JPS6327589A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents
強誘電性液晶組成物Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は、強誘電性液晶組成物に関するものである。更
に詳しくは、室温付近で熱力学的に安定な強誘電相を形
成しうる液晶組成物に関するものである。 ” ′ 「従来の技術」 現在、液晶表示装置の主流をなしているのは、シアノビ
フェニル系混合液晶を用いたＴＮ型−（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）のもので、この液晶表示装置の動作
原理は、分子長軸方向の誘電率ε１が分子軸垂直方向の
誘電率εよよりも大きいことに基づいている。液晶表示
装置のさしあたっての目標は、テレビ画面として実用化
する二夏である４晶テレビを単純マトリックス方式によ
ってＣＲＴなみのきめ細かさにするためには、液晶セル
の応答速度はμＳｅｅのオーダーになければならないと
されている。しかし、ＴＮ型セルの応答速度は、たかだ
か１ ｍ５ｅｃのオーダーであり、たとえ単純マトリッ
クス方式により液晶テレビを作ったとしても、画面は非
常に粗いものとなってしまう。
に詳しくは、室温付近で熱力学的に安定な強誘電相を形
成しうる液晶組成物に関するものである。 ” ′ 「従来の技術」 現在、液晶表示装置の主流をなしているのは、シアノビ
フェニル系混合液晶を用いたＴＮ型−（Ｔｗｉｓｔｅｄ
Ｎｅｍａｔｉｃ）のもので、この液晶表示装置の動作
原理は、分子長軸方向の誘電率ε１が分子軸垂直方向の
誘電率εよよりも大きいことに基づいている。液晶表示
装置のさしあたっての目標は、テレビ画面として実用化
する二夏である４晶テレビを単純マトリックス方式によ
ってＣＲＴなみのきめ細かさにするためには、液晶セル
の応答速度はμＳｅｅのオーダーになければならないと
されている。しかし、ＴＮ型セルの応答速度は、たかだ
か１ ｍ５ｅｃのオーダーであり、たとえ単純マトリッ
クス方式により液晶テレビを作ったとしても、画面は非
常に粗いものとなってしまう。
１９７５年Ｍｅｙｅｒらは、ｐ−デシロキシベンジリデ
ン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメート（Ｄ
ＯＢＡＭＢＣ＞を合成し、そのカイラルスフ１クチツク
Ｃ相（Ｓｃ木相）が強誘電性であることを見出した。ま
たこの液晶は、μＳｅｅのオーダーの高速応答性、およ
びメモリー性を示すという、これまでの液晶技術の常識
をくつが゛えす画期的なものである。
ン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメート（Ｄ
ＯＢＡＭＢＣ＞を合成し、そのカイラルスフ１クチツク
Ｃ相（Ｓｃ木相）が強誘電性であることを見出した。ま
たこの液晶は、μＳｅｅのオーダーの高速応答性、およ
びメモリー性を示すという、これまでの液晶技術の常識
をくつが゛えす画期的なものである。
もしＤＯＢＡＭＢＣが室温付近で強誘電性を有するなら
ば、強誘電性液晶テレビとして飛躍的な発展を遂げる可
能性は非常に高い。しかしながら、現実には、ＤＯＢＡ
ＭＢＣは、６４〜９２°Ｃの温度範囲でしか強誘電性を
示さない。
ば、強誘電性液晶テレビとして飛躍的な発展を遂げる可
能性は非常に高い。しかしながら、現実には、ＤＯＢＡ
ＭＢＣは、６４〜９２°Ｃの温度範囲でしか強誘電性を
示さない。
一方、室温付近で、強誘電性を示す液晶、として’ｐ７
’ｎ−フルコオキシベンゾイックアシドーｐ’−（１２
□−メチルフトオキシ力ルポニル）７ヱニルエステル［
ｐ−ｎ−ａｌｋｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ ｐ’
−（２−ｍｅｔｈｙｌｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）
ｐｈｅｎｙｌ ｅｓｔｅｒｌ（以下アルフキシ頷長の炭
素数ｎを用いて、Ｃ−ｎ例えばオクチルオキシのものを
Ｃ−８というように略記する）が知られている。この系
列の強誘電性液晶は、Ｓｃ本相がモノトロピックであり
、しかもＳ＾→ＳＣ末転移温度がｍ、 ｐ、 （結晶→
Ｓ＾転移温度）よりもかなり低いので、Ｓｅ本相は熱力
学的に不安定相であり、そのため容易に結晶化してしま
い１．単独での使用はＳｃ本相の安定性という点に関し
て難点がある。
’ｎ−フルコオキシベンゾイックアシドーｐ’−（１２
□−メチルフトオキシ力ルポニル）７ヱニルエステル［
ｐ−ｎ−ａｌｋｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ ａｃｉｄ ｐ’
−（２−ｍｅｔｈｙｌｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ）
ｐｈｅｎｙｌ ｅｓｔｅｒｌ（以下アルフキシ頷長の炭
素数ｎを用いて、Ｃ−ｎ例えばオクチルオキシのものを
Ｃ−８というように略記する）が知られている。この系
列の強誘電性液晶は、Ｓｃ本相がモノトロピックであり
、しかもＳ＾→ＳＣ末転移温度がｍ、 ｐ、 （結晶→
Ｓ＾転移温度）よりもかなり低いので、Ｓｅ本相は熱力
学的に不安定相であり、そのため容易に結晶化してしま
い１．単独での使用はＳｃ本相の安定性という点に関し
て難点がある。
「発明が解決しようとした問題点」
本発明者らは、かかる状況にあって゛、室温付近で熱力
学的に安定した強誘電相を形成しうるカイフルスメクチ
７りＣ結晶を提供゛することを目的として鋭意検討した
結果、特定の土ステル系液晶を２種以上混合した組成物
とすると、このｉ的が達成されることを見出し、本発明
を完成するに至ったものである。
学的に安定した強誘電相を形成しうるカイフルスメクチ
７りＣ結晶を提供゛することを目的として鋭意検討した
結果、特定の土ステル系液晶を２種以上混合した組成物
とすると、このｉ的が達成されることを見出し、本発明
を完成するに至ったものである。
「問題、αを解決するための手段」 、しかして
本発明の要旨とするところは、エステル系カイラルスメ
クチック液晶群の中から選ばれた少なくとも２種類の液
晶の混合物であることを特徴とする強誘電性液晶組成物
に存ｙる。
本発明の要旨とするところは、エステル系カイラルスメ
クチック液晶群の中から選ばれた少なくとも２種類の液
晶の混合物であることを特徴とする強誘電性液晶組成物
に存ｙる。
以下、本発明の詳細な説明する。、。
り液晶群とは、次の一般式（１，、）、すなわち［一般
式（Ｉ）において、ＸはＣｎＨ７ｎ＋ｌ０−１から選ば
れた基、ＹはＣｍＨ２Ｉ＠＋＋−１Ｃｍ Ｈ２’ｌ＠＋
１０−で表わ”され、かつ、論が１〜２０の整数の基
、Ｃ２Ｈ，ＣＯＣＨ２−１ ＣＨ。
式（Ｉ）において、ＸはＣｎＨ７ｎ＋ｌ０−１から選ば
れた基、ＹはＣｍＨ２Ｉ＠＋＋−１Ｃｍ Ｈ２’ｌ＠＋
１０−で表わ”され、かつ、論が１〜２０の整数の基
、Ｃ２Ｈ，ＣＯＣＨ２−１ ＣＨ。
Ｃ，Ｈ，ＣＯＣＨ２０−から選ばれた基を表わす。］Ｃ
Ｈ。
Ｈ。
で表わされる液晶をいう。
その具体例としては、次のような化合物があげられるが
、本発明はこれら例示されたものに限定されるものでは
ない。
、本発明はこれら例示されたものに限定されるものでは
ない。
ｐｎ−ヘキシルオキシベンゾイック７シドーｐ゛−（２
メチルプＦキシカルボニル）フェニルエステル、ｐ ｎ
−ヘプチルオキシベンゾイックアシド−ｐ’−（２−メ
チルブトキシカルボニル）フェニルエステル、ｐｎ−オ
クチルオキシベンゾイフク７シ）’−ｐ’−（２−メチ
ルブトキシカルボニル）７エ二ルエステル、ｐ−ｎ−ノ
ナノオキシベンゾイック７シドーｐ’−（２−メチルブ
トキシカルボニル）７エ二ルエステル、ｐｎ−デカオキ
シベンゾイックアシド−ｐ’−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）７エ二ルエステルｓｐ ｎ−ウンデカオキシ
ベンゾイックアシド−ｐ’−（２−メチルプ）斗ジカル
ボニル）フェニルエステル、ｐ−ｎ−ドデカオキシベン
ツイックアシド−ｐ’−（２−メチルブトキシカルボニ
ル）フェニルエステル、ｐｎ−）リデカオキシベンゾイ
ックアンドーｐ’ （２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル、ｐ−ｎ−テＦラデカオキシベンゾ
イックアンドーｐ’−（２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル、９ｎ−ペンタデカオキシベンゾイ
ック７シドーｐ”−（２−メチルブトキンカルボニル）
フェニルエステル、９ｎ−へキサデカオキシベンゾイッ
クアシド−ｐ”−（２−メチルブトキシカルボニル）フ
ェニルエステル、ｐ−’−ｎ−へブタデカオキシベンゾ
イックアシド−ｐ゛−（２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル、ｐｎ−オフタデ力オキシベンゾイ
フク″７シドーｐ’−（２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル。
メチルプＦキシカルボニル）フェニルエステル、ｐ ｎ
−ヘプチルオキシベンゾイックアシド−ｐ’−（２−メ
チルブトキシカルボニル）フェニルエステル、ｐｎ−オ
クチルオキシベンゾイフク７シ）’−ｐ’−（２−メチ
ルブトキシカルボニル）７エ二ルエステル、ｐ−ｎ−ノ
ナノオキシベンゾイック７シドーｐ’−（２−メチルブ
トキシカルボニル）７エ二ルエステル、ｐｎ−デカオキ
シベンゾイックアシド−ｐ’−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）７エ二ルエステルｓｐ ｎ−ウンデカオキシ
ベンゾイックアシド−ｐ’−（２−メチルプ）斗ジカル
ボニル）フェニルエステル、ｐ−ｎ−ドデカオキシベン
ツイックアシド−ｐ’−（２−メチルブトキシカルボニ
ル）フェニルエステル、ｐｎ−）リデカオキシベンゾイ
ックアンドーｐ’ （２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル、ｐ−ｎ−テＦラデカオキシベンゾ
イックアンドーｐ’−（２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル、９ｎ−ペンタデカオキシベンゾイ
ック７シドーｐ”−（２−メチルブトキンカルボニル）
フェニルエステル、９ｎ−へキサデカオキシベンゾイッ
クアシド−ｐ”−（２−メチルブトキシカルボニル）フ
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イックアシド−ｐ゛−（２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル、ｐｎ−オフタデ力オキシベンゾイ
フク″７シドーｐ’−（２−メチルブトキシカルボニル
）フェニルエステル。
本発明に係る強誘電性液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表
わされるエステル系カイラルスメクチック液晶群の中か
ら少なくとも２種類を選び、組み合せ混合されたもので
ある。これは、エステル系カイラルスメクチック液晶群
から選ばれた１種類では、前記のごとき欠点が発現され
、本発明の目的、が達成されないが、少なくとも２種類
を選び組み合せ混合した組成物とすると、本発明の目的
が達成される。
わされるエステル系カイラルスメクチック液晶群の中か
ら少なくとも２種類を選び、組み合せ混合されたもので
ある。これは、エステル系カイラルスメクチック液晶群
から選ばれた１種類では、前記のごとき欠点が発現され
、本発明の目的、が達成されないが、少なくとも２種類
を選び組み合せ混合した組成物とすると、本発明の目的
が達成される。
本発明者らの実験によれば、液晶化合物を組み合せる場
合、１つの液晶と他の液晶との分子の長軸方向の分子鎖
長が相互に近似したちの同士で組み合せると、本発明の
目的が効果的に達成されることが分った。特に、長軸方
向の分子鎖長が１０ｎｍの範囲内にあるもの同士な選択
して組み合せたものが、好適であることが分った。
合、１つの液晶と他の液晶との分子の長軸方向の分子鎖
長が相互に近似したちの同士で組み合せると、本発明の
目的が効果的に達成されることが分った。特に、長軸方
向の分子鎖長が１０ｎｍの範囲内にあるもの同士な選択
して組み合せたものが、好適であることが分った。
更に、本発明者らの実験によれば、前記一般式（１）で
表わされた液晶群から選択しで組み合せる場合、もっと
も少ない液晶成分が占める割合が３〜３０モル％の範囲
内である−と、本発明の目的が効果的に達成されること
が分った。
表わされた液晶群から選択しで組み合せる場合、もっと
も少ない液晶成分が占める割合が３〜３０モル％の範囲
内である−と、本発明の目的が効果的に達成されること
が分った。
本発明に係る強誘電性液晶組成物には、液晶分子の配向
を助けるために極性界面活性剤を添加することができる
し、カラー表示をするために２色性色素を添加すること
ができる。
を助けるために極性界面活性剤を添加することができる
し、カラー表示をするために２色性色素を添加すること
ができる。
本発明に係る強誘電性液晶組成物は、そのまま液晶セル
に注入して、または有機高分子材料と混合し製膜して、
電気光学素子、大型液晶ディスプレイ、温度センサー、
液晶光シャッター、光変調器等に応用することができる
。
に注入して、または有機高分子材料と混合し製膜して、
電気光学素子、大型液晶ディスプレイ、温度センサー、
液晶光シャッター、光変調器等に応用することができる
。
「発明の効果」
本発明は、次のように特別に顕著な効果を奏し、その産
業上の利用価値は極めて大である。
業上の利用価値は極めて大である。
（１）本発明に係る強誘電性液晶組成物は、常温付近で
、強誘電相を形成し、コントラストが強いという特徴を
有する。ディスプレイの用途に使用した場合、優れた輝
度が達成される。これはエステル系カイラ、ルスノクチ
ック液晶単独では達成できなかった顕著な効果である。
、強誘電相を形成し、コントラストが強いという特徴を
有する。ディスプレイの用途に使用した場合、優れた輝
度が達成される。これはエステル系カイラ、ルスノクチ
ック液晶単独では達成できなかった顕著な効果である。
（２） エステル系カイラルスメクチック液晶単独の使
用では、わずかの温度変化によっても、結晶構造が変化
する傾向が強かったが、本発明に係る強誘電性液晶組成
物は、常温付近で熱力学的に安定で゛あり、わずかの温
度変化では結晶構造が変化することはない。
用では、わずかの温度変化によっても、結晶構造が変化
する傾向が強かったが、本発明に係る強誘電性液晶組成
物は、常温付近で熱力学的に安定で゛あり、わずかの温
度変化では結晶構造が変化することはない。
「実施例」
以下、本発明を実施例、比較例にもとづいて詳細に説明
するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の例に
限定されるものではない、 ゛実施例１〜５、比較例
１〜２ く強誘電性液晶組成物の７１４製〉 液晶として５ｏ−ｎ−フルコキシベンゾイックアシドー
ｐ’ （２−メチルブトキシカルボニル）７工ニルエ
ステル（以下これを「Ｃ−ｎＪという。）であって、フ
ルコキシ基の炭素数の異なる化合物（炭素数が６．８．
１２のもの）を、モル比でＣ−８／Ｃ−５＝ｓ （３／
４．９１／９．８３／１７．５１／４９、Ｃ−８／Ｃ−
１２＝ ９４ ／ ６．８５／１５としてそれぞれ混合
し強誘電性液晶組成物を調製した。
するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の例に
限定されるものではない、 ゛実施例１〜５、比較例
１〜２ く強誘電性液晶組成物の７１４製〉 液晶として５ｏ−ｎ−フルコキシベンゾイックアシドー
ｐ’ （２−メチルブトキシカルボニル）７工ニルエ
ステル（以下これを「Ｃ−ｎＪという。）であって、フ
ルコキシ基の炭素数の異なる化合物（炭素数が６．８．
１２のもの）を、モル比でＣ−８／Ｃ−５＝ｓ （３／
４．９１／９．８３／１７．５１／４９、Ｃ−８／Ｃ−
１２＝ ９４ ／ ６．８５／１５としてそれぞれ混合
し強誘電性液晶組成物を調製した。
〈誘電率の温度依存性〉
２枚のスライドグラスのそれぞれの片面上に、幅約５１
で帯状にアルミニウムを真空蒸着し、これを電極とした
。電極面を対向させた間に、スペーサとして厚さ約２５
〜３０μ−のポリエステルフィルムをはさみ、その中央
部を５論箇×５ＩＩ１１の大きさで切り抜き、セルとし
た。このセルに液晶を等方性液体の状態で、気泡がセル
内に入らないように注意しながら充填した。電極面は相
互に直角になるように組み合せ、スライドグラス端部は
エポキシ系接着剤で固着し、液晶と外気との接触を防い
だ。
で帯状にアルミニウムを真空蒸着し、これを電極とした
。電極面を対向させた間に、スペーサとして厚さ約２５
〜３０μ−のポリエステルフィルムをはさみ、その中央
部を５論箇×５ＩＩ１１の大きさで切り抜き、セルとし
た。このセルに液晶を等方性液体の状態で、気泡がセル
内に入らないように注意しながら充填した。電極面は相
互に直角になるように組み合せ、スライドグラス端部は
エポキシ系接着剤で固着し、液晶と外気との接触を防い
だ。
誘電率の温度依存性は、上のセルを用いて、周波数１０
０Ｈｚ印加電圧１０Ｖで、ブリッジ法によって測定した
。
０Ｈｚ印加電圧１０Ｖで、ブリッジ法によって測定した
。
誘電率の温度依存性曲線から、スメクチックＡ相からカ
イラルスメクチックＣ相への転移点（Ｔｓ＾→５ｅａ）
及びＳｃ車相から結晶への転移点（Ｔｓｃ本→ｋ）を求
めた。またＳＡ相からＳｅ本相への転移領域における誘
電率の増加分（Δε°）を求めた。
イラルスメクチックＣ相への転移点（Ｔｓ＾→５ｅａ）
及びＳｃ車相から結晶への転移点（Ｔｓｃ本→ｋ）を求
めた。またＳＡ相からＳｅ本相への転移領域における誘
電率の増加分（Δε°）を求めた。
結果を第１表に示した。
第１表より、次のことが明らかである。
（１） 本発明に係る液晶組成物は、Ｔｓｐ、−＊ｓｃ
本、Ｔｓｃ本→にの値が常温付近にあり、常温領域で使
用可能である。
本、Ｔｓｃ本→にの値が常温付近にあり、常温領域で使
用可能である。
（２） 本発明に係る液晶組成物は、Ｔｓ＾→ｓｃ木、
Ｔｓｃ＊→にの差が大で、熱力学的に安定である。
Ｔｓｃ＊→にの差が大で、熱力学的に安定である。
第１図は、誘電率の温度依存性曲線であり、縦軸はε゛
、横軸は温度を意味する。
、横軸は温度を意味する。
Claims (4)
- （１）エステル系カイラルスメクチック液晶群の中から
選ばれた少なくとも２種類の液晶の混合物であることを
特徴とする強誘電性液晶組成物。 - （２）液晶組成物に含まれる複数の液晶が、分子の長軸
方向の分子鎖長の差が１０ｎｍ以内にある液晶より選択
されたものであることを特徴とする、特許請求の範囲第
（１）項記載の強誘電性液晶組成物。 - （３）液晶組成物に含まれる複数の液晶において、最も
少ない液晶が占める割合が３〜３０モル％の範囲内であ
ることを特徴とする、特許請求の範囲第（１）項または
第（２）項いずれかに記載の強誘電性液晶組成物。 - （４）エステル系カイラルスメクチック液晶群が、次の
一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼…（ I ） ［一般式（ I ）において、ＸはＣｎＨ＿２＿ｎ＋＿１
Ｏ−、▲数式、化学式、表等があります▼で表わされ、
かつ、ｎが１〜 ２０の整数の基、▲数式、化学式、表等があります▼ から選ばれた基を表わし、ＹはＣｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿１
−、Ｃ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿１Ｏ−で表わされ、かつ、
ｍが１〜２０の整数の基、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼から選ばれた基を表
わす。］ で表わされるものであることを特徴とする、特許請求の
範囲第（１）項ないし第（３）項いずれかに記載の強誘
電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949586A JPS6327589A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 強誘電性液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16949586A JPS6327589A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 強誘電性液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327589A true JPS6327589A (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=15887581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16949586A Pending JPS6327589A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 強誘電性液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6327589A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163104B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-01-16 | Fujitsu Limited | Tray for semiconductor device and semiconductor device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6090290A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-21 | Chisso Corp | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS60248790A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶組成物及び光学装置 |
| JPS6197382A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Chisso Corp | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS61231082A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS62106985A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Chisso Corp | 複屈折型表示素子用強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP16949586A patent/JPS6327589A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6090290A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-21 | Chisso Corp | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS60248790A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-09 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶組成物及び光学装置 |
| JPS6197382A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Chisso Corp | カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS61231082A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
| JPS62106985A (ja) * | 1985-11-01 | 1987-05-18 | Chisso Corp | 複屈折型表示素子用強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7163104B2 (en) | 2004-06-28 | 2007-01-16 | Fujitsu Limited | Tray for semiconductor device and semiconductor device |
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