望の温度での電子回路配置の動
作の支障となりがちである。熱発生回路を必要とするこ
とに加えて、先行技術の温度制御配置は囲いを特徴とす
る特定の回路基板または配置を取囲むことに限定される
としても、そのような囲いはそのデバイスの製造経費と
それにより必要とされる空間および容量の双方を増す。
したがって、温度が安定化された動作は廉価な電子回路
およびデバイスでは手に入れ難かった。
公知の制御された温度での電気回路の動作により得られ
る精度は、より高価なデバイスへ付託され、消費者向は
エレクトロニクスで利用されるようなあまり高価でない
デバイスでは一般に得られなかった。
したがって先行技術では、容易に実現されかつ廉価な、
電子回路のための温度制御配置が必要であった。特に、
実現するために高価なオーブンまたは余分な空間および
容量を必要としない熱発生回路および熱制御回路が必要
であった。
発明の開示 したがってこの発明の目的は、先行技術の困難を克服す
ること、および電気デバイスの周囲動作温度を制御する
ための廉価な電子温度制御配置を提供することである。
この発明のより特定の目的は、熱制御構造が実現するた
めに空間および容量の実質的な増加を必要としない、電
気デバイスのための熱制御配置を提供することである。
この発明のより特殊な目的は、囲いを必要としない電子
回路のための温度制御および熱発生配置を提供すること
である。
この発明の別な目的は、その中で1個の回路基板上に動
作回路とそのための温度が制御される熱発生回路の双方
を含む、コンパクトな電子回路を実現するための構造を
提供することである。
この発明のなお別な目的は、電子回路がサブストレート
の一方の表面に設けられ、さらに熱発生抵抗回路がサブ
ストレートの反対表面に設けられる、サンドイッチ式構
造を提供することである。
この発明のさらなる目的は、サブストレートの一方の表
面に電子回路を、さらにサブストレートの反対表面に熱
発生回路を含むノ\イブリッド回路を提供することであ
る。
この発明のなお別な目的は、サブストレートの一方の表
面に電子回路を、さらにサブストレートの反対表面に熱
発生回路を、薄膜または厚膜抵抗回路網が別個のサブス
トレートに形成され、かつ抵抗回路網を含む別個のサブ
ストレートが最初に言及されたサブストレートの反対表
面で熱発生回路に装設される配置とともに含む、ハイブ
リッド回路を提供することである。
この発明のさらなる目的は、公知の熱伝導性を有するセ
ラミックセパレータの一方の側部にそれと良好な熱伝導
をする、電子回路と熱発生回路の双方を含むハイブリッ
ドを設置することと、セパレータの他方の側部に電子回
路で使用される整合抵抗器の抵抗回路網を設置すること
である。
この発明のこれらおよび他の目的に従って、一般にサブ
ストレートに形成される電気回路、サブストレートに形
成される温度制御、および予め定められた温度条件のも
とで動作するように電気回路を加熱するための、サブス
トレートに形成される加熱回路を含む電子回路配置が提
供される。熱発生回路は温度制御に接続されてそれに応
答し、その一方で熱発生回路は電気回路と近接した熱伝
導性があり、それゆえ熱包囲ハウジングが必要ないよう
にする。
好ましくは、この配置はハイブリッド電気回路構造を含
み、さらにその電気回路は集積回路チップのような、サ
ブストレートに装設される少なくとも1個の構成要素を
含む。温度制御はサブストレートに装設されるさらなる
回路を含み、それはまた集積回路であり得る。熱発生回
路はそのサブストレート上にスクリーンされた膜抵抗器
を含む。
この発明の好ましい実施例に従って、電気回路の集積回
路構成要素がサブストレートの一方の表面に装設され、
一方で熱発生膜抵抗器がサブストレートの反対表面に形
成される。
サブストレートに装設される温度制御構成要素は、好ま
しくは電気回路構成要素とサブストレートの同じ表面に
装設される。
こ発明の別な見地に従って、たとえば、電気回路の構成
要素の利得を制御するために、別個の回路網がまた設け
られる。好ましくは別個の回路網は、たとえばlppm
/’Cの整合を有する精密整合抵抗器のような、互いに
整合される構成要素か−13= ら形成される。別個の回路網は好ましくは別個のサブス
トレートに形成され、構成要素およびヒータサブストレ
ートの反対表面に装設される。
別個のサブストレートは構成要素およびヒータサブスト
レートの反対表面に接着され得る。代替案として、高い
熱伝導性のセラミックセパレータがそれの一方の表面に
沿って構成要素およびヒータ支持サブストレートの反対
表面に接着され得て、さらに別個のサブストレートがセ
ラミックセパレータの反対表面に接着され得る。
さらに、別個の回路網は、塵、湿気などがそれの種々の
構成要素に影響を与えることを排除することにより、改
良された安定性および動作のためにガラスのハウジング
に封入され得る。
別個のサブストレートと構成要素およびヒータサブスト
レートには各々のそれぞれの端縁に沿って接触コネクタ
がそれぞれ設けられる。別個のサブストレートは、双方
の導線の組が組合わされた構造の一方の端縁に沿うよう
に構成要素のサブストレートに装設され、こうしてSI
P (シングル・インライン・パッケージ)を形成し得
る。代替案として、コネクタが組合わされた構造の反対
の端縁に形成されるように2個のサブストレートが装設
されて、こうしてDIP (デュアル・インライン・パ
ッケージ)を形成し得る。
限定としてではなく例示としてこの発明の好ましい実施
例が示されかつ説明されている添付の図面に関連して考
慮すれば、この発明を実施するための最良のモードのう
ちの1つの次の詳細な説明を参照すると、この発明が関
連する技術分野での当業者にはこの発明の前述のおよび
他の目的、特徴および利点が一層容易に明らかとなるで
あろう。
発明を実施するための最良のモード 出願人の発明に従って、電気回路と熱発生回路の双方と
、それゆえ温度制御回路を組込んだ、第1図に示される
ようなハイブリッド回路基板が提供される。
ここで第1図を参照すると、構成要素増幅器14により
表わされる電気回路が形成されるサブストレート12を
含む構造配置10が示されている。
電気回路および種々のそれの構成要素は、当該技術分野
で公知の、多数の異なる電気および電子デバイスのいず
れかから形成され得る。したがって、ディスクリートな
膜状のまたは集積された構成要素が利用され得る。サブ
ストレート12はスクリーンされた膜構成要素を形成す
るばかりでなく、ディスクリートなまたは集積された構
成要素を装設するために利用され得る、ハイブリッド回
路基板であることが好ましい。
この発明を利用する一回路では、ディジタルアナログ変
換器(DAC)が形成され、増幅器14を含む集積回路
チップをそこに組込んでいる。下で説明されるように、
増幅器14の利得を制御するための利得制御回路網、特
に抵抗回路網がまたサブストレート12に含まれ得る。
この発明に従って、加熱回路18と同様にヒータ制御回
路16がサブストレート12に設けられる。好ましくは
、加熱回路18は薄いものであれ厚いものであれ、サブ
ストレート12上ヘスクリーンされる織りパターンの膜
抵抗器からなる。次の説明では、「構成要素」という語
は加熱回路18の種々の要素に対立する、増幅器14の
ような電気回路構成要素のことを言う。
第1図でさらに示されるように、増幅器14のような電
気回路構成要素は、後でサブストレートの構成要素支持
表面と同一とみなされるサブストレート12の一方の表
面に装設(または形成)される。破線により例示される
加熱回路18の要素はサブストレートの反対表面で形成
されることが好ましい。この配置では、サブストレート
12は好ましくはセラミック材料のような高い熱伝導材
料から形成されて、加熱回路と加熱される構成要素およ
び温度制御回路との間に良好な熱接触を提供する。
この発明の配置の重要な利点は先行技術の構造で浪費さ
れていたサブストレート空間の生産的利用である。特に
、加熱回路を支持するためのサブストレートの背部表面
の利用は加熱される電子回路全体により必要とされる空
間を減じ、したがってサブストレートの寸法を減じる。
結果として、加熱要件が減じられ、制御要件は簡略化さ
れ、したがって熱制御回路16の複雑さを有利に減じる
ハイブリッド配置10の減じられた寸法は加熱回路18
が回路構成要素のための囲いを必要とせずに回路構成要
素を加熱することをさらに可能にし、したがって加熱さ
れる電気回路を形成する経費をさらに減じる。
この発明の別な見地に従って、サブストレート12の構
成要素支持表面に形成かつ装設される種々の構成要素の
動作の精度は精密整合構成要素の別個の回路網を設ける
ことにより増加される。
したがって、この発明を組み入れたDACの増幅器14
の利得は第3図の20で例示される整合フィルム抵抗器
の抵抗回路網の援用により精密に制御され得る。回路網
20の抵抗器は薄膜抵抗器または厚膜抵抗器であっても
よい。別個の抵抗回路網が第2図で例示されるような別
個のサブストレート22に設けられ得る。
別個に設けられたサブストレート22において、抵抗(
または他の回路構成要素)はlppm/℃ほど近接して
互いを追跡するように整合され得て、さらに別個のサブ
ストレート22はそこに整合回路網20を含み、サブス
トレート12に分離して装設され得る。
次の説明から理解されるように、別個のサブストレート
がサブストレート12の背部表面に直接装設され得る。
代替案として、第2図に例示されるように、高い熱伝導
セラミックスペーサ24が2個のサブストレートの間で
使用され得る。第2図のサンドイッチ式構造では、構成
要素支持サブストレート12がセラミックスペーサ24
の一方の表面に装設され、一方でそれに精密制御回路網
を組込んでいる別個のサブストレートがスペーサの他方
の表面に装設される。
この発明の構造により実現される回路配置は第4図で概
略的に示される。そこに示されるように、たとえば増幅
器]4は23で例示される、サブストレート12の構成
要素支持表面に装設される。
2個のIOK抵抗器からなり得る利得制御回路20は、
たとえば、別個のサブストレート22に装 19一 般される。サブストレート22の抵抗回路網20は当該
技術分野で公知のいずれの態様でもサブストレート12
の電気回路の構成要素に接続され得る。
この発明の別な見地に従って、第2図の配置では2個の
サブストレート12および22が熱伝導エポキシなどの
薄い分子の層によりスペーサ24のそれぞれの表面に各
々接着されることが認められる。
したがって、加熱回路18はサブストレート12の構成
要素支持表面に装設される構成要素とサブストレート2
2の抵抗回路網の双方と良好な熱接触にあり、各サブス
トレートの回路に対する改良された熱制御に備えている
。その点て、セラミックセパレータの高い熱伝導性は、
サブストレート22およびそこの利得制御回路に対する
加熱される環境と組合わされて、抵抗回路網に対し20
の熱利得を生じる結果となる。
したがって、整合抵抗回路網に対する典型的な温度係数
が1ないし5ppm/’Cの範囲にあり得る一方で、サ
ブストレート22に装設されてこの発明に従って第2図
に示されるようなサブストレート12の加熱回路18と
熱接触する回路網20に対する係数は、数10分のlp
pm/℃のレベルまで減じられた。
しかしながら、間に介在するセラミックセパレ−タ24
なして、サブストレート22がサブストレート12の背
部表面に直接接着され得ることが認められるべきである
抵抗回路網20および加熱回路18の抵抗器が互いにス
クラッチし合ったり、そうでなければ各々の適当な動作
に干渉したりしないことを保証するため、第2図の実施
例でセパレータ24が利用される。そのような意図しな
い接触を妨げることにより、さらに画サブストレートで
導線およびコネクタに対し十分な離間距離を設けること
により、デバイスの製造可能性はセラミックセパレータ
24により簡略化される。しかしながら、たとえば2個
のサブストレート間に十分な離間距離を設けることによ
り、さらに十分な厚さの接着エポキシを設けることによ
り、サブストレート22は上で注目されたように、サブ
ストレート12へ直接装設され得る。
好ましい実施例では、抵抗回路網20は、湿気、塵、ま
たは他の汚染物にさらされることを排除することより回
路網の安定性を改良するために、サブストレート22上
でガラス被覆により封止される。
前述のように、またこの発明が関連する技術分野の当業
者により認められるであろうように、各サブストレート
の構成要素および要素には外部デバイス、電源などと接
触するための導線およびコネクタが設けられる。再び第
1図および第2図を参照すると、サブストレート12の
一方の端縁で接続ピン26が設けられる。ピン26は加
熱回路要素へばかりでなく、サブストレートの構成要素
支持表面の種々の電気構成要素にも接触を提供する。第
2図でまた示されるように、サブストレート22の端縁
にそこの抵抗ネットワーク20と接触するために接続ピ
ン28が設けられる。
第2図の配置において、組合わされた構造の同じ端縁に
沿って接続ピン26および28が設けられる。したがっ
て、第2図の構造はシングル・インライン・パッケージ
(S I P)として回路基板ソケットに装設され得る
。しかしながら、接続ピン26および28は組合された
構造の反対端縁で設けられ得ることが認められるべきで
ある。そのような配置はデュアル・インライン・パッケ
ージ(DIP)構造を生ずる結果となり、回路基板のD
IPソケットに組合イフされた構造を装設するために利
用され得る。DIP構造はセラミックスペーサ24が利
用されない配置で一層容易に達成され得る。
電気回路とそのための加熱回路が双方とも1個のサブス
トレートに装設される配置がこのように説明されてきた
。特に、サブストレートの一方の表面に電気回路構成要
素を、反対表面に加熱回路要素を装設することにより貴
重な空間が節約される配置が説明されてきた。構成要素
の温度を正確にモニタするために、温度制御回路は電気
回路構成要素と同じ表面に含まれ、好ましくはそこに装
設される。1個のサブストレートに直接装設され得るか
またはそれらの間のセパレータに装設され得る別個のサ
ブストレートに利得制御および他の機能のための精密抵
抗器がまた設けられる。したがって精密抵抗器はまた、
温度が制御された加熱回路により加熱され、それにより
回路の安定性をさらに増加する。
この発明の好ましい実施例の先の説明は例示および説明
のために提示されており、上の教示に鑑みて多くの修正
および変更が可能であるので、余すところがないことま
たは開示された厳密な形式にこの発明を限定することは
意図されていない。
この発明の原理およびその実用的な用途を最もよく説明
し、それにより種々の実施例でかつそれゆえに熟考され
る特定の使用に適するような種々の修正をして当業者が
この発明を最もうまく利用できるようにするために、実
施例が選択されかつ説明された。前掲の特許請求の範囲
が正当かつ公正に権利を付与される十分な広さに従って
解釈されるならば、この発明の範囲が特許請求の範囲に
より規定されることが意図される。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明を組入れたハイブリッド回路基板を示
す図である。 第2図は第1図のハイブリッドを含むサンドイッチ式構
造およびそこに精密抵抗回路網を含む別個のサブストレ
ートの側面図である。 第3図は第2図の別個のサブストレートに形成される抵
抗回路網を例示する図である。 第4図は第1図のハイブリッドに含まれる構成要素と第
3図の抵抗回路網との間の回路の相互接続を表わす概略
図である。 図において、12はサブストレート、14は増幅器、1
6はヒータ制御回路、18は加熱回路、20は抵抗回路
網、22はサブストレート、24はセラミックスペーサ
またはセパレータ、26および28は接続ピンである。 特許出願人 ジョン・フルーグ・ −25= 手続補正書(方式) 1,2日 姦 1、事件の表示 昭和62年特許願第310762号 2、発明の名称 電子回路配置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 アメリカ合衆国、ワシントン州、エベリットシ
ーウェイ・ブールバード、6920 名 称 ジョン・フルーグ・マニュファクチャリング・
カンパニー・インコーホ−レーテッド 代表者 ジョージ・エム・ウィン 4、代理人 住 所 大阪市北区南森町2丁目1番29号 住友銀行
南森町ビル電話 大阪(06)361−2021 (代
)6、補正の対象 願書の4.特許出願人の代表者の欄、図面全図、委任状
および訳文 7、補正の内容 別紙のとおり。なお、図面は内容には変更なし。 以上

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)サブストレートと、 前記サブストレートに形成される電気回路と、前記サブ
    ストレートに形成される温度制御手段と、 前記サブストレートに形成されて予め定められた温度条
    件で動作するように前記電気回路を加熱するための熱発
    生回路手段とを含み、 前記熱発生回路手段は前記温度制御手段に接続されかつ
    それに応答し、 前記熱発生回路手段は前記電気回路と近接した熱伝導性
    があり、それゆえ熱囲いが必要ないようにする、電子回
    路配置。
  2. (2)前記配置がハイブリッド電気回路構造を含み、 前記電気回路は前記サブストレートに装設される少くと
    も1個の構成要素を含み、 前記温度制御手段は前記サブストレートに装設されるさ
    らなる回路を含み、さらに 前記熱発生回路手段は前記サブストレート上ヘスクリー
    ンされる膜抵抗器を含む、特許請求の範囲第1項に記載
    の電子回路配置。
  3. (3)前記電気回路構成要素が構成要素支持表面を形成
    する前記サブストレートの一方の表面に装設され、さら
    に 前記熱発生膜抵抗器が前記サブストレートの反対表面に
    形成される、特許請求の範囲第2項に記載の電子回路配
    置。
  4. (4)前記温度制御手段回路が前記サブストレートに装
    設される温度制御構成要素を含む、特許請求の範囲第2
    項に記載の電子回路配置。
  5. (5)前記電気回路構成要素が集積回路チップを含む、
    特許請求の範囲第2項に記載の電子回路配置。
  6. (6)前記電気回路構成要素が構成要素支持表面を形成
    する前記サブストレートの一方の表面に装設され、さら
    に 前記熱発生膜抵抗器が前記サブストレートの反対表面に
    形成され、 前記温度制御構成要素が前記サブストレートの前記構成
    要素支持表面に装設される、特許請求の範囲第4項に記
    載の電子回路配置。
  7. (7)サブストレートと、 前記サブストレートに形成される電気回路と、前記サブ
    ストレートに形成される温度制御手段と、前記サブスト
    レートに形成されて予め定められた温度条件で動作する
    ように前記電気回路を加熱するための熱発生回路手段と
    を含み、 前記熱発生回路手段が前記温度制御手段に接続されかつ
    それに応答し、 前記熱発生回路手段が前記電気回路と近接した熱伝導性
    があり、それゆえ熱囲いが必要ないようにし、 前記配置がハイブリッド電気回路構造を含み、前記電気
    回路が前記サブストレートに装設される少なくとも1個
    の構成要素を含み、 前記温度制御手段が前記サブストレートに装設されるさ
    らなる回路を含み、さらに 前記電気回路構成要素は構成要素支持表面を形成する前
    記サブストレートの一方の表面に装設され、さらに 前記熱発生回路手段は前記サブストレートの反対表面に
    形成され、さらに 互いに整合される構成要素から形成されて前記電気回路
    の高精密部分を含む別個の回路網をさらに含み、 前記別個の回路網は別個のサブストレートに形成され、 前記別個のサブストレートは前記最初に言及されたサブ
    ストレートの前記反対表面に装設される、電子回路配置
  8. (8)前記別個のサブストレートが前記最初に言及され
    たサブストレートの前記反対表面に接着される、特許請
    求の範囲第7項に記載の電子回路配置。
  9. (9)前記最初に言及されたサブストレートの前記反対
    表面に接着されるセパレータ手段をさらに含み、前記セ
    パレータ手段が高い熱伝導性を有し、 前記別個のサブストレートが前記セパレータ手段に接着
    される、特許請求の範囲第7項に記載の電子回路配置。
  10. (10)前記最初に言及されたサブストレートが前記セ
    パレータ手段の一方の表面に接着され、さらに前記別個
    のサブストレートが前記セパレター手段の反対表面に接
    着される、特許請求の範囲第9項に記載の電子回路配置
  11. (11)前記別個の回路網が改良された安定性および動
    作のためにガラスハウジングに封入される、特許請求の
    範囲第7項に記載の電子回路配置。
  12. (12)複数個のコネクタピンが前記最初に言及された
    サブストレートの一方の端縁に沿って設けられ、さらに
    複数個の別個のコネクタピンが前記別個のサブストレー
    トの端縁に沿って設けられる、特許請求の範囲第7項に
    記載の電子回路配置。
  13. (13)前記別個のサブストレートがDIP(デュアル
    ・インライン・パッケージ)構造を形成するように選択
    される配置で前記最初に言及されたサブストレートに装
    設される、特許請求の範囲第12項に記載の電子回路配
    置。
  14. (14)前記別個のサブストレートが、1対の平行な端
    縁を有する組合わされた構造を形成するように前記最初
    に言及されたサブストレートに装設され、 前記最初に言及されたサブストレートの前記一方の端縁
    と前記別個のサブストレートの前記一方の端縁が、組合
    わされた構造の端縁の前記対の反対のものに沿っている
    、特許請求の範囲第13項に記載の電子回路配置。
  15. (15)前記別個のサブストレートがSIP(シングル
    ・インライン・パッケージ)構造を形成するように選択
    された配置で前記最初に言及されたサブストレートに装
    設される、特許請求の範囲第12項に記載の電子回路配
    置。
  16. (16)前記別個のサブストレートが、1対の平行な端
    縁を有する組合わされた構造を形成するように前記最初
    に言及されたサブストレートに装設され、 前記最初に言及されたサブストレートの前記一方の端縁
    と前記別個のサブストレートの前記一方の端縁が、組合
    わされた構造の端縁の前記対の共通のものに沿っている
    、特許請求範囲第15項に記載の電子回路配置。
  17. (17)前記別個の回路網が、前記最初に言及されたサ
    ブストレートの前記構成要素支持表面上の前記電気回路
    構成要素の動作を制御するために、前記別個のサブスト
    レートの上ヘスクリーンされる膜抵抗器の抵抗回路網を
    含む、特許請求の範囲第7項に記載の電子回路配置。
  18. (18)前記熱発生回路手段が前記サブストレート上に
    スクリーンされる膜抵抗器を含む、特許請求の範囲第1
    7項に記載の電子回路配置。
  19. (19)前記熱発生回路手段が前記サブストレート上に
    スクリーンされる膜抵抗器を含む、特許請求の範囲第7
    項に記載の電子回路配置。
JP62310762A 1986-12-08 1987-12-07 電子回路配置 Pending JPS63278260A (ja)

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